Резистор полупроводниковый

Резистор полупроводниковый [нелинейный] — полупроводниковый прибор, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения. [c.152]

Резистор полупроводниковый 1.152 Резка металла 4.169 Резнатрон 1.152 — Резьба 1.272 [c.647]

На схеме линиями показаны основные механические связи между группами деталей и сборочных единиц. Цифрами обозначены 1-1—радиодетали схемы (резисторы, полупроводниковые приборы, кабели и др. 1-2 — электроизделия (дроссели, трансформаторы, конденсаторы переменной емкости и т. п.) П-1—основные детали конструкции радиоаппарата (шасси, панели, каркасы и др.) II-2 — [c.5]

Стандарты устанавливают буквенно-цифровые позиционные обозначения для наиболее распространенных элементов. Например, резистор-R конденсатор - С дроссель и катушка индуктивности-L амперметр - РЛ вольтметр-Р С/ батарея аккумуляторная (или гальваническая)-GB выключатель (переключатель, ключ, контроллер и т. n.)-S генератор-G транзистор и диод полупроводниковый, выпрямительное устройство - V двигатель (мотор)-М предохранитель-F трансформатор-Г электромагнит (или муфта электромагнитная) - У. [c.278]

Терморезистор — резистор, у которого используется зависимость сопротивления от температуры для измерения или регулирования температуры или связанных с нею величин различают терморезисторы проволочные и полупроводниковые (термисторы), а также терморезисторы с подогревом и без него [4, 91. [c.155]

Полупроводниковые терморезисторы имеют большой температурный коэффициент, достигающий значения — (0,02 ч- 0,06) и высокое начальное сопротивление — порядка 150 кОм. Для изготовления некоторых полупроводниковых терморезисторов используют спекаемые смеси окислов а) меди и марганца (серийно выпускаемые терморезисторы типа ММТ) б) кобальта и марганца (терморезисторы типа КМТ). Применяют и другие окислы, а также сульфиды, селениды, теллуриды и другие полупроводниковые материалы. Эти терморезисторы обладают более высокой чувствительностью и более низкой тепловой инерцией по сравнению с проволочными резисторами. Влияние удлинительных проводов в этом случае также не сказывается на результатах измерения. Однако свойства терморезисторов (воспроизводимость характеристик) в сильной степени зависит от технологии производства и наличия примесей. [c.136]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,- [c.276]

Тензометрический. Полупроводниковые тензо-резисторы [c.355]

Резистивные пасты. В резистивных пастах функциональные материалы являются комбинацией проводников, изоляторов и полупроводников, в проводниках сопротивление композиции определяется главным образом свойствами контактов между металлическими частицами. В резистивных композициях истинная картина механизма проводимости неизвестна, но исходя из величин сопротивления, чувствительности резисторов к напряжению и характера температурной зависимости можно сделать вывод, что контакты между частицами имеют полупроводниковую природу. [c.471]

Пример 4.12. Предположим, что отказ элемента вызван отказом полупроводникового триода или резистора, а возможно — их совместным отказом. Пусть Я( т) — вероятность отказа триода, а Р( р)—вероятность отказа резистора, тогда [c.112]

Исследования в области микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры начались в конце 1950 г. С тех пор были разработаны различные методы микромодульного конструирования, тонкопленочные устройства, полупроводниковые интегральные схемы. Эти методы быстро развивались, заимствовались лучшие технологические решения тех или иных проблем. Многие специалисты считают, что дальнейшее развитие интегральной микроэлектроники пойдет по пути комбинирования различных подходов к микроминиатюризации. Уже сейчас для получения резисторов с лучшими характеристиками используются методы осаждения тонких пленок непосредственно на полупроводниковые схемы. Изготовители тонкопленочных микросхем разрабатывают методы присоединения полупроводниковых элементов к тонкопленочной пассивной схеме. [c.23]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении. [c.108]

Эс ективным методом определения расходов в разветвленных гидравлических сетях является метод электрической аналогии. Для моделирования потоков применяются модели двух типов модели, состоящие из линейных резисторов [112, 284, 290], и модели, включающие нелинейные элементы (лампы накаливания [15], радиолампы [17, 126], индуктивные элементы [220] и полупроводниковые триоды [3, 4]). [c.215]

Полупроводниковые, схемы представляют собой монолитные кремниевые структуры, в объеме которых методами полупроводниковой технологии сформированы отдельные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы и т. п.) и соединения между ними, В основу этой технологии положена многократная диффузия примесей в кремниевую пластину, что позволяет за один технологический цикл образовать все элементы и соеди- [c.354]

Рис. 7.25. Устройство полупроводниковой схемы а — принципиальная электрическая схема б — конструкция R — резистор Д1, Д2, ДЗ, —диоды Г — транзистор I, 2, 3, 4, 5, б — выводы

Ремонт реле-регулятора заключается в замене отказавших в работе деталей или узлов контактов (заменяется якорек и стойка неподвижного контакта в сборе), обмотки (вместе с сердечником и ярмом), резисторов, полупроводниковых приборов, а также в пайке нарушенных внутренних соединений. Если полупроводниковые и другие элементы схемы регулятора объединены в блоки, замене подлежит блок в целом. Как указывалось выше, подрегулировка безконтактных транзисторных регуляторов напряжения не производится. Если регулируемое напряжение выходит за допустимые пределы, регулятор подлежит ремонту. [c.182]

В полупроводниковых интегральных схемах все элементы (транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы) создаются на базе р—п-переходов, получаемых в теле кремниевой подложки методами диффузии. Резисторы полупроводниковых схем образуются в базовой области по пложки и определяются ее сопротивлением. Величина сопротивления находится в пределах от 25 Ом до единиц кОм. Технологическая точность резисторов не превышает +20%,а ТКСж 10" 1/град. [c.146]

Расположение органов управления электропоезда ЭД9М показано на рисунке 1.3. На рисунке 1.4 показано расположение органов управления на пульте и на задней стенке кабины электропоезда ЭД9Т. Пульт управления в кабине машиниста выполнен из отдельных блоков, в каждом из которых аппараты скомпонованы по их назначению. Соединение электрических цепей блоков со схемой поезда осуществляется штепсельными разъемами типа ШР, установленными на блоке Ш, находящемся под пультом в средней части. Там же расположен блок Р, на котором установлены резисторы полупроводниково-коммутаторных ламп, для обеспечения помехоустойчивости. Перед машинистом на пульте установлен контроллер машиниста 1КУ.040 с реверсивной рукояткой. Слева от контроллера расположен блок К с основными выключателями управления движением поезда. На блоке К установлены выключатели для включения питания дверей, для управления токоприемником, Отпуск тормозов , Восстановление защиты , Отключение ВБ , Песочницы , тяги (КТ), Пуск СИО (системы ССЗ-И), а также тумблеры включения освещения и кабины. Справа от контроллера находится блок А, на котором расположена аппаратура управления АЛСН (кнопка бдительности, кнопка КП для проверки АЛСН, переключатель ДЗ для установки времени между нажатиями кнопки бдительности на участках без автоблокировки). Над блоком А расположен блок Д с тумблерами управления автоматическими дверями. Управление дверями может осуществляться машинистом или помощником. Для этого кроме выключателей в блоке Д, в рабочем тамбуре на каркасах шкафов № О и № 1 установлены блоки ДБ. [c.5]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Позиционное обозначение в общем случае состоит из трех частей. В первой части указывают вид элемента (устройства) одной или несколькими буквами (буквенные коды распространенных видов приведены в табл. 24.2), например, R - резистор, С - конденсатор (для уточнения вида элемента допускается применять двухбуквенный код, например, для полупроводникового прибора-диода VD) во второй части - порядковый номер элемента (устройства) в пределах данного вида, например R1, R2,. .., R12 С1, С2,. .., С14 в третьей части допускается указывать соответствующее функциональное назначение, например 4I - конденсатор С4, используемый как интегрирующий. Сведения о функциях элементов и устройств не относятся к инженерной графике, они даются в специальной литературе, например в [2]. [c.493]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

Варистор — полупроводниковый резистор с нелинейной симиетрич-ной вольтамперной характеристикой имеет два вывода (9). [c.140]

