Полупроводниковое стекло

Для записи синтезированных голограмм можно использовать самые различные физические носители фотоматериалы, термопластики, жидкие кристаллы, фотохромные кристаллы, полупроводниковые стекла, фоторезисторы и т. д. Все среды, используемые для записи голограмм, можно подразделить на три категории амплитудные среды, фазовые среды и комбинированные. Амплитудные среды изменяют интенсивность проходящей световой волны, фазовые изменяют ее фазу,.комбинированные изменяют и то и другое. [c.62]

В настоящее время существует много различных материалов, которые используются в качестве активных сред в лазерной технике диэлектрические кристаллы, активированные стекла, газы, растворы и пары красителей, полупроводники и др. В зависимости от вида активной среды различают следующие основные типы лазеров твердотельные, газовые, жидкостные и полупроводниковые. Коротко охарактеризуем их. [c.285]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами (кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Активная область представляет собой слой толщиной около 1 мкм, т. е. немного больше запирающего слоя (примерно 0,2 мкм). В свою очередь поперечные размеры лазерного пучка гораздо больше (около 40 мкм) толщины активной области (рис. 35.24, б). Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р- и п-областях. Однако поскольку поперечные размеры пучка все же относительно невелики, выходное излучение имеет большую расходимость (несколько градусов). [c.297]

Неорганические стекла обладают во многих случаях полупроводниковыми свойствами. Теория аморфных полупроводников указывает, что при плавлении кристаллов нарушается только- дальний порядок симметрии, ближний же порядок сохраняется. Энергетический спектр стеклообразного полупроводника состоит также из зон, как и у кристаллического, но из-за разупорядоченного строения происходит расширение валентной и свободной зон и сужение запрещенной зоны. В отличие от обычных стекол с преобладанием ионной проводимости стеклообразные полупроводники обладают чисто электронной проводимостью. [c.192]

Болометры — это приемники инфракрасного излучения, действие которых основано на изменении сопротивления металла или полупроводника от температуры.. В отличие от радиационного пирометра в качестве чувствительного элемента используются такие материалы,, как платина и полупроводники (соответственно напыленный болометр и полупроводниковый). Высокочувствительный приемный элемент (толщиной 30—40 мкм) заключают в стеклянный баллон, в котором поддерживается определенное давление воздуха, с окном из прозрачного материала (кварцевого стекла), пропускающего излучение лишь той области спектра, для измерения температуры которой предназначен болометр. [c.113]

Устройство нашего термоэлектрогенератора не сложно. В этом колпаке находятся полупроводниковые элементы, соединенные последовательно друг с другом. Спаи, обращенные к стеклу лампы, нагреваются ее пламенем, обращенные наружу, охлаждаются воздухом. Чтобы увеличить охлаждение, и сделаны выступающие пластины... [c.87]

Разнообразные виды электропроводящего стекла находят применение в различных полупроводниковых приборах (термисторы), светофильтрах, фотосопротивлениях, для производства электрообогреваемого стекла, предназначенного для остекления средств транспорта и сооружений, источников инфракрасного излучения (отопительные устройства), стеклянных кипятильников. [c.470]

Изготовление элементов кристаллических полупроводниковых приборов (кристаллические выпрямители, диоды, кристаллические усилители — триоды и транзисторы), применяемых при изготовлении сложных устройств автоматики, телемеханики, счетно-решающих устройств. Изготовление термисторов, применяемых в автоматической и сигнальной аппаратуре. Изготовление фотодиодов и фотосопротивлений. Изготовление пленочных сопротивлений (тонкие пленки Ое на стекле или керамике) с от 1000 Ом до нескольких МОм. [c.346]

За последнее время в приборостроении все шире стала распространяться обработка ультразвуком твердых, труднообрабатываемых обычными методами материалов. Ультразвуковое резание целесообразно применять как для обработки твердых, неметаллических материалов (стекло, керамика, кварц, драгоценные камни, специальная керамика и т. д.), так и для обработки деталей из твердых металлокерамических и металлических материалов (твердые сплавы, ферриты, германий, кремний и другие полупроводниковые материалы, вольфрам, закаленные на высокую твердость стали, постоянные магниты и т. д.). [c.226]

Ультразвуковая обработка применяется при изготовлении деталей сложной формы из стекла, флюорита, кварца, фильер из технических алмазов, твердосплавных матриц сложной формы, при обработке полупроводниковых материалов — германия и кремния. [c.393]

Предварительна я и получистовая доводка деталей из закаленных сталей, полупроводниковых материалов Карбид кремния зеленый М14-М10 25-30 Нитрит натрия Вода 1-2 Осталь- ное Перлитный чугун, оптическое стекло марки МКР-1 [c.446]

Получистовая доводка деталей из сталей, полупроводниковых материалов, кварца Электрокорунд белый М10-М5 25-30 Нитрит натрия Вода 1-2 Осталь- ное Чугун, оптическое стекло марки МКР-1 [c.446]

Окончательная доводка деталей из сталей, полупроводниковых материалов, кварца Электрокорунд белый М5-МЗ 10-15 Керосин Вазелиновое масло Стеарин Олеиновая кислота 70-80 5-10 10-20 3-5 Мелкодисперсный перлитный или ферритный чугун, оптическое стекло марки МКР-1 [c.446]

Для резки полупроводниковых материалов, кварца, керамики, стекла, мрамора, природного камня, огнеупоров, бетона и других очень твердых материалов применяют сегментные (рис. 12, а) или сплошные отрезные круги (рис. 12, 6). [c.194]

I 17 мкм. Энергия запрещенной зоны составляет, например, для SeAs — 1,7 эв для SeGe — 2,2 эв полупроводниковые стекла характеризуются низкой подвижностью носителей она может составлять-величину 10 см в-сек. Стекла могут иметь как высокую, так и низкую проводимость у = 10 IjoM- M и менее. Многие стекла отличаются относительно большой диэлектрической проницаемостью s = [c.193]

Электропроводящее стекло (полупроводниковое) — стекло, обладающее свойствами полупроводников благодаря включению в состав элементов или окислов, придающих стеклу электропроводность. Различают халь-когенидные стекла, в состав которых входят в различных сочетаниях сплавы сульфидов, селенядов и теллуридов, а также мышьяка, висмута и других элементов и оксидные ванадиевые стекла на основе окислов ванадия и фосфора с добавками других окислов. Они находят широкое применение в качестве термисторов, светофильтров и фотосопротивлений. [c.274]

Полиэтилсилоксановые жидкости 316 Полиэфирные смолы 173 Полоса рессорная 23—24 Полосовая сталь (сортамент) 48 Полосовая сталь для косых шайб 64 Полотно армированное 267 Полугудрон 305 Полужесткие пластмассы 151 Полукоксовый карбюратор 285 Полупроводниковое стекло 274 Полуфабрикатные биметаллические изделия 57 [c.343]

Полупроводниковое стекло 3—257 Полупроводниковые пленки на стекле 3—260 Полупроводящая стеклолакоткань 3—2В5 Полугомнак 3—37 2—81 [c.516]

Существенный недостаток ванадиевых стекол — это очень низкая их химическая устойчивость, которая повышается нри замене УзОб на Р2О5, ВаО, РЬО и другие окислы. Рассмотренные выше и другие полупроводниковые стекла имеют следующие существенные преимущества но сравнению с известными кристаллическими полупроводниками хорошо поддаются формованию и легко спаиваются с различными металлами обладают высокой прозрачностью в инфракрасной области спектра, имеют (особенно ванадиевые) значительно меньший уровень шумов , чем поликристаллические нолупровод- [c.209]

Если в обычных диэлектриках наличие активной составляющей тока нежелательно, то в некоторых активных диэлектриках используется именно переход ( переключение ) из непроводящего состояния в проводящее и обратно (позисто-ры, варисторы, полупроводниковые стекла). В сегнетоэлектриках-полупроводниках удельное сопротивление р зависит от поляризованности Р, а в пьезополупроводниках — от деформации х, что может служить основой для создания новых приборов радиоэлектроники (запоминающие устройства, акустические усилители). [c.208]

