Полупроводниковые соединения химическая связь в ANB

Полупроводниковые соединения характеризуются определенной структурой и химическими связями. Поэтому каждому типу термоэлектрического материала соответствует определенный интервал рабочих температур. Исходя из этого термоэлектрические [c.56]

Из металловедения хорошо известно, что кристаллические интерметаллические соединения с ковалентными и ионными связями имеют тенденцию образовываться, если по меньшей мере один из элементов принадлежит к группе IVB или к более дальним группам периодической системы элементов ([137], гл. 4). Это следует из химического принципа, согласно которому предпочтительно образуются такие соединения, в которых один из элементов имеет почти заполненную оболочку валентных электронов. Очевидно, что химические составы жидких полупроводников согласуются с этим принципом. Теория химических связей полупроводниковых соединений Мозера и Пирсона [178] представляет собой более детальное изложение указанного принципа. Основное отличие жидких полупроводников состоит в том, что в жидкой фазе может существовать больше различных молекулярных структур, чем в кристалле, поэтому ограничения стехиометрии, соответствующие правилам Мозера и Пирсона, в этом случае не могут применяться строго. [c.49]

Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения. [c.60]

Химическая связь в полупроводниковых соединениях [c.62]

Установление взаимосвязи между степенью ионности полупроводниковых соединений А и подвижностями носителей заряда р в них затруднительно, прежде всего, из-за сильной чувствительности р к дефектам кристаллов. В то время как измерения Eg в образцах с широким диапазоном значений концентрации примесей и дефектов дают одно и то же значение, для измерения решеточной подвижности p,i (см. ниже) необходимо иметь чистые и достаточно совершенные кристаллы. Поэтому далеко не во всех полупроводниках по измеренной при некоторой температуре подвижности можно говорить о надежном определении p,i. С другой стороны, сама теория химических связей не дает возможности рассчитывать численные величины подвижности носителей заряда из значений кристаллохимических параметров, характеризующих тип химической связи, можно говорить лишь о тенденциях, знание которых полезно для прогнозирования свойств получаемых полупроводниковых материалов. [c.68]

Полупроводниковые кристаллические соединения типа А " В представляют собой химические соединения, образующиеся при взаимодействии элементов В и В подгрупп периодической системы элементов Менделеева. Эти соединения характеризуются наличием у А на внешних оболочках по 3 валентных электрона в состоянии а у В по 5 электронов в состоянии и, вследствие этого, в химических соединениях А В на каждый атом приходится такое же, как и в элементах IV группы, количество электронов, а отсюда идентичность в кристаллической структуре и электронных свойствах этих соединений с алмазом, кремнием, германием и другими элементами IV группы. Однако в отличие от элементов IV группы, имеющих в кристаллической структуре только гомеополярные связи, соединения типа А В имеют как гомеополярные, [c.249]

Как показывают исследования физических свойств, антиизо-морфные соединения с увеличением молекулярного веса становятся более металлическими. Заключение о преимущественно ковалентном типе химической связи и незначительном вкладе ионной составляющей в случае MgaSn подтверждается тем, что расплав этого соединения имеет проводимость того же порядка, что и жидкое олово (Уэллс [106а]). Изменение свойств в зависимости от изменения молекулярного веса изоструктурных соединений, содержащих элементы подгрупп IVB — VIB, уже обсуждалось более подробно в предыдущем разделе, касающемся полупроводниковых промежуточных фаз. [c.272]

Полупроводники занимают по величине удельной проводимости промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Особенности свойств полупроводников позволяют широко использовать их в различных отраслях электротехники в технике связи, в широком диапазоне частот, в различных устройствах радиоэлектроники и в технике сильного тока. Их применяютв выпрямителях, в усилителях, в фотоэлементах, в качестве специальных источников тока и т. п. Наряду со сравнительно давно известными полупроводниками, такими как селен, окислы, сульфиды, различные соединения химических эле ментов и изделия из электротехнического угля, в последние годы стали широко применять в качестве полупроводников Германий и кремний. В полупроводниковой технике эти материалы занимают очень важное место и безусловно сыграют в будущем большую роль в развитии многих отраслей электротехники. [c.12]

