Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полупроводниковые соединения закономерности образования

Закономерности образования тройных полупроводниковых соединений  [c.85]

Тройные полупроводниковые соединения, 84 закономерности образования, 85  [c.371]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов.  [c.54]


Выше речь шла в основном о закономерностях образования микродефектов в элементарных полупроводниках. Исследования в этом на-праштении для полупроводниковых соединений находятся практически на начальном этапе. Сложившаяся здесь к настоящему времени ситуация подробно проанализирована в [8]. Необходимо отметить, что для алмазоподобных полупроводниковых соединений типа и  [c.56]

Далее следует обратить внимание на то, что в правиле Музера-Пир-сона оговаривается только число В атомов элемента, входящего в состав полупроводника, а роль А атомов сводится к добавлению электронов в суммарное число валентных электронов Пд. Это позволяет предполагать, что можно посредством замены компонента А в исходном соединении получать не только полупроводниковые твердые растворы, производные от соединений А В - , но и другие бинарные, тройные и более сложные полупроводниковые соединения, но уже, возможно, со структурой, производной от алмазоподобной. В этом случае замещающие элементы выбираются из групп периодической таблицы, отличных от той, в которой расположен замещаемый атом А, однако при этом должны удовлетворяться общие закономерности образования полупроводников (см. выше).  [c.77]


Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Л полупроводниковый

Образование соединений

Полупроводниковые соединения

Тройные полупроводниковые соединения закономерности образования



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте