Структура элементов,

Сетевые и перестановочные модели применяют д.ля получения типовых, унифицированных и индивидуальных проектных решений. Наличие принимаемых проектных решений позволяет их оптимизировать. Модели классов 5г, 5з, 8т, 5в, 5ц называют сетевыми. Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим ориентированных циклов. В модели может содержаться несколько вариантов Аи проектируемого технологического процесса, однако во всех вариантах Аь сохраняется неизменным отношение порядка между входящими элементами. [c.72]

Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим ориентированных циклов. В этой модели может содержаться несколько вариантов проектируемого объекта, однако во всех вариантах сохраняется неизменным отношение порядка между входящими элементами. Модели классов 5 з, S4, S5, 5д, Sio и Sia называют перестановочными. Отношение порядка между элементами проектируемого технологического процесса в перестановочных моделях обычно задается с помощью графа, содержащего ориентированные циклы. Причем все варианты маршрута, проектируемые по перестановочным моделям, различаются порядком между входящими в них элементами. [c.123]

Пространственно-графическая модель должна иметь возможность варьирования пространственной структуры элементов композиции, а также структуры композиционных связей. Причем последние имеют значительно больший эффект [c.36]

У переходных металлов, расположенных в больших периодах, осуществляется достройка внутренних оболочек. Идентичность свойств и существование лантаноидов и актиноидов определяется застройкой п—2 (снаружи) оболочек при сохранении идентичных п—1 и п оболочек. Форма электронных облаков зависит от занимаемой электронами орбиты. Так, например, s-электроны, вращающиеся по круговым орбитам, образуют электронные облака в форме сферического слоя с максимальной плотностью на расстоянии от центра атома, убывающей с увеличением или с уменьшением величины /7-электроны, вращающиеся по эллиптическим орбитам, образуют электронные облака в форме прямоугольно расположенных гантелей , так что при заполнении р-оболочки шестью попарно связанными электронами возникают три перпендикулярно расположенные по осям координат гантели . Форма электронных облаков , создаваемых внешними электронами, обусловливает кристаллическую структуру элементов. [c.8]

Оптимально устойчивыми (реально существующими) структурами элементов являются кристаллические решетки, которые обладают минимальным запасом свободной энергии Р. Так, в твердом состоянии Ы, Ыа, К, Сз, Мо, W и другие элементы имеют решетку типа К8, а А1, Са, Си, Ag, Аи, Р1 и другие — решетку типа Гб. [c.11]

СТРУКТУРА ЭЛЕМЕНТОВ МЕХАНИЗМОВ [c.9]

Кристаллические структуры элементов [c.171]

Рнс. 3. Кристаллические структуры элементов, образованные по правилу 8—A/S а — алмаза — элемент 1VB подгруппы б — сурьма — элемент VB подгруппы [c.9]

Для построения матриц податливостей подвески рассчитаем их элементы. При принятой структуре элементов подвески расчетная схема i-ro стержня имеет вид, представленный на рис. УП1.4. 372 [c.372]

В табл, 2 приведена кристаллическая структура элементов. [c.301]

Кристаллическая структура элементов [c.308]

В матрице (17) модели класса 1 называют табличными. В табличной модели каждому набору свойств Р(А, соответствует единственный вариант проектируемого объекта А . Поэтому табличные модели используют для поиска стандартных, типовых или готовых проектных решений. Модели остальных классов применяют для получения типовых унифицированных и индивидуальных проектных решений при наличии их вариантов и необходимости оптимизации решения. Модели классов 2, 5, 8-1, 8 и Хл называют сетевыми. Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим ориентированных циклов. В этой модели может содержаться несколько вариантов проектируемого объекта А , однако во всех вариантах сохраняется неизменным соотношение порядка между входящими элементами. Моде- [c.217]

При давлениях —10 ГПа ожидаются резкое уменьшение различий атомных объёмов хим. элементов (см. рис. 3), перестройка электронной структуры элементов с недостроенными электронными оболочками (лантаноидов, актиноидов), переход диэлектриков и полупроводников в металлич. состояние. [c.549]

Рассмотрим частный случай, когда структура элемента следящего гидромеханизма известна и необходимо обеспечить требуемое качество переходного процесса или же установившегося динамического режима. [c.71]

Взаимосвязь элементов в ТК должна быть однозначно описана и максимально формализована. К практическому решению всех задач ТК необходимо подходить с позиций системотехники (теории больших систем). При изучении связей между элементами и выделении элементов ТК такой подход приводит к необходимости учитывать только основные и наиболее устойчивые связи, что позволяет строить структуры элементов и связей в их строгой зависимости и переходить от рассмотрения ТК к построению и изучению систем технического контроля (СТК). [c.427]

Сведения no кристаллическим структурам элементов системы приведены в табл. 426. [c.1001]

Сведения о кристаллической структуре элементов системы приведены в табл. 430. [c.1008]

Рис. 4.3. Структуры элементов объема ионитов

Кибернетическое представление технологического процесса (ТП) формирует сложно организованную, целенаправленную структуру, элементами которой являются технологические операции (ТО). Дискретный характер ТП, его разбиение на отдельные ТО приводят к тому, что систему управления ТП следует рассматривать как совокупность процессов управления отдельными ТО. Таким образом, управление ТП осуществляется только через управление отдельными технологическими операциями. [c.335]

Основная неоднородность композитов проявляется на макроуровне и порождается их слоистой структурой. Элемент типичной композитной стенки, состоящий из к слоев, обладающих в общем случае различными углами армирования, толщинами и свойствами материала, показан на рис. 5.2.1. Элемент нагружен нормальными и касательными (сдвигающими) усилиями N, Q, изгибающими и крутящими моментами М. Под действием этих усилий и моментов в [c.306]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

Рисунок 1.12 - Универсальность понятия структуры как способа организации элементов и характера связи между ними Кибернетика, связанная со сложными системами, имеет дело с кибернетическими С фукгурами, т.к. процессы управления имеют структуру, элементами которой являются информационные единицы и операции управления.

Здесь мы не можем даже вкратце описать основные типы кристаллических структур. Остановимся на представлении о плотных упаковках, поскольку в них наиболее ярко проявляются главные черты геометрической модели кристаллов, затем рассмотрим структуры элементов, некоторых твердых растворов и интерме-таллидов, структуры с ковалентным и ионным типами связи, а также некоторых биополимеров. [c.162]

Необходимо иметь в виду, что структура элементов данных (включая элементы на магнитных носителях) и их библиографическая запись (формат) регламентируются в системе стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу (СИБИД) следующими стандартами [c.194]

Если преобразовать предложенную А. В. Гличевым [13] иерархическую структуру элементов применительно к одному производству, то можно получить следующие уровни формирования качества сложной продукции [c.72]

Схематическая структура элемента такого дисплея представлена на рис. 7.12 [353, 354]. Экран имел размер 66x66 мм с размерами подпикселя 1 2,54 мм. Паста, содержащая нанотрубки, наносилась на стеклянную подложку на напыленные серебряные электроды. [c.262]

Металлич. радиусы считаются равными половине кратчайшего расстояния между атомами в кристаллич. структуре элемента-металла, они зависят от координац. числа К. Если принять А. р, при K=iZ за единицу, то при А =8, 6 и 4 А. р. того же элемента соотв. равны 0,98 0,96 0,88. Близость значений А. р. разных металлов необходимое (хотя и недостаточное) условие взаимной растворимости металлов по типу замещения. Так, жидкие К и Li обычно не смешиваются п образуют два жидких слоя, а К с Rb и s образуют непрерывный ряд твёрдых растворов (А. р. Li, К, РЬ и s равны соотв. 0,155 0,2,36 0,248 0,268 нм). Аддитивность А. р. позволяет приблюкённо предсказывать параметры кристаллич. решёток интерме-таллич. соединений, [c.156]

Достоинства обычных ЗПФ — относит, простота их изготовления, возможность массового воспроизводства, относит, простота расчёта параметров структуры элементов. Недостатки — низкие термин, и радиац, стойкости, ограничение рабочего диапазона длин волн (Я. 0,5—1 нм), отсутствие возможности создания управляемых, переключаемых элементов, ограничения "на aiiepTypy и разрешение в связи с тем, Что толщина [c.350]

К наиболее распространенному виду многослойных оболочек из композиционных материалов относятся оболочки вращения. Анализ прочности, устойчивости и динамики тонких многослойных оболочек вращения проведем с использованием кольцевого оболо-чечного элемента. Специфика многослойной структуры элемента будет характеризоваться интегральными жесткостными свойствами по толщине пакета, которые подробно рассмотрены в гл. 1. [c.135]

Из структуры элементов дифференциальной матрицы В следует, что обобщенные перемещения V, V2, tfii и Ups входят в функ-дионал под оператором первых производных, а и г зз — под оператором, вторых производных. Поэтому их аппроксимации по элементу и соответствующее им число степеней свободы будут разными. Для существования функционала потенциальной энергии необходимо, чтобы аппроксимации Ux, Uy, я 3г (t=l, 2) -обеспечивали существование первых производных. Например, в данном случае для треугольного конечного элемента могут быть приняты аппроксимирующие функции типа (2.6), а для прямоугольного— (1.20). Аппроксимация Uz и tjja должна обеспечивать существование вторых производных. Например, для треугольного элемента могут быть приняты аппроксимирующие функции (2.8), а для прямоугольного— (1.25) или (2.6). [c.64]

В работах [13, 14, 120, 236] изучено изменение структуры и свойств жаропрочных композиций при нагревах до высоких температур. Авторы отмечают, что предел прочности композиций с вольфрамовыми и молибденовыми волокнами и основой из никелевых сплавов удовлетворительно описывается уравнением [631. Длительная прочность композиции при температурах, лежащих ниже 800—900° С, повышается с упрочнением основы путем ее легирования. При более высоких нагревах это различие сглаживается. Выше 900° С, например, композиции с основой из сплавов ХН67ВМТЮ и ХН70Ю имели близкие значения длительной прочности [1201. Во время испытания на длительную прочность или при предварительном отжиге структура элементов композиции меняется, что сказывается на механических свойствах композиционных материалов. Причиной структурной нестабильности композиций является развитие диффузионных процессов. [c.186]

Однако значительная доля потенциала несущей способности позвоночника обусловлена внутренней структурой элементов его сегментов, характеризуемой сочетанием как компактных (сплошных), так и пористопроницаемых, содержащих жидкость деформируемых сред. Отсюда возникает свойственная биологическим средам (которые характеризуются, как известно, высокой степенью адаптируемости к условиям существования) особенность реакции системы позвонок—межпозвонковый диск— позвонок (рис. 9) при высоких перегрузках. Она обусловлена вводом в действие при пороговых условиях насосного механизма. Благодаря этому обеспечивается высокоинтенсивное поглощение значительного количества энергии при перегрузках за счет процесса диссипативного структурообразования в трабекулярном пространстве изолированного позвонка. [c.27]

Пример аппроксимации природных фракталов регулярными предфракталами, получаемыми с помощью рекуррентных процедур разбиения исходной фигуры на части, или покрытия аппроксимируемой структуры элементами определенной формы и размера представлен на рис. 21. Данная структура отражает фрактальную модель структуры дисперсно-наполненных композитов на базе ковра Серпинского (светлые области -матрица, темные - дисперсные включения D = 1п8ДпЗ). [c.41]

Элементы РЭА, у которых необратимые изменения физико-химических свойств можно проконтролировать, т.е. можно указать про-гаозирующий или косвенно связанный с ними выходной или обобщенный параметр, подвергаются инструментальному прогнозированию. При этом прогнозирующим параметром налы ваеггся такой пгфаметр, который в любой момент времени хараютризуст необратимые из-мения физико-химической структуры элемента [c.454]

Инструментальные методы - щюшозиро-вания позволяют выявлять предотвращаемые отказы с B KMTHO IUO, ощ>еделяемой качеством прогнозирующей аппаратуры (то<шостью измерения прогнозирующего параметра) и достоверностью прогнозирующего параметра (степенью соответствия между измеряемым параметром и хнтеисивносгью деградации структуры элемента во времени). [c.455]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...