Зона заполненная

В отличие от диэлектриков и полупроводников в металлах валентная зона заполнена электронами либо частично, либо целиком, но при этом перекрывается со следующей разрешенной зоной. Заполненные состояния от незаполненных отделяются уровнем Ферми. Таким образом, уровень Ферми в металлах расположен в разрешенной зоне. [c.255]

Под отрывом потока понимают резкое отклонение линий тока (струй) от граничной поверхности с образованием между оторвавшимися струями и стенкой зоны, заполненной крупными вихрями, или полости, заполненной парами жидкости. Более подробно явление отрыва описано в гл. 8. [c.139]

Течения реальных жидкостей между твердыми стенками, как правило, являются вихревыми и в других случаях. Наряду с упорядоченными элементарными вихрями, непрерывно распределенными в области течения, в таких потоках могут образовываться зоны, заполненные крупными визуально наблюдаемыми вихрями, подобными показанным на рис. 23. [c.50]

Валентная зона, заполненная целиком при Т 0 К, при ТфО К заполнена не полностью, в ней имеются дырки. [c.49]

К первой относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами располагается зона, заполненная лишь частично (рис, 5.5, а). Такая зона возникает в том случае, когда атомный уровень, из которого она образуется, заполнен в атоме не полностью, как это имеет место, например, у натрия и других щелочных металлов. Она может возникать также при наложении заполненных зон на пустые или частично заполненные зоны, как это происходит у бериллия и щелочноземельных металлов (рис. 5.5, б). Наличие частично заполненной зоны присуще металлам. [c.152]

Рис. 1.27. Усиление зоны шлюза односторонним утолщением оболочки (а), металлической рамой с фланцами (б), металлической рамой с зоной, заполненной материалом с высоким модулем упругости (в), кольцевыми арматурными каркасами (г)

Кавитация представляет собой процесс нарушения сплошности потока жидкости, который происходит на тех участках где местное давление, понижаясь, достигает критического значения. Этот процесс сопровождается образованием большого количества пузырьков, наполненных преимущественно парами жидкости, а также газами, выделившимися из раствора. Образование пузырьков имеет много общего с кипением жидкости, в связи с чем эти два процесса часто отождествляют, а в качестве критического давления, при котором начинается кавитация, принимают давление насыщенных паров жидкости при данной температуре. Находясь в области пониженного давления, пузырьки растут и превраш,аются в большие кавитационные пузыри-каверны. Затем пузыри уносятся потоком в область с давлением выше критического, где происходит их разрушение. Таким образом, в потоке создается довольно четко выраженная кавитационная зона, заполненная движущимися пузырьками. [c.22]

Жидкие продукты пиритной плавки оптимального состава стекают во внутренний горн печи и далее — в наружный отстойник, а газы, состоящие почти полностью из сернистого ангидрида и азота, устремляются вверх и поступают в среднюю, восстановительную зону, заполненную раскаленным коксом. [c.146]

Непосредственно измеряемой величиной обычно является осевая сила F, нормальная к измерительным поверхностям в зоне их контакта с исследуемой системой. Согласно работе [42] давление, оказываемое деформируемой системой на измерительные поверхности, прямо пропорционально разности нормальных напряжений, действующих в направлении потока и нормально к измерительным поверхностям (см. гл. 2, 3) рц — = а, причем коэффициент пропорциональности равен 2, если удовлетворяется условие Р22 = Раз, и на границе зоны, заполненной жидкостью, существует равновесие между давлением, обусловленным нормальным напряжением рзз, и атмосферным давлением. [c.92]

В реальной решетке строгая периодичность нарушается наличием в кристалле различных дефектов структуры, к коим относятся микротрещины, пустые узлы, чужеродные атомы примеси и т. п. обусловливающие возникновение дискретных локальных уровней, расположенных в запретной области между верхней зоной заполненных уровней энергии и зоной проводимости. Если в таком реальном кристалле некоторые электроны попадут в зону проводимости, то при движении в кристалле часть из них будет возвращаться в исходное состояние, а другая часть может локализоваться на упомянутых локальных уровнях захвата электронов, для высвобождения с которых потребуется дополнительная затрата энергии. [c.45]

Рис. 58. Схема процессов поглощения и люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. А верхняя зона заполненных уровней энергии, В — зона проводимости. F и / — электронные уровни захвата. L—уровни захвата положительных дырок.

