Область пространственного заряда

При нагреве р-п-перехода в области пространственного заряда под действием тепла происходит тепловая генерация пары носителей заряда - электрона и дырки. Электрическим полем р-п- [c.74]

В выражении (6.17) подразумевается, что t мало по сравнению с т, но достаточно велико по сравнению с временем t, необходимым для переноса носителя через область пространственного заряда (г = 10 сек). [c.313]

Толщина слоя пространственного заряда зависит от плотности поверхностных уровней и от концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике. При плотности поверхностных уровней порядка 10 м" и концентрации свободных носителей заряда 10 м область пространственного заряда в полупроводнике распространится на глубину около 10 м. [c.79]

При нагреве р-п-перехода в области пространственного заряда под действием тепла происходит тепловая генерация пары носителей заряда — электрона и дырки. Электрическим полем р-п-перехода электроны и дырки увлекаются в ту область, в которой они являются основными носителями, т. е. электроны в л-область, дырки в /7-область, заряжая их соответственно отрицательно и положительно. Возникшую [c.90]

Условно показаны знаками + и < — носители, причем обведенные кружком — неосновные для данного слоя. Заштрихована область пространственного заряда, лишенная свободных носителей [c.61]

Возникшая область пространственного заряда не имеет свободных носителей (так или иначе они рекомбинируют) и ведет себя как слой изолятора — диэлектрика, помещенный между двумя слоями полупроводника. Поэтому [c.61]

Усилитель описываемого типа обладает значительной стабильностью свойств по сравнению с усилителем с разделенными областями дрейфа носителей заряда и распространения звука (о последнем типе слоистого усилителя см. в гл. VI). Это связано с тем, что в слоистых системах возбуждение полупроводника происходит извне. При переменных от точки к точке электрофизических свойствах полупроводника в области пространственного заряда усиление там начинается при одном и том же поле во всем объеме области пространственного заряда. С точки зрения взаимодействия волн это означает, что в полупроводнике возбуждается единая волна плотности носителей. Естественно, что затухание и скорость этой волны существенно зависят от свойств непосредственно границы полупроводника, которая нестабильна вследствие контакта с окружающей средой. [c.245]

ОПЗ - область пространственного заряда [c.5]

Область пространственного заряда в термодинамическом равновесии [c.14]

Возникновение областей пространственного заряда в ограниченных кристаллах. Общий теоретический подход к проблеме электронной структуры приповерхностных областей ограниченных кристаллов, как и электронной структуры объема твердого тела, базируется на решении уравнения Шредингера. Гамильтониан в этом уравнении содержит члены, учитывающие взаимодействие всех атомных ядер и всех электронов между собой. Ввиду необычайной сложности уравнения, в которое входят координаты всех ядер и всех электронов кристалла, его точное решение невозможно. Главная трудность состоит в необходимости учета энергии межэлектронного взаимодействия, которая зависит от координат всех электронов. Для того, чтобы как-то обойти эту проблему, теоретикам приходится делать различные упрощающие предположения и, по образному выражению Дж. Займана, строить всевозможные воздушные конструкции , степень адекватности которых выясняется только в результате сопоставления с экспериментом. [c.14]

Электростатическое экранирование свободными носителями заряда. Область пространственного заряда как-бы "экранирует" электронейтральный объем кристалла от внешнего поля. Из соотношения (1.6) ясно, что чем больше параметр 1д, тем меньше при прочих равных условиях производная dY/dz и, следовательно, на большую глубину проникает электрическое поле в твердое тело. [c.20]

Электрофизические характеристики областей пространственного заряда [c.25]

Область пространственного заряда в неравновесных условиях [c.28]

Фотоэдс области пространственного заряда (барьерная фотоэдс). Будем считать, что заряд ПЭС при освещении кристалла не изменяется. Тогда напряженность электрического поля вблизи поверхности сохраняется такой же, как в темноте и из соотношения (1.9) следует [c.33]

Размерное квантование в ОПЗ. Аналогичные квантовые эффекты могут наблюдаться в тонких областях пространственного заряда на поверхности массивных полупроводниковых кристаллов. Полагая в первом приближении, что напряженность электрического поля 5 вблизи поверхности постоянна — см. рис.1.13,а, глубину области локализации свободных носителей заряда в ОПЗ го можно оценить из соотношения кТ = Квантование энергетического спектра [c.43]

Процессы электронного переноса в областях пространственного заряда... [c.47]

Процессы электронного переноса в областях пространственного заряда и тонких пленках [c.47]

Подвижность свободных носителей заряда в области пространственного заряда 2.3.7. Феноменологический подход. Проблемы переноса свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника и в тонких металлических пленках в какой-то мере схожи. Однако, имеются и отличия, одно из которых состоит в том, что в ОПЗ на носители заряда действует электрическое поле, направленное по нормали к поверхности. Для качественной оценки влияния этого поля на подвижность носителей в ОПЗ воспользуемся простой моделью треугольной потенциальной ямы, в которой перемещается электрон — см. рис. 1.13,а. При движении в тянущем поле вдоль поверхности (по оси X) электрон совершает колебательное движение по нормали к ней (ось 2), сталкиваясь попеременно с двумя стенками треугольной потенциальной ямы. Будем считать, что отражение от внутренней стенки (г = го) происходит зеркально, а от наружной (г = 0) — диффузно (см. п.2.1). [c.51]

Pg — дипольный момент двойного слоя, приходящийся на едршицу площади поверхности (Р > О, если дипольный момент направлен наружу). Толщина двойного слоя в металлах и аналогичного двойного слоя в полупроводниках порядка межатомных расстояний. В полупроводниках вблизи поверхности по-мимо этого возникает ещё двойной слой в виде области пространственного заряда, толщина к-рой может достигать тысяч межатомных расстояний. [c.194]

С. Ерохин, Л. М. Земпый. ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх р—п-пере.ходов, взаимодействие между к-рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний выключенном—с высоким сопротивлением и включённом — с низким. Полупроводниковая структура Т. состоит из четырёх слоев чередующегося типа проводимости ( г рпр рис. 1), образующих три расположенных друг над другом р—и-псрехода. Внутренний базовый / -слой обычно выполняется сильнолегированным (концентрация примеси / =10 —10 см" )и тонким, чтобы обеспечить достаточно высокий (0,7—0,9) коэф. переноса (3 п рп-транзистора (см. Транзистор биполярный). Базовый л-слой выполняется относительно толстым и слаболегированным (Л = 10 —10 см ). При приложении внеш. напряжения указанной на рис. I полярности (прямое смешение) крайние переходы 3i и Эг (эмиттеры) смещены в проводящем, а центральный К, (коллектор)—в запорном направлениях его область пространственного заряда (ОПЗ) расположена почти полностью в п-базе. Эмиттер Э обычно имеет распределённые по всей площади шунтирующие каналы, выполненные в виде выходов р-слоя сквозь п" -слой к ме-таллич. контакту. Процессы, определяющие возможность переключения, протекают след, образом. Электронно-дырочные пары, генерируемые, напр., теплом в ОПЗ, разделяются полем дырки и электроны выбрасываются в /г- и л- [c.114]

В качестве такого метода применяется сильнополевая туннельная ин-жекция заряда в диэлектрик, проводимая в режиме постоянного тока. В отличие от лавинной, режимы туннельной инжекции не зависят от характеристик области пространственного заряда полупроводника и определяются только параметрами границ раздела и самого диэлектрика. Использование туннельной инжекции позволяет точно дозировать ин-жекционную нагрузку структур и не требует создания специальных структур с инжекторами, т.е. она может проводиться в процессе формирования подзатворного диэлектрика до проведения металлизации. [c.124]

Другая возможность повышения чувстпительности жидкокристаллических преобразователей на основе МДП-струкгур также связана с уменьшением глубины полупроводника, в которой происходит термогенерация носителей. В этом случае для накопления используется тонкая область пространственного заряда, создаваемая в НИЗКООМИ01М слое полупроводника. Эта область может иметь практически любую толщину, поскольку определяется степенью легирования полупроводника и величиной приложенного напряжения. Согласование полных сопротивлений. десь мо г.ст быть обеспечено при формировании этого слоя на одной из сторон высокоомного полупроводника, с другой стороны которого формируется МДП-структура с жидким кристаллом в качестве диэлектрика. [c.184]

Сколько-нибудь строгая физическая или математическая трактовка такой сложной системы, как ток, проходящий через р — п-переход, сопряжена с непреодолимыми трудностями. Тем не менее следующее простое приближение дает результаты, достаточно хорошо согласующиеся с экспериментом, по крайней мере для переходов с хорошим поведением в германии и кремнии. Начнем с того, что выделим в диоде три области центральную область пространственного заряда и две квазинейтральных, р- и п-области по обе стороны от центральной. Предположим, что концентрации носителей в этих р- и п-областях квазиравновесны, а сами области отделены от центральной потенциальным барьером высотой 1 диф—где T/j —часть внешнего смещения, приходящаяся на внутреннюю область пространственного заряда, т. е. смещение с поправкой на падение напряжения в квазинейтральных п- и р-областях, а Уд ф —высота равновесного барьера, диффузионный потенциал . [c.369]

В кристаллах с достаточно широкой запрещенной зоной концентрации неосновных носителей заряда Пр и Рп очень малы, и поэтому диффузионные токи для данного прямого смещения намного меньше, чем в кристалле с относительно небольшой шириной запрещенной зоны. С другой стороны, конечное расщепление квазиуровней Ферми в области объемного заряда подразумевает конечную рекомбинацию, которая, как можно показать, увеличивается как ехр eVl2kT). Это означает, что в область пространственного заряда со стороны области -типа входит электронный ток больший, чем уходит из этой области со стороны области р-типа. [c.373]

Инерционные свойства р-п-перехода связаны с тем, что при переходных процессах помимо тока /эд (/кд) через переход должен протекать ток, обеспечивающий изменение заряда неосновных носителей в базе и обусловливаемый членом дn дt в уравнениях непрерывности, и ток, обеспечивающий изменение пространственного заряда ионизированных атомов примесей в области пространственного заряда. Первую составляющую можно отразить с помощью диффузионной емкости Сдиф, вторую — барьерной емкости Сб. Аналитическое решение уравнения непрерывности в одномерном приближении позволяет определить Сд ф, а аналитическое решение уравнения Пуассона — Са- Эти выражения для модели транзистора на рис. 6.4 имеют вид [c.135]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...