Радиаторы для полупроводниковых приборов

В 22.3 дан пример использования такого подхода для определения теплового сопротивления между р-п переходом установленного на радиаторе полупроводникового прибора и окружающей средой. Формулы для определения тепловых сопротивлений и коэффициентов для часто встречающихся в РЭА случаев приведены в табл. 22.4. [c.825]

В производстве радиоэлектронной аппаратуры для снижения металлоемкости и трудоемкости изготовление некоторых деталей производят из литых заготовок — отливок. К числу таких деталей относят корпуса сборочных единиц приемников, передатчиков, антенных устройств волноводных линий, радиаторы полупроводниковых приборов, детали механизмов управления различных систем, постоянные магниты и др. [c.144]

РАДИАТОРЫ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ [c.835]

Несмотря на сравнительно небольшую рассеиваемую мощность, которая присуща подавляющему числу современных полупроводниковых приборов, из-за малых габаритов последних удельная рассеиваемая мощность может быть достаточно велика. Если не принять специальных мер по отводу тепла от прибора, то перегрев р-п перехода приводит либо к отказу прибора, либо к резкому снижению его долговечности. Наиболее распространенным типом индивидуального теплоотводящего устройства для полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) является радиатор, представляющий собой металлическую теплопроводную пластину с гладкой или развитой поверхностью (рис. 22.7). [c.835]

На основе электротепловой аналогии составлена эквивалентная тепловая схема полупроводникового прибора, установленного на радиаторе (рис. 22.9, а). Схема включает в себя следующие тепловые сопротивления — переход — корпус / кс — корпус — окружающая среда / — корпус прибора — радиатор / р — радиатор — окружающая среда. [c.837]

Разность температур возникает вследствие неидеального теплового контакта корпуса полупроводникового прибора и радиатора. [c.839]

Не рекомендуется устанавливать изоляционные прокладки между корпусом полупроводникового прибора и радиатором. Целесообразно, когда это возможно, электрически изолировать радиатор от шасси РЭА, а полупроводниковый прибор крепить на радиаторе без изоляции. Если радиатор служит для охлаждения одного полупроводникового прибора, его следует располагать в центре радиатора, При размещении нескольких приборов на радиаторе их устанавливают так, чтобы тепловая мощность была равномерно распределена по поверхности радиатора. [c.847]

Так, например, при разработке комплекса отраслевых стандартов на радиаторы охлаждения полупроводниковых приборов было рассмотрено около 4000 чертежей радиаторов, изготовляемых на 158 предприятиях, проведена комплексная конструктивно-технологическая работа, в результате которой был создан размерный ряд радиаторов. Конструктивно стандартизованные радиаторы выгодно отличались от ранее разрабатываемых благодаря значительному увеличению поверхности охлаждения при тех же размерах и унификации элементов крепления полупроводников приборов к радиаторам и радиаторов к панели. Разработаны оснастка и технологический процесс изготовления стандартизованных радиаторов. В результате проведения работ организовано централизованное производство радиаторов. [c.11]

К такого же рода стандартам относятся разработанные отраслевые стандарты на игольчато-штыревой радиатор для полупроводниковых приборов. Даже в стандарте, на лепестки контактные, в котором основная работа действительно сводилась к отбору лучших образцов изготовляемых изделий, при их стандартизации большое количество чертежей подвергалось изменениям, а ряд чертежей был разработан заново. Так, из 1812 типоразмеров в стандарт были включены лишь 190, из которых 20 представляли собой новые конструкции, в большинстве же остальных чертежей были даны различные варианты исполнения и предусмотрены другие виды покрытий. [c.12]

Если принять, что объектом стандартизации является данное конкретное изделие, то изменение любого его признака, параметра, размера, проведенное в процессе стандартизации и изменяющего его эксплуатационные свойства или нарушающие взаимозаменяемость, позволит нам утверждать, что это уже не тот объект (основной его конструкторский документ или ТУ должны быть заменены). Поэтому стандартизация была проведена до начала промышленного производства изделия, как это было показано на приведенных выше примерах стандартизации радиаторов охлаждения полупроводниковых приборов, ручках управления и контактных лепестков. [c.13]

В целях интенсификации процесса отвода тепла от рабо-тающих полупроводниковых приборов осуществляют их посадку на радиаторы (рис. 6-8). Трансформаторы, как правило, закрепляют на шасси (рис. 6-9), которые выполняют роль теплоотводов. В обоих случаях тепловой поток наибольшей мощности направлен на теплоотводы. Однако в местах крепления диодов, триодов и трансформаторов к теплоотводам возникает контактное термическое сопротивление, вызванное наличием межконтактной прослойки переменной толщины (обычно [c.160]

В радиотехнике и радиоэлектронике холодную сварку применяют для герметизации корпусов полупроводниковых приборов, в цветной металлургии - для соединения алюминиевых или титановых катодных штанг с магистральными медными шинами в приборостроении - для изготовления шасси приборов из алюминия и его сплавов в автомобильной промышленности - при производстве радиаторов из алюминиевых сплавов в машиностроении - при изготовлении переходных элементов из разнородных материалов, используемых в криогенной технике на электрифицированном [c.487]

Для радиаторов применяют материалы, обладающие хорошей теплопроводностью и малым удельным весом. Целесообразно использовать алюминий и его сплавы (АД, АМц, Д16, АЛ-2 и др.). Для снижения веса применяют магниевые сплавы МА-1, МА-8 [1]. Ребристые и штырьевые радиаторы изготавливают литьем или фрезерованием из сплошной заготовки. Чтобы увеличить теплоотдачу излучением поверхность радиатора окрашивают темной матовой краской или подвергают травлению и оксидированию с добавкой черного красителя Для снижения тепловогосопротивления контакта Rn рекомендуется обрабатывать поверхность радиатора, контактирующую с полупроводниковым прибором, с чистотой не ниже у 6 на контактную поверхность следует наносить вязкие вещества с хорошей теплопроводностью. Например, полиметилсилоксановые жидкости с вязкостью от 200 до 1000 сСт (ПМС-200, 300, 500, 1000) снижают величину / к до 50%. [c.847]

Л г а п о в а М. Г., Гальперин Е. И. Основы тепловых расчетов полупроводниковых приборов с радиаторами. В сб. Полупроводниковые приборы и их применение , вып. 14. Издво Советское радио , 1965. [c.851]

Так как тепловым процессам присушка инерционность, тепловой режим полупроводникового прибора устанавливается на протяжении промежутка времени, величина которого зависит от конструкции прибора и конструктивного расположения в блоке. Так, полное время установления теплового режима маломош ных приборов (в том числе и стабилигронов, которые в схемах ИВЭП используются в качестве источника эталонного напряжения) составляет 2—3 мин, а для мощных приборов еще больше и зависит от теплоемкости корпуса и радиатора. Практически за этот промежуток времени параметры схемы, в которой работают полупроводниковые приборы, принимают установившееся значение, таким образом, источник вторичного электропитания можно считать готовым к работе только с наступлением установившегося теплового режима полупроводниковых приборов. [c.53]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...