Квантовый переход

Если из атома удален один из электронов /С-оболочки, то электрон с более высокого энергетического слоя (уровня) совершает квантовый переход и при этом испускается квант характеристиче-сих рентгеновских лучей, соответствующий или /Ср-линии. По [c.101]

Известно, что при квантовом скачке электрона в атоме с более высокого энергетического уровня на низкий испускается фотон. Фотоны не входят в состав электронной оболочки, а они лишь рождаются при соответствующих квантовых переходах электронов в оболочке. [c.236]

Подобное мы имеем и в процессе р-распада. В самом акте р-рас-пада рождаются электрон (и антинейтрино) или позитрон (и нейтрино) в результате особого (слабого) взаимодействия между нуклонами ядра. Иначе говоря, р-распад следует рассматривать как квантовый переход ядерного нуклона из состояния с одним значе- [c.236]

Под влиянием этого взаимодействия рассматриваемая система может совершить те или иные квантовые переходы, вероятность которых зависит от матричных элементов оператора взаимодействия, рассматриваемого в роли оператора возмущения. Исследование этих матричных элементов показывает, что вероятность двухфотонных переходов мала по сравнению с вероятностью однофотонных переходов. [c.254]

После того как произошла внутренняя конверсия, в электронной оболочке атома остается незанятым, вакантным, место вырванного электрона конверсии. Какой-то электрон с более далеких слоев (с более высоких энергетических уровней) испытывает квантовый переход на это вакантное место с испусканием кванта рентгеновских лучей. Поэтому процесс внутренней конверсии сопровождается еш,е испусканием характеристических рентгеновских лучей. [c.260]

На явлении индуцированного излучения электромагнитных волн возбужденными квантовыми системами основана работа оптических квантовых генераторов (лазеров). Принцип работы лазера можно понять, рассматривая квантовые переходы между двумя энергетическими уровнями 2 и Е (E2>Ei). [c.316]

Магнитный резонанс — это избирательное (резонансное) поглощение энергии переменного электромагнитного поля электронной или ядерной подсистемами вещества, находящегося в постоянном магнитном поле. Поглощение связано с квантовыми переходами между дискретными энергетическими уровнями, возникающими в этих подсистемах под действием постоянного магнитного поля. Ниже мы кратко рассмотрим два типа магнитных резонансов — электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и ядерный магнитный резонанс (ЯМР). [c.351]

Ядерный магнитный резонанс. Он представляет собой избирательное поглощение энергии электромагнитного поля, связанное с квантовыми переходами в ядерной подсистеме вещества, находящейся в постоянном магнитном поле. Атомное ядро с отличным от нуля моментом I, помещенное в магнитное поле На, также испытывает пространственное квантование. Каждый энергетический уровень расщепляется на 2/+1 подуровня с энергиями [c.352]

Квантовая теория приводит к следующим правилам отбора для переходов в двухатомных молекулах АЛ = 0, 1 Л5 = 0 — Квантовый переход [c.243]

Второй постулат утверждает, что испускание или поглощение света происходит при переходе электрона с одной дозволенной орбиты на другую или, иными словами, при переходе атома с одного энергетического уровня на другой. Эти переходы называют квантовыми. При каждом таком переходе испускается (поглощается) один фотон его энергия fia равна разности энергий соответствующих уровней. Если, например, происходит квантовый переход с уровня на уровень (пусть Е >Е ), то испускается фотон с энергией [c.65]

Во-вторых, правило частот (3.1.11) ярко демонстрирует дискретность процесса испускания (поглощения) излучения атомом. Вместо непрерывного, требующего какого-то конечного промежутка времени процесса испускания или поглощения электромагнитной волны происходит мгновенный акт рождения или уничтожения фотона, при этом со----------------- стояние атома соответствующим образом скачкообразно меняется. В зависимости от того, между какой парой уровней данного атома совершился квантовый переход, рождается (уничтожается) фотон, вносящий вклад в ту или иную линию спектра испускания (поглощения). [c.66]

Первый вопрос таков. Чем вызываются те или иные квантовые переходы Какова роль излучения, находящегося вблизи атома Ответ на этот вопрос дал в 1916 г. Эйнштейн мы поговорим об этом в 3.2. [c.67]

Второй вопрос касается отмечавшейся еще Резерфордом логической трудности, связанной с переходом между дискретными уровнями. Чтобы совершить данный квантовый переход, атом должен поглотить (испустить) фотон определенной, а не какой-либо иной энергии. Каким же образом атом производит выбор нужного фотона Этот вопрос более сложен, чем предыдущий. Ответ на него был получен в процессе развития квантовой физики, о чем мы поговорим в гл. 5. [c.67]

