Электронно колебательная модель

О деталях расчета см., например, [П2-1].) Из первой формулы видно, что для наиболее интенсивного электронно-колебательного перехода фактор Франка — Кондона по порядку величины равен единице. Для ближайших соседних электронно-колебательных переходов [строки 2 и 3 в (П2-5)] появляется множитель, имеющий порядок величины и понижающий значение фактора Франка — Кондона. Для всех остальных переходов он еще гораздо меньше. Конечно, эти результаты сильно зависят от применяемой нами специальной модели. Но более общие расчеты и экспериментальные данные подтверждают следующее. [c.496]

Для наиболее интенсивных электронно-колебательных переходов фактор Франка — Кондона достигает значений порядка 1. (Но этот максимум не должен находиться, как в нашей модели, при Р/с = а/с-) [c.496]

Здесь значения / = 0, 1, 2,. .. соответствуют электронно-колебательным состояниям типов 2, П, А,. ... Уравнение (1,29) представляет собой результат применения векторной модели к колебательному и электронному движениям. Он ничем не отличается от результатов, которые получены ранее [c.32]

Наиболее чистым в настоящее время экспериментом можно считать моделирование тех или иных уравнений движения аналоговыми средствами. В связи с этим были проведены экспериментальные исследования на объекте, которым служила электронная модель, набранная на одной либо двух совместно работающих АВМ МН-18М. В качестве объектов исследования рассматривались модели колебательных механических систем с одной — пятью степенями свободы, причем изучались линейные и нелинейные объекты. [c.51]

Модель идеального кристалла предполагает правильное, закономерное расположение в пространстве положительных ионов, совершающих колебательное движение относительно некоторых положений равновесия и окруженных общими коллективизированными электронами (см. гл. I). [c.36]

Основной частью движущего механизма служит электродвигатель. Чаще всего для вращения диска используют асинхронные однофазные электродвигатели переменного тока или конденсаторные электродвигатели, реже синхронные электродвигатели. Все шире начинают применять прямой привод диска низкоскоростными электродвигателями с электронной стабилизацией частоты. В ЭПУ с автономным питанием используют коллекторные электродвигатели с электронной стабилизацией частоты вращения. Двигатели переменного тока питают от осветительной сети, чаще всего напряжением 220 В, двигатели постоянного тока питают от встроенных в ЭПУ гальванических источников постоянного тока— батарей. Однако частота сети при перегрузке сети уменьшается и отличается от 50 Гц. Поэтому в дорогих моделях ЭПУ двигатель питается от транзисторного генератора со стабильной частотой. Для изменения частоты вращения переключают элементы колебательного контура генератора. Плавную перестройку частоты вращения производят с помощью различных тормозящих устройств, например, изменяя расстояние между магнитом и вращающимся диском, в котором под действием [c.240]

В тех случаях, когда время релаксации важных для рассматриваемых явлений механических и физико-химических процессов сравнимо с характерным временем изменения внешних условий для частиц среды, в модели явления необходимо учитывать неравновесный характер процесса. Так, основу расчета генерации лазерного излучения движущейся смесью газов (в так называемых газодинамических лазерах) составляет определение отклонения от равновесных значений энергии колебательных степеней свободы или электронных состояний молекул газов, образующих смесь. В силу значительно меньшего времени релаксации энергии поступательных степеней свободы молекул ее значения можно при этом считать равновесными. [c.16]

При количественном вычислении величины естественно, приходится обращать внимание на члены с наименьшими знаменателями [ср. уравнение (3.16-4)]. Модель (см. Приложение 2) с двумя колебательными членами в основном электронном состоянии и в первом возбужденном электронном состоянии может хорошо послужить для количественной оценки со значениями из Приложения 2 получаем Я 10- (А-с м) (Вт- [c.360]

В сложных молекулах и в твердых телах могут происходить разнообразные релаксационные процессы. Возникает вопрос о пригодности простой двухуровневой схемы для описания воздействия этих систем на световые импульсы, находящиеся в резонансе с молекулярным переходом, или о необходимости применения многоуровневой модели для понимания такого воздействия. Приведем пример. В качестве насыщаемых поглотителей очень часто используются молекулы органических красителей, в которых, согласно принципу Франка — Кондона, наиболее эффективное возбуждение происходит при переходе не в бесколебательное возбужденное электронное состояние, а на некоторый высокий колебательный уровень этого электронного состояния. По этой причине молекула отдает при релаксации как электронную, так и колебательную энергию и проходит при этом с большей вероятностью релаксационный путь, идущий через бесколебательное состояние возбужденного электронного уровня (фиг. 60). В работе [3.21-8] исследовано взаимодействие таких молекул со световыми импульсами при различных соотношениях между длиной импульса и отдельными временами релаксации. Было показано, что воздействие этих молекул на световые импульсы может [c.430]

Характерной особенностью физической газовой динамики является изучение течений жидкости и газа при высоких температурах и в широком диапазоне изменения давления. Высокие температуры среды исключают возможность полного количественного и качественного описания современных механических проблем в рамках модели совершенного газа с постоянной теплоемкостью. С ростом температуры в газе начинают происходить такие процессы, как возбуждение вращательных и колебательных степеней свободы, диссоциация (рекомбинация) молекул, возбуждение электронных уровней атомов, ионизация (нейтрализация) атомов, излучение и поглощение лучистой энергии. Течение сильно нагретого газа около стенок приводит к их термическому разрушению. Все эти процессы относятся к области молекулярной и атомной физики, сыгравшей в начале этого века очень важную роль в расширении наших представлений о строении атомов и о законах микромира. Результаты этого раздела физики применялись к изучению электрических разрядов в газах и для решения астрофизических проблем. Сейчас же они образуют научный фундамент многих важных технических задач сегодняшнего дня. [c.5]

Работа электронной модели, согласно двум этапам, происходит благодаря настройке отдельных групп усилителей на различные режимы. Так, группа I (см. рис. 65) в исходном положении работает в режиме Пуск , а группа И в этот момент находится в режиме Возврат . Такое положение соответствует работе колебательной системы, описываемой уравнениями (251) при совместном движении тормозной системы и эпицикла. Работа группы II в режиме Пуск , в то время как группа I находится в режиме Возврат , соответствует колебаниям системы, описываемым уравнениями (252) [c.145]

Модель со сдвигом положений равновесия ядер. а. Расчет корреляционной функции. Обратимся теперь к более детальному исследованию свойств компонентов РВС. Сначала рассмотрим следующую модель. Предполагается, что основное и возбужденное электронные состояния не вырождены используется приближение Кондона считается, что колебательные гамильтонианы Яо и Н отличаются лишь положением равновесия ядер, т. е. [c.338]

Как было показано в работе [7], корреляционная функция (И) и спектр РВС в рассматриваемой модели при Г — О вычисляются точно. Ниже мы приведем полученную в работе [7] формулу в случае возбуждения в резонансе с переходом между нулевым колебательным уровнем основного электронного уровня и М-м колебательным уровнем возбужденного электронного уровня [c.347]

Изменение распределения интегральной интенсивности I [Т) между чисто-электронной линией и ее колебательными повторениями и колебательным фоном по сравнению с распределением, соответствующим основной модели, обусловливаются, вообще говоря, всеми внутренними причинами изменением упругих постоянных, ангармонизмом колебаний, влиянием колебаний на силу осциллятора электронного перехода. [c.25]

В заключение этого параграфа рассчитаем с помощью выражения (49.24) форму длинноволнового края полосы поглощения. Теория далекого длинноволнового края полосы поглощения для эйнштейновской модели кристалла была развита в работах [325, 326]. В теории учитывались все возможные переходы с колебательных подуровней основного состояния на колебательные подуровни электронного возбужденного состояния, соответствующие электронному возбуждению при поглощении света с частотой [c.390]

Подвижность свободных носителей заряда в области пространственного заряда 2.3.7. Феноменологический подход. Проблемы переноса свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника и в тонких металлических пленках в какой-то мере схожи. Однако, имеются и отличия, одно из которых состоит в том, что в ОПЗ на носители заряда действует электрическое поле, направленное по нормали к поверхности. Для качественной оценки влияния этого поля на подвижность носителей в ОПЗ воспользуемся простой моделью треугольной потенциальной ямы, в которой перемещается электрон — см. рис. 1.13,а. При движении в тянущем поле вдоль поверхности (по оси X) электрон совершает колебательное движение по нормали к ней (ось 2), сталкиваясь попеременно с двумя стенками треугольной потенциальной ямы. Будем считать, что отражение от внутренней стенки (г = го) происходит зеркально, а от наружной (г = 0) — диффузно (см. п.2.1). [c.51]

Из уравнений (7.50) и (7.51) можно вывести промежуточную функцию рассеяния для любой системы, в которой известны квантовые состояния. Например [261, часто при рассмотрении молекулярного газа в его основном электронном состоянии хорошим приближением оказывается представление волновой функции % в виде произведения известных поступательных, вращательных и колебательных волновых функций, т. е. г )г (Г) фг(i )Ч г(V). Для реальных рассеивающих систем, таких, как кристаллические твердые тела и молекулярные жидкости, квантовые состояния детально неизвестны, и на практике применяют приближенную модель для расчета функции рассеяния. [c.270]

Общей, или классической, акустикой называют раздел физики, имеющий дело с упругими колебаниями и волнами в классической сплои ной среде в случае, когда длины волн значительно больше расстояний между атомами и молекулами. Другими словами, общая акустика — это часть механики сплошных сред (гидродинамики и теории упругости), изучающая колебательные и волновые процессы. Если же среда характеризуется не только механическими, но и другими физическими свойствами (например, наличием пьезоэлектричества, фотоупругости, магнитных свойств и т. д.), то процесс распространения звука в такой среде может существенно зависеть от этих свойств. Для описания акустических явлений в этом случае уже недостаточно традиционных представлений механики сплошных сред. Необходимо использовать более общие модели, основанные на рассмотрении соответствующих явлений на макро- и микроуровнях. Это относится к взаимодействиям звука с тепловыми упругими волнами в кристаллах — фононами, взаимодействиям со светом — фотонами (акустооптика), со свободными носителями заряда — электронами (акустоэлектроника), с возбуждениями в магнитоупорядоченных кристаллах — магнонами. Когда длина волны становится сравнимой с параметром решетки кристалла, возникают специфические явления, которые также не могут быть описаны в рамках классической механики сплошных сред. [c.6]

Вернемся, однако, к вопросу об энергии, компенсирующей потери в системе. Как для электрических, так и для механических систем картина с этой точки зрения получается одна и та же. В случае генератора энергия поступает в контур из анодной батареи, а электронная лампа является лишь тем механизмом, который регулирует нужным образом поступление энергии в контур. В механических же системах, к которым могут быть применены все наши выводы, источником энергии является мотор, приводящий в действие ленту или вал, а передача этой энергии в колебательную систему обусловливается соответствующим видом характеристики трения. Именно, вид характеристик трения таков, что лента или вал больше помогают телу при движении в ту же сторону, чем мешают при движении навстречу. Если бы в генераторе мы выбрали такое включение катушек, которое соответствует отрицательной обратной связи (Ж< 0), или в механических моделях установили бы рабочую точку не на падающий, а на поднимающийся [c.93]

Электронно-колебательная модель захвата и рекомбинации носителей заряда. Хотя вопросы энергети актов захвата электронов и дырок на объемные дефекты твердбго тела неоднократно обсуждались в литературе, этой проблемой в приложении к поверхностным фазам стали заниматься только в последние годы. Ограничимся, в основном, рассмотрением низкого уройня возбуждения электронной и фононной подсистем поверхностной фазы полупроводника. [c.255]

Поражает многообразие форм десорбирующихся частиц при возбуждении электронной подсистемы. Это могут быть нейтральные молекулы в нижнем энергетическом состоянии, возбужденные молекулы, теряющие избыточную энергию в процессе люминесценции в газовой фазе, ионы и продукты диссоциации первично адсорбированных молекул. Часто наблюдается одновременная десорбция разных видов как исходных частиц, так и продуктов их диссоциации. Рассмотренная в 8.2.1 электронно-колебательная модель захвата на АПЭС пока может только в самых общих чертах охарактеризовать энергетику процессов десорбции и диссоциации молекул на поверхности. Для ее конкретизации необходимы новые экспериментальные исследования. [c.271]

Электронно колебательная модель захвата и рекомбинации 255-257 Электронно стимулированная электроадсорбция 260 Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) 142-145 Эллипсометрия 129-130 Электронная теория неупорядоченных систем 113, 114 [c.283]

Н. Е. Лущик и Ч. Б. Лущик [266] исследовали спектральные закономерности в ще.аочно-галоидных фосфорах, активированных гомологическим рядом активирующих примесей и произвели их сопоставление с закономерностями электронных переходов в свободных ионах этих примесей. Авторы пришли к выводу, что основная идея, положенная в основу предложенной Зейтцом модели центра свечения о соответствии электронно-колебательных переходов в центрах свечения электронным переходам в свободных ионах активатора находится в согласии с экспериментальными данными. Авторы подчеркивают, что аналогия со свободными ионами позволяет не только объяснить ряд уже известных экспериментальных фактов, но и предсказать ряд новых свойств некоторых фосфоров, а также произвести оценку люминесцентных характеристик ранее никогда не изготовлявшихся фосфоров, и иллюстрируют эти наложения рядом примеров. [c.158]

Радиационная ширина составляет для разрешенного электронного перехода с временем жизни т 10 сек величину порядка 10 см" , для запрещенного перехода она еще меньше. Эта ширина по сравнению с частотами электронных переходов и частотами колебаний действительно весьма мала. Поэтому квазилинии исключительно чувствительны по отношению ко многим тонким свойствам электронно-колебательного взаимодействия, неучтенным в основной модели. Учет этих взаимодействий, прежде всего их влияния на ширину линий, приобретает важное значение. [c.24]

Еще в 30-х годах Френкель показал, что колебательная энергия, вьщелившаяся при захвате свободного электрона решетки на дефект, может стимулировать его перестройку или рождение нового дефекта. Основываясь на электронно-колебательном механизме захвата, Емельянов и Кашкаров (1982) предложили электронно-деформацион-но-тепловую модель поверхностного дефектообразования при фотовозбуждении полупроводника. Она учитывает понижение энергии активации Ет чисто термофлуктуационного процесса образования дефекта благодаря вибронным взаимодействиям фотогенерируемых носителей заряда с решеткой Еэ) и вызванным нагревом поверхности при освещении дГ термоупругим деформациям (Етд)- Концентрация рождающихся дефектов описывается уравнением [c.261]

Основное внш ание в работах [78, 79] уделяется резонансным свойствам систем находятся, в частности, достаточные условия уменьшения амплитуд резонансных колебаний за счет изменения параметров по случайным законам. Аналогичные задачи возникают при анализе колебательных режимов вибротранспорта, так как нагрузка на рабочий орган виброконвейера изменяется около некоторого среднего значения примерно по нормальному закону. Теоретические результаты качественно подтверждены и дополнены результатами исследований на электронных и механических моделях. [c.16]

Модель элементарного рассеивателя. Электроны, попадающие в электрическое поле электромагнитной волны, соверщают колебательное движение с частотой волны. Если волна распространяется в положительном направлении оси X (рис. 261), а электрический вектор колеблется в плоскости j = О, то уравнение движения электрона в соответствии с (9.13) имеет вид [c.291]

Стационарное решение. Практические результаты могут быть получены в модели локальных или так называемых псевдолокали-зованных фононов, когда задача сводится фактически к четырёхуровневой схеме. Псевдолокализованные фононы — это кванты комбинированного колебательного движения, образованные низкочастотными оптическими либрациями анизотропных примесных молекул, которые модулируют постоянную электрон-фотонного взаимодействия, и резонансными по отношению к ним акустическими фононами основного кристалла. Мы будем говорить о них как о резонансных фононах. Они характеризуются повышенной спектральной плотностью в узком спектральном диапазоне и проявляют себя как узкие пики в длинноволновом крыле линии поглощения. [c.92]

Второй член описывает эффект спонтанного комбинационного рассеяния. Чтобы в этом убедиться, рассмотрим сначала численные значения постоянных м и Гм-Для численного расчета положим, например, км = 5Х X1Q2 Н/м (силовая постоянная одинарной связи С—С) и М = 10 2 кг. Эти величины приводят к типичному значению колебательной частоты сом = 2 10 с (соответствующая длина волны X 10 мкм). В рассматриваемой модели эффектов относительного движения электронов и ядер труднее получить численную оценку для Гм даже при идеализированных условиях (когда член Гм [c.134]

Ниже мы рассмотрим относительно простую модель, позволяющую описать основные закономерности спектров РВС примесных центров такого типа. Эта модель состоит в следующем. Как и в предыдущей модели, имеются два невырожденных электронных состояния — основное и возбужденное, используются адиабатическое приближение и приближение Кондона. Кроме того, предполагается, что оптические электроны в центре взаимодействуют лишь с одним экспоненциально затухающим локальным или псевдолокальным колебанием. Считается, что в результате этого взаимодействия при электронном переходе изменяется не только положение равновесия указанного колебания, но и его частота. Последнее изменение считается малым по сравнению с самой частотой, но большим по сравнению с распадной шириной первого колебательного уровня Г, определяемой скоростью затухания [c.347]

Таким образом, в рассматриваемой модели спектр РВС действительно содержит узкие спектральные линии ОЛ, ГЛ и РРКР. Как это и должно быть, ОЛ соответствуют линии, обусловленные излучением после окончания колебательной релаксации, ГЛ — линии излучения в процессе колебательной релаксации, а РРКР —линии излучения до колебательной релаксации в возбужденном электронном состоянии. При этом один-един-ственный релаксационный переход (переход М- М—1) необходим и достаточен для нарушения фазовой корреляции между первичным и вторичным фотонами, что и приводит к ГЛ. Этот результат полностью подтверждает критерий фазовой релаксации для разделения рассеяния и ГЛ. [c.348]

Вкратце результаты сводятся к следующему. Несмотря на дгюперсхпо кристаллических колебани11 и пусть даже сильное взаимодействие электронного перехода с ними, при принятой модели (нет изменения осей нормальных координат) в спектрах поглощения и люминесценции имеется резонансная чисто-электронная линия нулевой ширины, описываемая б-функцией . Величина силы связи с колебаниями, характеризуемая выраженными в числе колебательных квантов стоксовыми потерями, а также температура, сказываются не на ширине линии, а иа ее интегральной интенсивности /о Т). При росте стоксовых потерь или при повышении температуры интегральная интенсивность чисто-электронной линии быстро убывает. Например, при стоксовых потерях в п эффективных колебательных квантов чисто-электронная линия содерн ит при Т О лишь ехр (—п) долю от всей интенсивности полосы поглощения или люминесценции, соответствующей данному электронному переходу. При высоких температурах /о Т) убывает также экспоненциально с Т. Так как на колебательные свойства спектра примеси влияет локальная динамика решетки около примеси [79], то температурная зависимость является характеристикой не только кристалла основания, а ярко отражает свойства и примесного центра. [c.23]

Ясно, что в действительности чисто-электронная линия и ее колебательные повторения имеют конечную ширину. Но так как сделанные в основной модели приближения неплохо обоснованы, эти линии, в особенности чисто-электронная линия, в самом деле должны быть весьма узкими. Ширина линий равна по меньшей мере радиационной ширине, обусловленной конечным временем жизни возбужденного электронного состояния по отношению к спонтанному излучательному переходу. Для ее получения следует тривиальным образом усовершенствовать расчет в пункте взаимодействия примеси с полем излучения взять в основу, например, формулу Вигнера — Вайскопфа, учитывающую радиационное затухание. [c.24]

Мы не будем повторять здесь известных теоретических результатов, получепных для основной модели описания колебаний и взаимодействия с ними электронного перехода. Под таковой мы понимаем модель, в которой 1) колебания гармонические 2) электроштий переход приводит только к изменению положений равновесия осцилляторов (изменением их частот пренебрегается) 3) сила осциллятора электронного перехода не зависит от колебаний решетки 4) учитывается дисперсия кристаллических колебаний, некоторые из нормальных колебаний могут быть локальными. Свойства колебательной структуры спектра в этой модели выяснены в работах [71—73, 89] и неречислепы в [112]. [c.33]

Подобно электронным состояниям зонной модели, состояния в колебательном спектре решетки модифицируются нзолировапными дефектами. Пз 14 могут быть заимствованы наиболее важные результаты незначительное влияние дефектов ва состояния в ветвях фононного спектра появление локализованных состояний между акустическими и оптическими вётвямп и иад оптическими ветвями и возможность резонансных состояний внутри ветвей. [c.82]

Здесь мы рассмотрим предложенную Шеиом упрощенную модель, отражающую основные физические особенности молекулярного комбинационного рассеяния. Пусть я> основное и п> первое возбужденное электронные состояния. Колебания ядер разложим по нормальным типам колебаний. Будем рассматривать основное 0> и первое возбужденное 1 > колебательные состояния только одного нормального типа. В га- [c.80]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...