Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Электронная конфигурация плотность

Увеличение положительного значения 6 для иона Fe + по сравнению с Fe + означает уменьшение плотности s-электронов на ядре поглотителя Предполагая, что электронная конфигурация у этих ионов в соединениях такая же, как у свободных ионов, т. е. 3s2 Sd 4s° и 3s 3d 4s соответственно, приходим к выводу, что Зй-электроны уменьшают плотность s-электронов на ядре тем сильнее, чем их больше. Собственная плотность 3 -электронов на ядре равна нулю.  [c.166]

Медь, как и алюминий, содержит в элементарной ячейке один атом, но на каждый атом в ней приходится 11 электронов (в свободном атоме они занимают состояния над заполненными оболочками конфигурации аргона). Этих электронов достаточно, чтобы заполнить пять с половиной зон. В результате уровень Ферми в меди проходит выше -зон. Что же касается структуры зон вблизи энергии Ферми, то она напоминает зонную структуру для свободных электронов, отвечающую плотности, равной одному электрону на примитивную ячейку, но зоны сильно искажены. Переходя от меди к цинку, мы замечаем, что -зоны становятся значительно более узкими и опускаются в область энергии вблизи минимума Г Вполне разумно (хотя это и является приближением) отнести -зоны в цинке к сердцевине атома и рассматривать зонную структуру.  [c.109]


До сих пор было как-то очень привычно считать, что электронные конфигурации и электронные концентрации подвластны только электрическим силам и температуре, но природа предусмотрела значительно большие возможности для этого. Каждый вид механической обработки металлической поверхности различным образом изменяет приповерхностные значения плотности электронов и тем самым заставляет эмиттировать в пространство электроны с относительно высокой энергией.  [c.7]

В баллистических экспериментах, выполненных в 50-е. гг., было обнаружено, что при движении моделей во фреонах в определенных условиях фронт головной ударной волны перестает быть гладким. На фронте головной ударной волны возникают многочисленные тройные конфигурации (пересечения в одной точке трех ударных волн). Картина течения становится такой же, как и за плоской ударной волной при наличии поперечных возмущений. В ряде случаев фронт волны остается гладким, а за ним возникает турбулентное течение. Сопротивление моделей существенно меняется. В дальнейшем были выполнены опыты в ударной трубе с инертными газами (аргон, криптон, ксенон) и с молекулярными (углекислый газ). Выяснилось, что распространение сильных ударных волн (при скорости несколько километров в секунду) имеет ряд особенностей. Фронт волны перестает быть плоским, в ряде случаев фронт разрушается, распределение плотности и концентрации электронов в релаксационной зоне имеет немонотонный характер (рис. 4.1, 4.2). Все эти особенности обнаруживают пороговый характер по скорости волны и начальному давлению. Малые примеси водорода (порядка 1%) оказывают стабилизирующее воздействие на течение. Описанное явление получило название релаксационной неустойчивости ударных волн. Существенную роль при этом, по-видимому, играет интенсивный переход энергии возбуждения в кинетическую.  [c.81]

Плотность состояний в кристаллических сплавах с позиций волнового движения валентных электронов и потенциалов кристаллических структур изучена достаточно подробно. Что касается аморфных металлов, то, как указывалось в главе 3, атомные конфигурации в них отличаются от таковых в кристаллах полным отсутствием дальнего порядка, а локальная структура ближнего порядка описывается мозаичным распределением групп полиэдров, не встречающихся в кристаллическом состоянии. Одновременно в аморфных металлах наблюдается значительное отличие в поведении валентных электронов d-элементов, что играет главную роль в явлениях электронного переноса, например в электропроводности. Этим же обусловливается также и то, ч то методы, разработанные для изучения электронных состояний (например, основанные на  [c.177]


Железо является d переходным металлом Его атомная масса 55,85, плотность 7,684 10 кг/м , конфигурация внешних электронных оболочек 3d 4s2, кристаллографические модификации — о ц к (а и 6 железо) и г ц к (7 железо), параметры решетки 0,286 нм (при - -20°С) для а железа, 0,364 нм (при 950 °С) для у железа, 0,293 нм (при 1425 °С) для б железа, атомный радиус (по Гольдшмидту) 0,127 нм (К=8, о ц к решетка), 0,124 нм (/С=12, г ц к решетка)  [c.42]

Промышленностью изготавливаются аргоновые лазеры с водяным охлаждением мощностью 1—20 Вт, генерирующие на синем и зеленом переходах одновременно или только на одной линии при использовании конфигурации рис. 5.4, а. Также выпускаются маломощные (<1 Вт) аргоновые лазеры с воздушным охлаждением. В обоих случаях выходная мощность над порогом резко увеличивается с ростом плотности тока ( Я), так как в аргоновом лазере, в противоположность тому, что происходит в Не—Не-лазере, нет процессов, приводящих к насыщению инверсии. Однако КПД лазера очень мал (< 10- ), поскольку мала квантовая эффективность ( 7,5 % см. рис. 6.11) и возбуждение электронным ударом происходит на множестве уровней, которые не связаны эффективным образом с верхним лазерным уровнем. Аргоновые лазеры широко используются для накачки непрерывных лазеров на красителях, для множества научных применений (взаимодействие излучения с веществом), в лазерных принтерах, в лазерной хирургии и в техническом оснащении развлекательных программ.  [c.357]

Эта теория, постулирующая наличие ковалентной компоненты связи в ионных кристаллах, была распространена затем на соединения кислорода, азота, углерода и их аналогов с переходными металлами [109—113], рассматриваемые как ковалентно-ионные соединения, где атомы металла, теряющие rf,s-электроны, заряжены положительно, неметаллические атомы, восполняющие 2р-оболочку до конфигурации неона (2s 2p ), заряжены отрицательно, а ковалентные связи образуются вследствие перекрывания шести р-орбиталей заполненных оболочек р . Было показано, что номинальные заряды ионов понижаются до эффективных значений вследствие сдвига электронной плотности перекрывающихся орбиталей от аниона (X") к катиону (Ме ). Понижение зарядов на ионах вследствие стягивания электронной плотности к катионам и оттягивания ее от анионов будет тем сильнее, чем выше номинальный заряд. Поэтому в галогенидах щелочных металлов реальные заряды равны 0,6 0,8 е, а в карбиде титана всего лишь 0,4 е.  [c.86]

Как мы видим, трудности возникают в том случае, когда мы выбираем в качестве наблюдаемой точную одночастичную матрицу плотности p p2( R ) при фиксированной конфигурации примесных атомов. Заметим, однако, что такое описание неравновесного состояния лишено физического смысла, так как когерентное во всем кристалле квантовое состояние электрона неизбежно разрушается из-за взаимодействия с  [c.276]

В схеме функционала локальной плотности собственные значения эквивалентны производной полной энергии (по заселенности), вычисляемой при заданной конфигурации, например для основного состояния. Таким образом, собственные значения не являются конечными разностями ионных энергий, как в теории Хартри — Фока. Слэтер первым понял, что точное исключение электронного самодействия (предусматриваемое в теории Хартри — Фока, но не являющееся необходимым в теории функционала локальной плотности) могло бы устранить большую часть ошибки в энергиях возбуждения. Для систем с локализацией проблему можно было бы в основном решить  [c.201]

Распределение электронной плотности определяет многие физико-химические свойства молекул. С этой величиной непосредственно связана их форма, т. е. равновесная конфигурация ядер. В процессе возбуждения возможны переходы от линейной к плоской форме и от плоской к пространственной. Перераспределение электронной плотности при поглощении или испускании света нередко сопровождается изменением величины и направления дипольного момента молекул, а также их поляризуемости. Различные электронные состояния имеют неодинаковые кислотно-основные свойства, реакционные способности и другие химические параметры.  [c.15]


Образование водородной связи приводит к возмущению электронных оболочек донорной и акцепторной групп молекул. Участвующий в этой связи протон благодаря малой массе характеризуется большой подвижностью и, взаимодействуя одновременно с двумя ближайшими атомами, приводит к перераспределению электронной плотности и изменению конфигурации ядер ближайшего окружения. Практически наличие ВС отражается и на всех остальных элементах структуры взаимодействующих молекул. Поскольку характеристические частоты определяются силовыми постоянными связей, геометрией и массой атомов, взаимодействия с участием протона сопровождаются значительными изменениями параметров внутримолекулярных колебаний и искажениями соответствующих полос поглощения и рассеяния.  [c.152]

К1Сг204. Будучи нормальным по характеру катионного распределения, хромит никеля М1Сг204 содержит ионы с электронной конфигурацией Зй в тетраэдрическом окружении ионов кислорода. Известно [10, И], что несимметричное распределение электронной плотности относительно лигандов приводит к тетрагональному искажению тетраэдрического комплекса (эффект Яна — Теллера). При этом вырождение снимается (й-орбитали расщепляются на — дублет и —триплет), что способству-  [c.45]

Но возвращаясь снова к холодной сварке и ее конечному эффекту плоскостного межкристаллического сдвига, нужно признать, что этот сдвиг ввиду его кратковременности происходит как бы в слое твердого металла, мгновенно переходящего в состояние расплава и тут же снова превращающегося в твердое состояние. И все-таки факторы времени в этих процессах какие-то особенные. Стабилизация электронных плотностей длится в течение не долей секунд, а минут. И здесь снова приходится сталкиваться с несовместимостью явлений в металле в микро- и макрообъемах. Понятие модуля сдвига к электронным конфигурациям неприложимо, так же как неприложима к ним и динамическая вязкость.  [c.154]

Сдвиг уровней аа счёт эффекта массы наиб, важен для лёгких элементов с массовым числом A GO при Л — оо он исчезает. В случае тяжёлых изотопов (A iOO) осн. вклад в И. с. влосит эффект объёма. Внутри ядра конечного размера иоло существенно отличается от поля точечного заряда. Поэтому для электрона, проникающего в ядро, наблюдается сдвиг уровня энергии, возрастающий с ростом радиуса ядра. В этом случае И. с. паз. сдвигом за счёт эффекта объёма. Такой И. с. наиб, важен в случав конфигураций, содержащих -электроны, для к-рых максимум электронной плотности достигается на ядре. Для электронов с пе равным нулю орбитальным моментом он значительно меньше. Иссле-довапие эффекта объёма позволяет получить ряд сведений о структуре ядра.  [c.121]

Типичные М. с,, для к-рых возможны электрич. квад- рупольные квантовые переходы,— возбуждённые со- стояния и в конфигурациях р- и р, а также и в конфигурации р . Спектральные линии, соответствующие переходам из этих состояний, наблюдаются в ] планетарных туманностях и используются для диагно-1 стнки электронной плотности и темп-ры в них.  [c.122]

Прнмененве. П. в. используются в ядерной физике для изучения спиновой зависимости нейтронных сечений, измерения амплитуд когерентного и некого рент- ВОГО рассеяний нейтронов (см. Нейтронография структурная), а также для исследования таких фундам., проблем, как несохранение пространственной чётности в ядерных реакциях, поиск нарушения временной ив-. вариантности, определение угл. корреляций в бета-распаде свободных нейтронов, поиске электрич. заряда и электрич. дипольного момента нейтрона и т. д, В фш зике твёрдого тела П. н. позволяют изучать магн. структуры, конфигурации неспаренных электронов t (спиновую плотность) в магнетиках (см. Магнитная е нейтронография), измерять магн. моменты отд. компа- нентов в сплавах, исследовать кинетику фазовых пе- реходов, ядерных релаксац. процессов, миграцию спи- ( нового возбуждения, в т, ч. в неупорядоченных спино-1 вых системах, идентифицировать короткоживущие де-1 фекты в кристаллах, исследовать спиновые волны в i магнетиках и т. д.  [c.72]

Катоды и другие изделия. Катоды электровакуумных приборов изготовляют из вольфрама, тантала и ниобия, в том числе с присадкой оксида тория или с покрытием в виде поверхностного слоя из смеси оксидов Ва, Sr, Са + Ва. Во многих случаях весьма эффективны катоды из различных тугоплавких соединений, напримерLaB ,Zr , Nb , ТаС, Hf и др. Так, горячепрессованные катоды из гексаборида лантана при рабочей температуре 1600- 1700 °С позволяют получать большие плотности эмиссионных токов (> 10 А/см ).как в импульсном, так и в стационарном режимах, работая в ускорителях заряженных частиц, мощных генераторных устройствах, электронно-лучевых установках для плавки и сварки металлов. Используя метод эрозии или ультразвук, можно вырезать из горячепрессованных заготовок катоды сложной конфигурации.  [c.206]

