Кристаллы ионные

Теория сильных электролитов, развитая П. Дебаем, более сложная, так как при растворении ионных кристаллов ионы будут гидратироваться и уходить в раствор, в котором они молекул образовывать не будут. [c.289]

Выше указывалось, что признаки существования направленной связи наблюдаются и для некоторых металлов, а также для ряда кристаллов ионного типа. Этот факт рядом исследователей связывается с проявлением ковалентной связи в металлах и ионных кристаллах. [c.105]

Следует отметить, что в чистом виде ионная связь встречается относительно редко, так как при образовании молекул и кристаллов ионного типа происходит, как правило, лишь частичный переход электронов от одного атома к другому. Объясняется это тем, что атомы неметаллов имеют высокое сродство лишь к первому до- [c.16]

При беглом взгляде на табл. 1 видно, что независимо от природы жидкой среды и способа своего возникновения органические кристаллы всегда допускают образование полости даже при отсутствии растворенного воздуха и при наличии только совсем отдельных весьма мелких кристалликов. Кристаллы ионных солей вели себя иначе, ибо огромное множество кристаллов образовывалось обычно еще до того, как возникала кавитация. Соль виннокислого калий-натрия дала промежуточный эффект, чего и следовало ожидать исходя из ее структуры. [c.34]

Таким образом, спонтанная поляризация возникает в тех кристаллах, в которых сила диполь-дипольного взаимодействия превышает упругую силу. Если в кристаллах ионы имеют несколько минимумов потенциальной энергии в пределах элементарной ячейки, то при с О неравенство (П.25) всегда реализуется даже при малых внутренних полях. [c.78]

Как и в жидких диэлектриках, на величину проводимости твердых диэлектриков большое влияние оказывают различные примеси. В большинстве случаев эти примеси значительно легче диссоциируют с образованием свободных ионов, чем основной диэлектрик. В кристаллических диэлектриках примеси, помимо того, что они являются источником свободных ионов, могут влиять на увеличение проводимости за счет ослабления связей решетки, в частности в кристаллах ионного типа при этом ионы основного состава диэлектрика легче срываются со своих мест в узлах решетки и становятся носителями тока. [c.63]

Слюда представляет собой кристаллы ионной структуры в узлах кристаллической решетки расположены ионы. Записанная в формуле вода является водой конституционной, входящей в состав кристаллической решетки в виде гидроксильных групп ОН с отрицательным [c.247]

Слюда представляет собой кристаллы ионной структуры в узлах кристаллической решетки расположены ионы. Записанная в формуле вода является водой конституционной, входящей в состав кристаллической решетки в виде гидроксильных групп ОН с отрицательным зарядом. Кроме этой воды, в слюде имеется небольшое количество гигроскопической воды, а также воды, которая не может быть отнесена ни к гигроскопической, ни к конституционной. Гигроскопическая вода полностью удаляется при температуре порядка 100° С, конституционная вода начинает выделяться при температуре порядка 500—600° С. Между тем при обезвоживании слюды нагреванием была установлена непрерывная потеря слюдой воды при повышении темпера- [c.213]

Слюда — кристалл ионной структуры в узлах кристаллической решетки расположены ионы. Записанная в фор- [c.215]

Имеет ли металлический кристалл ионные связи [c.47]

Типичный спектр структурных дефектов в кристаллах (ионных) имеют т. п. центры окрашивания в щелочно-галоидных кристаллах, представляющие собой заряженные одиночные или кратные вакансии ионов, захватившие электроны или дырки. Каждому тину центров отвечает широкая электронно-колебательная полоса поглощения в области прозрачности кристал- [c.28]

Ионные кристаллы Ионные кристаллы [c.124]

Независимо от типа кристалла (ионный или ковалентный), на идеальной поверхности со строгой периодичностью в плоскости X, У), в соответствии с общими представлениями зонной теории [c.78]

Концентрация ионов-активаторов. Способность кристаллов КС1 к люминесценции связана с наличием в кристалле ионов таллия Т1+, являющихся ионами-активаторами. Предположим, что эффективными активаторами являются лишь те ионы таллия, которые, заняв произвольным образом катионные узлы кристаллической решетки, не имеют среди ближайших соседей ни одного иона таллия. Пусть отношение концентраций ионов таллия и калия равно [c.658]

ПОЗИЦИЯХ. Можно, однако, ожидать, что в реальном кристалле ионы вокруг вакансии будут релаксировать, несколько понижая энергию системы. Эту проблему также можно решить в рамках теории псевдопотеициалов. Мы просто должны допустить, что имеются смещения окружающих вакансию ионов, заново определить структурные факторы (которые меняются при искажении решетки) и затем, варьируя смещения, минимизировать энергию. Это довольно трудоемкий расчет, и для алюминия он еще не выполнен. [c.494]

В случае ионных соединений, таких, как щелочно-галоидные кристаллы, ионный радиус отрицательных ионов равен газокинетическому радиусу, а ионный радиус положительных ионов на - 0,8 А меньше, чем радиус Гс (см. [34]). [c.170]

Кристаллы галогенидов щелочных металлов, активированные таллием, относятся к числу типичных люминесцентных соединений. Ионы Т1" , статистически распределенные в катионных узлах, переходят в возбужденное электронное состояние, а при последующем излучении возвращаются в основное состояние. Как и во многих других кристаллах, ионы собственной решетки галогенидов щелочных металлов никакого участия в люминесценции не принимают и выполняют роль инертной матрицы. [c.79]

