Электроны внешние

Согласно современным представлениям, химическая связь атомов возникает в результате движения электронов внешних (валентных) оболочек атома в поле между ядрами. Каждый из этих электронов, проникая, например, в поле двух ядер, принадлежит уже обоим атомам. Химические силы по своей природе электромагнитны и действуют на расстояниях порядка Ю м. [c.8]

Семейство р-элементов, заполняющих электронами внешний подуровень р, образует промышленно важные карбиды, свойства которых приведены в табл. 9.2. [c.338]

Спектр электронов внешнего пояса круто спадает по мере увеличения энергии электронов (примерно как Е- ). Спектр протонов внутреннего пояса также аппроксимируется степенной функцией Е с показателем степени п=1,4- 1,8. [c.265]

Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов кристаллической решетки приводит к превращению этого атома в положительный ион. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон у одного из соседних атомов. Далее, в результате переходов электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном. Внешне этот процесс воспринимается как перемещение положительного [c.154]

Последнее выражение представляет собой уравнение движения электрона в кристалле. В этом случае произведение П (dk/df) равно силе F, действующей на электрон со стороны внешнего электрического поля. Для свободного электрона внешняя сила равна произведению m(dV/di). То, что для электрона в кристалле уравнение движения не имеет привычной формы второго закона Ньютона, не означает, что закон Ньютона здесь не выполняется. Все дело в том, что уравнение движения мы записали только с учетом внешних сил, действующих на электрон, и не учли силы, действующие со стороны периодического поля кристалла. Поэтому не удивительно, что уравнение движения не имеет обычного вида [c.232]

Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом сопровождается вторичным излучением, возникающим в процессе прямого вырывания электронов из атома (фотоэффект) и последующего отрыва внешних электронов в ходе заполнения внутренних электронных оболочек. Перестройке электронных оболочек сопутствует излучение рентгеновских квантов с меньшей энергией (флуоресцентное излучение), или так называемого оже-электрона (вторичный фотоэффект). Прямое взаимодействие рентгеновского излучения с электронами внешних оболочек приводит к возникновению комптоновских [c.966]

Итак, мы получили, что в кристалле скорость изменения квазиимпульса равна действующей на электрон внешней силы. Если [c.88]

В пределах каждого периода периодической системы элементов Менделеева при переходе от щелочного металла к благородному газу, относящемуся к тому же периоду, происходит постепенное заполнение внешней оболочки до тех пор, пока она не станет замкнутой. Поэтому с внешней оболочки могут быть удалены 2, 3 электрона и т.д. Энергия ионизации при этом растет. Это объясняется тем, что внешние электроны находятся у этих атомов в эффективном поле 2е, Ъе и т.д. Например, электроны внешней оболочки у лития, бериллия, бора и углерода находятся соответственно в эффективном поле заряда е, 1е, Ъе, 4е. Если же в пределах периода переходить от инертного газа к nie-лочному металлу того же периода, то можно говорить об увеличении числа недостающих до замкнутой оболочки электронов. С увеличением числа недостающих электронов энергия сродства к электрону убывает, что объясняется аналогично росту энергии ионизации при переходе к более тяжелым элементам в пределах одного и того же периода. [c.303]

Валентность. Валентность атома относительно водорода определяется числом электронов со свободными спинами, которые могут вступать в обмен с соответствующим числом электронов другого атома. Электроны внешней оболочки атома могут образовывать различные конфигурации. Валентность для различных конфигураций может быть различной. Валентность атома в возбужденном состоянии может отличаться от его валентности в основном состоянии. Обычно под валентностью понимает- [c.312]

Металлическая связь. В металлах электроны внешней оболочки атомов обобществляю ся и образуют электронный газ. Электроны мигрируют из окрестности одних атомов в окрестности других, не будучи связаны устойчиво ни с одним из атомов. Эти электроны называют электронами проводимости. Они обусловливают электропроводность металлов. Для отделения электронов от внешних оболочек атом(5в требуется затратить [c.334]

Такая пара электронов, из которых один принадлежит одному. атому, а второй с противоположным спином соседнему, связывает эти два соседних атома. Такие связи возникают между атомами, у каждого из которых внешняя электронная оболочка заполнена не менее чем наполовину. В результате образования пар валентных электронов внешняя электронная оболочка каждого атома оказывается достроенной до восьми электронов. [c.8]

СМЕШАННАЯ СВЯЗЬ. Все четыре типа связи строго не разграничены и взаимно не исключают одна другую. Тип связи может зависеть от температуры и давления. Так, германий — полупроводник при комнатной температуре является типичным представителем материала с ковалентной связью. При высоких температурах и очень высоких давлениях он приобретает металлические свойства (электропроводность). Смешанный, ковалентно-металлический тип связи возникает тогда, когда атом обладает двумя незаполненными внешними оболочками. Например, Ni и Fe имеют не до конца заполненную З -оболочку. Этим свойством обладают также элементы переходных металлов и элементы подгруппы IVB таблицы Д. И. Менделеева. Металлическую связь здесь образуют электроны внешней оболочки. Электроны незаполненной оболочки могут давать ковалентные связи, что приводит к увеличению энергии связи, появлению ее зависимости от углов и снижению радиуса действия со всеми вытекающими отсюда последствиями, характерными для ковалентной связи (табл. 1). [c.11]

При увеличении размеров атома электронная поляризуемость увеличивается, так как при этом не только становится слабее связь электронов внешних оболочек с ядром атома и увеличивается смещение оболочки /, но и возрастает заряд ядра д. Для удобной и наглядной оценки электронной поляризуемости а атома (или иона, см. далее) вводят понятие геометрической поляризуемости, равной отношению а к электрической постоянной о и имеющей размерность объема она имеет порядок объема атома, т.е. 10 °-10 м Например, значения а/ о атомов галогенов (в порядке возрастания их атомной массы) равны для F-0,4 10 для С/-2,4-10 для 3 -3,6-10 для /-5,8-10 м1 [c.92]

Электроны, движущиеся по орбитам, наиболее близко лежащим к ядру атома, имеют минимальную энергию, а электроны внешних орбит атома обладают большей энергией и слабее связаны с ядром. [c.5]

Ферромагнетизм в ферритах обусловлен косвенным обменным взаимодействием. Если обменное взаимодействие между спинами электронов осуществляется через ион кислорода, то, по-видимому, взаимодействие происходит между электронами внешней оболочки (2s) ионов металлов. 0 косвенное квантово-механическое взаимодействие по силе не уступает обменному взаимодействию, наблюдаемому в металлах. Подобная связь между спиновыми магнитными моментами называется косвенным или сверх- [c.179]

Введение в полупроводник примесных атомов приводит к нарушению в нем стехиометрического состава и периодичности кристаллической решетки. Примеси вносят в структуру полупроводника дополнительные квантовые уровни, отличающиеся от зонной структуры уровней основного кристалла. В полупроводниках примеси в зависимости от их природы и природы полупроводников могут образовывать п- или р-проводимости. Примеси, образующие и-проводимость, должны иметь большую валентность, чем валентность, основного полупроводника примеси, создающие р-проводимость, должны иметь валентность меньшую по сравнению с валентностью основного полупроводника. Например, для четырехвалентного германия пятивалентные примеси As, Р, Sb и др. создают электронную проводимость, поскольку четыре атома примеси, занимая в кристаллической решетке германия определенные узлы, образуют ковалентные связи с соседними атомами германия, а избыточный (пятый) электрон внешней орбиты мышьяка остается свободным. Такие свободные электроны создают электронную проводимость. Примеси, освобождающие электроны, называются донорами, а соответствующие им энергетические уровни — донорными [c.282]

В случае германия примесями первого вида служат элементы пятой группы, например, мышьяка с 5 электронами на внешней оболочке. При замещении германия мышьяком его четыре электрона образуют валентные связи с четырьмя соседними атомами германия. Пятый электрон внешней оболочки мышьяка не может образовать связи с ближайшими атомами и поэтому он легко освобождается. Для этого требуется ничтожно малая энергия — 0,013 эв. Появление свободного электрона в этом случае не сопровождается возникновением дырки, так как ни одна из связей не нарушается. Атом мышьяка приобретает положительный заряд, но он не может, перемещаться. [c.173]

Согласно зонной теории твердых тел электроны внешних энергетических зон перемещаются по кристаллу практически одинаково во всех телах независимо от того, являются эти тела металлами или диэлектриками. Несмотря на это электрические свойства их, в частности электропроводность, могут различаться чрезвычайно сильно. Например, у металлов электропроводность равна 10 — [c.153]

Существуют кристаллы с ковалентным типом связи атомов. Примером может служить алмаз, в котором каждый атом углерода связан с четырьмя другими. Все они расположены по углам правильного тетраэдра. Каждая пара атомов делит между собой электроны внешней оболочки, образуя общую внешнюю оболочку. Так, все атомы кристалла алмаза связаны ковалентными связями в единую гигантскую молекулу. Поскольку эти связи прочны, кристалл алмаза отличается весьма высокой твердостью. [c.55]

Металл отдает атому кислорода два электрона. Внешняя поверхность адсорбированной пленки при этом заряжается отрицательно, а внутренняя положительно. [c.12]

Термин цепная реакция приобрел большую популярность с наступлением атомного века, однако задолго до этого понятие цепной реакции было знакомо химикам, Как известно, при образовании химических соединений из отдельных атомов происходит перегруппировка электронов внешних орбит. При сгорании угля, например, атомы углерода (основная составляющая угля) соединяются с атомами кислорода окружающего воздуха и, перераспределяя свои валентные электроны, образуют двуокись углерода. И хотя эта реакция является экзотермической (выделяет около 4,2 эВ энергии на каждую образующуюся молекулу двуокиси углерода), всем известно, что для сгорания угля обычно необходимо сообщить ему некоторое количество тепла, прежде чем он сможет сам поддерживать свое горение (вот почему нам необходимы газовая зажигалка, бумага или щепки для растолки угля). Все это очень похоже на процесс расщепления ядра, описанный в предыдущей главе урановое или какое-либо другое ядро должно поглотить сначала некоторую энергию, необходимую для того, чтобы был преодолен максимум на кривой потенциальной энергии (см. рис. 13). [c.50]

Согласно этим исследованиям приближения к идеальному поведению встречаются часто, в особенности, если в реакции участвуют ионы одного типа с одинаковой валентностью и одинаковыми числами электронов внешних оболочек, что отвечает одному порядку величины как сил Ван-дер-Ваальса, так и поляризационных [c.139]

Химические соединения этих металлов с кислородом, азотом, водородом и углеродом образуются с участием электронов внешнего уровня [c.11]

При заполнении вакансий электронами внешних оболочек соответствующий атом освобождает квант энергии в форме электромагнитного излучения. [c.154]

Рис, 3.21, Вычисление скорости дрейфа, обусловленной ускорением электрона внешним электрическим полем между двумя столкновениями. [c.144]

Упрощенная схема участвующих в генерации уровней энергии в аргоновом лазере приведена на рис. 6.11. Основное состояние иона Аг+ получается путем удаления одного из шести 3/О-электронов внешней оболочки аргона. Возбужденные состояния 4s и 4р возникают, когда один из оставшихся Зр -электронов забрасывается на уровни соответственно 4s и 4р. С учетом взаимодействия с остальными Зр-электронами оба уровня 4s и 4р, обозначенные на рис. 6.11 как простые уровни, на самом деле состоят из нескольких уровней (соответственно 9 и 2). Возбуждение верхнего лазерного 4р-уровня происходит посредством двухступенчатого процесса, включающего в себя столкновения с двумя различными электронами. При первом столкновении аргон ионизируется, т. е. переходит в основное состояние иона Аг+. Находящийся в основном состоянии ион Аг+ испытывает второе столкновение с электроном, что может привести к следующим трем различным процессам 1) непосредственное возбуждение иона Аг+ на 4р-уровень (процесс а на рис. 6.11) 2) возбуждение в более высоко лежащие состояния с последующими каскадными излучательными переходами на уровень 4р (процесс Ь на рис. 6.11) 3) возбуждение на метаста- [c.354]

Радиолиз и образование проводящих каналов. Электроны, инжектируемые с электродов или внедряющиеся из областей ионизации, проникают в полимерный диэлектрик под действием сильного поля и воздействуют на молекулярные связи как сферолитов, так и аморфных прослоек. Вследствие этого химические связи частично разрываются (радиолиз), образуются свободные радикалы, а в области аморфных прослоек появляются субмикротрещины (размерами в десятки и сотни ангстрем), В этих трещинах облегчается ускорение электронов внешним электрическим полем, что способствует росту и сегрегации трещин до микронных размеров. Постепенно развиваются необратимые кристаллические разрушения, формирующие канал будущего пробоя. [c.60]

Наиболее важной системой, к которой применимо представление об идеальном фермионном газе, является электронный газ в металле. Как известно, электроны внешних оболочек (валентные электроны) очень слабо связаны, поэтому приближенно можно считать, что они движутся совершенно свободно внутри кристаллической решетки. Типичные порядки величин и Тр, которые получаются при использовании соответствующих численных данных, приведены в табл. 5.6.1. Видно, что параметр вырождения [c.197]

Многие элементы с неполностью заостренными внутренними электронными й- и /-подоболочйами обладают типичными металлическими структурами типа К8, К12 или Г12. Наличие решетки типа К8 у этих элементов объясняется тем, что после отделения всех валентных электронов внешней у ионов оказывается р -подоболочка с шестью электронами, образующими взаимодействующие эллиптические электронные облака . Решетка типа К12 является плотнейшей упаковкой. Для этой решетки удвоенное расстояние между двумя наиболее плот-ноупакованными октаэдрическими плоскостями, деленное на кратчайшее расстояние между соседними атомами в этой же плоскости <1, тождественно отношению параметров идеальной решетки типа Г12 при с/а= 1,6333. Несферичные ионы не дают плотнейшей решетки типа К12, хотя образуют плотнейшую решетку типа Г12. [c.11]