Селениды бериллия, магния, и елочноземельных металлов имеют еще более высокие температуры плавления, чем моноселениды щелочных металлов (1000— 1800°С). Они также обладают высоким удельным электросопротивлением, так, например, для ВаЗе оно составляет l- 3 10 ° ОМ-СМ-, это соединение с ионным характером химической связи. Ширина запрещенной зоны для ВаЗе равна 4,0 эв. Эти соединения не обладают полупроводниковыми свойствами. Для селенидов щелочноземельных металлов характерны оптические свойства тонких пленок—коэффицент поглощения для MgSe и ЗгЗе равен 10 см . [c.33]

Силициды, как и бориды, представлены чрезвычайно разнообразными и еще мало изученными соединениями с многообразием структур и типов химических связей. Они перспективны как жаростойкие вещества, материалы с магнитными, полупроводниковыми и сверхпроводниковыми свойствами. Широкие исследования и разработка их практического применения принадлежат Институту проблем материаловедения АН УССР [30, 34, 64, 65, 72, 74]. [c.52]

Анализируя химическую связь в полупроводниках, Музер и Пирсон [25] ввели понятие о некоторой специфической полупроводниковой связи ,основной составной частью которой является ковалентная связь, обеспечивающая полупроводниковые свойства кристаллов. Они пришли к выводу, что для образования этой связи в элементарных полупроводниках необходимо наличие полностью заполненных 5- и р-орбиталей в валентных оболочках всех атомов. В полупроводниковых бинарных соединениях достаточно, чтобы хотя бы один из двух связанных атомов обладал заполненными 5- и р-валентными орбиталями. Присутствие пустых металлических орбиталей у другого атома, входящего в состав соединения, не уничтожает полупроводниковых свойств, если эти атомы не связаны друг с другом. Связи в полупроводниках должны образовывать одно-, двух- или трехмерную решетку, простирающуюся на весь кристалл. [c.72]

Полупроводниковые фазы типа А В определенного стехиометрического состава не являются чисто ковалентными кристаллами, так как из-за различия в валентности элементов в них наряду с ковалентными возникают и ионные связи. Кристаллическая решетка таких соединений аналогична решетке алмаза. Из соединений типа А В применяют соединения с сурьмой — антимониды (например, ZnSb) и с мышьяком — ар-сениды (например, GaAs). Они имеют определенный химический состав, поэтому неосновные носители электрического тока возникают из-за примесей, точечных дефектов и разупорядоченности. Примеси П1 и V групп мало влияют на проводимость. Примеси П группы являются акцепторными, VI — донорными. Элементы IV группы в тех случаях, когда они замеш ают атомы А — доноры, если замещают атомы В — акцепторы. [c.589]

Имея это в виду, мы рассмотрим, почему полупроводниковые свойства обнаруживают в основном, по-видимому, сплавы, содержащие элементы, группы VIB (халькогены), а также почему роль электроотрицательных элементов редко играют элементы групп IVB, VB и УИВ. Часть ответа состоит в том, что элементы групп IVB и VB, особенно более тяжелые из них, имеют сильную тенденцию принимать альтернативную валентность, которая меньше на 2. Это соответствует тому, что при образовании связей не используются (ns) валентных электронов в более низких состояниях. Например, такие элементы, как олово и сурьма, имеют альтернативные химические свойства, подобные химическим свойствам кадмия и индия соответственно, и имеют тенденцию при соединении с другими металлами образовывать типичные металлические сплавы. Что касается элементов группы VIIB, то их большая электроотрицательность является причиной, по которой такие элементы образуют ионные соединения. Однако ряд систем сплавов М—X, где X — галоген, существует в широкой области стехиометрии. Эти системы обладают многими свойствами жидких полупроводников, как отмечалось в гл. 1. [c.50]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...