Исходя из общей теории энергетического спектра электрона в твердом диэлектрике, П. С. Тартаковский [71] впервые в 1934 году предложил схему уровней, построенную на основе имевшихся к тому времени экспериментальных данных. В указанной схеме Тартаковский рассматривает две зоны верхнюю зону заполненных уровней энергии и зону проводимости, между которыми расположены дискретные уровни центров селективного поглощения. [c.147]

Наконец, заметим, что, хотя образование присоединенных каверн и отрыв пограничного слоя во многом сходны, причины их возникновения различны. Кавитационная полость возникает в результате фактического отрыва жидкости от направляющей поверхности с образованием зоны, не содержащей жидкости. Область отрыва возникает в результате отрыва пограничного слоя с образованием зоны, заполненной жидкостью. [c.192]

В дальнейшем, после выявления зон наиболее интенсивного износ.ч, шаблонами в одних и тех же местах контролируются трубы, находящиеся в этих зонах. Заполненный формуляр прилагается к регламентированному отчету по ремонту котла. Формуляры являются документом, по которому прогнозируется необходимость и периодичность поворачивания или замены трубного пакета. [c.147]

Таким образом, легирующие примеси некоторых элементов в кристаллической структуре металлов, создающие донорно-акцепторные связи, уменьшают запретную зону между зонами заполненного и свободного уровней энергии и создают условия пату проводимости (униполярной проводимости) в некоторых веществах, в первую очередь в элементах четвертой группы таблицы Менделеева. [c.33]

Шурующая планка в нерабочем положении должна находиться в холодной зоне предтопка. Шлак сбрасывается при движении планки из крайнего положения в предтопке до шлаковой зоны. Зона, освобожденная от шлака, заполняется при движении планки от шлаковой зоны до середины топки и обратно до шлаковой зоны. Заполнение средней зоны топливом производится при движении планки от середины топки до ее начала и обратно до середины топки. Передняя зона топки заполняется короткими ходами планки из предтопки до начала решетки. [c.234]

Закись меди 364, 365 Запирающий слой 322, 336 Золото 17, 281, 303, 310 Зона заполненная 15, 16, 333 [c.403]

Для осаждения пыли из газов и воздуха весьма действительным средством является промывка их водою или другими жидкостями, для чего газ пропускается или мелкими пузырьками через слой воды или же через зону, заполненную мелко разбрызгиваемой водой и сильно развитыми смоченными поверхностями. Первый метод требует затраты большего напора на проталкивание воздуха через слой воды, второй метод при незначительном сопротивлении и мелком раздроблении жидкости дает огромную поверхность, которая обеспечивает в значительной мере возможность встречи пылинок с капельками воды. Отделение пыли водой облегчается, если в очищаемый газ или воздух вводится насыщенный пар, который быстро конденсируется на частицах пыли, служащих при этом ядрами конденсации. Для наиболее полной очистки газа от пыли необходимо последова-тельно 1) осадить. на поверхности пылевых частиц влагу путем примешивания к очищаемому газу насыщенного пара и охлаждением его до точки росы 2) промыть газ мелко распыленной водой до полного удаления из промываемого газа тумана 3) уловить увлекаемую газом водяную пыль, в к-рой м. б. и пылевые частицы. Мокрая очистка газов м. б. разделена на три типа 1) промывка в неподвижных камерах, башнях и других резервуарах 2) в медленно движущихся ротационных и плоскостных промывателях 3) в быстро движущихся ротационных промывателях. Промывка в неподвижных камерах обычно включает все три фазы пылеулавливания конденсацию на пыли паров воды, промывку и задержку взвешенных смоченных частиц на мокрых поверхностях. [c.326]

ПОЛОС требуется значительная энергия, так как ближайшие к ним энергетические состояния заняты. В проводимости участвуют только электроны частично заполненных полос. Эти полосы называются зонами проводимости. Ближайшая к зоне проводимости зона заполненных состояний называется валентной зоной. [c.146]

Шокли 2) произвёл детальную проверку метода ячеек для случая, в котором известны точные решения, именно для случая, когда V (г) является постоянной. Он нашёл, что когда используется небольшое число граничных точек, получается удовлетворительное приближение для зон, заполненных в нормальном состоянии, но что приближение обычно получается очень плохим для возбуждённых состояний. [c.349]