Фликкер - шум был зафиксирован при изменении флуктуаций напряжения на электропроводящих образцах разной природы (полупроводниковые пленки, металлы, угольные резисторы в термодинамически равновесной системе (термостат). [c.45]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Краткие сведения по изготовлению полупроводниковых ИС Полупроводниковые структуры ИС сформировываются в монокристаллическом теле полупроводника с помощью технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (Р-область) н электронной (N-область) проводимостями Основной частью полуироводниковьк микросхем являются NP- или Р переходы. Обраэаванные области в полупроводнике соответствуют по своим функциям определенным дискретным элементам активным (транзистор, диод) и пассивным (резистор, конденсатор и др.). Объемные то-коведущне дорожки создаются нанесением на поверхность полупроводника ин- [c.92]

Второй класс продукции делится на две группы перемонтируемые изделия (например, электровакуумные и полупроводниковые приборы, резисторы, конденсаторы, болты, гайки, шестерни и т. п.) [c.118]

Хромсилицидные сплавы обладают высокой термостабильностью, изменение 5 % сопротивления ДУ не превышает в диапазоне 0—400 °С. Сплавы РС3710 и РС3001 проявляют сложную зависимость сопротивления от те.мпе-рзтуры, изменяя металлическую проводимость на полупроводниковую при 200—300 °С. Сплавы не критичны к мощности рассеяния, вольт-амперные характеристики имеют характер, очень близкий к линейному, отказ резистора при повышенной нагрузке происходит резко. [c.439]

Микрокерметы. В электронике обычные керметы в связи с относительной грубой структурой частиц не натли применения, несмотря на их свойства, эффективные для изготовления, например, непроволочных резисторов. С помощью эпитаксиальной технологии, т. е. осаждением паров проводящих и диэлектрических материалов, образуется микрокерметная пленка [4] с устойчивыми полупроводниковыми свойствами. [c.210]

В настоящее время широко применяются нелинейные полупроводниковые резисторы (варисторы) из карбида кремния для защиты элементов маломощной и низковольтной аппаратуры от случайных коммутационных перенапряжений, для искрогащения и предохранения от быстрого износа разрывных контактов. Резисторы для этих целей называют нелинейными (варисторными) шунтами. [c.52]

С. включает в себя активный элемент из полупроводникового монокристалла, в основном в виде кубика ( чипа ), содержащего р — п-переход пли гетеропереход и омич, контакты. Типичные размеры чипа 0,3 X 0,3 X 0,25 мы. С. содержит также элементы конструкции, предназначенные для сбора излучения, повышения ввеш. оптич. эффективности и формирования необходимой диаграммы направленности излучения. С. может иметь два чипа с разл, цветами свечения или один чип с двумя р — 71-переходами, излучающими в двух спектральных полосах, В этом, случае возможно управление цветом свечения. С. может содержать также резистор или микросхему, позволяющие управлять питающим напряжением С. (см. Интегралънал схема, Микроэлектроника). С. могут иметь усложнённую кон- [c.465]

ВАХ (с отрицат. сопротивлением) применяются в качестве пусковых реле, реле времени, измерителей мощности эл.-магн. излучения на СВЧ, стабилизаторов темп-ры. напряжения и др. Режим работы 1., при к-ром рабочая точка находится также на ниспадаюпюм участке ВАХ (при этом используется зависимость сопротивления Т, от темп-ры и теплопроводности скружаюшеи среды), характерен для Т., применяемых в системах теплового контроля и пожарной сигнализации, регулирования уровня жидких и сыпучих сред действие таких Т. основано на возникновении релейного эффекта в цепи е Т. при изменении темп-ры окружающей среды или условий теплообмена Т. со средой. Изготовляются также Т. спец. конструкции—с косвенным подогревом. В таких Т. имеется подогревная обмотка, изолированная от полупроводникового резистивного элемента (если при этом мощность, выделяющаяся в резистивном элс.мснте, мала, то тепловой режим Т. определяется темп-рой подогревателя, т. е. током в нём). Т. о. появляется возможность изменять состояние Т., не меняя ток через него, Такой Т. используется в качестве перем. резистора, управляемого электрически на расстоянии. [c.97]

А. Я. Шик. И. С. Шлимак. ФОТОРЕЗЙСТОР — полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, xt M. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т. о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных схем. Для расширения функцион. возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит, усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1). [c.357]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...