Датчики с полупроводниковыми тензорезисторами — Характеристики

В современных датчиках давления нашли широкое применение тензорезистив-ные и индуктивные МЭП. Емкостные МЭП используют в меньшей степени в основном из-за высокого значения импеданса, затрудняющего передачу сигнала преобразователя по кабелю. Металлические тензорезисторы позволяют получить высокие метрологические характеристики. Датчики с полупроводниковыми тензорезисторами [c.230]

Температурные характеристики существующих полупроводниковых тензорезисторов пока еще не полностью удовлетворяют требованиям, предъявляемым к ним, что следует учитывать при выборе соответствующих измерительных схем. Идентичность механических и электрических характеристик полупроводниковых тензорезисторов достигается при условии изготовления всех четырех элементов, образующих мостовую измерительную схему, в едином технологическом процессе. Тензорезисторы выращивают либо на подложке из диэлектрика типа сапфира или кварца, либо на стальной упругой подложке, изолируя полупроводники от металла с помощью диэлектрической пленки. Монтаж подложки с тензорезистором на упругом элементе силомоментного датчика осуществляется с помощью клеевого или сварного соединения. [c.30]

На рис.2.8 показаны расчетные и экспериментальные зависимости выходных сигналов тензомостов датчика от силы Рх, отражающие низкий уровень перекрестного взаимного влияния между каналами (ке более 1 %), хорошую ЛиНсйНии1ь и дистагочную степень совпадения теоретических (штриховые линии) и экспериментальных (сплошные линии) характеристик. Максимальный выходной сигнал достигает 1 В, что обеспечивается благодаря применению полупроводниковых тензорезисторов с коэффициентом чувствительности, равным 150. Недостатками рассматриваемой конструкции являются значительные размеры датчика и неравномерная нагрузка на отдельные модули при одинаковых силах, действующих по различным осям. [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...