При обтекании круглого цилиндра потенциальным потоком благодаря симметричному распределению давлений по поверхности цилиндра результирующая этих сил равна нулю (парадокс Даламбера). Следовательно, для этого случая = 0. Можно доказать, что во всех случаях безотрывного обтекания цилиндрических тел потенциальным потоком сопротивление давления равно нулю. Однако при отрывном обтекании, когда за телом образуется мертвая зона или суперкавитационная каверна (см. п. 10.2), теория потенциальных течений дает не равное нулю значение силы сопротивления давления. Так, в п. 7.12 было доказано, что при струйном обтекании пластины, поставленной нормально к потоку (см. рис. 7.30), коэффициент лобового сопротивления, являющегося в данном случае сопротивлением давления, равен 0,88. Это подтверждается опытом только в тех случаях, когда за обтекаемым телом действительнсГобразуется зона, заполненная парами или газом, в которой давление приблизительно постоянно, как это предусмотрено теорией. Но в большинстве случаев за обтекаемым телом образуется так называемый гидродинамический след, представляющий собой область, заполненную крупными вихрями, которые, взаимодействуя и диффундируя, постепенно сливаются и теряют индивидуальность. На достаточном расстоянии от тела (дальний след) образуется непрерывное распределение дефекта скоростей в потоке, близкое к распределению скоростей в струнном пограничном слое. Наличие вихрей в гидродинамическом следе приводит к понижению давления на тыльной части поверхности тела и соответствующему увеличению сопротивления давления, которое часто называют также вихревым сопротивлением. [c.391]

Эффективной является комбинированная технология изготовления отливок из нелинейных титановых и некоторых других сплавов с применением горячего изостатического прессования (ГИП). При этом вначале по упрощенной технологии с введением в расплав газификатора (например, гидрата титана) изготовляют фасонные отливки с заведомо повышенной пористостью, а затем применяют ГИП для запечивания дефектов (пор) деформированием заготовки в условиях всестороннего обжатия под высоким давлением. В результате образуется композиционный материал, состоящий из литой матрицы и деформированного металла в зонах заполнения дефектов. [c.71]

В стандартной зонной схеме твёрдых тел в диэлектриках и полупроводниках заполненные зоны отделены от пустых запрещённой зоной (анерге-тич. щель) Sg, а в металлах есть зоны, заполненные частично, и электроны могут двигаться по этим зонам в слабом электрич. поле (см. Зонная теория). Структура зов в однозлектронном приближении связана с симметрией кристаллич. решётки. П. м.— д. может быть связан с изменением решётки, т. е. со структурным фазовым переходом. Такова природа П. м.— д. во мн. квазиодномерных соединениях и кеазидвумерных соединениях (слоистых). В этом случае переход паз. Пайерлса переходом или переходом с образованием волны зарядовой плотности. С изменением симметрии решётки связаны П. м.— д. и в др. веществах, напр. переход белого олова в серое ( оловянная чума ). С изменением ближнего порядка связаны П. м.— д., происходящие при плавлении мн. полупроводников (см. Дальний и ближний порядок). Так, в Ое И 31, имеющих в твёрдой фазе решётку типа алмаза, при плавлении меняется ближний порядок и они становятся жидкими металлами. [c.577]

Эф ктивность ЗПФ зависит от оптич. свойств материалов и формы профиля зоны, заполненной материалом. Оптим. толщина toar поглощающего (преломляющего) слоя для бинарного (прямоугольного) профиля определяется из ур-ния [c.350]

Свободный (открытый) газовый факел показан схематически на рис. 5-1. В таком факеле можно различить а) конусообразное ядро 1, внутри которого содержится газ, вытекающий из горелки 2 б) зону 5, заполненную смесью газа и продуктов горения в) зону заполненную смесью продуктов горения и воздуха. Граница 5 между зонами 3 а 4 представляет собой фронт горения, к которому снаружи диффундируют массы окислителя, а изнутри поступают массы горючего газа. Образующиеся при горении газа продукты частично диффундируют навстречу газу, обеспечивая его прогрев, а частично смещиваются с воздухом и затем покидают факел. [c.69]

Следует заметить, что, вообще, о внешней границе турбулентного слоя, так же как и о границе между вязким подслоем и турбулентным ядром, можно говорить только как о некоторых, малых по поперечной толщине зонах, заполненных то ламинарными, то турбулентными по своей внутренней структуре протуберанцами , пронизывающими пограничный слой со стороны внешнего потока и вязкого подслоя и придающими всему потоку перемежающийся характер. Во внешней зоне—так называемом надслое — происходит резкое изменение степени турбулентности потока от значительной, по сравнению с внешним потоком, величины до малой степени турбулентности во внешнем потоке. [c.537]

Возможность ФП типа диэлектрик — металл была теоретически предсказана jMottom при анализе применимости зонной теории электронных спектров твердых тел, в которой обычно используется одноэлектронное приближение, т. е. предполагается, что каждый электрон движется в силовом поле ионов п всех электронов (кроме рассматриваемого), а парные взаимодействия не учитываются даже для ближайших соседних электронов (эти взаимодействия включены в среднее поле, см. 1.1), В одноэлектронном приближении решением уравнения Шредингера в кристалле являются функции Блоха, а собственные значения энергии образуют энергетические полосы. Число уровней в каждой полосе определяется числом атомов в решетке, вследствие чего образуются квазинепре-рывные энергетические зоны, заполнение которых определяется принципом Паули (см, 1.1, рис, 1.3). Вещества, у которых в основном состояни нет частично заполненных зон, относятся к диэлектрикам и полупроводникам полу.метал-лы и металлы, напротив, характеризуются наличием частично заполненных зон (см, рис. 1.5). [c.114]

Рошер и Фридель [94] предложили модель электронной структуры для целого ряда сложных кристаллических веществ, включая фазы со структурой -вольфрама и сг-фазы (см. следующий раздел). Эта модель предполагает высокую электронную плотность вблизи уровня Ферми для (i-зоны, заполненной более чем на одну треть. Авторы считают, что сверхпроводимость многих соединений с такой структурой обусловлена высокой плотностью электронных состояний в соответствии с предположением, высказанным Клогстоуном и Шаккарино. [c.246]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Современные представления о механизме люминесценции кри-сталлофосфоров основаны на зонной теории твердого тела. Как известно, по этой теории энергетический спектр электрона в изолирующем кристалле состоит из ряда зон дозволенных значений энергии, разделенных полосами запрещенных значений энергии. Верхняя зона заполненных уровней энергии обычно заполнена валентными электронами ионов решетки, как показано на схеме рис. 17. [c.44]

Если электрон переведен каким-либо способом из верхней зоны заполненных уровней энергии, например ЗрС1, в зону проводимости 3sNa, лежащую выше потенциальных барьеров между ионами решетки, то в случае идеальной решетки электрон должен [c.44]

Ряд работ посвящен также попыткам как-то оценить зависимость коэффициента = Zolho от тех или иных параметров, характеризующих форму и распределение по плоскости стенки элементов шероховатости . Больше всего внимания при этом уделялось зависимости с от значения уже рассматривавшегося выше отношения Gi = S/So, определяющего густоту шероховатости . По-видимому, первая, еще очень грубая эмпирическая формула для зависимости с от аь имеющая вид h 0,5 ai, была предложена Леттау (1969) см. также Кондо (1971). Некоторые уточнения формулы Леттау, учитывающие уже, кроме зависимости от Oi, также и зависимость с от некоторых других геометрических параметров шероховатости, указаны, в частности, в работах Вудинга и др. (1973) и Арья (1975) см. также Кадер и Яглом (1984). Однако все эти формулы приводят к выводу о том, что зависимость коэффициента с (а значит, и В =—Л In с) от oi должна быть монотонной (с растет, а В убывает при возрастании ai), в то время как данные ряда перечисленных в обзоре Кадера и Яглома (1984) детальных исследований, охватывающих широкий диапазон значений oi, показывают, что на самом деле зависимость и В от Gi часто оказывается немонотонной, а такой, что с принимает наибольшее, а В — наименьшее значение при некотором конечном значении о, по обе стороны от которого график функции (gi) убывает (а график В о ) возрастает). Качественно такое поведение функций (ai) и B (ai) легко объяснить особенностями турбулентного течения вдоль шероховатой стенки. Дело в том, что при малых значениях oi = S/So течение легко проникает в промежутки между бугорками стенки, так что возрастание значения застойные зоны , заполненные стационарными вихрями, по которым катится внешнее течение. [c.255]

О внешней Гранине турбулентного пограничного слоя в большей части переходного слоя можно говорить только как о некоторой средней линии. На самом деле имеет место не граница, а целая зона, заполненная своеобразными протуберанцами , [тронизывающими эту зону с двух сторон со стороны внешнего потока и со стороны самого пограничного слоя. В этой завершающей внешнюю часть турбулентного пограгшчного слоя сравнительно тонкой зоне — ее можно было бы назвать над-слоем — происходит резкий скачок осредненной завихренности пограничного слоя, сохраняющей до внешней границы слоя ту же по порядку завихренность, что и в тонкой нрнстенной области подслое — и уменьшающейся на протяжении надслоя до почти нулевого значения, соответствующего внешнему безвихревому потоку. [c.679]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...