Детекторы полупроводниковые

Важнейшими характеристиками при этом являются коэффициент преобразования, динамический диапазон, инерционность, геометрические размеры. При использовании одиночных детекторов первого поколения можно было использовать сцинтилляционные кристаллы с ФЭУ, которые обладают высокой чувствительностью, удовлетворительным динамическим диапазоном (10 ) и малой инерционностью. Применение ФЭУ из-за их значительных габаритов затруднительно при использовании линейки, состоящей из большого числа детекторов. Для этих случаев применяют ионизационные газовые детекторы, полупроводниковые детекторы и сцинтилляционные кристаллы с полупроводниковыми фотодиодами. [c.190]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД [c.120]

Во всех описанных выше случаях в качестве детекторов служат сцинтилляционные детекторы, полупроводниковые детекторы или газоразрядные счетчики. Широкая номенклатура таких устройств вместе с сопутствующим оборудованием выпускается отечественной промышленностью. [c.77]

Кристадин — кристаллический детектор, изобретенный О. В. Лосевым в ]922 г. и явившийся первым полупроводниковым прибором—ч предшественником современных транзисторов 19]. [c.146]

Детектирование излучений основывается на различных принципах ионизации газов (ионизационные камеры и газоразрядные счетчики), ионизации твердых тел (кристаллические счетчики), флуоресценции (сцинтилляционные счетчики), радиофотолюминесценции, радиотермолюминесценции, фотохимических реакциях, тепловых взаимодействиях и т. д. Из перечисленных методов детектирования излучений в экспериментальной практике используют главным образом ионизационные камеры, газоразрядные и сцинтилляционные счетчики, перспективными являются кристаллические полупроводниковые детекторы. [c.245]

ПТУ-89, ДГС-1, РД-ЮР, НИВ-2, Нейтрон-3). Временная разрешающая способность метода при использовании в качестве детекторов излучения сцинтилляционных и полупроводниковых счетчиков чрезвычайно высока и достигает долей микросекунд. Это позволяет использовать проникающее излучение для диагностики быстро протекающих и нестационарных процессов. [c.247]

В качестве детектора излучения при-меняют ионизационные камеры, газовые и сцинтилляционные счетчики, полупроводниковые детекторы. Мощность сигналов детекторов мала, поэтому для усиления сигналов используют соответствующую усилительную аппаратуру. [c.375]

Анализ более сложных радиоизотопных композиций осуществляют с помощью полупроводниковых У спектрометров, несколько уступающих сцинтилляционным по чувствительности, однако значительно (на порядок) превосходящих их по энергетическому разрешению. При необходимости чувствительность можно повысить, используя дополнительный защитный сцинтиллятор, включенный с анализирующим Се(и)-детектором на антисовпадениях. [c.212]

ПЗС применяются также для считывания электрич, сигналов с детекторов частиц. Чаще всего это линейные ПЗС, к-рые служат задержками аналоговых сигналов, а также используются, напр., для считывания с полосковых кремниевых детекторов (см, Полупроводниковый детектор). [c.582]

Имеются системы, использующие сцинцилляционные кристаллы (среднетоковый метод), и системы с полупроводниковыми счетчиками (импульсный метод). При среднетоковом методе сигнал выдается в виде значения среднего тока, значение которого зависит от размеров дефекта. При полупроводниковом методе контроля ионизационное излучение просвечивания после прохождения соединения регистрируется в виде последовательности им-пульсон двумя независимыми полупроводниковыми детекторами. Сигналы обоих детекторов при отсутствии дефектов одинаковы. При наличии дефектов устройство выдает сигнал, равный разности сигналов обоих детекторов. [c.123]

