Технология изготовления полупроводниковой микросхемы

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ МИКРОСХЕМЫ [c.181]

Микроэлектронное устройство, у которого все или часть элементов нераздельно связаны и электрически соединены между собой таким образом, что представляют собой единое конструктивное целое, называют интегральной микросхемой. Ее элементы не имеют внешних выводов и не могут рассматриваться как отдельные изделия. В зависимости от технологии изготовления интегральные микросхемы подразделяют на полупроводниковые и гибридные. [c.316]

По технологии изготовления различают гибридные и полупроводниковые микросхемы. Гибридные микросхемы выполняются в виде пленок и навесных бескорпусных дискретных элементов. В полупроводниковых микросхемах навесные дискретные элементы отсутствуют. [c.478]

Интегральные микросхемы могут изготавливаться с помощью пленочной или полупроводниковой технологии. Возможны интегральные микросхемы, при изготовлении которых используются как те, так и другие технологические процессы. [c.669]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

В зависимости от технологии изготовления микросхемы подразделяют на полупроводниковые и пленочные. Пленочные схемы, в свою очередь, делятся на тонкопленочные и толстопленочные. Первые получают методами термического испарения материалов и катодного распыления, вторые — методами шелкографии и вжигания специальных паст в керамику. Разновидностью тонкопленочных микросхем, используемых в диапазоне СВЧ, являются микрополосковые схемы. По степени унификации и применения в РЭА микросхемы подразделяют на микросхемы широкого и частного применения. [c.221]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...