Полупроводниковые лазеры с полосковой геометрией

Рис. 6,45. Фрагмент полупроводникового лазера с полосковой геометрией и двойным гетеропереходом.

В предыдущих главах были представлены основы теории,, описывающей лазеры на гетероструктурах, и методы эпитаксиального выращивания. Были рассмотрены только те структуры, в которых существует ограничение для носителей -и излучения в лаправлении, перпендикулярном р — л-переходу. Они называются лазерами с широким контактом. Больше всего используются такие полупроводниковые лазеры, в которых ток ограничивается также и в плоскости р — -перехода (боковое ограничение). Они называются лазерами полосковой геометрии. В этой главе будут изложены и обсуждены методы изготовления и рабочие характеристики лазеров как с широким контактом, так и полосковой геометрии. [c.181]

Конструктивными особенностями полупроводниковых лазеров являются полосковая геометрия активной зоны (рис. 17.10, в) и различная расходимость излучения в ортогональных сечениях большая в поперечном, меньшая в продольном. Высокий коэффициент усР1ления позволяет полупроводниковым лазерам генерировать даже в отсутствие зеркал резонатора, так как для обратной связи достаточно отражения на боковых гранях кристалла. [c.266]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...