Радиометрия — это метод получения информадии о внутреннем состоянии объекта контроля с регистрацией выходящего пучка излучения в виде электрических сигналов. Схема данного метода контроля приведена на рис. 6.17. В радиометрии используют в основном два метода среднетоковый и импульсный, которые различают способами регистрации излучения и электронной обработки информации. Контроль осуществляется сканированием объекта узким пучком. Плотность потока выходного пучка при наличии дефекта меняется и преобразуется в электрический сигнал, пропорциональный плотности пучка. В среднетоковом методе используют сцинцилляционные кристаллы, которые выдают сигнал в виде среднего тока, а в импульсном — полупроводниковые счетчики, которые регистрируют излучение в виде последовательности импульсов двумя независимыми полупроводниковыми детекторами. [c.164]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых элементов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов тиристоров, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих те,мпсратур этих приборов от - 60 до +80" С. [c.77]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Фотоумножители, применяющиеся в томографии, имеют темновой ток не свыше 10 А, обеспечивают линейность фототока до десятков и сотен микроампер, отличаются повышенной стабильностью и сохранением чувствительности с погрешностью не свыше 0,2 % в течение нескольких секунд. Они имеют относительно большие габариты, что приводит к повышению размеров и массы матрицы. Сцинтил-ляциоиные детекторы с ФЭУ используются в томографах I и И-го поколений, когда количество каналов небольшое (8—32) или в томографах IV-ro поколения, когда матрица неподвижна или процессирует с медленной скоростью. С целью существенного сокращения габаритов, расширения (в 100 и более раз) динамического диапазона линейности и повышения стабильности применяют вместо ФЭУ полупроводниковые фотоприемники (ФП). В качестве последнего используют кремниевые фотоэлементы с диффузионным или поверхностно барьерным р—п переходом. [c.468]

Наиболее простые и распространенные детекторы скрытого изображения — радиографическая пленка и полупроводниковые (ксерографические) пластины. Методы получения на них статического видимого изображения внутреннего состояния изделия при просвечивании ионизирующим излучением называют соответственно радиографией и ксеро-радиографией. [c.14]

Увеличение числа каналов регистрации выдвигает некоторые дополнительные трудности при разработке радиометрических дефектоскопов. Должна быть значительно повышена надежность работы каналов регистрации. Использование сцин-тилляционных детекторов обусловливает очень громоздкое выполнение блока приемников излучения. Трудности, связанные с юстировкой осей всех приемников излучения на источник, значительно возрастают. Поэтому ставится вопрос о разработке мозаики малогабаритных детекторов, каждый из которых имеет самостоятельный выход в цепи обработки сигнала [58J. Представляет интерес использование в такой мозаике полупроводниковых детекторов излучения. Кроме значительного сокращения габаритов применение этих детекторов значительно упростило бы вопрос, связанный с источниками питания для многоканальных систем. Препятствием на пути распростраиения полупроводниковых детекторов в радиометрической дефектоскопии является большой разброс их параметров даже Б одной партии. Для работы в мозаике требуется их почти полная идентичность, сохраняющаяся в течение длительного времени и в широком диапазоне климатических воздействий. Если бы этот вопрос удалось решить, то в целом применение полупроводниковых детекторов было бы предпочтительным, несмотря на то что эффективность регистрации у-излучения низка и поэтому требуется увеличение активности источника излучения. [c.166]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Изучение их свойств, получение опыта их использования и достижения теории полупроводников создали условия для появления транзисторов и развития транзисторной электроники (1948 г.). Основными задачами ее были (да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50-х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы (рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. Вскоре появились смесительные диоды, используемые в сунергетеро- [c.382]

Для измерения спектров нейтронов в широком интервале энергий использовали набор резонансных и пороговых детекторов [6]. Активность детекторов измеряли на полупроводниковом Ge(Li)-детекторе и на детекторе с кристаллом Nal(TI). Методика обработки данных подробно приводится в [6]. Восстановление спектров нейтронов по экспериментально определенным скоростям реакций детекторов проводили по программам NFD, SAND-II и RESONANSE-M [7—10]. [c.108]

Д.11Я из.мерения онергии и интенсивности потока сс-частиц, испускаемых а-актив-ными ядрами, нс-1гольяуются газоразрядные и полупроводниковые детекторы [c.63]

