Другие кристаллические матрицы

Другие кристаллические матрицы [c.339]

Движение дислокаций в сплаве, упрочненном когерентными выделениями, определяется [141] полями искажений кристаллической решетки в окрестности когерентных выделений (зон), различием упругих констант и энергией дефектов упаковки выделения и матрицы, увеличением поверхности зоны при срезе частицы, взаимодействием между дислокациями и вакансиями (образование перегибов) и другими факторами. [c.71]

Критическая концентрация хрома, необходимая для пассивации, определяется соотношением между легирующими элементами сплава и активностью коррозионной среды. К факторам, понижающим сопротивление коррозии аморфных сплавов, относятся все процессы, усиливающие химическую неоднородность, а именно появление флуктуаций химического состава разделение исходной аморфной фазы на две другие аморфные фазы или фазы с другим химическим составом переход аморфной фазы на двух- или многофазную смесь кристаллов разного химического состава или образование кристаллической фазы того же химического состава, что и окружающая матрица [495]. [c.303]

При матричной записи ориентационных соотношений теряется наглядность стереографической проекции, но достигается легкая воспроизводимость на любой стереографической проекции. В случае кубической симметрии обеих кристаллических решеток матрицу Т можно рассматривать н как матрицу преобразования координат при переходе от одной кристаллической решетки к другой. Это позволяет рассчитать, какой вектор (направление) новой решетки окажется параллельным произвольному вектору (направлению) исходной решетки. Расчет проводится по матричной формуле [c.34]

Двойникование - образование в монокристалле областей с измененной ориентацией кристаллической структуры при помощи зеркального отражения структуры материнского кристалла (матрицы) в определенной плоскости - плоскости двойникования (рис. 1.21), поворота вокруг кристаллографической оси - оси двойникования, либо другого преобразования симметрии. Матрицу и двойниковое образование называют двойником. Он может возникнуть при кристаллизации, деформации кристалла или при полиморфном превращении. [c.40]

Кристаллические фазы принято делить на два основных вида твердые растворы и промежуточные фазы. Твердые растворы -многокомпонентные кристаллические фазы, при образовании которых сохраняется кристаллическая решетка одного из компонентов - растворителя. Твердые растворы - кристаллические фазы переменного состава, т.е. элемент-растворитель (матрица, основа) может растворить различные количества других элементов. [c.60]

Перемещение углерода в участке сплавления и образование в нем химической и структурной неоднородности, способной ухудшить свойства сварных соединений, может быть следствием ряда причин. Основная причина — различие термодинамической активности углерода в растворах, находящихся в сварном контакте сталей. Могут быть еще и другие частные причины диффузионного перемещения. Однако они обусловлены указанной главной. Упомянутыми частными причинами могут быть 1) разность концентраций углерода в контактирующих сталях на основе однотипной по кристаллической природе матрицы (контактируют стали на основе а-раствора или стали на основе 7-раствора) 2) разница в пределах растворимости углерода в твердых растворах контактирующих сталей (аустенит и феррит) 3) образование химических соединений в стали, куда перемещается углерод, и стимулирование за счет этого дальнейшего протекания реакционной диффузии. Каждое из приведенных трех явлений связано с различием показателей термодинамической активности углерода в контактирующих растворах. [c.298]

По аналогии с точечными, линейными и поверхностными дефектами можно наметить группу объемных дефектов. Объемные дефекты согласно классификации не являются малыми во всех трех измерениях. К ним можно отнести скопления точечных дефектов типа пор, а также системы дислокаций, распределенных в объеме кристалла. Другими словами, благодаря наличию в кристалле точечных, линейных и плоских дефектов кристаллическая решетка может отклоняться от идеальной структуры в больших объемах кристалла. Кроме того, к объемным дефектам, например в монокристалле, можно отнести кристаллики с иной структурой или ориентацией решетки. В структуре кристалла будут значительные различия между центром дефекта и матрицей, а в матрице возникнут смещения атомов, убывающие с удалением от ядра дефекта. Таким образом, наличие фаз, дисперсных выделений, различных включений, в том числе неметаллических, неравномерность распределения напряжений и деформаций в макрообъемах также относятся к объемным дефектам. [c.42]

Керамики из глины и глиносодержащих материалов известны очень давно, это кирпич, черепица, фарфор, фаянс. Однако в настоящее время для нужд ряда отраслей промышленности синтезируют еще и множество других керамических материалов со специальными физико-химическими свойствами диэлектрики и полупроводники, огнеупорные, кислотоупорные, пьезоэлектрические, ферромагнитные и др. Некоторые изделия из таких материалов требуют расчетов не только на кратковременную, но и на длительную прочность. Значительную роль в производстве режущего инструмента играют высокопрочные керамики в виде мелких кристаллических зерен, связанных металлической матрицей. Подобные керамики считаются перспективными как конструкционные материалы [90, 104]. Существуют и другие виды керамических материалов, набор которых все время возрастает. Иногда к ним относят также цемент и бетон. [c.38]

Магнитные материалы. На рис. 3.19 — 3.21 приведены данные, иллюстрирующие влияние размера кристаллитов на магнитные свойства материалов различных типов. В последние годы благодаря изучению свойств наноматериалов, полученных контролируемой кристаллизацией из аморфного состояния, японскими учеными был открыт новый класс магнитомягких материалов с высоким уровнем статических и динамических магнитных свойств по сравнению с аналогичными по назначению кристаллическими и аморфными сплавами. Это сплавы на основе Ре —81 —В с небольшими добавками N6, Си, 2г и некоторых других переходных металлов (например, Р1пете1 в Германии сплавы этого типа называются Витроперм ). После закалки из расплава эти сплавы аморфны, а оптимальные параметры достигаются после частичной кристаллизации при температуре 530 —550 °С, когда выделяется упорядоченная нанокристаллическая фаза Ре —81 (18 — 20) % с размером частиц около 10 нм. Объемная доля наночастиц в аморфной матрице составляет 60 — 80 %. Сплавы обладают низкой коэрцитивной силой (5— 10 А/м) и высокой начальной магнитной проницаемостью при обычных и высоких частотах при малых потерях (200 кВт/м ) на перемагничивание, что обеспечивает их широкое применение в электротехнике и электронике в качестве трансформаторных сердечников, магнитных усилителей и импульсных источников питания, а также в технике магнитной записи и воспроизведения и т.д., обеспечивая значительную миниатюризацию этих устройств и стабильную работу в широком диапазоне частот и температур. Мировой выпуск сплавов оценивается на уровне 1000 т в год [39]. [c.162]

Геометрически плотно упакованные (г.п.у.) фазы имеют формулу А3В, где А — атом меньшего размера фаза образует в аустенитной г.ц.к. матрице когерентные выделения, обладающие упорядоченной кристаллической структурой. В никелевых суперсплавах основной упрочняющий агент— зг -фаза, Nij A Ti). В современных высоколегированных никелевых сплавах выделения этой упорядоченной фазы могут содержать и другие элементы. Ni может замещаться Со, Fe и в малой степени Сг. Ti и А1 замещаются Сг и тугоплавкими элементами. У никелевых сплавов, применяемых в настоящее время и содержащих наибольшую объемную долю зг -фазы, температура сольвус для зг -фазы может достигать 1204°С. Анализ свойств и поведения этой важнейшей фазы более плотно и подробно изложен в гл.4. [c.191]

При определенных температурах нагрева композиции перед прессованием и определенных режимах этого процесса границы между частицами алюминия исчезают и полученный по такой технологии модифицирующий пруток можно считать композиционным материалом. Такие прутки выполняют роль носителя модификатора — при их введении в расплав алюминиевая матрица расплавлялась и частицы НП оказывались в объеме жидкого металла, минуя контакт с атмосферой. Экспериментально установлено, что независимо от химиче-ското состава НП, их кристаллической системы и класса, элементов симметрии, пространственной группы, структурного типа, периода решетки, плотности, температуры плавления и других рассмотренных параметров все они обладали близким модифицирующим эффектом. Как показали результаты исследований, зарождающая способность частиц НП определяется самой технологией изготовления модифицирующих композиций — совместным прессованием частиц алюминия иНП и способом их введения в расплав. В результате прессования исключительно твердых частиц НП в контакте с алюминием, обладающим высокой пластичностью, происходят его нагрев и дополнительное повышение характеристик пластичности, при этом на поверхности частиц образуется монослой алюминия, который впоследствии и служит подложкой для наращивания кристаллического материала при охлаждении и затвердевании металла. [c.261]

Лазерные кристаллы АИГ-Nd получают путем добавления в исходный состав чистого кристалла АИГ (смесь окиси иттрия — Y2O3 и окиси алюминия — А12(Оз) определенного количества окиси l eoдимa МёгОз- Трехвалентные ионы неодима, входя в матрицу чистого кристалла АИГ, замещают ионы иттрия. Поскольку ионы иттрия (как и алюминия) являются положительными трехвалентными, то указанное замещение не требует дополнительной зарядовой компенсации (за счет специальной примеси). Радиусы же замещаемых ионов оказываются несогласованными, что приводит к объемной деформации кристаллической решетки чистого кристалла АИГ (радиусов ионов неодима около 1,04 А) несколько превышает радиус ионов иттрия (0,92 А). Этот факт ограничивает допустимую концентрацию ионов неодима в кристаллах АИГ. Объемная компенсация деформаций кристаллической решетки и соответственно устранение указанного ограничения могут быть достигнуты дополнительным введением в матрицу АИГ ионов другого металла, имеющих меньший радиус, чем ионы неодима, например ионов лютеция Lu + (радиус около 0,86 А) [24, 25]. [c.11]

Основными требованиями, предъявляемыми к лазерной матрице, помимо не рассматриваемых здесь характеристик кристаллического поля, которые обусловливают особенности механизма создания и высвечивания инверсной заселенности, являются следующие лазерная матрица (как легированного, так и стехиометриче-ского лазера) независимо от того, является ли она монокристалли-ческой, поликристаллической или стеклофазной, должна обладать достаточно хорошими оптическими, механическими и теплофизи-ческпми свойствами. Они необходимы для обеспечения весьма жестких требований длительной эксплуатации. Желаемыми свойствами лазерных матриц являются высокая твердость, химическая инертность, отсутствие внутренних напряжений, высокая оптическая однородность (с локальными вариациями показателя преломления менее 10 ), стойкость к порождению центров окраски при воздействии излучения накачки и собственного излучения. Все это должно сочетаться с высокой технологичностью, обеспеченностью сырьем и конкурентоспособными экономическими показателями. Сказанное необходимо дополнить обязательностью оптимального кристаллохимического согласования активируемого примесного иона с характеристиками вмещающей матрицы во избежание сегрегации, напряжений и других нежелательных последствий. [c.231]

Подчеркнем возможность использования технологии Ленгмю-ра —Блоджетт [97, 98] для получения ацентрических волноводных структур с заданным профилем рефракции. Одновременно укажем, что все сформулированное выше относительно перспективности для интегральной оптики органических кристаллических пленок полностью справедливо и для виртуальных эпитаксиальных систем на основе матриц типа НАБ, НПП и других, перечисленных в табл. 7.17. Эти вопросы будут детальнее рассмотрены в гл. 8. [c.251]

Согласно Гуденафу [168], зародыши перемагничивания могут возникать на несовершенствах кристаллической решетки, среди которых основную роль играют границы зерен или пластинчатые выделения. Возможная роль пластинчатых выделений как зародышей перемагничивания была рассмотрена Глотовым [171], который оценил критические размеры этих выделений и высказал предположение, что они связаны с образованием а-РегОз. В более поздней работе Гуденаф [172] показал, что Другие несовершенства структуры, благоприятствующие образованию зародышей обратной намагниченности, — кластеры беспорядочно распределенных магнитных неоднородностей. При этом кластеры сохраняют шпи-нельную структуру, разница в намагниченностях насыщений кластеров и матрицы не превышает 2%, объем кластерной фазы должен составлять /ш от объема матрицы. [c.139]

Таким образом, процессы отбора прикроете кристаллов в слое насыщения требуют для своего развития пространственной свободы . Границы зерен ограничивают объем материала, в котором происходит отбор. В мелкозернистом материале рост кристаллов новой фазы (карбида молибдена) происходит практически независимо в каждом зерне. Такая закономерность фазо- и кристаллообразования npfa получении диффузионных слоев показывает, что текстурообразование в них зависит от структурного состояния матрицы, а не только от обычно учитываемых параметров (температуры, состава среды и т.п.). К числу наиболее существенных отличий условий роста диффузионных покрытий следует отнести первое значительно большая плотность среды, в которой растут кристаллы второе — упорядоченное расположение атомов среды (кристаллическая решетка) третье - атомы среды взаимодействуют друг с другом, что ограничивает их подвижность четвертое — рост совокупности кристаллов происходит в результате диффузии атомов через растущую совокупность кристаллов. [c.116]

Как и следовало предполагать, частотное положение компонентов давыдовского дублета полосы колебания V4 HGlg не меняется в различных матрицах, несмотря на резкое отличие их друг от друга.i Остается неизменной также и величина резонансного расщепления дублета, которая составляет в среднем 16 см и в пределах ошибок определения частот совпадает с величиной расщепления в чистом кристаллическом GHGI3. Однако относительная величина компонентов дублета полосы V4 HGI3 изменяется от матрицы к матрице, и, как видно из рис. 1—3, довольно заметно. По-видимому, сильнее всего различаются интенсивности комно- [c.241]

Как мы уже видели в гл 3 и 4, для сплавов, упрочненных частицами (в основном, композитов), характерны, с одной стороны, высокие и часто зависящие от температуры значения кажущейся энергии активации ползучести Qp, а с другой стороны, — большие величины параметра т чувствительности к напряжению скорости установившейся ползучести. Поэтому вряд ли могут быть сомнения в том, что скорость ползучести сплавов, упрочненных выпадающими частицами, и дисперсных композитов контролируется процессами, зависящими от диффузии при низких напряжениях, недостаточных для про-давливания дислокаций между частицами, дислокации преодолевают частицы переползанием, тогда как при достаточно высоких напряжениях частицы преодолеваются по механизму Орована (продавливание дислокаций между частицами). При определенных условиях могут доминировать проскальзывания по границам зерен или диффузионная ползучесть. Преодолевать частицы их перерезанием дислокации могут только при совершенно специфических условиях, а именно частицы не только должны быть когерентны с матрицей, но и должны иметь одинаковую с матрицей кристаллическую структуру, а параметр решетки частиц фазы должен лишь незначительно отличатьбя от параметра решетки матрицы. Эти условия следуют из правила постоянства вектора Бюргерса вдоль линии дислокации. [c.156]

Очевидно, что и другие примеси в матрице, в том числе сами изолированные частицы, могут вызывать аналогичный (по крайней мере локальный) эффект. Это приводит к тому, что некоторые микрокристаллиты обладают гексагональной, а иные - кубической структурой. Рентгеноструктурный анализ, дающий информацию о кристаллическом строении образца в целом, недостаточно чувствителен для того, чтобы обнаружить локальные нарушения структуры, которым соответствует менее 1% объема образца. [c.20]

По-видимому, карбиды и бориды в них химически нестойки [72], поэтому предложенные в работе [126] режимы не будут стабильными в течение продолжительного времени из-за изменения ионного состава раствора и количества дисперсной фазы. Не обосновано, как и в случае получения поликомпозиционных покрытий на основе никеля, высказывание автора об особой роли кристаллической структуры вещества II фазы в определении состава и свойств получаемых КЭП, а также выхода по току. Оценка свойств указанных КЭП, к сожалению, неполная из-за отсутствия данных по вещественному составу поликомпозиционных покрытий, по свойствам матрицы и другим показателям. Указывается (без приведения цифровых данных), что МоЗг понижает выход по току железа, а другие частицы повышают ее. [c.185]

Одним из основных путей развития современного полимерного материаловедения является нахождение способов создания материалов, обладающих заданным, часто необычным, сочетанием свойств. Это достигается структурным модифицированием существующих широко распространенных полимеров. Для конструкционных термопластов важнейшей задачей является создание материалов, сочетающих технологичность термопластичных полимеров с достаточно высокой жесткостью, теплостойкостью, статической прочностью и устойчивостью к ударным нагрузкам. Такое сочетание свойств реализуется в высококристаллических полимерах II и III групп (см. гл. I), структура которых в температурном интервале < Топ представляет собой жесткую кристаллическую фазу с небольшим объемом эластичной аморфной фазы. Большинство аморфных или аморфно-кристаллических полимеров с низкой степенью кристалличности, эксплуатируемых в стеклообразном состоянии (полимеры I группы), обладает низкой или нестабильной устойчивостью к ударным нагрузкам, особенно при наличии концентраторов напряжений. Это в первую очередь относится к таким технически важным полимерам, как полистирол, полиметилметакрилат, поливинилхлорид. Повысить ударную прочность таких полимеров без резкого снижения других показателей удается диспергированием в них небольшого количества эластичных полимеров, образующих эластичную дисперсную фазу в жесткой стеклообразной матрице термопластичного полимера. Такие гетерофазные термопластичные полимерные материалы получили название эластифицированных (ударопрочных) термопластов. [c.151]

Поэтому при наличии в стали хрома коррозия практически не развивается. Главный фактор коррозионной стойкости стали - однородность твердого раствора хрома в железе, отс)т ствие его соединений с углеродом и другими элементами, приводящих к локальному обеднению стали хромом и создающих границы раздела между фазами с дефектными участками кристаллической решетки, где у атомов железа ослаблены межатомные связи. Так, образование карбида хрома СггзСб, содержащего 94 % Сг, обедняет окружающую матрицу с [c.51]

Уравнение (5.74) в связи с этим может быть наглядно истолковано следующим образом (рис. 1.29). Эффективная среда, окружающая данный МТ-потенциал (в случае кристалла — кристаллическая решетка), рассматривается как некоторый рассеиватель. Этот рассеиватель несферичен, так как матрица фазовых сдвигов недиагональна. МТ-потенциал в данном случае оказывается сферически-симметричным рассеивателем. Условие того, чтобы электрон, испытавший рассеяние на одном из этих рассеивателей, не рассеивался на другом, т. е. условие совнаде- [c.214]

Рассмотрим область кристаллической решетки, содержащую меченый атом, и определим множество I конфигураций меченый атом—дефект, где 1=, ...,М М г. Пусть дефект переходит от одной конфигурации к другой с вероятностью Л /. Здесь величина Ац означает вероятность перехода дефекта из конфигурации тнпа I в конфигурацию типа / за один скачок. В целях общности подхода мы будем использовать матрицу Л, транспонированную к рассматриваемой ранее. Исключим нз матрицы А переходы меченого атома. Важно только, чтобы в числе М конфигураций были учтены все конфигурации, в которых возможен скачок меченого атома. Более того, зеркально-симметричные конфигурации, в которых возможны как а+, так и а скачки меченого атома, должны учитываться в матрицах А и Р дважды первый раз — для скачка в положительном направлении и второй раз — для скачка в отрицательном направлении. К тому же на величину Ац влияет ориентация скачка относительно направления внешнего поля. Введем в рассмотрение (гХЛ1)-матрицу R, задающую начальные вероятности и (МХг)-матрицу С , элементы которой 0 представляют собой вероятности того, что прн следующем скачке дефекта конфигурация типа / может вызвать а-скачок меченого атома. Таким образом, величины (3 оказываются чувствительными к изменению направления внешнего поля. Тогда будем иметь [c.195]

Изучение статистической механики требует от читателя активного овладения ее довольно абстрактными методами, особенно методом вторичного квантования, что служит серьезным препятствием для начинающего. В предлагаемьх лекциях Фейнмана изложению общей теории почти всегда предшествует подробное решение простых конкретных задач, что заметно облегчает усвоение теории. Например, проведенное в гл. 1 рассмотрение системы гармонических осцилляторов, равновесного теплового излучения, дебаевской теории кристаллической решетки позволяет более естественно подойти в гл. 6 к обсуждению формализма вторичного квантования. Изложение теории матрицы плотности иллюстрируется на простых задачах, в которых проводится явное построение матрицы плотности для простых систем. Эти примеры, с одной стороны, помогают читателю лучше освоиться со сложным понятием матрицы плотности, а с другой — оказываются полезными в гл. 3 при рассмотрении метода интегралов по траекториям в применении к задачам квантовой статистики. Подобная тесная связь между различными разделами характерна для всей книги. Большое внимание в лекциях уделено методу функционального интегрирования, который обычно [c.5]

Когда энергия, необходимая для создания поверхности раздела фаз, относительно велика, процесс образования зародыша в основном определяется вторым членом А/ з уравнения общей свободной энергии фазовых превращений. Особенно это имеет место при небольших степенях переохлаждения (первый член / .РV мал). В этих условиях образование зародыша рвязано с необходимостью значительного искажения атомнокристаллической структуры на возникающей межфазной границе. Такие зародыши называются зародышами некогерентного типа. Они образуются преимущественно по границам зерен с большими углами разориенти-ровки, которые особенно характерны для металлов в рекристаллизован-ном состоянии, а также на свободных поверхностях и инородных включениях. Эти места являются наиболее выгодными потому, что обладают более высокими уровнем свободной поверхностной энергии и степенью искажений кристаллической решетки исходной фазы. Уменьшение размера зерен способствует увеличению числа возникающих зародышей и тем самым ускоряет превращение в целом. А. X. Коттрелл 16] отмечает, что по степени искажения (или неупорядоченности) атомной структуры эти границы и поверхность раздела между некогерентным зародышем и матрицей исходной фазы весьма напоминают друг друга. Возникновение некогерентных зародышей по границам зерен в сплавах облегчается еще и потому, что благодаря повышенной концентрации поверх-ностноактивиых легирующих элементов и примесей и более высоким коэффициентам диффузии атомов на границах (в сравнении с областями неискаженной решетки в зерне) повышается вероятность флуктуаций состава и сокращается время, необходимое для подхода атомов нужного сорта к зародышу. Экспериментально это доказано методом меченых [c.15]

По мере увеличения степени переохлаждения (в область достаточно низких температур) время, требуемое для перемещения атомов к возможным местам образования некогерентных зародышей, становится настолько большим, что не только рост, но и возникновение таких зародышей становится невозможным. Однако благодаря значительной отрицательной величине АРу в этих условиях в металлах получают развитие другие процессы, при которых удается избежать значительных затрат энергии на создание поверхностей раздела при образовании зародышей. Эти затраты резко снижаются, если оказывается возможным установление когерентного или полукогерентного соответствия кристаллических решеток зародыша новой фазы и матрицы исходной фазы на границе раздела. Возникающие зародыши новой фазы ориентируются относительно кристаллической решетки исходной фазы так, что в сопряжении оказываются кристаллографические плоскости фаз, строение и размеры которых наиболее близки друг к другу. При когерентном образовании и росте зародыша взаимная ориентировка кристаллических решеток фаз характеризуется наличием определенных взаимнопараллельных плоскостей и направлений. Например, при превращении y-Fea-Fe плоскость (И1) решетки уРе паралле.чьна плоскости (110) решетки a-Fe, а направление [110] решетки yFe параллельно направлению [111] решетки a-Fe. При превращении P-Ti -> a-Ti параллельными плоскостями являются (110) решетки P-Ti и (0001) решетки a-Ti, а направлениями — [111] решетки p-Ti и [1120] решетки a-Ti. [c.16]

Хром применяется для легирования большинства конструкционных, инструментальных, жаропрочных и других сталей и сплавов специального назначения. Известно, что хром, растворяясь в феррите до 30 % и аустените до 13 %, повышает прочностные свойства и твёрдость матрицы сплавов увеличивает стойкость карбидов типа РезС, (в которых он может растворятся свыше 23 %) против коагуляции и задерживает процесс снижения механических свойств при нагреве. Он способствует уменьшению износа прокатных валков режущего инструмента и штампов [116]. Введение хрома в сталь повышает силы межатомных связей в кристаллической решётке карбидов и феррита, однако рост величины этих характеристик отмечается нри увеличении содержания хрома только до 8%, а дальнейшее увеличение хрома (до 16 %) не приводит к усилению межатомных связей [99]. [c.44]

Рассмотрим правильную пространственную решетку, в узлах которой расположены атомы, имеющие электронные оболочки. Их внешние электроны при соответствующих условиях (в металлах) могут потерять свою индивидуальную принадлежность, образуя свободный электронный газ во всей системе в целом (такую возможность мы рассмотрели в гл. И1, 2, п. в)), внутренние же электроны пространственно локализованы — они связаны со своими узлами кристаллической решетки. Предположим для простоты (более сложные случаи рассматриваются аналогично), что имеется только один внутренний электрон в s-состоянии. Его не-скомпенсированный магнитный момент равен собственному моменту электрона и=ро, где p=e/i/2m — магнетон Бора, а о= =о(л ), д(у), 0 г)) —известные спиновые матрицы Паули. Так как мы не интересуемся какими-либо другими движениями данного t-ro атома, то будем определять внутреннее состояние i-ro узла решетки квантовым числом = 1. Взаимодействие магнитного момента .i, с внешним полем Н=(0,0, Я) изобразится как i/,=— ы,Н=—рЯо/. Взаимодействие же узлов друг с другом определится главным образом не прямым спин-сниновым взаимодейст- [c.667]

ПОЛЯРОИД (поляризационный светофильтр), один из осн. типов оптич. линейных поляризаторов представляет собой тонкую поляризац. плёнку, заклеенную для защиты от механич. повреждений и действия влаги между двумя прозрачными пластинками (плёнками). Плёнки П. обладают л и-нейным дихроизмом (см. Плеохроизм), т. е. неодинаково поглощают две линейно поляризованные перпендикулярно одна к другой составляющие падающего на них света оптическое излучение с любыми поляризац. хар-ками всегда можно преобразовать в совокупность таких составляющих см. Поляризация света). Различие в поглощения показателях П. для этих составляющих столь велико, что при типичной толщине плёнки - 0,05—0,1 мм одна из них поглощается практически полностью, а другая, лишь несколько ослабляясь, проходит через П. Поляризующие среды П. могут быть кристаллическими (плёнки-монокристаллы или множество мельчайших кристалликов, одинаково ориентированных и впрессованных в полимерную плёнку-матрицу) но чаще их действие обусловлено дихроизмом органич. молекул полимера, пространственно однородно-ориентированных. Ориентацию осуществляют с помощью растяженйя, сдвиговых деформаций [c.578]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...