Рис. 2.9. Локальное окружение примеси кислорода в структурах типа вюртцита (а) и сфалерита (б). Указано направление смещения примеси с образованием DX-конфигурации в — контуры электронной плотности для состояния О-примеси в AIN в конфигурации (а) Рис. 2.9. Локальное окружение примеси кислорода в структурах типа вюртцита (а) и сфалерита (б). Указано направление смещения примеси с образованием DX-конфигурации в — контуры <a href="/info/22603">электронной плотности</a> для состояния О-примеси в AIN в конфигурации (а)
Таким образом, растворение в A1N кислорода сопровождается кластеризацией примесных атомов (более подробно о состояниях единичных примесей в A1N см. гл. 2). Вместе с тем, замещение О N при сохранении комплектности металлической подрешетки приводит [38] к дестабилизации системы (относительно исходного нитрида), и для сохранения ее химической устойчивости требуется наличие катионных вакансий в соотношении ЪО У/ . Для определения роли Уд1 в эффектах кластеризации примесей проведены (с использованием сверхячейки А1,5 д,М]зОз) расчеты структур (1— 3) для различных конфигураций примесь— вакансия. Среди возможных выбраны 1 — все дефекты максимально удалены друг от друга, 2 — вакансия удалена от кластера 30), 3 — все дефекты образуют ассоциат (30 + VJ- Сравнение величин зонных энергий соответствующих структур непосредственно указывает на предпочтительность возникновения Уд, вблизи кластера (ЗО), т. е. образования ассоциатов Уд, + 30). Качественно данный эффект можно трактовать как стремление системы к формированию в объеме AIN злектронейтральных комплексов У д, + 30 ) , в пределах которых избыточная электронная плотность ионов кислорода компенсируется за счет катионной вакансии.  [c.111]


Неэмпирический метод ОЛКАО (в прямом пространстве) применен недавно [146] к детальному исследованию электронных распределений в ц-8Ю2. Авторы использовали 1296-атомную суперя-чейку с периодическими граничными условиями, атомная конфигурация которой была оптимизирована с учетом имеющихся дифракционных данных [149, 150]. Полученные гистограммы распределения длин и углов связей приводятся на рис. 7.12. Рис. 7.13 и 7.14 представляют плотности состояний аморфного  [c.167]

В кристаллической решетке локальные атомные конфигурации ближнего порядка, состоящие из элементарных ячеек, одинаковы во B teM кристалле. Локальные атомные конфигурации в аморфных структурах, напротив, могут заметно различаться. Следовательно, функция ПС аморфных металлов должна представлять собой усредненную функцию локальных плотностей состояния (ЛПС), соответствующих локальным атомным конфигурациям. Фудзивара установил, что если в модели аморфной структуры, составленной приблизительно из 100 атомов, произвольно выбрать область, содержащую около 20 атомов, и расчетным путем получить ЛПС электронов в этой области, то она воспроизведет полную функцию ПС, рассчитанную для модели целиком.  [c.180]

Еще в [192, 39J, а позднее и в других работах была дана классификация структурных состояний материала в зависимости от температуры и степени деформации. Показателен и в известном смысле уникален пример со сплавом молибден — рений. Сплав МР47 после многократного электронно-лучевого переплава имеет весьма совершенное строение. Лишь изредка встречаются одиночные дислокации, как правило, винтовой ориентации [134]. Если металл деформируют при 290 К прокаткой, а затем волочением, плотность дислокаций нарастает очень интенсивно, причем их распределение по объему металла остается почти равномерным. Лишь намечается тенденция к биениям и незначительным разворотам решетжи. С деформацией увеличивается плотность дислокаций. Образуются очень мелкие и сильно вытянутые, но слабо разориентированные полосы или конфигурации, похожие на длинные ячейки без четких границ, которые постепенно измельчаются, а плотность дислокаций в них возрастает до предельно разрешимой величины (фото 6, а). Для такой структуры, напоминающей фрагментированную,-типичны разориентации 1—2° и размеры фрагментов около 0,1 мкм.  [c.36]

Надо сказать, что принимаемые в разных работах геометрия и число конфигураций каждого рассматриваемого кластера сильно различаются. Тем не менее важно подчеркнуть факт повышенной стабильности икосаэдрической структуры кластера ujg по сравнению с кубооктаэдрической структурой [424[. Если в оригинале приводилась полная энергия связи Е, то величину Ef , указанную в табл. 9, находили делением Е на число п составляющих кластер атомов. Из-за трудоемкости расчетов большинство вычислений выполнены только для малых кластеров. Электронную структуру более крупных атомных агрегаций рассчитывали методом функционала плотности (Li , Na , 9 < < 100 [427] Na , п < 350 [428]). На рис. 63, 64 показаны зависимости параметра решетки а и энергии связи на атом Еь от п для ОЦК-кластеров Li в сравнении с данными для массивного металла [427]. То обстоятельство, что энергия связи на атом ГГ] К-кластера Liso а = 8,06 ат. ед.) оказалась на 1,8 ккал больше  [c.146]

