Плотность электронная

Своеобразный характер процесса е-захвата (не испускание, а захват электрона ядром) приводит к тому, что в случае е-захвата постоянная радиоактивного распада X несколько зависит от внешних условий. Это связано с тем, что вероятность е-захвата пропорциональна плотности электронов в ядре (в смысле величины [фе в центре ядра), которая зависит от химической связи. [c.139]

С помощью выражения (6.53) для плотности электронных состояний в металле можно вычислить энергию Ue T) электронов при конечной температуре Т и электронную теплоемкость Су Т) металла. Энергия электронов в единичном объеме [c.181]

Тепловое движение электронов в проводниках, замыкающих анодную цепь, является одной из причин флуктуаций измеряемого тока (тепловой шум). Металлический проводник характеризуется большой плотностью электронов проводимости и малой длиной их свободного пробега, в них происходит частый обмен энергией между частицами. Поэтому тепловые скорости электронов могут во много раз превосходить их направленную скорость, обусловленную внешним полем. Собственное тепловое движение электронов можно считать не зависящим от приложенного поля. [c.176]

В предыдущем рассмотрении существенным является предположение о наличии дальнего порядка в сверхпроводниках, что препятствует быстрому изменению Параметра ю на расстояниях, малых по сравнению с 10 см. Говоря качественно, это означает, что плотность электронов (и соответственно волновая функция сверхпроводящего состояния) также должна медленно [c.646]

Чтобы получить однородную плотность электронов вплоть до самой поверхности, необходимо предположить существование таких граничных условий, чтобы фазы электронов на поверхности были распределены беспорядочно. Именно при таком предположении можно использовать вычисления, относящиеся к неограниченной среде в случае ограниченных сред. [c.721]

В приближении Томаса — Ферми плотность электронов [пропорциональна [Яр-— 8F (г)] =, где AV —энергия Ферми и oV (г) — флуктуирующий потенциал, обусловленный объединенным движением ионов и электронов. Таким образом, [c.761]

Молекулярный остов — система из фиксированных ядер и распределенных в пространстве с заданной плотностью электронов, создающая эффективный потенциал, в котором движутся выделенные электроны молекулы. [c.271]

Дальнодействующим характером кулоновских сил взаимодействия определяется также и другая особенность плазмы — существование в ней собственных продольных колебаний создан-нов в некоторый момент изменение плотности электронов в плазме не релаксирует, как плотность в обычном газе, а колеблется с определенной частотой, зависящей только от концентрации электронов. Эти колебания вызываются тем, что изменение плотности электронов в каком-либо месте плазмы связано с появлением в этом месте объемного заряда, иоле которого, действуя на движение смещенных электронов, приводит к появлению восстанавливающей силы, пропорциональной их смещению. Под действием этой силы электроны вибрируют с определенной частотой. Найдем ее. Для этого выделим мысленно в плазме с концентрацией п электронов прямоугольный параллелепипед длиной dx и площадью сечения S (объем параллелепипеда йУ= [c.285]

Кроме того, в формуле Саха не учитывается электростатическое взаимодействие ионов и электронов, которое становится заметным при плотности электронов более электронов на 1 см . [c.638]

Изомерный (химический) сдвиг б мессбауэровской линии, обусловленный разностью радиусов ядра в возбужденном и основном состояниях AR = Re—Rg и разностью плотностей электронов на ядрах поглотителя и источника Ч /((0)1" и l Ps(0)l соответственно [c.1055]

Очевидной причиной этого несогласия расчета с экспериментом мог быть неадекватный учет взаимодействия электронов с ионами, в частности допущение о том, что в присутствии ионов плотность электронного газа остается не зависящей от расстояния между электронами и ионами. [c.54]

Пусть плотность электронного тока будет равна [c.94]

В используемом здесь приближении зависящая только от объема часть энергии включает в себя энергию свободного электронного газа, состоящую из вкладов кинетической, обменной и корреляционной энергий (3.52), (3.53), (3.54), а также первого порядка теории возмущений (5.47). Однако поскольку плотность электронов вблизи иона будет искажена эффектом экранирования, необходимо в качестве среднего значения (5.47) использовать сумму средней величины потенциальной энергии электрона в поле иона и экранирующих электронов. Выше говорилось, чта псевдопотенциал вне остовной части равен —Ze /r. Поскольку экранирующие электроны полностью его экранируют, то это означает, что вне остовной части их потенциальная энергия соответственно равна 2е2/л, и в этой области оба обсуждаемых вклада компенсируют друг друга. Поэтому потенциальную энергию необходимо усреднить только по объему остова. [c.120]

Итак, если измерить амплитуды рассеяния рентгеновских лучей кристаллом Еф под всеми возможными углами (т. е. при всех Н) и затем вычислить фурье-трансформанту измеренной функции ЕфЕ , то можно найти распределение плотности электронов в кристалле. [c.184]

