Полупроводниковые материалы и их параметры

Некоторые полупроводниковые материалы и их параметры [c.314]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ИХ ПАРАМЕТРЫ [c.277]

Для придания выращиваемым монокристаллам тех или иных электрофизических параметров, необходимых для успешного их использования в конкретных областях полупроводникового приборостроения, применяются процессы легирования определенными примесями. В настоящее время круг используемых в технологии важнейших полупроводниковых материалов легирующих примесей достаточно ограничен. Как правило, легирование осуществляется примесями, образующими мелкие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне, соответственно у дна зоны проводимости или у потолка валентной зоны. При этом удается управляемо воздействовать на тип проводимости и концентрацию носителей заряда в полупроводнике. Иногда для легирования используются примеси, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне, что позволяет воздействовать на диффузионную длину носителей заряда и регулировать степень компенсации электрически активных центров в легируемом материале. [c.46]

Данная работа посвящена обоснованию двух нестационарных методов одновременного определения теплоемкости и коэффициента теплопроводности твердых тел в предположении произвольной зависимости их от температуры. Потребность в такого рода методах особенно очевидна при испытаниях неметаллических и полупроводниковых материалов, для которых изменение этих параметров в интервале рабочих температур может достигать двухсот и более процентов. [c.260]

Раньше, а нередко и сейчас, новые полупроводниковые материалы создавались эмпирически. Однако знание природы химической связи, структуры, физико-химических свойств известных материалов и установление взаимосвязи между свойствами и способами их производства позволяют научно обоснованно прогнозировать наличие полупроводниковых свойств у новых материалов и разрабатывать технологию получения этих новых полупроводников с заданными параметрами. [c.4]

Решение задачи улучшения электрических параметров полупроводниковых приборов и повыщения стабильности их работы во времени нельзя осуществить эмпирическим путем, оно требует фундаментальных теоретических и экспериментальных комплексных исследований электрохимических, коррозионных и поверхностных электрических свойств полупроводниковых металлических материалов. [c.584]

Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34]

Инициированные Р. д. изменения свойств материалов нередко затрудняют их практич. использование. Так, изменение механич. свойств, однородности состава и геом. размеров коеструкц. элементов ограничивает срок работы ядерных реакторов. Особенно сильно влияет радиация на полупроводниковые материалы и приборы. В силу высокой чувствительности электрвч. характеристик полупроводников к появлению малой концентрации Р. д. облучение полупроводников даже при низких дозах радиации может сопровождаться существ, изменениями параметров полупроводниковых приборов. [c.204]

Чческих, тепловых и физико-химических характеристиках конструкционных и электротехнических материалов в связи с их строением и внешними т условиями. Рассмотрены технологии их получения, переработки, эксплуатации, утилизоции, контроля и измерения параметров. Изложены основы металловедения и способы обработки металлов приведены области ЕЕ применения электротехнических материалов и их классификация, осно- 1Р вы физики диэлектрических материалов рос смотрены свойства, техно- BL логии получения и применение газообразных, жидких и твердых электро-Л А, изоляционных материалов, проводниковых, полупроводниковых и магнит-ных материалов. [c.336]

Том 2 монографии американских специалистов X. Кейси и М. Паниша посвящен практической реализации гетсролазеров, их эксплуатационным параметрам, а также используемым полупроводниковым материалам и технологии получения гетероструктур. [c.4]

В книге описаны свойства, методы получения и области применения новых материалов электронной техники полупроводниковых, магнитных, днэлектриче ских и лазерных. Показана связь между составом, структурой, физическими и химическими свойствами материалов, технологией их производства и параметра ми изготовляемых приборов. [c.2]

Преимущественная область применения методов и техники СВЧ — это контроль полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических, композитных, ферритовых и полупроводниковых материалов, в которых радиоволны распространяются. От металлических структур радиоволны полностью отражаются, поэтому их применение возможно только для контроля геометрических параметров и поверхностных дефектов, а в случае толщиноме-трии металлических лент, листов, проката требуется двустороннее располо- [c.205]

Полупроводники и их соединения в промышленности применяются в виде монокристаллов. Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым монокристаллам— высокая чистота п совершенство кристаллической решетки. Наиболее важные физические свойства полупроводника определяются количеством содержащихся в нем посторонних атомов. Различие концентрации пх в объеме кристалла, предпазначенпого для изготов.тенпя полупроводниковых приборов, приводит к значительно.му различию параметров этих приборов. Содержащиеся в монокристалле структурные дефекты также ухудшают параметры полупроводника. Поэтому важной задачей технологии полупроводниковых материалов является выращивание нх в виде совершенных монокристаллов с определенной кристаллографической ориентацией и с мини.мальным, притом равномерным распределением по объему таких распространенных дефектов, как дислокации. [c.245]

Деление веществ по преимущественному характеру межатомной связи (ионная, ковалентная, металлическая) соответствует их качественному делению на диэлектрики, полупроводники и металлы, поскольку характер химической связи определяет физические свойства материалов. Естественно, поэтому предпринимались и предпринимаются многочисленные попытки установить корреляцию между важнейщими параметрами полупроводниковых материалов (щириной запрещенной зоны Eg, подвижностью носителей заряда р, теплопроводностью к) и их кристаллохимиче- [c.65]

В послевоенные годы существенно возросла роль неорганической химии как научной базы основной химической промышленности, черной и цветной металлургии, производства строительных материалов. Переломным моментом в развитии этой отрасли науки считается разработка химических аспектов атомной энергетики, конструкционных материалов для новых областей техники, веществ высокой степени чистоты с различными ценными свойствами для радиотехники и электроники. Речь идет о синтезе и модификации свойств материалов для обеспечения их устойчивой работы при высоких параметрах. Новые возможности открывает химия неорганических полимеров — материалов с высокими термическими, механическими, химическими, полупроводниковыми и другими ценными свойствами. Например, полифосфаты сочетают жаростойкость (до 2000 С) с полимеризацион-ной способностью, что позволяет использовать их в качестве термостойких связующих, покрытий, клеев и т. п. [c.76]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...