Чтобы избежать трудностей, возникающих в случае применения теоремы Купменса к системе с незаполненной оболочкой, в работе [386] вертикальный ионизационный потенциал вычисляли методом МО L AO как разность энергий ионизированного и нейтрального кластеров Li (и = 1 -f- 9). Полученные для каждой группы конфигураций кластера значения IP имеют разброс в пределах 1—5 эВ, но если в каждой такой группе выделить только наиболее стабильные формы, то наблюдается довольно регулярная тенденция понижения IP с ростом п. Для Lis и Lig вычисленный ионизационный потенциал оказался равным 2,4 эВ, что близко к работе выхода массивного металла, но несколько ниже указанных выше значений, найденных Маршаллом и др. [385]. Ширина валентной зоны, определяемая разностью энергий наивысшей и наинизшей занятых молекулярных орбиталей, возрастает при увеличении /г, достигая значений 3,0 эВ для кубического Lioo и 3,7 эВ для Lis в форме октаэдра с двумя атомами над его гранями. Вместе с тем отмечается, что число валентных электронов в изучаемых кластерах Li слишком мало, чтобы получить усредненную плотность состояний и истинную валентную зону путем расширения (скажем, с помощью подходящей гауссовой кривой) далеко разнесенных энергетических уровней.  [c.230]

С целью прояснения механизма каталитической активности поверхностных нерегулярностей (ступени, изломы, выступы и т. п.) в работе [734] методом Ха исследовалась локальная плотность состояний (LDS) центрального атома как выступающего ребра кластера Nis, так и грани кластера Nig, имеющих конфигурацию фрагмента ступенчатой и гладкой поверхности Ni (100) соответственно. Исследовалось также изменение локальной плотности состояний в месте присоединения атома Na к кластерам Ni4, Ni,, Nis- Межъядерные расстояния всех кластеров принимались равными таковым в массив-Н0Л1 никеле. Длина связи Na—Ni выбиралась в соответствии с данными дифракции медленных электронов в случае адсорбции Na на гладкой поверхности N1 (100).  [c.252]

Нельзя игнорировать также расхождение кривых плотности состояний, вычисленных методами ЕН и Ха для N113 (см. рис. ИЗ). ]Иессмер и др. [732] объяснили это расхождение данных произвольностью параметризации в методе ЕН. Вычисления электронной структуры кластеров Gu методом аЬ initio привели к выводу, что линейные цепи стабильнее двух- и трехмерных конфигураций только для малых  [c.258]

У следующего элемента 3Li появляется третий электрон, которому нет места в полностью застроенной первой электронной оболочке (принцип Паули). Поэтому с лития начинается заполнение второй оболочки с главным квантовым числом л = 2, т. е. начинается второй период в таблице Менделеева. Во второй оболочке имеются 4(s—р) квантовых ячеек, содержащих восемь вакантных мест для валентных электронов. В атоме водорода энергии электронов в s- и р-ячейках одной электронной группы одинаковы. В атоме лития имеется двухэлектронный остов, экранирующий заряд ядра до.7 = 1. Вследствие просачивания части электронной плотности 25-состояния внутрь остова ( ныряющая боровская орбита) энергия связи 25-электрона с ядром оказывается меньше энергии 2р-электрр-йа (2s<2p), и электронное строение атома лития будет ls 2s . У 4Ве заполняется 2х -ячейка, а у следующего элемента 5В впервые появляются р-электроны. Далее заполнение р-ячеек, так же как и ячеек следующих d и f электронных подгрупп, идет в соответствии с эмпирическим правилом Хунда, согласно которому конфигурация электронов должна обладать максимальным суммарным спином 5. Это означает преимуществен-ность параллельной ориентации спинов. Возможность параллельной ориентации спинов исчерпывается у седьмого элемента азота, имеющего замкнутую сферически симметричную р-под-группу, что проявляется в некотором повышении первого потенциала ионизации атома азота по сравнению с атомами соседних элементов. Далее с увеличением порядкового номера элемента электроны начинают размещаться в ячейках попарно с антипараллельными спинами. Этот процесс завершается у десятого элемента неона, атомы которого имеют замкнутую валентную оболочку с полностью компенсированными механическими и магнитными моментами и сферически симметричным распределением электронной плотности. Последнее является следствием свойств суммы квадратов сферических функций для заполненных подгрупп. Атомы неона, как и гелия, имеют высокий потенциал ионизации и химически инертны.  [c.13]