Поскольку на образование одной пиры носителей заряда требуется, по крайней мере, в 100 раз меньше энергии (2,8 эВ в кристалле Ge), чем затрачивается в сциптплляц. счётчике па получение одного фотоэлектрона с фотокатода ФЭУ, то разрешающая способность иолупроводникоаого F.- . оказывается гораздо более высокой, чем у сцпнтилляц. Г.-с. Для спектрометрии у-квантов с энергией порядка иеск. МзВ D ОСН. применяются работающие при темн-ре жидкого азота германиевые детекторы двух типов детекторы, в к-рых обеднённая область создала внедренном ионов Li в кристалл Ge с проводимостью р-тина, и детекторы из сверхчистого Ge. Полупроводниковые F.- . дают возможность получить кэБ при = [c.412]

Простейший комптоновский поляриметр [4] пред-Став, 1яот собой полупроводниковый детектор в виде [c.414]

При A(D >Sg (рентг. или 7-излученпе) Г. н. з. состоит из первичного акта ионизации, при к-ром возникают носители большой энергии ( w), и множественных процессов ударной ионизации, в к-рых образуются новые электронно-дырочные пары. При этом Т1>1, однако g. Последнее связано с необходимостью сохранения импульса в элементарных актах рождения электронно-дырочных пар с возбуждением колебаний решётки. При Tia Sg часто пользуются приближённой ф-лой r h -iSg. Аналогичным образом протекает Г. н. 3., если вместо фотонов использовать заряж. частицы больнюй энергии S >Sg (электроны, протоны, ос-частицы ИТ. п. см. Полупроводниковый детектор частиц). [c.435]

Г. используется как полупроводниковый материал (в виде монокристаллов, аморфных плёнок) в электронике, полупроводниковых детекторах и приборах, измеряющих напряжённость пост, и перем. магн. полей, для изготовления плёночных сопротивлений, покрытий с высокой отражат. способностью, высокочувствит, термометров для измерения темп-р, близких к абс. нулю, Оксид Г. GeOj применяют при получении стёкол с высокими показателями преломления. Сплавы Г. с ниобием, ванадием, оловом обладают сравнительно высокими темп-рами перехода в сверхпроводящее состояние. [c.442]

Наиб, близок к ионизац. камере по принципу действия полупроводниковый детектор, к-рый представляет собой ионизац. камеру, в к-рой роль газа играет полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый Д.— быстрый прибор, его разрешающее время 10 с, надёжен в работе, не подвержен влиянию магп. полей недостаток — относительно небольшой объём Д. [c.589]

Для регистрации фотонов РПИ пригоден любой газоразрядный детектор частиц с тонким входным окном, содержащий тяжёлый инертный газ (Хе, Кг, Ат), или твердотельный детектор Чаще всего применяют пропорциональную камеру или дрейфовую камеру (изредка стримерную камеру), а также сцинтилляционные детекторы и полупроводниковые детекторы. При этом возникает необходимость выделять сигнал РПИ на фоне ионизации, производимой быстрой заряж. частицей в том же детекторе. Из-за больших флуктуаций, характерных для обоих процессов, прямое вычитание вклада ионизации из суммарного сигнала невозможно. Для решения этой задачи пользуются неск. методами. 1) Отклонение частицы в магн. поле позволяет прост- [c.578]

Применения, р — п-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелиней-I ную ёмкость (см. Варикап), Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять током др. р — П П., рекомбинировать с излучением света, превращая р — п-П. в электро люминесцентный источник излучения (см. Светоиялукающий диод), инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р — я-П. Ток р — я-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями (см. Полупроводниковый детектор). [c.644]

Смотреть страницы где упоминается термин Детекторы полупроводниковые : [c.352] [c.428] [c.1197] [c.181] [c.198] [c.252] [c.266] [c.5] [c.130] [c.498] [c.28] [c.37] [c.63] [c.225] [c.404] [c.411] [c.412] [c.141] [c.191] [c.424] [c.458] [c.458] [c.459] [c.534] [c.626]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...