Кристаллический материал

Учитывая это, для идеального кристаллического материала уравнение (10) можно записать так [c.21]

Упругие модули границы. Если предположить, что упругие модули границ (межзеренной области) отличаются от упругих модулей идеального кристалла, то эффективные модули поли-кристаллического материала будут комбинацией упругих модулей кристаллической матрицы и границ, и если объем, занимаемый границами, существен, то это может привести к заметному изменению эффективных модулей. Грубую оценку сверху для упругих модулей границ зерен можно получить, используя приближение Ройса [288], т. е. считая, что эффективные упругие модули М такого композита можно записать в виде [c.173]

Уравнения (2) и (3) дают зависимость между плотностью дислокаций и, амплитудой пластической деформации Ёпл (напряжения Оа) и числом циклов N нагружения. Эти уравнения подобны уравнению (1) кинетики дислокаций для статического и квазистатического нагружений. Характерной особенностью кинетики размножения дислокаций при нарастающем квазистатическом нагружении является то, что образовавшийся источник сразу начинает работать, а число действующих источников определяется величиной пластической деформации. При воздействии знакопеременных напряжений малой амплитуды на кристаллический материал, дислокации в котором закреплены точечными дефектами, работа источников становится возможной только после отрыва дислокаций от точечных дефектов. Отрыв дислокаций от точечных дефектов может быть достигнут сразу при приложении достаточно большого напряжения или после определенного числа циклов знакопеременного напряжения малой амплитуды. Предполагается, что после отрыва потенциальных дислокационных источников от точечных дефектов процесс образования новых источников и размножение дислокаций происходят так же, как и при квазистатическом нагружении. [c.179]

Каменное литье (КЛ) — неметаллический неорганический кристаллический материал, получаемый кристаллизацией из расплава. Свойства каменного литья определяются его фазовым (минеральным) составом, в котором преобладают кристаллические фазы. [c.88]

Реально возможному диапазону изменения v соответствует достаточно узкий интервал изменения температуры поверхности разрушения. Поэтому можно считать, что на поверхности устанавливается некоторое постоянное значение Т температуры теплового разрушения термоизолятора (аналог температуры плавления кристаллического материала). [c.113]

Физические свойства. Теоретическая плотность алюминия, подсчитанная по параметрам его кристаллической решетки, равна 2698.72 кг/м . Экспериментальные значения для поли-кристаллического материала находятся в пределах от 2696,6 до [c.11]

На характере циклического деформирования суперсплавов с упрочняющей зг -фазой отражаются некоторые дополнительные виды деформации последней. В зависимости от ориентировки, у монокристаллов и у индивидуальных зерен поли-кристаллического материала можно наблюдать октаэдрическое или кубическое скольжение. При циклическом деформировании по схеме растяжение—сжатие у монокристаллической э -фазы [15] и у суперсплавов [16, 17] наблюдали анизотропию текучести для ориентировок, близких к <001> и <011>, а также продолжительное анизотропное упрочнение по "наиболее прочному" направлению. [c.344]

Система скольжения при пластической деформации в конкретном кристаллическом веществе характеризуется величиной минимального касательного напряжения, которое необходимо для начала скольжения. Это критическое напряжение сдвига которое не зависит от ориентации плоскости скольжения по отношению к приложенной нагрузке и является одной из фундаментальных характеристик кристаллического материала. [c.84]

При механическом воздействии (растяжении или сжатии цепочки) внешняя сила и отклонение Аг = г — Го иона от положения равновесия связаны нелинейной зависимостью. Вследствие асимметрии кривой и (г) относительно точки г = жесткость С = df/dr связи между ионами уменьшается при растяжении и возрастает при сжатии цепочки. Это соответствует аналогичному изменению модулей упругости кристаллического материала. [c.55]

Величина, обратная производной д да, характеризует относительное изменение жесткости кристаллического материала. Дифференцируя (2.6), получим [c.57]

Учет ангармонизма колебаний ионов и отклонения от центральности действия сил приводит к лучшему согласию между теорией и экспериментом, но теория существенно усложняется. Практически более целесообразным для описания упругого поведения кристаллического материала при механическом воздействии является экспериментальное определение совокупности необходимых характеристик. Реакцию кристаллического материала на тепловое воздействие также можно описать с помощью экспериментально найденных удельной теплоемкости, коэффициента линейного расширения и теплопроводности. [c.59]

Условия обработки кристаллического материала Рд. см- [c.93]

Каменное литье — искусственный кристаллический материал, обладающий высокими химической стойкостью и сопротивляемостью абразивному износу. [c.73]

Формула (4.74) имеет ту же структуру, что полуэмпирическое соотношение для предела трещиностойкости [57]. Для полной аналогии достаточно принять а = 2. Однако из анализа модели поли-кристаллического материала следует, что показатель а должен принимать большие значения. Влияние показателя а на критическое напряжение s иллюстрирует рис. 4.8. Графики построены с учетом условия (4.74) при / --s(л/) . В сущности, условие (4.74) — экстраполяция условия Гриффитса - Ирвина (4.71) в область малых [c.147]

Итак, приходим к выводу, что в чистых металлах ядра дислокаций не являются полыми, а построены из плохого кристаллического материала от бесконечных напряжений, следующих из теории, избавляются путем введения нелинейных упругих смещений. [c.184]

Костюк А.Г. О деформации и разрушений кристаллического материала при [c.358]

На рис. 11 приведены результаты для моно- и поликристал-лических образцов из высокочистого алюминия. Наиболее интересной особенностью этих кривых является то, что для поли-кристаллического материала объем активации меняется в тех же пределах и близок к средним значениям данных, полученных для монокристаллов. Это показывает, что один и тот же механизм контролирует деформации в монокристаллах и поликристаллах и распределение активационных барьеров в обоих случаях в основном одинаково. [c.123]

Для поли кристаллического материала с произвольно ориентированными кристаллическими осями продольная магнитострикция насыщения (измеренная параллельно направлению намагничения, т. е. =Pj) может быть получена из уравнения (28.8) [c.535]

Для поли кристаллического материала с произвольным распределением ориентации кристаллических осей из соотношений (28.3) можно получить линейную магнитострикцию в виде [c.535]

Зависимость вг от температуры Т. У неполярных диэлектриков Ъг слабо зависит от Т, уменьшаясь при повышении Т вследствие теплового расширения вещества, т. е. уменьшения количества поляризующихся молекул в единице объема вещества. Пример — рис, 2.20 (резкое изменение Sr на графике для парафина соответствует температуре плавления этого кристаллического материала, связанного со скачкообразным изменением плотности вещества). [c.28]

Смешанные (а м о р ф н о - к р и с т а л л и ч е с к и е) материалы — частично закристаллизованные аморфные. Частично кристаллическую структуру имеют многие полимеры. Стекло определенных составов при выдержке при повышенных температурах начинает кристаллизоваться благодаря образующимся мелким кристалликам оно теряет прозрачность, превращаясь в аморфно-кристаллический материал — ситалл. [c.9]

Целый ряд пластмасс по своему строению представляет аморфный или аморфно-кристаллический материал. Примером материалов аморфного строения могут служить полистирол, акриловое стекло и поливинилхлорид строение полиэтилена, полиамидов и фтористых пластмасс аморфно-кристаллическое. При нагревании аморфных пластмасс их механические свойства изменяются равномерно. Вблизи определенной температуры материал размягчается и становится пригодным для формовки в горячем состоянии. Иное положение у аморфно-кристаллических пластмасс. Здесь при одних температурах происходит размягчение или застывание аморфной составляющей, а при других — кристаллической. Таким образом, изменение механических свойств происходит вблизи температур, с которыми связано изменение состояния одной из составляющих. [c.64]

Известно, что дислокации являются "емкостью" (стоком) для вакансий в подповерхностной части I переходного слоя. Следовательно, сочетание их структуры со структурой разрыхленной зоны, включающей вакансии, является автогенерирующейся и автосохраняющейся системой дефектов в поверхностном переходном слое кристаллического материала. [c.302]

Реальный металл вблизи границы зерна может быть и упрочненным, и ослабленным (рис. 8, 9). Упрочненное состояние поли-кристаллического материала обусловлено искаженнием кристаллической решетки, вызванным действием атомов других металлов ослабление происходит из-за наличия микропустот, а также в результате сосредоточения легкоплавких составляющих и легких примесей, на границах зерен, т.е. кроме зерен основного мета1ла / на границах размещаются зерна инородного металла 2 (см. рис. 8, 9). [c.23]

Рассмотренные до сих нор теории пластичности основывались на гипотезах формального характера реальная структура поли-кристаллического материала и хорошо известная картина пластического деформирования кристаллических зерен при этом совершенно не принимались во внимание. Такой подход имеет свои преимуп] ества и недостатки. С одной стороны, обилие законы пластичности, сформулированные для нроизвольного тела безотносительно к его физической природе, позволяют охватить единообразным способом широкий круг явлений — пластичность металлов, предельное равновесие грунтов, хрупкое разрушение горных пород и бетона и так далее. Такая общность чрезвычайно подкупает действительно, экспериментатор с удивлением обнаруживает, что макроскопическое поведение тел самой разнообразной физической природы оказывается поразительным образом сходным. Оказывается, что это поведение егце более поразительным образом может быть приблизительно хорошо описано при помощи уравнений, полученных из некоторых априорных гипотез достаточно формального характера. Но при более детальном изучении опытных данных оказывается, что при внешнем глобальном сходстве обнаруживаются и различия в поведении разных материалов. Эти различия связаны с тем, что микромеханизмы не только неунругой, но даже упругой деформации не одинаковы. Поэтому естественно стремление к тому, чтобы положить в основу теории пластичности некоторые физические представления о протекании пластической деформации. Нужно признать, что мы еш е далеки от возможности построения макроскопической теории, основанной на анализе и описании процессов, происходящих на микроуровне. Теория скольжения Батдорфа и Будянского, которая будет схематически изложена ниже, отнюдь не может быть названа физической теорией. Однако положенные в ее основу гипотезы в определенной мере отражают процессы, происходящие внутри отдельных кристаллических зерен, хотя и не воспроизводят их точным и полным образом. Пластическая деформация единичного кристалла происходит за счет сдвига в определенной кристаллографической плоскости в определенном нанравлении. Совокупность плоскости скольжения и направления скольжения в этой плоскости называется системой скольжения. Система скольжения задается парой ортогональных еди- [c.558]

Графит — природный ископаемый кристаллический материал с содержанием углерода до 90% и выше с температурой плавления около 3900° С при свободном доступе кислорода и высокой температуре окисляется, давая в основном газообразные окислы СО и СО . Кристаллическая решетка графита имеет явно выраженную слоистую структуру, отличающуюся легким перемещением Слоев друг относительно друга. Твердость графита не велика и изменяется в зависимости от направления относительно кристаллографических осей решетки в 5 раз с лишним. Графит обладает крупнокристаллическим строением, что отличает его от мелкокристаллических углей, в частности от сажи, которая имеет особо мелкодисперсионное кр исталлическое строение. [c.264]

Травление поверхностей зерен выявляет различия в ориентировке зерен поликристаллического материала. Идеальным является такое состояние, когда существует негомогенное (неоднородное) рассеяние агрегата зерен, т. е. имеется разориентированность. В противоположность этому однородное отражение можно наблюдать при исследовании кристаллического материала, деформированного на холоду с большой степенью обжатия. Кристаллы, расположенные определенным образом к направлению приложения силы, получают одну и ту же ориентировку. С увеличением степени деформации доля периодического отражения уменьшается до полного его исчезновения. [c.28]

К наноструктурным материалам, согласно терминологии, принятой международным журналом Наноструктурные материалы ( NanoStru tured Materials ), относят кристаллические матери- [c.5]

Теоретическая модель. Реальный кристаллический материал даже после хорошего отжига содержит большую плотность дислокаций, которые закреплены различными по своей природе препятствиями. Причем препятствия можно разделить на сильные и слабые. К сильным препятствиям, например, относятся дислокационные узлы при пересечении дислокаций, кристаллические образования вторичных фаз, выпавших из твердого раствора, границы зерен и т. д. Отрезок дислокации, заключенный между двумя соседними препятствиями, будем называть дислокационной петлей. К слабым закреплениям можно отнести точечные дефекты (примеси, вакансии и меж-узельные атомы и т. д.), которые закрепляют дислокации по механизму Коттрелла, Судзуки или Сноека. Отрезки дислокации, заключенные между двумя соседними слабыми закреплениями, будем называть дислокационными сегментами. [c.165]

Поскольку основным структурным элементом любого графита являются кристаллиты, близкие к идеальным монокристаллам, их изменение легло в основу ряда теорий, предложенных для количественного описания процесса радиационного-изменения макроразмеров конструкционного графита. В ряде теорий выдвинута идея сопоставления размерного поведения монокристалла и поликристалла. Наиболее известными являются математические модели Симмонса [211, р. 559], Прайса и Бокроса [209]. Эти модели основаны на предпосылке о том, что графит представляет собой однокомпонентный кристаллический материал. Формоизменение графита определяется изменением размеров отдельных кристаллитов в направлении осей с и а. В этой связи следует рассмотреть сначала имеющиеся представления о радиационном изменении этих кристаллитов. [c.194]

Одним из важнейших показателей процесса, определяющим его длительность, является скорость просачивания, представляющая собой поток раствора через единицу площади поперечного сечения чана в единицу времени. Хорошей считается скорость просачивания свыше 50 л/(м--ч). При скорости просачивания ниже 20 л/(м -ч) применение перколяции нецелесообразно. Скорость просачивания зависит от многих факторов, из которых важнейшими являются природа цианируемого песка, его крупность и наличие в нем тонких фракций (илов). Кристаллический материал хорошо фильтрует раствор, даже при малых размерах частиц, если они более или менее однородны. Наоборот, аморфный материал слеживается плотным слоем и почти не пропускает раствор. Крупнозернистый песок при прочих равных условиях обладает большей скоростью фильтрации, чем мелкозернистый. При наличии в песке значительного количества илов последние забивают промежутки между крупными зернами, резко снижая скорость просачивания. [c.128]

О физике ползучести написано множество превосходных книг и статей. Однако из всех последних методологических трудов наиболее информативен и полезен труд Эшби [2], посвященный картам механизмов деформации. Различают шесть независимых способов, в соответствии с которыми поли-кристаллический материал может деформироваться, сохраняя свое строение. Во-первых — это бездефектное течение. Оно наступает, если превысить теоретическое сопротивление сдвигу. Остальные пять требуют наличия дефектов кристаллической структуры. Дислокации являются источником двух видов пластического течения дислокационного скольжения и дислокационной ползучести. Движение точечных дефектов вызывает течение, которое относится к двум другим независимым видам внутризеренному и околозернограничному течению. Шестой вид течения обусловлен двойникованием, обычно его значение для инженерных решений невелико. "Поля" механизмов деформации чистого никеля представлены на рис. 2.8, дающем в кратком обобщении изложение этой концепции. Поля нанесены на карту в координатах нормированного напряжения течения (напряжение отнесено к модулю [c.64]

Значение рассчитанной таким образом рентгенографической плотности кристаллического материала характеризует идеализированную кристаллическую рещетку с реальными параметрами. Справочные значения плотности кристаллических веществ, как правило, будут отличаться от рентгенографической в меньшую или большую сторону. Эта разница может быть вызвана наличием в реальных кристаллах примесей, дефектов кристаллической решетки, внутренних напряжений. [c.188]

Наибольшее распространение получили ХТС, используемые для стержней различных классов сложности при единичном и серийном производстве отливок. В число компонентов ХТС входят синтетические смолы (ОФ-1, ФФ-1Ф, ФФ-1СМ, УКС-Л, КФ-90, КФ-40 и др.) и катализаторы [бензосульфокислота (БСК) и ортофосфор-ная кислота (ОК)] БСК [хорошо растворимый в воде кристаллический материал (ТУ 6-14-25—74)1 используют в виде водного раствора плотностью [c.246]

При определенных температурах нагрева композиции перед прессованием и определенных режимах этого процесса границы между частицами алюминия исчезают и полученный по такой технологии модифицирующий пруток можно считать композиционным материалом. Такие прутки выполняют роль носителя модификатора — при их введении в расплав алюминиевая матрица расплавлялась и частицы НП оказывались в объеме жидкого металла, минуя контакт с атмосферой. Экспериментально установлено, что независимо от химиче-ското состава НП, их кристаллической системы и класса, элементов симметрии, пространственной группы, структурного типа, периода решетки, плотности, температуры плавления и других рассмотренных параметров все они обладали близким модифицирующим эффектом. Как показали результаты исследований, зарождающая способность частиц НП определяется самой технологией изготовления модифицирующих композиций — совместным прессованием частиц алюминия иНП и способом их введения в расплав. В результате прессования исключительно твердых частиц НП в контакте с алюминием, обладающим высокой пластичностью, происходят его нагрев и дополнительное повышение характеристик пластичности, при этом на поверхности частиц образуется монослой алюминия, который впоследствии и служит подложкой для наращивания кристаллического материала при охлаждении и затвердевании металла. [c.261]

Последнее время значительно возрое интерес к получению наноструктурных керамических материалов (размер зерна < 100 нм) с уникальными механическими свойствами. Низкотемпературная пластичность и повышенная по сравнению с монокристаллом твердость обнаружены у диоксида титана [6, 25] для диоксида тдиркония, стабилизированного оксидом иттрия, зафиксировано явление сверхпластичности [25]. Для объяснения эффекта сверхпластичности керамики были разработаны соответствующие модели как в рамках теории дислокаций, так и основанные на теориях фазовых превращений [12]. Предложена модель, основанная на представлении о том, что поли-кристаллический материал является, по существу, композитом, состоящим из материалов объема и границ зерен, и свойства такого материала формируются на основе свойств его компонентов согласно правилу смесей. Количественные оценки показали, что доминирующий вклад в свойства нанокерамического материала дают границы, а не объем зерен, что привело к новому пониманию роли состава, состояния и свойств межзеренной фазы [12]. [c.305]

I самый совершенный кристаллический материал из огромного мно-)бразия материалов, созданных когда-либо человеком или природой, [сокий уровень качества характерен и для ряда других хорошо осво-дых полупроводниковых материалов. Современная полупроводниковая дустрия - это яркий пример выдающихся достижений человеческой юли на пути развития мировой цивилизации, и ее дальнейший про-J связан с решением непрерывно усложняющихся научно-техничес-X задач. [c.39]

Если разрушение происходит после заметной по значению пластической деформации, то его называют вязким [39[. Вязкое разрушение растягиваемого образца кристаллического материала связано с уменьшением поперечного сечения и ростом истинных напряжений до тех пор, пока процесс равномерного неупругого деформирования перестанет быть устойчивым. Тогда у образца образуется шейка, в зоне которой возникает напряженное состояние типа всестороннего )астяжения, появляется трещина и происходит разрыв образца [27 ]. 1ри распространении трещины в металлах пластическая деформация локализована в зоне острого края трещины. Поэтому непосредственно процесс распространения трещины не приводит к заметному росту пластической деформации образца в целом. [c.116]

Ferroele tri — Сегнетоэлектрик. Кристаллический материал, который проявляет самопроизвольную электрическую поляризацию, гистерезис и пьезоэлектрические свойства. [c.956]

Semi ondu tor — Полупроводник. Твердый кристаллический материал, удельное электрическое сопротивление которого является промежуточным по величине между таковым у металла и у изолятора и составляет от 2-10 Ом до 2-10 Ом, обычно сильно зависит от температуры. [c.1038]

Если кристаллический материал находится под действием постоянной внещней нагрузки, то атомная решетка приспособлибается таким образом, чтобы было сохранено равновесие ме)кду силами, действующими извне, и внутриатомными силами. Приспособление атомной решетки макроскопич ски проявляется как деформация. Деформация ведет к сдвигам, которые можно измерить макроскопически, если они достаточно велики. Величины этих сдвигов завзйсят от размеров деформируемого тела. Поэтому нельзя непосредственно сравнивать сдвиги цри деформации различных тел, пока они не будут отнесены к некоторой единице измерения и, таким образом, преобразованы в безразмерные величины. В случае одноосного растяжения удлинение можно непосредственно вычислять как изменение длины в направлении действующей силы. Относительное удлинение часто называют относительной деформацией Е, отвечающей изменению начальной длины [c.9]

Сульфид кадмия (Сс15) — полупроводниковый кристаллический материал гексагональной структуры, молекулярного веса — 144,48. Плотность — 4,82 г/сл. Ширина запрещенной зоны Wo = 2,1 эв. Применяют для фоторезисторов. [c.254]

Титан является химическим элементом IV группы периодической системы элементов порядковый номер его 22, атомный вес 47,9. Температура плавления чистого титана 1665° С (1938° КЬ Он известен в двух состояниях в виде аморфного темно-серого порошка плотностью 3,39 г/сл Мг м ) и в кристаллическом состоянии плотностью 4,5 zj M Мг м ). Титан и сплавы на его основе, используемые в технике, представляют собой кристаллический материал. [c.90]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...