В разделе 4.2.3 первого тома уже рассматривалась простейшая модель электроннопримесной системы. В этой модели не учитываются взаимодействие электронов друг с другом и электрон-фононное взаимодействие, поэтому динамика электронов проводимости может быть описана одночастичной матрицей плотности, усредненной по конфигурациям примесных атомов )  [c.112]

Чтобы понять происхождение ферромагнетизма, рассмотрим случай никеля с атомной конфигурацией 3d4s . В свободном атоме выполняются правила Хунда [1] ), и первая половина зоны заполнена З -электронами с параллельными спинами. Это результат обменного взаимодействия, которое в этом случае обеспечивает минимум электростатической энергии другими словами, электроны, описываемые симметричными волновыми функциями, стремятся расположиться в пространстве как можно дальше друг от друга, и, таким образом, электростатическая энергия уменьшается. Если вследствие высокой плотности состояний в d-зоне поверхность Ферми окажется в середине зоны проводимости, то можно ожидать, что заполнение состояний будет иметь вид, показанный на фиг. 49, а. Если, однако, обменное взаимодействие действует так же, как в свободном атоме, то будет заполняться половина d-зоны с отрицательной проекцией спина это иллюстрирует фиг. 49, б (энергия половины зоны с отрицательной проекцией спина меньше энергии половины с положительной проекцией). Таким образом, даже при отсутствии внешнего магнитного поля спины не сбалансированы, и металл оказывается ферромагнитным.  [c.124]

Несомненно, что большинство известных в настоящее время сверхпроводящих материалов относится к жестким сверхпроводникам. Жесткость сверхпроводников связывают с наличием в них нитевидных сверхпроводящих путей. На первый взгляд кажется, что поверхностная энергия, обусловленная наличием в веществе таких нитей, будет увеличивать полную энергию системы и такая конфигурация будет неустойчивой. Однако Абрикосов [60] и Гуд-ман [61] показали, что поверхностная энергия для такого состояния сверхпроводника отрицательна (это обусловлено малой длиной свободного пробега электронов) и потому в действительности система будет устойчивой. Вся основная масса вещества переходит в нормальное состояние при той же напряженности магнитного поля Не, что и мягкие сверхпроводники, но по нитямt H TpH вещества будут протекать сверхпроводящие токи. Вдаможпб, в некоторых случаях эти нити связаны с дислокациями. Окончательное разрушение сверхпроводимости произойдет, когда плотность тока в нитях достигнет такого значения, что магнитное поле Hf, обусловленное этим током, окажется равным критическому значению Не для нити, т. е. Я/ + Яа = Яс, где На — напряженность внешнего магнитного поля.  [c.139]

Дисперсионные взаимодействия. Дисперсионные силы (или лондоновские) присущи как полярным, так и безди-нольным молекулам. Они возникают вследствие взаимной корреляции движения электронов молекул и определяются взаимодействием мгновенных диполей, индуцированных за счет колебаний плотности зарядов. Теория таких взаимодействий была развита Лондоном. При этом использовались результаты квантовой теории, описывающей свойства показателя преломления света. Дисперсионные взаимодействия описываются приближенным потенциалом (результат усреднения по всем мгновенным конфигурациям)  [c.88]

Эффект от развертки проявляется в изменении мгновенного и усредненного по периоду распределения плотности мощности электронного пучка. Соответственно меняются характер гидродинамических процессов и конфигурация сварочной ванны. Благодаря этому при сварке металлов больших толщин удается сильно расширить диаметр и повысрггь устойчивость канала в сварочной ванне, что благоприятно сказывается на стабильности формирования швов уменьшается разбрызгивание расплавленного металла, предотвращается вьггекание расплава из ванны при сварке горизонтальным пучком. Вследствие изменения формы шва уменьшается склонность к образованию трещин, корневых дефектов и протяженных полостей.  [c.419]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронная конфигурация плотность : [c.188]    [c.469]    [c.532]    [c.50]    [c.39]    [c.31]    [c.452]    [c.7]    [c.777]    [c.142]    [c.160]    [c.614]    [c.356]    [c.277]    [c.128]    [c.478]    [c.418]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.307 , c.392 , c.394 , c.395 ]



ПОИСК



Конфигурации электронны

Конфигурация

Плотность электронная

Плотность электронов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте