Галогениды щелочных металлов

Составляющие выделяются по результатам изучения системы различными физико-химическими методами и обоснованием их Индивидуальности служит лишь модель микроскопического строения отдельных фаз. Так, в разреженных газах составляющими считаются молекулы и атомы, а при высоких температурах также. электроны и ионы. В твердых и жидких органических веществах структурными единицами являются обычно молекулы, а, например, у галогенидов щелочных металлов — положительные и отрицательные ионы соответствующих элементов. Металлические расплавы и растворы по одним моделям считают состоящими из атомов, а по другим — из положительных ионов и электронов. [c.16]

Смешанная проводимость (полупроводники, галогениды щелочных металлов с избытком электронов). [c.141]

В настоящее время большое число различных типов центров окраски в кристаллах галогенидов щелочных металлов используется для создания эффективных оптически накачиваемых лазеров, перестраиваемых в широкой полосе в ближнем ИК-диа-пазоне. Лазеры на центрах окраски позволяют получать генерацию в диапазоне длин волн 0,8—3,3 мкм и, следовательно, представляют интерес с точки зрения расширения диапазона в область увеличения длин волн, qqq 0 е 0 в которой лазеры на растворах [c.425]

Смесь, продукты реакции которой образуют припой, затекающий в зазоры, обычно состоит из порошков металлов, окислов и галогенидов щелочных металлов и более сложна по составу. Экзотермическая пайка, например, алюминиевых проводов может быть выполнена при погружении их в расплав галогенидов тяжелых металлов. [c.224]

Из группы кристаллов с центрами окраски используются, с одной стороны, галогениды щелочных металлов, в которых под действием ультрафиолетового света или рентгеновских лучей образуются так называемые центры поглощения, с другой стороны, кристаллы типа флюорита и титаната стронция с примесями разных элементов, главным образом редкоземельных металлов. Эти кристаллы при нормальных условиях являются почти прозрачными, а под действием излучения вблизи границы видимого и ультрафиолетового света их поглощение увеличивается. [c.150]

При экзотермической пайке нагрев, а иногда и образование припоя, осуществляется в результате экзотермической реакции или агрегатного превращения специальных твердых, жидких или газообразных веществ. Экзотермическая смесь может быть внесена при сборке в виде таблеток, пластинок или нанесена на паяемую поверхность как краска. Смесь, продукты реакции которой образуют припой, затекающий в зазоры, обычно состоит из порошков металлов, оксидов и галогенидов щелочных металлов и др. Недостаток этого способа — сильное коробление паяемого металла при малой его толщине после нагрева теплотой экзотермической реакции. [c.461]

В среде расплавленных галогенидов щелочных металлов пассиваторами могут выступать небольшие примеси кислородсодержащих ионов (ОН", С0 , N0 , SiO " и т. д.), которые взаимодействуют с металлами с образованием малорастворимых в расплаве тугоплавких оксидов, [c.376]

В расплавленных галогенидах щелочных металлов определенный эффект дает применение сталей, легированных более стойкими в этих средах электроположительными [c.381]

Эта теория, постулирующая наличие ковалентной компоненты связи в ионных кристаллах, была распространена затем на соединения кислорода, азота, углерода и их аналогов с переходными металлами [109—113], рассматриваемые как ковалентно-ионные соединения, где атомы металла, теряющие rf,s-электроны, заряжены положительно, неметаллические атомы, восполняющие 2р-оболочку до конфигурации неона (2s 2p ), заряжены отрицательно, а ковалентные связи образуются вследствие перекрывания шести р-орбиталей заполненных оболочек р . Было показано, что номинальные заряды ионов понижаются до эффективных значений вследствие сдвига электронной плотности перекрывающихся орбиталей от аниона (X") к катиону (Ме ). Понижение зарядов на ионах вследствие стягивания электронной плотности к катионам и оттягивания ее от анионов будет тем сильнее, чем выше номинальный заряд. Поэтому в галогенидах щелочных металлов реальные заряды равны 0,6 0,8 е, а в карбиде титана всего лишь 0,4 е. [c.86]

Отсутствие металлической проводимости и диэлектрические свойства галогенидов щелочных металлов и окислов щелочноземельных металлов указывают на переход одного (или двух) валентных электронов, вследствие чего зона проводимости металла оказывается пустой. Исследования нитридов переходных металлов III группы также указывают на полупроводниковый характер этих соединений [128]. Систематические исследования физических свойств карбидов титана, циркония и гафния показали [129, 130], что металлический характер проводимости в этих карбидах обусловлен исключительно вакансиями по углероду, создающими избыток атомов металла, которые вносят свои d- и s-электроны в зону проводимости. Концентрация электронов проводимости линейно уменьшается с понижением концентрации вакансий и при стехиометрическом составе достигает нуля (рис. 37). [c.93]

Ограничимся рассмотрением гораздо более простого случая — бинарных ионных кристаллов (галогениды щелочных металлов и окислы) и получим некоторые результаты, которые нам понадобятся в дальнейшем. [c.59]

Поперечное скольжение винтовых дислокаций ответственно за П1 стадию ползучести — стадию параболического упрочнения (следующую за П стадией—стадией линейного упрочнения), которая отмечается на кривых напряжение — деформация г. ц. к металлов [123] и галогенидов щелочных металлов [78, 353] [c.114]

I Галогениды щелочных Металлов [c.257]

Первоначально это предположение было подтверждено результатами экспериментальных работ для галогенидов щелочных металлов [71]. Отмечалось, что поверхностная энергия связана с микротвердостью линейной зависимостью, причем нулевой микротвердости соответствует поверхностная энергия 7,5 10 Дж/м. [c.46]

Ионные кристаллы представляют собой соединения с преобладающим ионным характером химической связи, в основе которой лежит электростатическое взаимодействие между заряженными ионами. Типичными представителями ионных кристаллов являются галогениды щелочных металлов, например, со структурой типа Na l и s l. [c.70]

По описанному механизму образуются не только галогениды щелочных металло В, но также нитриды, карбиды многоковалентных переходных металлов, большинство которых имеют структуру типа Na l. [c.70]

Каждому кристаллич. веществу присуща определ. кристаллич. структура, но при изменении термодина-мпч. условий она иногда может меняться полиморфизм). Обычно чем проще ф-ла соединения, тем более симметрична его структура. Кристаллы со сходной хим. ф-лой (в смысле числа и соотношения разл. атомов) могут иметь одинаковую кристаллич. структуру, несмотря на различие типов связи (т. н. и з о с т р у к-т у р н о ст ь) напр. изоструктурны галогениды щелочных металлов типа Na l и нек-рые окислы (напр., MgO), ряд сплавов (напр., Ti —Ni). Существуют боль-П1ие серии изоструктурных соединений с ф-лами вида АВ2, АВ3, АВХд и т. п. Изоструктурны кристаллы мн, элементов, напр, кристаллы 7-Fe и Си, образующие грапецентриров. Ky(jH4. решётку, но такую же структуру имеют и отвердевшие инертные газы. Если кристаллы изоструктурны и обладают одинаковы.м типом связи, их наз. изоморфными (см. Изоморфизм), Во мн. случаях между изоморфными кристаллами возможно образование непрерывного ряда твёрдых растворов. [c.516]

Распределение К. по пространственным группам симметрии — соответственно по точечным группам (классам) и сиигониям — неравномерно. Как правило, чем проще хим. ф-ла вещества, тем выше симметрия его К. Так, почти все металлы имеют кубич. или гексагональную структуру, основанную на т. н. плотной упаковке атомов, то же относится к простым хим. соединениям, напр, к галогенидам щелочных металлов. Усложнение хим. ф-лы вещества ведёт к понижению симметрии его [c.519]

Ионное М. в. вызвано смещением валентных электронов одного атома (аниона) к другому (катиону), между к-рыми возникает э.ч.-статич. притяжение. Примеры ионных связей — М. в. в галогенидах щелочных металлов. Эти связи нелокалиэованные и ненасыщаемые. Потенциал ионного М. в. определяется ф-лой [c.79]

Бериллий вступает в реакцию с ра. плавленными галогенидами щелочных металлов, восстанавливая их до металла, пока не наступает равновесие. Бериллий не взаимодействует с расплавленными галогенидами щелочноземельных металлов и магния, но восстанавливает галогениды алюминия итя-уьелых металлов. Щелочноземельные металлы и магнии можно успешно применять для получения бериллия из его галогепидов. [c.60]

Получение солей высокой чистоты. Химические соединения редких щелочных элементов, применяемые в инфракрасной технике, в квантовой электронике и светотехнике и в ряде других новых областей науки и техники, должны удовлетворять высоким требованиям по чистоте. Так, современные требования к качеству галогенидов щелочных металлов допускают содержание в них отдельных примесей тяжелых металлов не более 1-10 % (по массе), а алюминия и щелочноземельных элементов — 5х Х10 % (по массе). На стадии гидрометаллургической переработки рудного сырья получаются соли с более высоким содержанием примесей. Одним из эффективных способов, используемых для получения высокочистых солей лития, рубидия и цезия, является ионный обмен с применением различных ионообменных смол, активных и окисленных углей и неорганических ионообменников. [c.118]

Фиг. 7.5. Зависимость отношения экспериментального к теоретическому значению теплопроводности некоторых галогенидов щелочных металлов при дебаевской температуре соответствующей акустическим фононам, от отношения масс двух входящих в состав атомов. (По Слеку [217].)

Такая тенденция очень хорошо видна на щ)имере галогенидов щелочных металлов на фиг. 7.5 представлена зависимость величины Иэкс/хтеор от отношения масс при температуре Дебая акустических фоно-нов (данные взяты главным образом из работы Слека [c.83]

Таким образом, точность, с которой формула (7.3) с учетом эффекта различия масс может в общем случае предсказать теплопроводность кристалла, не вполне ясна. Для галогенидов щелочных металлов при использовании среднего значения для Кэкс/хтеор, примерно равного 1,4, получаются теплопроводности в пределах 50% от наблюдаемых неопределенность уменьшается при учете конкретной величины отношения масс. Для систем А В среднее значение отно- [c.84]

Однако недавно было показано, что некоторые новые классы лазеров на центрах окраски (например, кристаллы галогенидов щелочных металлов, активированные ионами Т1+) являются стабильными как по отношению к оптическому излучению, так и к температуре. (Небольшие концентрации р2 -центров в кристалле LiF удается застабилизировать путем введения специальных примесей в кристалл. Стабильными получаются также ( 2)д Центры, например, в кристалле NaF. —это ентр, распо- [c.427]

Параметры линий комбинационного рассеяния света (частота, интенсивность, степень деполяризации и полуширина) определяются строением малых частиц и их взаимодействиями с окружающей средой. В работе 1122] наблюдались рамановские спектры 1-го порядка у частиц MgO диаметром 300 и 600 А, отсутствующие в массивном кристалле. Полученные результаты позволили сделать некоторые заключения об оптических фононах малых частиц. Рамановское рассеяние 1-го порядка детектировалось также от коллоидных частиц Na, Ag диаметром 50—400 А, получаемых электролитическим окрашиванием с последующей термической обработкой кристаллов Na l, NaBr, Nal [123, 124]. Сами эти кристаллы давали рамановские спектры только 2-го порядка. Предполагалось, что рассеяние 1-го порядка возникает от возбуждения поверхностных колебаний на границе металлических частиц и галогенида щелочного металла. Поскольку частота рамановской линии должна зависеть от изменений параметра решетки, вызываемых вариацией давления или температуры, в работе [125] была предпринята попытка измерить с помощью рамановского рассеяния кристаллографический размерный эффект в частицах Sr l, размером от 100 до 500 А. Результаты этой работы удут об-су кдаться ниже. [c.32]

Величину з рассчитывают при Г = О К по разности энергий когезии конечного и бесконечного кристаллов, пользуясь различными выражениями для парных взаимодействий и пренебрегая энергией нулевых колебаний. Затем по формуле (339) вычисляют значение у. Сводные результаты расчетов з и 7 для разных граней кристаллов инертных элементов, галогенидов щелочных металлов и некоторых ионных кристаллов приведены в обзоре [472]. Таскер [479] показал, что значительный разброс данных разных авторов для галогенидов щелочных металлов обусловлен различием принятых потенциалов парного взаимодействия и неопределенностью вклада от энергии релаксации свежеобразованной. поверхности. [c.176]

В частности, слишком большая поправка на релаксацию поверхности приводила к лишенным физического смысла отрицательным значениям поверхностной энергии солей лития. Таскер вновь вычислил значения у, и поверхностную структуру некоторых граней галогенидов щелочных металлов, используя уточненные потенциалы парного взаимодействия. [c.176]

Принципиально иное объяснение природы межатомных связей и кристаллических структур Na l и других галогенидов щелочных металлов, а также окислов и халькогенидов щелочноземельных ме- [c.85]

Критерием для выбора правильной гипотезы должно служить соответствие симметрии внешней оболочки обоих образующихся ионов симметрии кристаллической решетки соединения. Структура типа МаС1, которую имеют Ti и большинство монокарбидов, мононитридов и моноокислов переходных металлов, включая окислы щелочноземельных металлов и галогениды щелочных металлов характеризующихся координационным числом 6 и валентными углами Me—X 90°. Этому строго отвечает симметрия заполненной р -оболочки, рх, ру, рг-орбитали которой ориентированы по трем осям прямоугольных координат. Это следует из решения волнового [c.88]

Всякая расплавленн ая соль по отношению к любому металлу является афессивной средой, потому что оша содержит катионы, способные восстанавливаться дО ионов низших валентностей, элементарного состояния или сплавов с корродирующим металлом. В явном виде этот процесс наблюдается в среде расплавленных галогенидов щелочных металлов, у которых анионы не участвуют в процессе 0 кисления. Катионы щелочных металлов при этом восстанавливаются до нулевой валентности и при высоких температурах р астворяются в расплавах [134—139]. Таким образом, продуктом коррозии, протекающей по реакции [c.177]

При давлении 4 кбар и комнатной температуре проводились испытания монокристаллов галогенидов щелочных металлов (КС1, Na l, КВг, KI, Rbl, sBr, LiF) [80]. В то время как в монокристаллах, подвергнутых упрочнению путем облучения (течение в которых по предположению контролируется упругим взаимодействием дислокаций), действительно наблюдалось увеличение напряжения течения, сравнимое с увеличением модуля сдвига, поведение неупрочненных кристаллов было беспорядочным. Прямые измерения подвижности дислокаций в кристаллах КС1 под давлением методом ямок травления [165] не обнаружили заметного влияния давления на скорость дислокаций, что находится в явном противоречии с данными [80] о значительном влиянии давления на напряжение течения. Такое влияние оказалось пренебрежимо малым при сжатии монокристаллов MgO вдоль оси [100] ПОД давлением 10 кбар [15]. В целом Проведенные до сих пор эксперименты не позволяют сделать однозначного вывода. Возможно, причинами это- [c.174]

Сравнение с экспериментальными данными указывает на хорошее соответствие экспериментальных и расчетных значений ДУ для металлов (рис, 5.12). Как видно из рисунка, согласие не очень хорошее для галогенидов щелочных металлов, для которых значения ДУ по (5.11) по крайней мере на 50% выше экспериментальных (это подтверждено Хердом и Кирби [167], которые получили, что расчетные значения для СзС на 57% выше экспериментальных). , [c.184]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...