Заряд отрицательный

Частица массы т, несущая заряд отрицательного электричества е, вступает в однородное электрическое поле напряжения со скоростью vq, перпендикулярной направлению напряжения поля. Определить траекторию дальнейшего движения частицы, зная, что в электрическом поле на нее действует сила F = еЕ, направленная в сторону, противоположную напряжению [c.212]

Пример 109. Частица М массы т, несущая заряд отрицательного электричества е, вступает в однородное электрическое поле постоянного напряжения , имеющего горизонтальное направление, с вертикальной скоростью [c.254]

Открытие электрона. Факт существования электрона как элементарной частицы материи, обладающей единичным элементарным электрическим зарядом (отрицательным по модулю), был установлен в исследованиях совершенно иного плана, а именно при изучении явлений, связанных с прохождением электрического тока через газы. И снова мы должны отдать должное проницательности Фарадея, начавшего эти исследования в 1838 г. Результаты, связанные с различными явлениями положитель- [c.99]

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

В электрическом поле в частицах, из которых построен диэлектрик, связанные положительные и отрицательные заряды смещаются. В результате образуются электрические диполи с электрическим вектором m ql, где q — суммарный положительный (и числен-110 равный ему суммарный отрицательный) заряд частицы, Кл I — расстояние между центрами положительного и отрицательного заряда, плечо диполя, м (рис. 5.10, б). Поэтому на поверхности диэлектрика образуются поляризационные заряды отрицательный у положительного электрода, и наоборот. Для компенсации этих поляризационных зарядов источником электрического напряжения создается дополнительный связанный заряд Суммарный полный заряд Q в конденсаторе с диэлектриком равен [c.149]

При растворении ингибитора травления образуются положительно заряженные ионы. При растворении металла, т. е. при переходе его в положительные ионы, на поверхности металла скапливается избыток отрицательных зарядов. Отрицательно заряженный металл притягивает положительные ионы ингибитора, которые адсорбируются на металлической поверхности, образуя защитную пленку. [c.58]

Металлические поверхности 1 ч 2 разделены вакуумным промежутком. Поверхность 1 имеет температуру а поверхность 2 поддерживается при температуре Температура значительно выше, чем Т . Условимся работу выхода поверхности 1 обозначать через ср , а работу выхода поверхности 2 — через pj. В результате эмиссии электронов с поверхности 1 (которая значительно интенсивнее, чем эмиссия с поверхности 2, вследствие того что Гз i) от поверхности 1 к поверхности 2 будет уходить большее число электронов, чем от поверхности 2 к поверхности 1, поэтому поверхность 2 зарядится отрицательно и между пластинами возникнет разность электрических потенциалов. Если составить электрическую цепь, замкнув пластины на какое-либо внешнее сопротивление, то в этой цепи возникнет электрический ток. [c.411]

В объеме полупроводника возникают пары элементарных подвижных носителей электрических зарядов отрицательных — свободные электроны и положительных — дырки. Электронным полупроводником (полупроводником типа п) называется такой полупроводник, в котором концентрация свободных электронов преобладает над концентрацией дырок. Электроны в этом случае являются основными носителями зарядов, а дырки — неосновными. Донорами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (пятивалентные атомы мышьяка, сурьмы, фосфора и др.) для получения избытка электронов. Дырочным полупроводником (полупроводником типа р) называется полупроводник, в котором концентрация дырок преобладает над концентрацией электронов. Акцепторами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (трехвалентные атомы индия, алюминия, галлия и др.) для создания избытка дырок. Дырки в этом случае являются основными носителями зарядов. [c.348]

Ион-атомы, находящиеся на поверхности металла, гидратируются и переходят в виде катионов в раствор, а катионы из раствора осаждаются на поверхности металла. Скорости первого и второго процессов зависят соответственно от концентрации катионов в растворе. Если скорость первого процесса больше, чем второго, то в растворе у поверхности электродов появится избыточное количество катионов, и раствор зарядится положительно. При этом сама поверхность металла зарядится отрицательно за счет избыточных электронов, оставшихся после перехода в раствор части ион-атомов металла. [c.40]

Сварочная дуга (рис. 9) состоит из катодной, анодной областей и столба дуги. Катодная область расположена у катода и является источником электронов, ионизирующих дуговой промежуток. Предполагают, что длина катодной области равна длине свободного пробега электрона в газе. Анодная область расположена у анода и концентрирует электроны. Пространство, ограниченное катодной и анодной областями, называется столбом дуги. Столб дуги нейтрален — суммы зарядов отрицательных и положительных частиц равны. Температура катодной области достигает. 3200°С, а анодной—3400°С. Разница температур обусловлена тем, что катодом выбрасывается больше заряженных частиц, которые сильно бомбардируют анод, в результате чего выделяется большое коли- [c.45]

Столб дуги можно считать нейтральным, так как сум ма зарядов отрицательных частиц равна сумме зарядов положительных частиц. Столб дуги характерен образованием заряженных частиц и воссоединением заряженных частиц в нейтральные атомы (рекомбинация). Поток электронов через слой газов разрядного промежутка вызывает в основном упругие соударения с молекулами и атомами газа, вследствие чего создается весьма высокая температура. Возможна также и ионизация в результате неупругих соударений. [c.39]

В однородном электрическом поле напряженностью Е= ==10] В/м движутся два точечных положительных заряда с массами 2 и 5 г и зарядами 4 и 8 Кл соответственно. Найти а) движение центра масс, если в начальный момент заряды покоились в точках с координатами л =0, у=3 см и л =5 см, у=0 соответственно б) движение центра масс, если в начальный момент заряды двигались из точек с координатами л =0, =3 см со скоростями 51 и 3] см/с соответственно. Решить вопросы п. а) и б), считая заряды отрицательными. [c.67]

Эффект Холла. Эффект Холла является следствием силы Лоренца [уравнение (1.14)], действующей на заряженную частицу в магнитном поле. Пусть кристалл помещен в магнитном поле В (рис. 36). Если через него протекает ток плотностью Л в направлении, перпендикулярном В, то сила Лоренца, действующая на носители, заставит их отклониться вверх. В зависимости от знака носителей на верхней поверхности кристалла образуется отрицательный или положительный поверхностный заряд (отрицательный для электронов и положительный для дырок), а на нижней поверхности — заряд противоположного знака. Поверхностный заряд приведет к образованию разности потенциалов V между двумя поверхностями, которая может быть точно измерена. Поверхностные заряды будут накапливаться до тех пор, пока сила Лоренца в точности не уравновесится электростатической силой между двумя слоями. В равновесии результирующее электростатическое поперечное поле составит [c.130]

Разрыв связи в кристалле полупроводника дает два типа заряженных частиц электрон и место отсутствия электрона ( дырка ). При наличии внешнего поля движение электронов и дырок создает электрический ток. На границе соприкосновения двух полупроводников, обладающих равной проводимостью одного с дырочной проводимостью, другого с электронной проводимостью, произойдет диффузия (проникновение), т. е. свободные электроны из электронной области будут переходить в дырочную область, в которой свободных электронов мало, и наоборот. Диффузия дырок приведет также к тому, что дырочная область зарядится отрицательно, а электронная — положительно. Электроны и дырки в полупроводнике с электронно-дырочным переходом могут двигаться в прямом или обратном направлении. При отсутствии внешнего напряжения в цепи тока нет, т. е. устанавливается состояние равновесия. [c.76]

Отрицательные ионы поглощаются частицами распыленной краски, пути которых пересекаются с путями движения ионов или проходят вблизи от них и сообщают частицам краски отрицательный заряд. Отрицательно заряженные частицы краски направляются электрическим полем и осаждаются равномерным слоем на окрашиваемые детали, Равномерность слоя краски обусловливается [c.88]

Скорости процессов перехода гидратированных ион-атомов металла в раствор и разряда катионов на поверхности металла зависят от состояния и активности поверхности металла, концентрации катионов в растворе и ряда других факторов. Если скорость первого процесса больше, чем второго, то поверхность металла зарядится отрицательно, а раствор вблизи поверхности [c.25]

Электрон — это частица весьма малой массы, несущая элементарный (наименьший, неделимый) электрический заряд отрицательного знака. Масса электрона равна 9,1 элементарный электрический заряд равен [c.9]

Столб дуги в электростатическом отношении нейтрален, т. е. сумма зарядов отрицательных частиц равна сумме зарядов положительных частиц. [c.24]

При излучении электрона (бета-частицы, имеющей отрицательный заряд) масса ядра практически почти- не меняется, но положительный его заряд увеличивается на единицу благодаря потере одного элементарного заряда отрицательного электричества. [c.205]

Чтобы не учитывать каждый электрон дважды, сюда входит множитель Уг- Таким образом, потенциальная энергия системы равна , 2/га ридберг на электрон. Энергия взаимодействия электронов с равномерно распределенным положительным зарядом отрицательна и численно равна удвоенному значению ро1, т. е. —2,4/гв. Наконец, обменная энергия, как было показано ранее [см. формулу (3.26)], равна —0,92/г, ридберг. [c.127]

В 6 мы видели, что изолированный атом может принять избыточное по сравнению с зарядом ядра число электронов, поскольку это выгодно энергетически. Аналогичное явление может возникать и в теории диэлектрического экранирования в сплавах, где средняя плотность электронов в кристалле с компонентом В может оказаться больше, чем без него (валентность Zв больше, чем 2а). Таким образом, компонент с меньшей валентностью зарядится отрицательно но (для металлов) малая валентность соответствует щелочным и щелочно-земельным металлам, т. е. мы получим, что атомы этих металлов ведут себя, как акцепторы электронов, а не как доноры, что противоречит хорошо известным фактам из курса школьно химии. [c.102]

Античастицами нуклонов являются антипротон р и антинейтрон п. В соответствии со сказанным выше антипротон должен иметь массу, спин и время жизни протона (т. е. быть столь же стабильным, как и протон), отрицательный электрический и барионный заряды, отрицательную внутреннюю четность и равный по значению, но противоположный по направлению магнитный момент. Аналогично должна существовать частица, зарядово-сопряженная нейтрону, антинейтрон с такими же, как у нейтрона, массой, спином и временем жизни, с нулевым электрическим зарядом, с отрицательным барионным зарядом и внутренней четностью и с магнитным моментом, равным по значению магнитному моменту нейтрона, но направленным противоположно. При встрече нуклона с антинуклоном должен происходить процесс их взаимной аннигиляции, т, е. превращение в другие частицы. В процессе аннигиляции выделяется огромная энергия, равная удвоенной энергии покоя которая переходит [c.112]

Частица массы т, несущая заряд отрицательного электричества е, вступает в однородное магнитное поле напряжения Я со скоростью Vq, псрпендикулярной направлению напряжения поля. Определить траекторию дальнейшего двилщния частицы, зная, что на частицу действует сила F = — (г X Я). [c.212]

Частица массы т, несуш,ая заряд отрицательного злектричества е, вступает в однородное магнитное поле напряжения Н со скорсстью Го, перпендикулярной направлению напряжения поля. Определить траекторию дальнейшего, дпижения частицы, зная, что на час- Q— тицу действует сила F = — e(vXH). [c.212]

На рис. 7.41 приведена только половина известных барионов. Имеется еще точно такое количество антибарионов — частиц с такими же массами и спинами, но с противоположными зарядами всех видов. Антибарионы получаются при столкновениях нуклон — нуклон достаточно высоких энергий. К настоящему времени получены антипротон, антинейтрон и несколько антигиперонов. Однако существование всех остальных антибарионов не вызывает сомнений. Времена жизни барионов и соответствующих антибарионов совпадают. Поэтому, в частности, антипротон сам по себе стабилен. Однако, сталкиваясь с атомом какого-либо вещества, антипротон притягивается ядром (его электрический заряд отрицательный ) и аннигилирует в нем. При аннигиляции нуклона с антинуклоном рождается несколько пионов (в среднем около пяти). [c.371]

Вентильный фотоэффект. При облучении полупроводника, содержащего электронно-дырочный переход, помимо изменения проводимости нередко возникает разность потенциалов на электродах. Один из электродов, на который надаёт лучистый поток, должен быть полупрозрачным. Появление этой разности нотенциалов обязано так называемому вентильному- ютоэффекту. В результате поглощения лучистой энергии в полупроводнике образуются новые фотоэлектроны и фотодырки. Фотоэлектроны, оказываясь в зоне действия контактного поля, перебрасываются им в область/г. Аналогичные процессы переброса претерпевают дырки. В результате этого электрод на -области зарядится отрицательно, а прилегающий к дырочному полупроводнику электрод зарядится положительно. Таким образом, вентильный эффект можно рассматривать как появление избыточной концентрации электронов в -области и дырок в р-области, появившихся под воздействием лучистой энергии. Рост концентрации электронов в п-области и концентрации дырок во второй р-области будет постепенно замедляться, так как одновременно начнет увеличиваться создаваемое ими поле обратного направления, препятствующее переходу неосновных носи-, телей заряда через запорный слой в конце концов установится равновесная концентрация зарядов и соответствующая электродвижущая сила. На этом принципе основаны источники тока, непосредственно преобразующие энергию солнца или атомного ядра в энергию электрического тока — солнечные и атомные батареи., [c.180]

Коллоидные Р. глинистых минералов, подобных монтмориллониту, обладают свойством тиксотропии, а именно при механич. размешивании Р. представляет собой жидкость, а в состоянии покоя — гель. Трёхмерный каркас монтмориллонитовых гелей образован крис-таллич. алюмосиликатными пластинками (диаметром в неск. сотен нм, толщиной ок. 1 нм), несущими заряды — отрицательные на поверхностях и положительные на торцах. В геле соседние пластинки могут быть ориентированы как параллельно друг другу (т. н. плотные контакты в этом случае расстояние между ними определяется балансом электростатических, ван-дер-ва-альсовых и гидратационных сил рис. 21), так и пер- [c.293]

Механизм электрокинетических явлений связан с образованием двойного электрического слоя на границе раздела фаз. Знаки зарядов твердой и жидкой фаз могут быть разлхгчны и зависят от их природы, однако чаще всего твердая фаза заряда отрицательного знака. По современным представлениям наружная, относящаяся к жидкости, сторона двойного слоя имеет диффузное строение с постепенным убыванием плотности избыточных зарядов (ионов) при удалении от границы твердой фазы. Это связано с наличием взаимодействия между электростатическими силами и силами молекулярного теплового движения в растворе. Ионы, непосредственно прилегающие к твердой фазе (адсорбционный слой), обычно не передвигаются при электрокинетических эффектах вследствие- [c.105]

Такой амфотерный ионит в кислой среде образует отрицательно заряженную ионную атмосферу, составленную подвижными анионами, окружающими положительно зарянгенную твердую фазу, а в щелочной среде, наоборот, твердая фаза зарядится отрицательно, образуя у своей поверхности положительно заряженное облако подвижных катионов. [c.480]

Реакция (I) соответствует коррозии свинца в серной кислоте или процессу разрядч= заряд отрицательной пластины. При коррозии без поляризации от посторониего источника тока на границе [c.321]

Электрон (ele tron) — неделимая единица заряда отрицательного электричества, вращающаяся по определенным орбитам вокруг положительного ядра каждого атома. [c.26]

Конвейер с окрашиваемыми деталями заземлен и поэтому детали в электрическом поле вблизи от отрицательных зарядов корони-рующих электродов получают положительный заряд. При этом положительные ионы направляются к отрицательно заряженным проволокам, а отрицательные — к заземленной окрашиваемой детали, которая в электрическом поле приобретает наведенный положительный заряд. Отрицательные ионы на своем пути поглощаются частицами распыленной краски и придают им отрицательный заряд. Заряженные частицы краски под действием электрического поля направляются к окрашиваемой детали и осаждаются на ее поверхности равномерным слоем. Равномерность слоя краски обусловливается одинаковой полярностью заряженных частиц, стремящихся оттолкнуться друг от друга и равномерно распределиться в зоне электрического поля. Окрашивание деталей в электрическом поле с воздушным распылением краски дает экономию в расходовании лакокрасочных материалов до 40—50% по сравнению с обычным способом окраски пульверизацией. Окрашивание в электрическом поле применяется на автозаводах для окраски радиаторов, рессор и других узлов и деталей. [c.382]

Главную трудность в постройке электро-пылеочистительных устройств представляет поддержание постоянного заряда отрицательного электрода. Применяемое напряжение в 40—200 тыс. вольт требует хорошей изоляции, а для безопасности в обращении пассивные электроды требуют надежного заземления. По мере осаждения пыли на положительных электродах изменяется величина Л, с одной стороны, и появляется опасность разрыва диэлектрика, с другой стороны. Плотно закрытые пылью положительные электроды могут не проводить ток, так как. слой мелкой пыли обычно является более сильным изолятором, чем самый газ. Поэтому по мере осаждения пыли ее удаляют встряхиванием, отстукиванием молотками или сдуванием струей газа. Для предохранения всего устройства от повреждения при оротком замыкании делают специальные приспособления, напр, автоматические выключатели и т. п. [c.331]

Возникающие под действием коронирующе-го разряда отрицательные ионы сталкиваются с частицами золы и заряжают пх. Эти частицы, зарядившиеся отрицательно, двигаются к положительным осаждающим электродам и прилипают к ним. Частицы, зарядившиеся положительно, двигаются и прилипают к корони-руюн им электродам. Так как под влиянием коронирующего разряда большинство частиц золы заряжается отрицательно, то основная часть золы плотным слоем отлагается а осаждающих электродах и очень небольшая часть на короиирующих. [c.399]

Осаждение пыли электрическим путем. Этот способ широко распространяется в заграничной практике и введен в нек-рых производствах такше и у нас как непременная технологич. стадия (сернокислотное производство). Однако применение его для очистки приточного воздуха едва ли когда-либо практиковалось. Скорее он может рассчитывать на применение при очистке от пыли извлекаемого воздуха, если осаждаемая пыль представляет собой некоторую ценность. Сущность способа состоит в следующем одним из двух электродов электризуются пылевые частички вторым — поверхности, привлекающие пыль. Первый имеет вид проволоки, несущей отрицательный заряд, второй — поверхности, расположенной на некотором расстоянии от первого и несущей положительный заряд. Отрицательные ионы, образующиеся около проволоки, заряжают частички воздуха и пылинки, находящиеся в электрич. поле между электродами и получающие под действием электрич. поля вторую слагающую скорости по направлению к осаждающей поверхности. Чем полнее д. б. очистка воздуха, чем менее пылинок должно остаться в нем, тем длительнее д. б. воздействие электрич. поля на увлекаемые воздухом пылинки. Эта длительность определяется эмпирически для каждого вида пыли чаще всего процесс занимает 2—3 ск. Для пылеосажде-ния обычный трехфазный ток трансформируется до 40 000—200 ООО V, а затем выпрямляется в пульсирующий постоянный ток. Операция могла бы производиться и на переменном токе, но при больших скоростях воздуха, а следовательно и пылинок, постоянный ток дает лучшие результаты. По характеру осаждающих электродов можно отметить [c.264]

Согласно теории Мотта и Кабреры, скорость переноса электронов через окисный слой путем туннельного эффекта велика по сравнению со скоростью переноса ионов. Слой окисла при этом с двух сторон ограничен поверхностными зарядами (отрицательным на границе металл-газ и положительным на границе металл окисел), между которыми образуется однородное электрическое поле. Контролирующей стадией суммарного процесса окисления по Мотту и Кабреру является перенос ионов металла под влиянием электрического поля при высоком градиенте потенциала. Эта теория позволяет получить обратный логарифмически закон роста пленки [c.35]

Как известно, примесные полупроводники бывают двух тииов -тина с электронной проводимостью, в которых носители заряда — отрицательно заряженные электроны, и / -типа> где носители заряда — положительно заряженные дырки. В области контакта полупроводников двух типов (р—п-переход) потенциальная энергия носителей ведет себя, как показано на рис. 17.10, а. Потенциа. электронов в р-области выше, чем в п-области, у дырок — наоборот, поэтому возникает потенциальный барьер, препятствующий прохождению носителей через переход. Если к переходу приложить электрическое напряжение в прямом направлении (плюс — к р-области, минус — к п-области), то высота барьера снижается [c.266]

С трудом проникают анионы считают, что если материал пленки содержит ионизирующиеся группы, такие как — СООН (которые могут присутствовать даже в полистироле), пленка может приобрести заряд, отрицательный по отношению к воде, в результате чего продвижение анионов тормозится и создаются затруднения к проникновению электролита к поверхности металла. Детально см. работу Мэйна [20]. [c.501]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...