Продукты химической коррозии металлов — окисные и солевые пленки — имеют ионную структуру. В отличие от жидких электролитов с ионной проводимостью (л + а = 1) ионные кристаллы обладают различными типами проводимости ионной (п + 3 = 1), электронной ( э = 1) и смешанной (п + а + + э = 1) проводимостью (табл. 5) здесь п , и — числа переноса катионов, анионов и электронов соответственно. Если в общем случае = I, то число переноса электронов [c.34]

Такие модельные представления подтверждаются огромным экспериментальным материалом. Так, например, при исследовании кристаллов, обладающих высокосимметричной кубической решеткой, отсутствуют оптические эффекты, связанные с различной ориентацией кристалла относительно возбуждающего пучка света. Однако при внедрении в решетку кубического кристалла ионов какого-либо элемента могут образоваться локальные анизотропные центры. При этом кристалл остается макроскопически изотропным, но такая "скрытая анизотропия" может быть обнаружена при том или ином анизотропном воздействии. Даже полностью изотропное вещество может стать анизотропным под воздействием внешних механических или электрических воздействий. [c.113]

Соединение типа X, имеющее общую формулу ВагМг" Ре2б04б можно получить при соотношении M W =1 1. Решетка этого феррита состоит из половины решеток М я W, которые наложены друг на друга в направлении оси с. Следовательно, в этом кристалле ионы Ва М" " , Fe и 0" расположены аналогично кристаллам типов М и W. [c.190]

Геом. анализ К. с. позволил развить це.пый ряд обобщений и законов атомной структуры кристаллов— представления об атомных радиусах, о типах хим. связи в кристаллах (ионной, ковалентной, металлической, вап-дер-ваальсовой, водородной), правила плотнейшей упаковки атомов и молекул в К. с., связи К. с. со свойствами кристал.иов (сл . Кристаллохимия). Анализ К. с. и её симметрии служит отправным пунктом расчётов энергетич. спектра, псголковаиип физ. свойств кристалла (см. Кристаллофизика). [c.503]

Падение интенсивности свечения в первом пике, обусловленном активирующей примесью, по-видимому, не связано с присутствием в кристалле ионов щелочно-земельных металлов и обусловлено уменьшением концентрации ионных центров активатора под действием рентгеновых лучей (см. рис. 75 и 76). [c.233]

Остановимся вкратце на иитерпретации широких полос оптического спектра для других ионов группы железа (кроме Сг " ) в некоторых кристаллах. Ионы ТР (Зс11), Си + (За ), Мп" " (3(14), (3d4), Со "(3(1в) и Ре (Зс1 ) в различных кристаллах с кубической симметрией в видимой или ближней инфракрасной области спектра дают одну широкую полосу но1 лощения, которая объясняется переходом между компонентами Тз и Е основного уровня и, расщеилоиного в кубическом поле. Например, у корунда с примесью ионов ТР (3(3 ) в видимой области спектра имеется только одна широкая полоса иоглощения с максимумом при 20 500 см [173, 177], которая объясняется переходом Т2(12) Е(е) при Вд — = 2050 с,лГЧ [c.65]

В большинстве кристаллов ионы грунпы железа имеют 6-ю координацию и изоморфно замещают обычно А1, редко Mg в б-й координации. Кривые соответствуюно,их кристаллов помещены в таблице без рамок. [c.161]

Характерным свойством делокализованной связп является подвижность валентных электронов в пределах кристалла. Ионы решетки. внедрены в газ валентных электронов, который удерживает решетку и качестве целого образования. Поскольку направленные силы химических связей отсутствуют, решетки большинства металлов представляют собой нлотноуиакованные структуры (гексагональные или кубические). В зависимости от электронной конфпгу- [c.39]

В классической теории пьезоэлектричества (гл. 4) в кристаллах с центральной симметрией нет прямой связи между механическим перемещением и электрической поляризацией. Однако если в число параметров энергии деформированного и поляризующегося кристалла ввести градиент поляризации наряду с обычными параметрами деформации и поляризации, то такая связь появится даже в материалах с самой высокой симметрией (например, с центральной или изотропной). Эта идея была высказана Миндлином [Mindlin, 1968], ее обоснование было дано в динамике решеток кристаллов ионного типа при описании в так называемом длинноволновом приближении. [c.433]

Стремление атомов (ионов) металла расположиться возможно ближе друг к другу, плотнее, приводит к тому, что число встречаюп ихся комбинаций взаимного расположения атомов металла в кристаллах невелико. [c.22]

Существует ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. Взаимное расположение атомов в одной из плоскостей показано на схеме разме-ш,ения атомов (рис. 3). Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, образуют решетку, в узлах которой располагаются атомы (положительно заряженные ионы) это так называемая кристаллографическая плоскость. Многократное повторение кристаллографических плоскостей, расиолол енных параллельно, воспроизводит пространственную кристаллическую решетку, узлы которой являются местом расположения атомов (ионов). Расстояния между центрами соседних атомов измеря- [c.22]

Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы ионные : [c.785] [c.869] [c.924] [c.436] [c.408] [c.79] [c.36] [c.196] [c.772] [c.306] [c.207] [c.301] [c.109] [c.173] [c.163] [c.665] [c.610] [c.86] [c.433] [c.68] [c.9] [c.502]

Атомная физика (1989) -- [ c.304 ]

Физическое металловедение Вып I (1967) -- [ c.22 , c.23 , c.145 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.70 , c.77 ]

Теория твёрдого тела (1972) -- [ c.437 ]

Справочное руководство по физике (0) -- [ c.167 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...