Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Свободного процесса напряжение

Свободного процесса напряжение 656  [c.779]

Рассмотрим, например, сплошной диск постоянной толщины, обод которого изготовлен из аустенитной стали, центр — из перлитной (фиг. 32, а). В момент нагрева при термообработке диск можно считать свободным от напряжений [46]. В процессе охлаждения при отпуске обод испытывает растяжение, центр — сжатие. Распределение напряжений дается формулами  [c.67]

Рассматривается двумерный процесс движения вершины трещины в направлении, касательном к вектору мгновенной скорости V. Вводится декартова система координат xi, Х2, связанная с вершиной трещины, ось Х2 которой совпадает с касательной к траектории. Поверхности (берега) трещины свободны от напряжений. Пространственное распределение напряжений и деформаций в любой точке в непосредственной близости к вершине трещины может быть построено в форме внутреннего асимптотического разложения, главный член которого удовлетворяет стандартной краевой задаче. Для этого прежде всего производится переход от системы отсчета, неподвижной в пространстве, к системе координат, связанной с движущейся вершиной трещины. Далее производится изменение масштаба линейных размеров таким образом, чтобы окрестность вершины  [c.84]


В процессе движения трещины в твердом теле напряжения, действующие перед вершиной трещины [определенные для линейного упругого материала уравнениями (2.6)], разгружаются и возникают новые свободные от напряжений поверхности трещины. Этот процесс приводит к перераспределению напряженного состояния, характерного для всего твердого тела.  [c.274]

Напряженное состояние, создаваемое включением. Повышение температуры элементарного объема, выделенного из окружающей его среды, не является единственным средством сообщения этому объему деформации, в которой не возникает напряженное состояние — так называемой свободной деформации. Можно представить себе другие физические процессы, сопровождающиеся свободной деформацией ). Напряженное состояние, однако, возникает в упругой среде, когда в некотором ее объеме V имел место процесс, который вызвал бы свободную-  [c.219]

Динамический процесс. Самоподдерживающееся разрушение хрупкого тела рассмотрим на следующей одномерной мо- дели. Пусть в бесконечном упругом пространстве, находящемся в однородном поле сжимающих главных напряжений Ni, N2 н N3, внезапно образовалась плоскость х = О, свободная от напряжений. Рассмотрим хрупкое полупространство х > 0. Считаем,  [c.474]

К этому классу в первую очередь относятся процессы, в которых очаг деформации частично ограничен поверхностью, свободной от напряжений, как, например, при свободной осадке или вдавливании пуансона. Сюда же надо отнести и такие процессы, как прокатка, экструзия и т. п., поскольку хотя в них очаг деформации не граничит со свободной поверхностью, тем не менее стеснение со стороны жестких частей обрабатываемого тела невелико. Процессы деформации в незамкнутых объемах протекают при относительно небольших значениях среднего давления, по крайней мере, в областях, прилегающих к свободной поверхности или к границе с недеформируемой частью, что придает им некоторые характерные особенности.  [c.96]

Особенности процесса прессования. Указанная в начале главы особенность поведения уплотняемых материалов проявляется не только при наличии свободной от напряжений границы тела, но и в таких процессах, как прессование через матрицу и прокатка.  [c.107]

Можно полагать, что в своем начальном состоянии упругое тело свободно от напряжений, имеет постоянную температуру и находится в термодинамическом равновесии со средой. Если деформирование под действием внешних сил происходит достаточно медленно, то в каждый момент времени имеет место термодинамическое равновесие соответственно внешним условиям и процесс деформирования является обратимым. Энергия, требуемая для деформации, расходуется полностью, не переходя в кинетическую энергию. Отсутствует также влияние времени работа, затрачиваемая на деформацию, на зависит от пути нагружения, т. е. от того, как нагрузки и деформации достигают своих конечных значений.  [c.53]


Заметим, что указанное утверждение теряет силу при наложении волн, распространяющихся в разных направлениях, например в процессе отражения волны. Так, при отражении волны ф" = Л б 0( 1/—х) от свободной границы х = х (граничная плоскость, параллельная фронту волны, свободна от напряжений) скорости частиц удваиваются, а напряжения исчезают — потенциальная энергия переходит в кинетическую. Действительно, из условия о х О (х == х находим, что при I >>  [c.185]

Если концентрация раствора выравнялась, то гетеродиффузия, подобно самодиффузии, становится хаотической по направлению. Известны случаи так называемой восходящей диффузии от. мест с низкой концентрацией к местам с высокой концентрацией. В каждом случае имеются особые причины для такого процесса (обычно неравномерное распределение третьего медленно диффундирующего элемента или неравномерное распределение напряжений), в основе которого также лежит стремление системы н уменьшению свободной энергии.  [c.320]

Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла.  [c.470]

По физическому смыслу энергия активации любого кинетического процесса есть разность свободных энергий Гиббса (AF) конфигураций атомов, соответствующих активированному состоянию (седловая точка) и основному состоянию перед потенциальным барьером, а скорость процесса о при наличии внешнего напряжения определяется соотношением  [c.193]

К.А Осиповым за минимальную энергию активации q элементарного кинетического процесса при наличии напряжения принято абсолютное значение изменения свободной энергии Гиббса при нагреве металла от нуля градуса Кельвина до температуры плавления ( ). При этом между минимальной энергией активации q и энергии активации других элементарных процессов предполагалось наличие связи типа  [c.193]

Накопление дефектов происходит в локализованных областях у вершин трещин, поэтому релаксация напряжений материала реализуется в виде его разрушения. Напряжения в зоне накопления дефектов, достигшие стадии формирования поверхностного переходного слоя, трансформируются в поверхностную энергию. Так в процессе разрушения материала образуются новые поверхности, обладающие свободной энергией.  [c.311]

Емкостный датчик, применяемый для изучения волн напряжений в деформируемом теле, состоит из изолированного проводника, установленного на той части тела, которая исследуется. Вследствие малой продолжительности процесса должны выполняться следующие условия 1) при медленных перемещениях изолированный проводник относительно тела находится в покое 2) при перемещениях, вызванных волнами напряжений, поверхность тела движется свободно, тогда как изолированный проводник остается в покое.  [c.25]

Влияние волн напряжений на процесс соударения трехмерных упругих тел рассматривалось Б. М. Малышевым [29], который экспериментально изучал продолжительность удара г стальной линзы по массивному телу с плоскостью. Линза имела сферическую поверхность с центром в точке контакта, возникающие при ударе сферические волны сжатия после отражения от свободной поверхности фоку-  [c.133]

При значениях Ке, , > 1600 ламинарно-волновой режим течения пленки сменяется турбулентным. При этом так же, как и в обычных турбулентных потоках (например, в каналах), слой жидкости, непосредственно прилегающий к стенке, сохраняет черты ламинарного течения, а за пределами этого слоя пленки действует механизм турбулентного перемешивания. Это позволяет исключить из рассмотрения влияние волновых процессов, вязкости и поверхностного натяжения жидкости на касательные напряжения и связь между толщиной пленки и плотностью орошения. Анализ и результаты экспериментального изучения закономерностей течения тонких пленок показывают, что для свободно стекающей пленки можно записать равенство осредненных или локальных значений веса пленки и касательных напряжений на стенке в виде  [c.173]


Факторы, ояределяющие, будет ли трещина в матрице распространяться сквозь волокно или вдоль поверхности раздела, были обсуждены Аутуотером и др. [64—66]. Они рассмотрели отдельное длинное волокно, погруженное в блок матрицы, с нарушенной связью по поверхности раздела на расстоянии х от свободной поверхности. Напряжение, необходимое для продолжения процесса расслаивания, состоит из двух частей. Первая необходима для преодоления трения скольжения волокна на расстоянии X при его вытаскивании из оболочки матрицы после разрушения границы раздела, а вторая есть напряжение, необходимое для разрушения связи волокно — матрица  [c.463]

С М. непосредственно связан Д -эффект — зависимость модуля упругости Е изотропных (поликристал-лич. или аморфных) ферро-, ферри- и антиферромагнетиков от величины магн. поля. В отсутствие внеш. магн. поля, когда векторы Мд доменов свободны , механич. напряжение, наложенное на образец, вызывает обычно упругое удлинение Ед и удлинение 8 ,1 магнито-стрикционной природы, т. е. — о/(Ед 4- ё ), где — модуль упругости упорядоченного магнетика в размагниченном состоянии. Наложение сильного магн. поля, закрепляя все векторы Мд и вызывая магнитострикцию насыщения Яд, сводит к нулю е 1 т. е. модуль д магнетика, намагниченного до технического насыщения, равен — модулю при отсутствии М. Макс. Д -эф-фект кЕ Е , = ( "д — Е )1Ед. Расчёты показывают, что АЕ Е = ЛЯ /с д/Л/ , где -/о — нач. восприимчивость данного процесса намагничивания, А я 1 (численная константа), Т, о., макс. Дй -эффект велик в материалах с большой магнитострикцией, малой магнито-кристаллич. анизотропией, малыми внутр. напряжениями, Напр., у отожжённого N1 .Е/Ец 19—22%. У соединений с большой Яд (ТЬо аОуо.тЕва и иГе ) обнаружен Д.Б-эффект, достигающий 160%,  [c.131]

В процессе деформашш возникает ориентированная структура вследствие дробления зерен а-титана двойни-кованием и скольжением. Последующий нагрев приводит к зарождению новых зерен и дальнейшему их росту. Процессу рекристаллизации предшествует перемещение границ зерен или границ двойников и образование свободных от напряжений кристаллов [31].  [c.155]

Формирование при нагревании новой, свободной от напряжений зеренной структуры хо-лоднодеформированного металла. (2) Изменение кристаллической структуры при нагревании выше (ниже) критической температуры. (3) Физический процесс, при котором одна кристаллическая разновидность вырастает за счет другой или других таких же по природе, но меньших по размеру. См. также rystallization — Кристаллизацию.  [c.1027]

Re rystailization temperature — Температура рекристаллизации. (1) Наиболее низкая температура, при которой искаженная зеренная структура деформированного в холодном состоянии металла заменяется новой, свободной от напряжений зеренной структурой в процессе длительного нагрева. Время, чистота металла и степень деформации — очень важные факторы.  [c.1027]

В этой главе рассматриваются трехмерные контактные задачи теории упругости о действии штампа произвольной формы на поверхность слоя толщины h, жестко соединенного с упругим полупространством с другими упругими постоянными (задача L ) или лежащего на нем без трения (задача L2) [198, 333, 338, 340, 342, 354]. Зона контакта предполагается заранее неизвестной и зависящей от величины действующих на щтамп нормальной силы Р и тангенциальной силы Т. Предполагается также, что между щтампом и слоем имеют место силы кулоновского трения, которые коллинеарны направлению действия тангенциальной силы Т. Штамп не поворачивается в процессе взаимодействия. Вне штампа поверхность слоя свободна от напряжений. Рассматривается случай предельного равновесия, случай квазистати-ческого движения штампа по поверхности слоя в подвижной системе координат может быть рассмотрен аналогично.  [c.245]

Полосовая дислокационная структура образуется прп высокой плотности дислокаций, в условиях интепсивного протекания процесса аннигиляции дислокаций и наличия дальнодействующих полей напряжений, приводящих к разделению дислокаций разных знаков. На электронно-микроскопических изображениях этой структуры наблюдаются изгибные экстинкционные контуры, расположенные сначала перпендикулярно границам, т. е. имеет место градиент изгиба — кручения вдоль полос. Сами г])аницы свободны от напряжений. Встречаются границы кручения, наклона и смешанные. С увеличением деформации усложняется картина напряжений в полосовой ДСС, наблюдаются границы в основном смешанного тппа.  [c.149]

Больши.м достоинством свободного от напряжения платинового термометра сопротивления является хорошая воспроизводимость. Однако платиновый термометр мало пригоден для измерения температур ниже 10—12° К, так как при приближенпн к этим температурам в процессе охлаждения его чувствительность быстро падает.  [c.151]

Случаи, когда катион движется наружу. Когда пленка растет благодаря движению через нее катионов, занимаюш,их положение на наружной поверхности, то преобладают различные факторы. Кроме напряжений, возникаю-ш,их (по соображениям, рассмотренным выше) в тончайших пленках, веш,е-ство пленки должно быть почти свободным от напряжений, и причины разрушения, упомянутые выше, не будут действовать. Но катионы, движу-ш,иеся через металл, оставляют вакансии у основания пленки, и, хотя некоторые из них могут быть адсорбированы дислокациями, другие соединятся вместе, образуя полости, и рано или поздно они будут местами свободно соприкасаться с металлом. Такая слабая опора пленки, вероятно, является причиной разрушения там, где металл подвергся некоторой поверхностной обработке, которая оставила сложную систему внутренних напряжений, отчасти растягивающих и отчасти сжимающих, находящихся в равновесии (см. стр. 105), В том месте, где градиент напряжения высок, переход металла в пленку будет нарушать это равновесие, и если к пленке, где она очень тонка и не имеет опоры, будет приложено очень маленькое результирующее напряжение, то она вероятно сломается. Предположим, например (фиг. 27, стр. 105), что металл до окисления был растянут вблизи поверхности и сжат ниже. После образования пленки растянутый слой частично исчезает, замещаясь пустотой. Очевидно, металл теперь преимущественно сжат, и в своем стремлении расшириться он будет растягивать неподдерживаемую пленку, которая разорвется. Образуется новая пленка, которая разорвется в свою очередь, если остаются достаточные внутренние напряжения. Надо ожидать, что этот процесс залечивания трещин будет продолжаться до тех пор, пока внутренние напряжения не исчерпаются в достаточной мере. Экспериментальные доказательства для залечивания трещин приведены на стр. 165.  [c.782]


Для сиижепня литейных нанрял<ений необходимо обеспечить свободную усадку элементов отливки. На рис. 4.57, а показана конструкция корпусной детали с перегородками, которые затрудняют процесс усадки, что вызывает большие литейные наиряження. Изменение конструкции (рис. 4.57, б) обеспечивает свободную усадку. Придание перегородкам конической формы (рис. 4.57, в) также снижает усадочные напряжения.  [c.175]

При этом принятые допущения имеют разумное физическое объяснение. Известно, что в поверхностных слоях металла зарождение скользяЩ Их дислокаций значительно облегчено по сравнению с глубинными слоями. Феноменологически это явление связано со снижением напряжения микротекучести материала в поверхностных слоях образца [1, 190]. В результате при весьма низких нагрузках может зародиться микротрещина, размер которой соответствует размеру поверхностного слоя [191]. В то же время при образовании трещины длиной 1° сопротивление пластическому деформированию в окрестности ее вершины увеличивается (деформирование происходит не у свободной поверхности) и дальнейший рост трещины возможен только при нагрузках, приводящих к обратимой пластической деформации материала (строго говоря, к процессам микротекучести) в объеме, большем чем размер зерна, т. е. при А/С > > AKth.  [c.220]

Механическое состояние материала в точке зависит в первую очередь от напряженного состояния в этой точке, хотя и не определяется им полностью. Так, например, при наличии температурного воздействия на механическом состоянии материала заметно сказывается фактор времени. При малом времени нагружения состояние материала можно рассматривать как упругое, а при большом — как пластичное. На механическое состояние в точке имеет некоторое влияние состояние материала в соседних точках. Наконец, что самое важное, само понятие механического состояния в точке не свободно от противоцечий с принятым ранее предположением о непрерывности среды. Это обнаруживается в первую очередь при изучении вопросов разрушения, поскольку процесс образования трещин в металлах тесно связан с их молекулярной и кристаллической структурой.  [c.259]

Стали типа 15Х5М относятся к числу термически стабильных. Однако при длительном воздействии высокой температуры в сварных разнородных соединениях могут образовываться переходные прослойки, обусловленные диффузионно м перераспределением в них диффузионно-подвижных Э1 с,ментов. Исследования, проведенные Н.М. Королевым во ВНИИнефтемаше, показали, что интенсификацию диффузионных процессов вызывают циклические термические напряжения, обусловленные различием температурных коэффици-ешов линейного расширения аустенитного шва и основного металла. Помимо термических напряжений действуют также напряжения, возникающие вследствие наличия закаленных участков в околошовных зонах. Мартенситная пересыщенная структура закалки всегда обладает более высокой свободной энергией, чем равновесные фазы с таким же номинальным составом, т.е. околошовные зоны термического влияния закаливающейся стали характеризуются более структурнонапряженным состоянием. Как известно, напряженное состояние металла значительно влияет на скорость диффузионных процессов и их коррозионную стойкость.  [c.155]

При ударе о поверхносчъ пластины снаряда либо при подрыве около нее детонирующего заряда с противоположной ее стороны может отслоиться или отколоться кусок материала (рис. 7.5,а). Чтобы понять механизм явления откола, рассмотрим импульс сжимающего напряжения, проходящий через пластину в результате удара о левую поверхность, изображенный на рис. 7.5,6. Когда волна сжатия проходит через пластину и достигает ее свободной. поверхности, она отражается от этой свободной поверхности в виде волны растяжения. Отраженная волна растяжения взаимодействует с падающей волной сжатия. Этот процесс изображен на рис.  [c.355]

Ударная ионизация. Увеличение электропроводности твердого тела в сильных полях связано с увеличением концентрации носителей заряда. При полях, напряженность которых превышает 10 В/м, электроны проводимости приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов. В результате ионизации образуются электронно-дырочные пары, которые ускоряются полем до высоких энергий и тоже могут ионизовать атомы. Таким образом, концентрация свободных носителей лавинообразно нарастает. Этот процесс и получил название ударной иониза-ции. Ударная ионизация не приводит к немед- ленному пробою вещества, поскольку электроны (и дырки), рассеиваясь на фононах, передают свою энергию решетке и могут рекомбинировать.  [c.259]

Диэлектрики, в силу того, что свободных носителей заряда в них мало, состоят по сути из связанных заряженных частиц положительно заряженных ядер и обращающихся вокруг них электронов в атомах, молекулах и ионах, а также упруго связанных разноименных ионов, )асположенных в узлах решетки ионных кристаллов. Толяризация диэлектриков — упорядоченное смещение связанных зарядов под действием внешнего электрического поля (положительные заряды смещаются по направлению вектора напряженности поля , а отрицательные— против него). Смещение / невелико и прекращается, когда сила электрического поля, вызывающая движение зарядов относительно друг друга, уравновешивается силой взаимодействия между ними. В результате поляризации каждая молекула или иная частица диэлектрика становится электрическим диполем — системой двух связанных одинаковых по значению и противоположных по знаку зарядов q, Кл, расположенных на расстоянии I, м, друг от друга, причем q — это либо заряд иона в узле кристаллической решетки, либо эквивалентный заряд системы всех положительных или системы всех отрицательных зарядов поляризующейся частицы. Считают, что в результате процесса поляризации в частице индуцируется электрический момент p=ql, Кл-м. У линейных диэлектриков (их большинство) между индуцируемым моментом и напряженностью электрического поля , действующей на частицу, существует прямая пропорциональность р = аЕ. Коэффициент пропорциональности а, Ф-м , называют поляризуемостью данной частицы. Количественно интенсивность поляризации определяется поляризованно-стью Р диэлектрика, которая равна сумме индуцированных электрических моментов всех N поляризованных частиц, находящихся в единице объема вещества  [c.543]

Еели деформирование совершается изотермически, т. е. в процессе деформирования температура Т остается постоянной, равной температуре То тела в его естественном состоянии, то в этом случае потенциалом тензора напряжений является свободная энергия F  [c.54]

В момент времени 1р начинается процесс разгрузки, порождающий волну разгрузки, которая распространяется с конечной скоростью Ь. Внутри области возмущений нагрузки образуется область возмущений разгрузки, ограниченная внешней поверхностью пограничного слоя, частью свободной поверхности преграды и поверхностью переднего фронта волны разгрузки (рис. 68). Напряженное состояние среды в этой области характеризуется тензором напряжений (а)р р, движение — скоростью частиц Мразгр и плотностью Рразгр- м соответст-вует тензор кинетических напряжений (Лравгр. который можно представить в виде  [c.206]


Смотреть страницы где упоминается термин Свободного процесса напряжение : [c.79]    [c.261]    [c.21]    [c.93]    [c.655]    [c.656]    [c.275]    [c.100]    [c.103]    [c.68]    [c.141]    [c.245]    [c.67]    [c.149]   
Метрология, специальные общетехнические вопросы Кн 1 (1962) -- [ c.656 ]



ПОИСК



Свободные Напряжения



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте