Компоненты полупроводниковых микросхем

Исследование факторов, влияющих на надежность транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы, изготовленного методом сплавления, показало, что наиболее значительные изменения пробивного напряжения, обратного тока и коэффициента усиления обусловлены влиянием паров воды и кислорода. [c.180]

Рассмотрим возможные варианты изготовления каждого схемного компонента полупроводниковой микросхемы. [c.186]

Если в полупроводниковой микросхеме активные и пассивные компоненты формируются путем диффузии в монокристаллическую подложку, то возникает проблема электрической развязки компонентов друг от друга. Изоляция выполняется при помощи диффузионных р—п-переходов, которые образуют встречно включенные диоды. Однако в таких структурах наблюдаются паразитные явления, которые полностью могут нарушить нормальную работу схемы [78]. [c.171]

Рис. 72. Диффузионный резистивный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы

Рис. 73. р—л-переход в качестве емкостного компонента полупроводниковой интегральной микросхемы [c.186]

Для упрощения, там где это возможно, создают эквивалентную электрическую модель микросхемы на обычных компонентах, а затем после соответствующего расчета воспроизводят схему на основе полупроводникового материала. Окончательное создание эквивалентных элементов в твердой микросхеме производится после испытания опытных образцов и корректировки расчетов. [c.699]

Применение широкого ассортимента материалов для конструктивного воплощения схемных элементов в пленочной микросхеме позволяет перекрыть более широкий диапазон номиналов компонентов при обеспечении лучших допусков, чем это возможно в настоящее время при создании полупроводниковых микросхем на основе одного полупроводникового материала. [c.149]

При проектировании полупроводниковых микросхем следует широко применять рациональное сочетание полезных функций активной подложки с пассивными пленками. Осаждение пленочных пассивных компонентов производят на изолирующий слой из двуокиси кремния, образованный на полупроводниковой подложке, содержащей активные компоненты. 0)единение активных и пассивных компонентов производят с помощью осажденных пленочных проводников. Иногда такую комплексную модификацию называют гибридными микросхемами. [c.171]

Существенной характеристикой полупроводникового материала является также время жизни носителей т. Это время восстановления термодинамического равновесия путем рекомбинации избыточных (инжектированных) электронов зоны проводимости с дырками валентной зоны. Для нормальной работы активных компонентов микросхемы необходимо иметь время жизни неравновесных носителей порядка 10 мксек и выше. [c.173]

Под топологической схемой интегрального компонента (микросхемы) понимается чертеж, обозначающий взаимное расположение диффузионных областей в плане полупроводниковой подложки. [c.10]

ИС (интегральная схема (микросхема)) — устройство, состоящее из компонентов, таких как резисторы, диоды, транзисторы, расположенных на одном кристалле полупроводникового материала. [c.384]

Для нормальной работы прибора на высоких частотах необходимо, чтобы дрейф (или диффузия) носителей заряда от одного электрода к другому происходил возможно бьютрее. Следовательно, необходимо высокое значение подвижности.В частности, работу транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы на высоких [c.173]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...