Тройные полупроводниковые соединения

Тройные полупроводниковые соединения [c.84]

Закономерности образования тройных полупроводниковых соединений [c.85]

Тройные полупроводниковые соединения, 84 закономерности образования, 85 [c.371]

В таблицы в основном включены данные о полупроводниках с Eg<3 эВ. Тройные и более сложные полупроводниковые соединения не описаны . Не приведены также сведения о параметрах различных полупроводниковых приборов. [c.455]

В таблицы в основном включены данные о полупроводниках с Eg < 3 эв. Свойства тройных и более сложных полупроводниковых соединений не приведены. Не приводятся также сведения о параметрах различных полупроводниковых приборов . [c.342]

В полупроводниковой технике используют многие соединения, представляющие собой двойные, тройные и более сложные системы. К наиболее распространенным полупроводниковым соединениям относятся закись меди, сурьмянистый цинк, сернистый свинец, карбид кремния, теллурид висмута, теллурид кадмия, теллуристый свинец, селенид ртути, теллурид ртути и т. д. Рассмотрим некоторые из указанных соединений. [c.184]

Приведенные простые эмпирические закономерности оказались полезными с точки зрения прогнозирования полупроводниковых производных от известных полупроводниковых соединений, в частности большой группы полупроводников сложного состава (твердые растворы, бинарные, тройные и др. соединения), производной от А В - . [c.73]

Рассмотрим Р — Т — X диаграммы для бинарных систем. Интенсивные работы по изучению Р — Т — X диаграмм состояния показали, что использование высоких давлений (десятки и сотни тысяч атмосфер) в ряде случаев приводит к изменению типа диаграммы состояния, к резкому изменению температур фазовых и полиморфных превращений, к появлению новых фаз, отсутствующих в данной системе при атмосферном давлении. Так, например, диаграмма с неограниченной растворимостью в твердом состоянии при высоких температурах и распадом твердого раствора а на два твердых раствора ai + 2 при низких температурах может с увеличением давления постепенно переходить в диаграмму с эвтектикой (см. рис. 4.18,а). На рис. 4.18,6 показана диаграмма состояния системы Ga-P, в которой образуется полупроводниковое соединение GaP. В зависимости от давления это соединение может плавиться конгруэнтно или инконгруэнтно. Соответственно изменяется и вид двойной диаграммы Т — X яа различных изобарических сечениях тройной Р —Т — X диаграммы. [c.167]

Полупроводниковые свойства присущи тройным соединениям [c.48]

По химическим и физическим свойствам селен похож на теллур, который применяется в полупроводниковой технике исключительно для получения двойных и тройных соединений, обладающих высокими фото- и термоэлектрическими свойствами. [c.182]

Тройные полупроводниковые соединения с общей формулой AnBiv v [25, 88J и [43 ] можно построить, например, на [c.267]

Четвертое правило. Большинство тройных полупроводниковых соединений подчиняется правилу нормальной валентности. Для одноанионных соединений с общей формулой A Bj оно записывается так [c.85]

Ge, Si, Se, Те), двойные, тройные, четверные соединения. Существуют также органич. П. (см. Органические проводники). Полупроводниковые соединения принято классифицировать по номерам групп периодич. табл, элементов, к к-рыи принадлежат входящие в соединения элементы. Иапр,, соединения А В содержат элементы 3-й и 5-й групп (GhAs, InSb н т. д.). Элементы Ge, Si, соединения AB и и.х твёрдые растворы играют важную роль в полупроводниковой электронике. Хорошо изучены также полупроводниковые соединения AB и А В (см. Полупроводниковые материалы). [c.35]

По структуре П. м. делятся на кристаллические, аморфные, жидкие. Ряд органич. веществ также проявляет полупроводниковые свойства и составляет обширную группу органических полупроводников. Наиб, значение имеют веорганич. кристаллич. П. м., к-рые по хим. составу разделяются на элементарные, двойные, тройные и четверные хим. соединения, растворы и сп.т1авы- Полупроводниковые соединения классифицируют по номерам групп перподич. табл, элементов, к к-рым принадлежат входящие в их состав элементы. [c.44]

При создании излучательных гетероструктур используется принцип изопе-риодического замещения в многокомпонентных твердых растворах полупроводниковых соединений. С ним связано широкое применение сложных по составу тройных и четверных систем, перекрывающих практически важный спектральный диапазон от 0,8 до 1,7 мкм. Широкий спектр задач, решаемых ВОЛС, и постоянное совершенствование источников излучения привели к созданию большого числа разновидностей этих источников, различающихся конкретной структурой и используемыми материалами. [c.107]

Основные материалы для источников излучения ВОЛС — это полупроводниковые соединения А В . Среди них имеются бинарные (двухкомпонентные) ОаАв, тройные (трехкомпонентные) (АЬОа[ А8, ОаА8х8Ь1 х) четырехкомпонентные Оа Хп1 хА8уР1--у. [c.109]

Далее следует обратить внимание на то, что в правиле Музера-Пир-сона оговаривается только число В атомов элемента, входящего в состав полупроводника, а роль А атомов сводится к добавлению электронов в суммарное число валентных электронов Пд. Это позволяет предполагать, что можно посредством замены компонента А в исходном соединении получать не только полупроводниковые твердые растворы, производные от соединений А В - , но и другие бинарные, тройные и более сложные полупроводниковые соединения, но уже, возможно, со структурой, производной от алмазоподобной. В этом случае замещающие элементы выбираются из групп периодической таблицы, отличных от той, в которой расположен замещаемый атом А, однако при этом должны удовлетворяться общие закономерности образования полупроводников (см. выше). [c.77]

Таким образом, возможно существование десяти классов недефектных тройных алмазоподобных соединений (по сравнению с тремя классами недефектных двойных алмазоподобных соединений), причем число соединений в одном классе тройных в несколько раз превышает число соединений в одном классе двойных. Большая группа сложных алмазоподобных полупроводниковых соединений описана в [26]. [c.86]

Серьезными недостатками структуры являются необходимость глубокого охлаждения полупроводника (около 90 К) и связанное с иим вакуумирование, недостаточно высокий оптический контраст, узкий спектральный диапазон чувствительности и трудность подбора рабочей пары — источника излучения и соответствующей линии экситонного поглощения. Заметим, что последний недостаток частично может быть ослаблен при использовании полупроводниковых иижекционных лазеров и близких к ним по составу полупроводниковых пластин, например на основе тройного соединения GaAiAs. Кроме того, некоторые полупроводники, например селенид галлия, имеют интенсивные линии экситонного поглощения при комнатной температуре. [c.205]

Прави. 1а этого рода часто используют, чтобы предсказывать полупроводниковые свойства бинарных и тройных соединений [см., напрнмер, Е. Музер, В. В. Пирсон Прогресс в полупроводниках, т. 5 (Хейвуд, Лондон, 1960), с. 105]. [c.174]

Тройные соединения и твердые растворы на их основе являются поисти-не неисчерпаемым источником полупроводниковых материалов с щиро- [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...