Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полупроводниковые лазеры на гомопереходе

Накачку полупроводниковых лазеров можно осуществить различными путями, что действительно было проделано. Например, можно использовать внешний электронный пучок или пучок от другого лазера для поперечного возбуждения в объеме полупроводника. Однако до сих пор наиболее удобным методом возбуждения является использование полупроводника в виде диода, в котором возбуждение происходит за счет тока, протекающего в прямом направлении. В этом случае инверсия населенностей достигается в узкой (<1 мкм) полоске между р- и -областями перехода. Можно выделить два основных типа полупроводниковых лазерных диодов, а именно лазер на гомопереходе и лазер на двойном гетеропереходе (ДГ). Лазер на гомопереходе представляет интерес главным образом благодаря той роли, которую он сыграл в историческом развитии лазеров (так были устроены первые диодные лазеры), однако здесь полезно кратко рассмотреть этот лазер, поскольку это поможет подчеркнуть те большие преимущества, которыми обладают ДГ-лазеры. Действительно, только после изобретения лазера на гетеропереходе (1969 г.) [34—36] стала возможной работа полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме при комнатной температуре, в результате чего открылся широкий спектр применений, в которых эти лазеры теперь используются.  [c.409]


В лазерах на гомопереходе накачка осуществляется в р-п-переходе, в котором как р-, так и л-области выполнены из одного и того же полупроводникового материала (например, GaAs). Как р-, так и л-область являются вырожденными полупроводниками, т. е. концентрации акцепторов и доноров в них столь велики (- 10 атомов/см ), что уровни Ферми Efp для /о-области попадают в валентную зону, а уровни Ферми Ef для -области — в зону проводимости. Когда переход сформирован,  [c.409]

В данном разделе обсуждение лазеров и их характеристик будет касаться главным образом полупроводникового ДГ-ла-зсра на GaAs, поскольку в настоящее время это наиболее широко применяемый диодный лазер, однако мы приведем также некоторые данные по другим полупроводниковым материалам для лазеров (например, InGaAsP), а также по устройствам на гомопереходе.  [c.414]


Принципы лазеров (1990) -- [ c.409 , c.412 ]



ПОИСК



Л <иер гомопереходе

Л полупроводниковый

Лазер

Лазер на гомопереходе

Лазер полупроводниковый

ОГС-лазеров в ДГС-лазерах



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте