Импульсное лазерное возбуждение и релаксация электронной подсистемы полупроводникового кристалла

Импульсное лазерное возбуждение и релаксация электронной подсистемы полупроводникового кристалла. При действии на полупроводник лазерного излучения с энергией кванта йсо, значительно превышающей ширину запрещенной зоны Eg По)> Eg (рис. 2.27) поглощение света происходит в тонком приповерхностном слое толщиной ос 10"см, где а. — коэффициент оптического поглощения. (Последнее значение ха- [c.142]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...