Электропроводящие (полупроводниковые) стекла халькоге-нидные и оксидные ванадиевые находят широкое применение в качестве термисторов, фотосопротивлений. Стекло с электропроводящей поверхностью, образуемой нанесением на гюверхность стекла очень тонкой пленки окислов олова, кадмия, титана или восстановлением введенных в состав поверхностного слоя стекла некоторых окислов металлов, применяется в электронновакуумной технике, для отопительных панелей, незапотевающих стекол и т. д. [c.495]

В 1956 г. Н. А. Горюнова й Б. Т. Коломиец обнаружили, что некоторые стекла на основе халькогенов (серы, селена, теллура) обладают полупроводниковыми свойствами. Установление этого факта, а также последующие фундаментальные работы А. Ф. Иоффе и А. Р. Регеля, А. И. Губанова, Н. Мотта и Э. Дэвиса послужили стимулом к развитию большого числа теоретических и экспериментальных исследований аморфных полупроводников. [c.360]

Тиристорные преобразователи состоят из полупроводникового выпрямителя и тиристорного инвертора, к выходу которого подключается нагреватель и конденсаторная батарея. Коммутирующая, управляющая и защитная аппаратура входит В состав прбобразоватблвй. Типаж преобразо вателей постоянно расширяется, в основном в сторону увеличения частоты и мощности. Выпускаются серийные преобразователи широкого назначения и специализированные, входящие в состав установок для варки стекла, плавки, пайки и других процессов. [c.168]

Пластниа выполнена в виде полированной проводящей подложки (алюминий, латунь, а также стекло или бумага с проводящим покрытием), на которую тонким слоем в вакууме нанесены полупроводниковые материалы (аморфный селен, антрацен и др.). Удельное электрическое сопротивле-)1ие полупроводниковых слоев составляет 10 —10 Ом-см до облучения рентгеновским или -у-излучением и 10 —10 Ом-см при облучении. [c.344]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

Изготовление элементов полупроводниковых приборов (термисторов). источников инфракрасного излучения (отопительные устройства), стеклянных кипятильников, электрообогревае-мого стекла для остекления транспорта и сооружений, светофильтров, фотосопротивлений и пр. [c.443]

Перенос электричества в стекле осуществляется преимущественно ионами (ионная проводимость), вернее катионами (анионы малоподвижны даже при высоких температурах). Специальные виды полупроводниковых стекол (халькогейидных или ванадиевых) обладают электронной или смешанной проводимостью. Удельная объемная электропроводность стекла зависит от подвижности его ионов и поэтому при невысоких температурах (до 200° С) незначительна, в связи с чем многие стекла (кварцевое, боросиликатное, малощелочное 13в и др.) являются хорошими диэлектриками и служат в качестве высоковольтных изоляторов. i [c.455]

АЛМАЗНО-АБРАЗИВНАЯ ОБРАБОТКА Алмазное шлифование рекомендуется для обработки твердых сплавов, керамики, стекла, полупроводниковых материалов и друп Х труднообрабатываемых материалов. [c.630]

Фотодатчик (рис. 9) состоит из тубуса, в котором укреплено на ламповой панели фотосопротивление ФСА-Г2. Последнее защищено оправой с кварцевым стеклом. Вывод проводов из тубуса осуществляется через штепсельный разъем. Основное звено ЗЗУ — четырехкаскадный усилитель фотодатчика, выполненный на полупроводниковых элементах. [c.18]

Диоды. В точечно-контактных полупроводниковых диодах происходят обрывы или замыкания из-за смещения контактного острия относительно центра кристалла. Возникающее при этом натяжение контактной пружины может вызвать перелом проволочки под действием вибрации. У диодов в стеклянных корпусах часто возникаю1Г трещины вследствие разности температурных коэффициентов объемного расширения стекла и эпоксидного покрытия печатной платы. [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...