Спонтанное испускание излучения (рис. 3.6, а). Возможен самопроизвольный (спонтанный) квантовый переход атома с уровня Е на уровень Е . При этом испускается фотон с энергией %(и- ,=Е —f l. Самопроизвольность процесса означает, что он не зависит от каких-либо внешних факторов, на которые можно было бы как-то воздействовать. [c.68]

В теории Эйнштейна величина выступает как некая постоянная, относящаяся к конкретному квантовому переходу. Современная квантовая теория позволяет выразить эту величину через харак- [c.69]

Так как наши рассуждения применимы к любому квантовому переходу, то частоту в (3.2.13) можно заменить произвольным значением со, после чего (3.2.13) превращается в формулу Планка (2.2.9). [c.72]

Амплитуда вероятности перехода. Предположим, что микрообъект совершает квантовый переход из некоторого s-состояния в некоторое /-состояние. Конкретные характеристики этих состояний, равно как и природа микрообъекта, пока несущественны. Переход имеет вероятностный характер, поэтому введем в рассмотрение вероятность перехода Ws j. Наряду с вероятностью перехода в квантовой физике рассматривают амплитуду вероятности перехода Это есть некое, вообще говоря, комплексное число, квадрат модуля которого равен вероятности перехода [c.100]

Переход с одного энергетического уровня на другой. В 3.1 отмечалось противоречие, связанное с квантовым переходом электрона с одного уровня энергии на другой. Напомним суть этого противоречия. Чтобы перейти с уровня Ei на уровень Е , электрон должен поглотить фотон с энергией 1ь(и Е —Е . Если энергия фотона больше или меньше, чем Е, —Е , то такой фотон не будет поглощен электроном. Значит, находясь на уровне i, электрон должен знать об уровне Е , чтобы поглотить фотон с нужной энергией. Однако, чтобы знать об уровне Е2, электрон должен побывать на нем, чего он не может сделать, не поглотив фотона. Возникает порочный логический круг. [c.109]

Иное дело в случае, изображенном на рис. 6.11, б. Если ширина запрещенной зоны Af порядка (или менее) нескольких электрон-вольт, то за счет теплового возбуждения часть электронов валентной зоны совершает квантовый переход в зону проводимости чем выше температура, тем чаще происходят такие переходы. В результате возникают электроны в ранее пустовавшей зоне проводимости проводящие свойства кристалла радикально изменяются — диэлектрик превращается в полупроводник. Число электронов в зоне проводимости существенно зависит от температуры. Обычно оно таково, что газ электронов проводимости можно считать невырожденным, зависимость v(e) для него описывается кривой в на рис. 6.7. Одновременно с появлением электронов в зоне проводимости возникают свободные состояния в валентной зоне иначе говоря, возникают дырки. Газ дырок, как и газ электронов проводимости, является обычно невырожденным. Заметим, что понижение температуры не приводит к вырождению этих газов, так как с понижением температуры уменьшается число электронов в зоне проводимости и соответственно дырок в валентной зоне при абсолютном нуле полупроводник превратится в диэлектрик. В переносе тока в полупроводнике участвуют как электроны проводимости, так и дырки. [c.144]

Квантовый выход внутреннего фотоэффекта. Предположим теперь, что полупроводник освещается монохроматическим светом, частота которого выше пороговой частоты для внутреннего фотоэффекта. Последняя определяется шириной запрещенной зоны в собственных полупроводниках и энергией ионизации донорных или акцепторных примесей в примесных полупроводниках. При поглощении фотонов электронами валентной зоны или примесных уровней будут происходить соответствующие квантовые переходы, приводящие к образованию дополнительных (неравновесных) носителей заряда, которые и обусловливают фотопроводимость. [c.176]

Люминесценция возникает в результате квантовых переходов атомов, ионов, молекул из возбужденных состояний в основное или в менее возбужденные состояния. Эти атомы, ионы, молекулы принято называть центрами люминесценции или, иначе, люминесцентными частицами. Элементарный процесс. люминесценции имеет два этапа. На первом происходит возбуждение центра люминесценции, на вто- [c.183]

Однако следует иметь в виду, что вынужденное излучение рождается в результате тех же самых квантовых переходов в веществе, которые порождают люминесцентное излучение. Более того, последнее играет роль затравки , инициирующей процессы, приводящие в лазерах к генерации вынужденного излучения. Недаром люминесцентные свойства вещества, и прежде всего его спектр люминесценции, имеют решающее значение при выборе активной среды лазера. [c.186]

На рис. 8.1, а показаны квантовые переходы центра люминесценции, отвечающие наиболее простому физическому механизму люминесценции. При возбуждении центр переходит с уровня 1 на уровень 2, а при обратном переходе рождается фотон (возникает люминесцентное свечение). Частота излучения люминесценции соответствует разности энергий возбуждения и основного уровня со = ( . 2— [c.187]

С процессами взаимодействия света с веществом сопоставляют определенные квантовые переходы частиц вещества (атомов, ионов, молекул). Эти переходы называют оптическими, так как каждый из них сопровождается рождением или уничтожением, а возможно, одновременно и рождением, и уничтожением некоторого числа фотонов. Наряду с оптическими существуют также неоптические переходы они происходят без участия фотонов, например при столкновениях частиц. [c.219]

ГЛАВА 10 ВЕРОЯТНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ 10.1. Квантовые переходы п нестационарной теории возмущений 241 10.2. Квантовые переходы под влиянием гармонического возмущения 245 10.3. Оператор взаи.модействия электрона с полем световой волны. Операторы рождения и уничтожения фотонов 250 10.4. Матричные элементы оператора взаимодействия электрона с полем световой волны 257 ГЛАВА 11 ОДНОФОТОННЫЕ ПРОЦЕССЫ 11.1. Вероятности однофотонных процессов 261 11.2. Дипольные переходы [c.239]

Квантовые переходы в нестационарной теории возмущений [c.241]

Предположим, что под влиянием некоего внешнего фактора (некоего возмущения) микрообъект совершает квантовый переход из одного состояния в другое. Во многих случаях вероятности переходов могут быть найдены с использованием нестационарной теории возмущений. [c.241]

Квантовые переходы и принцип суперпозиции состояний. Пусть начальное и конечное состояния микрообъекта являются стационарными. Начальное состояние (будем фиксировать его индексом п) описывается волновой функцией [c.241]

Если в некий момент t включить соответствующий детектор, то суперпозиция (10.1.4) разрушится и микрообъект будет обнаружен в одном из стационарных состояний, например в состоянии Это и означает, что произошел квантовый переход микрообъекта из состояния в состояние вероятность перехода есть апт - [c.242]

Квантовые переходы под влиянием гармонического возмущения [c.245]

При квантовых переходах ц -мезона в атоме с одного энергети-ческогт) уровня на другой испускается рентгеновское излучение. [c.372]

Под действием переменного магнитного поля частоты v между подуровнями возможны квантовые переходы. Правила отбора для магнитного квантового числа (Amj=zf l) допускают переходы только между соседними подуровнями. Таким образом, [c.351]

На рис. 3.4 стрелками показаны квантовые переходы в атоме водорода, соответствующие спектральным сериям Лаймана, Бальмера, Пашена. [c.66]

Величины Л 21, fii2. Bii получили название коэффициентов Эйнштейна. Они не зависят от температуры и являются характеристиками конкретного квантового перехода. В теории Эйнштейна они выступают в качестве феноменологических параметров. [c.70]

При поглощении излучения атомы будут совершать квантовые переходы Еу- Е . Число таких переходов (в единице объема в единицу времени) есть tiiW . При испускании излучения будут происходить переходы Е - Е -, их число равно Л2(ау +ш ). При наличии термодинамического равновесия указанные числа переходов равны друг другу [c.71]

J<2 />12. Возможность такой специфически квантовой ситуации как раз и снимает противоречие квантового перехода с уровня на уровень. Достаточно предположить, что взаимодействие микрообъекта с излучением переводит микрообъект в суперпозиционное состояние типа (5.2.3). [c.110]

При фотовозбуждении иоиы неодима совершают квантовые переходы из основного состояния (атомный терм Vj/a) в состояния, которым отвечают термы G,/2, [c.192]

Внешние факторы, обусловливающие квантовые переходы микрообъекта, могут иметь различную физическую природу. В частности, это может быть взаимодействие микрообъекта с электромагнитным излучением. В аппарате квантовой теории указанный фактор выступает как некий оператор взаимодействия, который надо добавить к невозмущенному гамильтониану Н будем обозначать эту добавку Н. С учетом возмущения Н уравнение Шредипгера [c.241]

Гамма-квант — фотон большой энергш (обычно вьпие 100 кэВ). Гамма-кванты возштеают при квантовых переходах в атомных ядрах и некоторых превращениях элеметарных частиц, тормозном излучении электронов высоких энергий. [c.222]

Фотоэффект — освобождение электронов, находящихся в веществе в связащюм состоянии, под действием коротковолнового электромагнитного излуче-1шя. Различают внешний и внутренний фотоэффект. Внешним фотоэффектом называют испускание электронов в вакууме или 1шую среду из твердых тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) под действием излучения. Внутренним фотоэффектом называют вызванные электромагнитным излучением квантовые переходы электронов внутри полупроводника или диэлектрика из связанных состояний в свободные без вылета наружу. В результате этого увеличивается электрическая проводимость тела. [c.230]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...