Распределения плотности электронного облака [c.178]

Распределение плотности электронного облака для круговых орбит [c.192]

Статистический метод. В этом методе принимается, что электроны в атоме распределены с непрерывной плотностью р вокруг ядра. Основная задача заключается в нахождении плотности электронов и распределении потенциала. Полная энергия атома записывается в виде интеграла, который зависит от неизвестной функции р. Распределение плотности р находится из условия минимума энергии. Это позволяет вычислить энергию основного состояния и распределение плотности электронов в атоме. [c.282]

Качественное рассмотрение. Связь в ионе молекулы водорода ковалентная. Она возникает в результате значительного увеличения плотности электронного облака между протонами (см. 58). При больших расстояниях R вблизи ядра а (рис. 92, а) при ураЕ.нение (59.1) переходит [c.306]

При средних расстояниях между ядрами, т. е. расстояниях порядка бо-ровского радиуса электрона, перекрытие волновых функций значительно. Следовательно, обменная плотность электронного облака велика. Кроме того, эта большая обменная плотность в некоторых точках находится весьма близко к ядрам и благодаря притяжению к ним дает большой отрицательный вклад в интеграл А. Среднее же расстояние различных частей обменной плотности друг от друга велико, и, следовательно, положительный вклад в энергию от них мал. Велико также и среднее расстояние между ядрами. Таким образом, для средних расстояний величина А отрицательна. На рис. 93 видно, что при данном Л среднее расстояние электронного облака I от ядра h и электронного облака 2 от ядра а больше, чем среднее расстояние обменной плотности от ядер. Кроме того, расстояние между электронными облаками также сравнительно велико. Это означает, что С численно значительно меньше А. Поэтому знак Е в (60.13а) и (60.136) определяется знаком А. Следовательно, при средних расстояниях между ядрами отрицательно, а положительно, т.е. дает притяжение между атомами, а отталкивание. [c.310]

Направленный характер валентности обусловлен неизотропным распределением плотности электронного облака валентных электро 1ов. [c.314]

Направленный характер валентности обусловлен неизотропным распределением плотности электронного облака валентных электронов атома. Валентная связь образуется в том направлении атома, в котором плотность электронного облака максимальна. [c.315]

Ковалентная связь возникает в результате увеличения плотности электронного облака обобществленных электронов между атомами. [c.333]

Если плотности нейтральных атомов и ионов сравнимы, то преобладает поглощение в поле ионов. С ростом температуры вид зависимости ка(Ме) несколько изменяется, однако по-прежнему с ростом плотности электронов (вызванной возрастанием температуры) растет значение коэффициента к . Так, например, в водороде при 7—10 К этот коэффициент равен =40 см- при начальной плотности см . Это означает, что лазерный [c.103]

Для того чтобы учесть эффект от всех электронов с данным параметром удара р, надо вокруг линии движения частицы построить цилиндрический слой радиусом р, толщиной rfp и высотой йх (рис. 65). Его объем равен V — 2n dpdx. Если Пе — плотность электронов, ТО их число в цилиндрическом слое равно /Пе = 2npriedpdx. [c.204]

Для объяснения явления ферромагнетизма в квантовой теории используются два основных подхода. Один из них основан на предложенной Френкелем модели коллективизированных электронов, подчиняющихся статистике Ферми — Дирака. Эта модель учитывает обменное взаимодействие. В теории показано, что при некоторой плотности электронного газа возможно появление самопроизвольного намагниченного состояния вне зависимости от того, что кинетическая энергия электронов при этом увеличивается. Напомним еще раз, что увеличение кинетической энергии связано с тем, что, в силу принципа Паули, электроны с параллельной ориентацией спина не могут з нимать один энергетический уровень. Поэтому при перевороте спина электрон вынужден занять состояние с большей энергией. В настоящее время, однако, существует мнение, что газ электронов проводимости, по-видимому, не является )ерромагнитным ни при каких условиях. Строгое доказательство этого пока отсутствует. В то же время ни в одном эксперименте не было обнаружено ферромагнетизма металлов, не содержащих атомов или ионов с недостроенными d- или /-оболочками. Появление ферромагнетизма в системе d- или /-электронов связано с аномально высокой (по сравнению с s-электронами) плотностью состояний в - и /-зонах. [c.337]

Исходя из соображений, аналогичных тем, которыми мы j Hte пользопа-лись в связи с соотношением (5.1), плотность электронных состояний в импульсном пространстве можно записать в виде [c.323]

Вследствие электронной эмиссии в полости внутри металла образуется электронный газ. Исходя из минимума свободной энергии при равновесии, определить плотность электронного газа [n-=NI V) в полости при температуре Т, если работа выхода электрона рар >а /, а энтропия электронного газа )авна энтропии одноатомного идеального газа. [c.135]

Из условия минимума F dFldn)T,v = Q находим равновесную плотность электронного газа в полости [c.344]

В случае электронного газа в металлах (m=9-10 2 г, пх 10 2 см ) 7 о 10 К и, следовательно, электронный газ в металлах практически всегда сильно вырожден в полупроводниках плотность электронов пяй10 см и Го Ю К, поэтому электронный газ в полупроводниках практически (т. е. при температурах порядка комнатных) не вырожден, и при определении его свойств можно пользоваться классической статистикой. [c.233]

В идеальной слабоионизованной плазме, где степень ионизации удовлетворяет условию N -jNaплотность электронов и нейтральных частиц соответственно Те — температура электронов Ry = 13,6 эВ—атомный масштаб энергии), диффузия заряженных частиц (электронов и ионов) определяется в основном парными соударениями этих частиц с нейтральными частицами (атомами и молекулами). При этом плотность нейтральных и заряженных частиц должна удовлетворять критериям идеальности [c.430]

Здесь Ne — плотность электронов, см- г — расстояние от центра солнца, RQ. Свечение короны в непрерывном спектре обусловлено рассеянием света Солнца на электронах. Наблюдаются сильные запрещенные линии высокоионизованных тяжелых элементов (табл. 45.3). Соответствующие переходы запрещены правилами отбора в дипольиом приближении, поэтому их верхние состояния являются метастабильными. В обычных условиях они девозбуждаются столкновениями, но в среде малой плотности столкновения редки и девозбуждение происходит с излучением запрещенного кванта. Излучательная способность короны характеризуется ее мерой эмиссии ME = N dV стандартное значение меры эмиссии короны равно 4,4 10 см . Полный световой поток от короны за пределами 1,3 / при максимуме пятен составляет 1,3-10 полного потока от Солнца, при минимуме пятен — 0,8-10- солнечного потока [1]. [c.1199]

Расчет энергии связи в кристаллах — безусловно, квантово-механическая задача. Тем не менее установлено, что для некоторых типов твердых тел в достаточно хорошем приближении энергия связи может быть определена и на основе классического рассмотрения. К таким относятся кристаллы, распределение зарядов в которых может быть представлено в виде совокупности периодически расположенных точечных зарядов (ионов) или диполей. Возникающие в этих случаях типы связи называют соответственно ионной или ван-дер-ваальсовой (иногда — дипольной). В то же время сведение квантовомеханической задачи к классической оказалось невозможным в случае, когда плотность электронов в межионном пространстве достаточно велика, и электроны нельзя рассматривать как включенные в точечные (или почти точечные) ионы. Методы определения характеристик связи и физических свойств кристаллов с таким распределением электронов основываются непосредственно на квантовой теории (включая квантовую статистику). Анализ показал, что основными типами связи в этих случаях являются металлическая, характеризующаяся в первую очередь отсутствием направленности, и ковалентная, важным признаком которой является направленность. Помимо этого в последние годы выделяют в особый YHn водородную связь, имеющую важное значение при рассмотрении биологических соет динений. [c.20]

Рисунок показывает, что электронная плотность высока и сферически симметрична вблизи сердцевины ионов, и она падает на 2—3 порядка в межионном пространстве (в Na l плотность электронов 50—100 в А-з вблизи сердцевины ионов и 0,05—0,10 эл/А в межионном пространстве). [c.26]

Рассмотрим в качестве примера, иллюстрирующего важность соотношения неопределенностей для анализа явлений микромира, движение электрона в основном состоянии атома водорода. В теории Бора точечный электрон движется по орбитам, которые квантованы. Однако его движение по квантованной орбите ничем не отличается от механического перемещения частицы вдоль траектории в классической механике. В рамках квантовой механики нельзя говорить о движении электрона по траектории, но можно говорить о вероятности местонахождения электрона в той или иной области пространства. Это обстоятельство также связано с принципом неопределенности если электрон зафиксирован в какой-то точке пространства в какой-то момент времени, то его импульс, а следовательно, и скорость становятся полностью неопределенными и понятие траектории теряет смысл. Распределение вероятностей координат 3j/eKTpoHa в атоме водорода рассмотрено в 30. Здесь достаточно заметить, что имеются вероятности пребывания электрона достаточно далеко от ядра и достаточно близко. Наиболее вероятным расстоянием в основном состоянии является расстояние до первой боровской орбиты в теории Бора. Это заключение в принципе может быть подтверждено экспериментально. В настоящее время проведено достаточно много измерений распределения плотности электронного облака в атомах и эти измерения находятся в хорошем согласии с предсказаниями квантовой механики. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...