Пусть зона проводимости не содержит ни одного электрона. Внешнее электрическое поле действует на элек- [c.339]

Определенный порядок расположения вращающихся электронов обусловливается обменными силами, приводящими к обменному взаимодействию. Теория ферромагнетизма элементов основана на наличии у атомов недостроенных внутренних оболочек 3d и 4/, имеющих высокую плотность их состояний. У таких элементов, как железо, никель, кобальт, имеющих недостроенную 3d оболочку, или у таких элементов, как гадолиний, диспрозий и эрбий, у которых недостроена 4/ оболочка, ферромагнетизм возникает вследствие обменного взаимодействия электронов недостроенных оболочек соседних атомов, поскольку электроны глубинных атомных слоев, так же как и валентные электроны внешних орбит, не могут принимать участия в ферромагнетизме из-за низкой Плотности их состояний. Обменное взаимодействие изменяет энергию системы например, энергия двух сближенных атомов водорода [c.61]

В плазме в результате электростатического взаимодействия ато MOB и заряженных частиц, окружающих атом, происходит снижение энергии (потенциала) ионизации на какую-то величину АЕ. Объясняется это тем, что электростатическое взаимодействие приводит к ослаблению связи электронов внешних электронных оболочек атома с ядром и они могут в припципе оказаться даже свободными. Таким образом, действителышя или, как принято называть, эффективна, энергия (потенциал) ионизации в плазме [c.387]

Поскольку доминирующую роль играют поверхностные явления, на схеме показано расширение только тонкого приповерхностного слоя, взаимодействующего с френкелевским, Возвращение системы нелокализованных электронов к равновесию происходит путем перетекания электронов внешнего облака в разреженную область (показано стрелками). Соответствующее метастабильному состоянию деформационное искажение уровня Ферми в тонком поверхностном слое показано на рис. 30, б (искажение уровня Ферми в остальном объеме незначительно и поэтому на рисунке не показано). [c.101]

Холодная эмиссия электронов. Внешнее ускоряющ,ее поле вызывает не только понижение потенциального барьера, но и уменьшение его толш,ины d (рис. 8.8, в), что в полях достаточно высокой напряженности (>10 В/м) делает такой барьер достаточно прозрачным для туннельного просачивания электронов и выхода их из твердого тела. Это явление получило название холодной эмиссии элект-тронов. Плотность тока при холодной эмиссии электронов экспоненциально растет с увеличением напряженности ускоряюш,его поля [c.215]

Простейшим подходом в этом направлении является представление о заполнении недостроенных d-электронных уровней валентными электронами второго компонента. Имеющиеся в литературе данные показывают, что, по меньшей мере, для последних элементов в рядах (Ni, Pd, Pt) такое явление действительно наблюдается [2]. При этом существенные изменения состояния электронов внешних оболочек неминуемо должны отражаться и на термодинамических параметрах сплавообразования. [c.155]

ЭНЕРГИЯ [(скалярная единая физическая величина различных форм движения и взаимодействия всех видов материи, измеряемая в единицах работы) активации—избыточная энергии частицы среды для преодоления потенциального барьера, разделяющего исходное и конечное состояния ее внутренняя включает в себя энергию всевозможных видов движения и взаимодействия всех частиц, образующих систему ноннзацнн—равна работе удаления одного электрона (внешнего) из атома, находящегося в основном состоянии кинетическая — мера механического движения, равная для материальной точки половине произведения массы материальной точки на квадрат ее скорости кристаллической решетки — работа, которую необходимо затратить, чтобы удалить друг от друга на бесконечное расстояние частицы, образующие кристалл] [c.298]

При анализе электросопротивления пленок следует учитывать, как отмечалось ранее (см. выражение (3.1)), возможность рассеяния электронов внешними поверхностями, а также топографию последних, наличие столбчатой или многослойной структуры (см. рис. 2.1, в, г). Пленки по характеру зависимости р от толщины без учета нанокристалличности принято условно подразделять на три группы [c.66]

Н. А. Гала ктионова [4] также считает, что стабильное существование электронейтральных атомов водорода в решетке металла исключается в связи с наличием в металлическом кристалле (или расплаве) силовых полей, не являющихся насы-щеннььми или локализованными. Атом водорода в металле находится в том же состоянии, что и атом самого металла, т. е. его единственный электрон обобществлен с электронами внешних орбит атомов металла (электронный газ). [c.22]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...