Транзистор fe- — полупроводниковый

Рис. 3.10. Изоляция транзисторов полупроводниковых ИС

Генераторы электроимпульсных станков часто выполняют на транзисторах (полупроводниковых триодах). Они могут работать на высоких напряжениях (до 150 В), больших токах (до 5—10 А на один транзистор). Преимуществом таких генераторов является высокая частота следования импульсов, малая их продолжительность и низкая скважность. Все это обеспечивает высокую производительность при достаточной точности и малой шероховатости поверхности. [c.152]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения. [c.247]

Электронные усилители. Транзисторы. Сплавные, плоскостные, полупроводниковые триоды. Конструкция полупроводниковых триодов — транзисторов. Полупроводниковые усилители. [c.319]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) изготовляют на основе германия или кремния. Они предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее К- п. д., экономичность, надежность [c.151]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из кремния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя противоположной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, называются триодами типа р— п—р триоды, у которых средняя область обладает дырочной проводимостью — триодами типа п—р—п. Физические процессы, происходящие в триодах двух типов, аналогичны. [c.47]

Биполярные транзисторы — полупроводниковые приборы, используемые для усиления сигналов. В зависимости от силы тока, проходящего через переход база — эмиттер, меняется сопротивление перехода коллектор -г- эмиттер. Наиболее распространенной является схема включения транзистора с общим эмиттером, где входное напряжение подается на переход база — эмиттер, а выходное напряжение снимается с перехода коллектор — эмиттер (рис. 3.20). Параметры транзисторов описываются семейством входных характеристик /б = /( /бз) и семейством выходных характеристик /к = Я Укэ). Используя эти характеристики, можно установить связь между силой токов через переходы транзистора и приложенными к ним напряжениями, рассчитать коэффициент усиления транзистора / 21=/к//б, определить, в каком состоянии находится транзистор, и оценить, не произошло ли превышение предельно допустимых значений его параметров. [c.470]

Транзистор (полупроводниковый триод) представляет собой пластину полупроводника, в которой между двумя областями с однотипной электропроводностью имеется область электропроводности противоположного типа. От этих трех областей сделаны три вывода, получившие название вход (эмиттер), выход (коллектор) и общий электрод (база). Током в цепи коллектора можно управлять при помощи изменений напряжения и тока в цепи эмиттера, т. е. получать явление, аналогичное зависимости анодного тока трехэлектродной электронной лампы от напряжения на сетке. Однако входное сопротивление кристаллических триодов, как правило, в сотни раз меньше выходного (цепи нагрузки), т. е. обратно соотношениям в обычных электронных лампах. [c.337]

Транзисторы. Для создания на полупроводниковой пластине транзисторов применяются планарная и планарно-эпитаксиальная топологии, используемые также для изготовления отдельных современных транзисторов. Различие в характеристиках транзисторов полупроводниковых микросхем и отдельных транзисторов может быть обусловлено свойствами изолирующей области, в которой находится транзистор на пластине твердой схемы. [c.700]

Полупроводниковые приборы. В системе электрооборудования автомобиля применяют полупроводниковые приборы — диоды и триоды (транзистор). Полупроводниковый диод обладает свойством пропускать ток в одном направлении. Диод (рис. 73, а) состоит из пластинки германия или кремния, в которую вплавлена капелька алюминия или индия. На границе между ними образуется переходный слой, имеющий одностороннюю проводимость. Такие диоды применяют в качестве выпрямителей переменного тока. [c.113]

Полупроводниковый прибор с р-я-переходом работает как выпрямитель (диод). На практике большое применение нашли также многие другие, более сложные полупроводниковые приборы, в том числе транзисторы (полупроводниковые триоды), которые состоят из двух участков га-Ое, между которыми расположен р-Ое, или, наоборот, из двух участков р-Ое, между которыми расположен п-Се. Обычно р-ге-переходы в полупроводниковых диодах и триодах получают внутри одного и того же монокристалла. [c.41]

Транзистор — полупроводниковый кристаллический усилитель с тремя выводами (эмиттер, коллектор, база), управляет которым регулятор напряжения. Обмотка/7 (вместе с противодействующей пружиной) — чувствительный элемент в системе регулятора. [c.215]

Стандарты устанавливают буквенно-цифровые позиционные обозначения для наиболее распространенных элементов. Например, резистор-R конденсатор - С дроссель и катушка индуктивности-L амперметр - РЛ вольтметр-Р С/ батарея аккумуляторная (или гальваническая)-GB выключатель (переключатель, ключ, контроллер и т. n.)-S генератор-G транзистор и диод полупроводниковый, выпрямительное устройство - V двигатель (мотор)-М предохранитель-F трансформатор-Г электромагнит (или муфта электромагнитная) - У. [c.278]

Полупроводниковые приборы, разработанные до 1964 г., продолжают маркироваться по старой системе, предусматривающей составление марки из трех элементов первый элемент — буква Д для диодов или П для транзисторов второй элемент — число, отличающее прибор данного типа от Других, причем сотня, в пределах которой оно выбрано, [c.138]

Кристадин — кристаллический детектор, изобретенный О. В. Лосевым в ]922 г. и явившийся первым полупроводниковым прибором—ч предшественником современных транзисторов 19]. [c.146]

Транзистор полевой — полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители под действием продольного электрического поля между электродами, называемыми истоком и стоком исток — полупроводниковая область, от которой начинается движение зарядов, а сток — полупроводниковая область, к которой по каналу движутся эти заряды управление величиной тока в канале производится поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным между истоком и управляющим электродом — затвором (З]. [c.158]

Транзистор эпитаксиальный — транзистор, изготовленный путем напыления тонких пленок на поверхность полупроводниковой пластины, которая обычно служит коллекторной областью будущего транзистора преимущества возможность одновременного изготовления большого числа транзисторов, близких один к другому по параметрам, высокие граничные частоты, малые объемные сопротивления [9]. [c.159]

Триод полупроводниковый — см. транзистор. [c.160]

Транзистор. Транзистор, или полупроводниковый триод, был изобретен в 1948 г. По способу изготовления транзистор очень мало отличается от полупроводникового диода. [c.159]

В качестве быстродействующего ключа для получения незатухающих высокочастотных колебаний может использоваться полупроводниковый транзистор. Через транзистор (рис. 232) конденсатор Ск колебательного контура соединяется с источником постоянного тока. Пока на базу транзистора не подается управляющий сигнал, ток через него не проходит, конденсатор отключен от источника постоянного тока. При подаче управляющего [c.235]

Высокую чувствительность измерения температуры обеспечивают и другие полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы. В качестве термометрического параметра используется, например, напряжение эмиттер-база при постоянном токе эмиттера. Чувствительность при этом составляет примерно 2,5 мВ/К, что на порядки превышает аналогичный показатель для термопар. [c.116]

Полупроводниковые материалы используются для получения проводимости, управляемой внешними факторами, например, напряжение, температура, освещенность. Из них изготавливаются диоды, транзисторы, фоторезисторы и тому подобные элементы. [c.5]

Кремний применяют для изготовления различных диодов и транзисторов, тиристоров, стабилитронов, фотодиодов, датчиков Холла, тензометров и других полупроводниковых приборов, а также интегральных схем. [c.80]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,- [c.276]

Полу проводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, перемещение и распределение зарядов под действием электрических и магнитных полей внутри кристалла. На основе этого созданы разнообразные полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы различного назначения, позволяющие уменьшить вес и габариты аппаратуры, увеличить ее долговечность и надежность. Открытие и разработка новых полупроводниковых материалов способствует дальнейшему развитию радиотехники. [c.4]

Индий — металл с низкой температурой плавления, использующийся в качестве акцепторной примеси (см. стр. 235) и контактного материала в производстве транзисторов и полупроводниковых диодов. [c.218]

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник и-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки и электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [c.283]

Таким образом, любые радиационные нарушения уменьшают время жизни неосновных носителей и приводят к заметному ухудшению работы полупроводниковых приборов, требующих относительно большого времени жизни, например транзисторов и мощных выпрямителей. Эффективность центров рекомбинации, возникших при облучении, существенно различается в зависимости от материала полупроводника. Например, дефекты в кремнии, облученном нейтронами, оказываются приблизительно в 10 раз эффективнее, чем дефекты в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [c.283]

Транзистор—полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и генерирования электрических ко-лебаиий. В нем используется один или несколько элек- [c.349]

Полевые транзисторы — полупроводниковые приборы, в которых ток через канал управления создается электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и стоком. Управляющая (стокозатворная) характеристика /с = КС/,2 ) и выходные (стоковые) характеристики / = (1/ 1) полевого транзистора представлены на рис. 3.22. ----- [c.472]

Схемы и конструкции У. э. и. разнообразны и вы полняются на электронных лампах (ла.мповыс усили тсли), транзисторах (полупроводниковые усилители) иараметрич. диодах (параметрические усилители) 1 туннельных диодах. [c.270]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

Транзистор — электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов [3. 4]. [c.157]

Транзистор МДП — полевой транзистор с изолированным затвором, состоящий из трех слоев металлического (М), диалектричесКогО (Д) и полупроводникового (П) в качестве диэлектрика обычно используют пленку окисла кремния (МОП — транзистор) [9]. [c.158]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Процент выхода годных полупроводниковых элементов, их характеристики зависят от степени очистки, однородности исходного материала, степени его легирования к др. Наиболее жесткие требования к полупроводниковым мятепиялям предъявЛ-Яют при производстве транзисторов и интегральных схем. В таких приборах, как фото- и тер.морезисторы, допускается использование поли-кристаллических аморфных веществ. [c.81]

Краткие сведения по изготовлению полупроводниковых ИС Полупроводниковые структуры ИС сформировываются в монокристаллическом теле полупроводника с помощью технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (Р-область) н электронной (N-область) проводимостями Основной частью полуироводниковьк микросхем являются NP- или Р переходы. Обраэаванные области в полупроводнике соответствуют по своим функциям определенным дискретным элементам активным (транзистор, диод) и пассивным (резистор, конденсатор и др.). Объемные то-коведущне дорожки создаются нанесением на поверхность полупроводника ин- [c.92]

Любые переходы, образующие элементы полупроводниковой ИС, можно использовать как диоды. Если диод, созданный на переходе база —коллектор, имеет прямое смещение, а диод на переходе коллектор — подложка — обратное смещение, то образуется паразитный трамзнстор РЫР-типа (рис. 3.10,г). Влияние паразитного транзистора можно уменьшить введением скрытого слоя N+-THna, который снижает усиление по току. [c.93]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Германий как полупроводник играет важную роль в полупроводниковой электронике. В этой области инфоко используют германий для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов или транзисторов]. Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а poir их службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Это делает особенно перспективным их применение в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках и т. п. [c.531]

В настоящее время кремний является основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов диодов, транзисторов, фотоэлементов, тензопреобразователен и твердых схем микроэлектроники. При использовании кремния верхний предел рабочей температуры приборов может составлять в зависимости от степени очистки материала 120—200 С, что значительно выше, чем для [c.257]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...