Уровни напряженности магнитных полей

Из формулы (6) видно, что для определения величины сверхтонкого расщепления уровней надо знать магнитный момент ядра ij и вычислить значение напряженности магнитного поля Н (0), вызванного электронной оболочкой в месте, где находится ядро. [c.522]

НАКАЧКА — процесс возбуждения активной среды лазеров и других квантовых генераторов и усилителей, в результате которого нарушается равновесное распределение микрочастиц среды по их энергетическим уровням НАМАГНИЧЕННОСТЬ <—векторная физическая величина, характеризующая состояние вещества и равная отношению магнитного момента малого объема вещества к величине этого объема насыщения характеризует состояние ферромагнетика, при котором увеличение абсолютного значения напряженности внешнего магнитного поля не ведет к увеличению намагниченности ферромагнетика остаточная определяется намагниченностью, которую имеет ферромагнетик при напряженности внешнего магнитного поля, равной нулю) НАМАГНИЧИВАНИЕ- возрастание намагниченности магнетика при увеличении напряженности магнитного поля НАПОР в гидравлике -линейная величина, выражающая удельную механическую энергию жидкости в данной точке потока [c.252]

Постоянному действию магнитных полей в машиностроении подвергаются контролеры производства постоянных магнитов, контролеры на магнитной дефектоскопии, шлифовщики, термисты. У шлифовщиков на уровне головы, груди и живота напряженность магнитного поля 40. ., 120 А/м, на уровне рук —до [c.175]

Для двухстороннего токоподвода при двухрядном расположении ванн в корпусе (вне зависимости от вида токоподвода) очень важно скомпенсировать влияние соседнего ряда ванн. Наиболее просто эта задача решается путем более высокого расположения катодных и обводных шин по отношению к уровню металла и увеличением силы тока на обводных шинах, расположенных на ближней к соседнему ряду стороне электролизера. Вследствие этого вертикальная составляющая напряженности магнитного поля от собственных токов в анодных, катодных и обводных шинах, а также в гибких анодных пакетах будет распределена асимметрично по отношению к продольной оси электролизера. Схема такой ошиновки приведена на рис. 7.2. Как видно, распределение тока на входном [c.273]

Намотав покрытую хлопчатобумажной нитью медную проволоку диаметром несколько больше 1 мм вокруг двух стеклянных трубок 80 см длиной так, что получился двойной слой проволоки в 900 витков, Вертгейм получил магнитное поле. Его задачей было изучение влияния напряженности магнитного поля на константы упругости. Разумеется, такой эффект мог быть заметен только в железе и стали. Независимо от того, воздействовал северный или южный полюс магнитного поля, в мягком железе и стали можно было наблюдать небольшое падение значения модуля упругости. После снятия магнитного поля Вертгейм обнаружил, что значение модуля упругости не вернулось полностью к своему первоначальному уровню даже по [c.317]

НеЛ=537 А и НеЯ = 584 А в зависимости от напряженности магнитного поля находят продолжительность жизни уровней 2 Р и 3 Р. Совпадение с теорией весьма хорощее [26]. [c.301]

Геркон является герметизированным переключателем с пружинными контактами из ферромагнитного материала, замыкающимися под действием магнитного поля. Представляет собой баллон небольшого диаметра, внутри которого создается вакуум. При определенной напряженности магнитного поля концы пружины, находящиеся на расстоянии нескольких десятых миллиметра, притягиваются один к другому и замыкают контакт. При уменьшении напряженности пружины возвращаются в исходное положение и контакт размыкается. Герконовый датчик, используемый в качестве датчика точной остановки, закрепляют на кабине, а на уровне каждого этажа в шахте устанавливают стальную полосу, выполняющую функцию магнитного шунта. Когда кабина находится не на уровне этажа, то под действием магнитного поля постоянного магнита контакты геркона замыкаются. При подходе кабины к уровню этажа в зазор между герконом и магнитом входит стальная полоса, действие постоянного магнита на геркон уменьшается и его контакты размыкаются, отключая исполнительное реле точной остановки. Герконовый датчик, используемый в качестве [c.122]

Стрелка при векторе состояния указывает направление спина п есть квантовое число уровня Ландау. Более точная теория должна учитывать относительные населенности зон, зависящие от концентрации электронов и от напряженности магнитного поля. Кроме того, должно быть принято во внимание возникновение двухэлектронных процессов. Приближенное, но полностью применимое описание основывается на эффективном гамильтониане вида [c.396]

Составленной программой для ЭВМ Мир-2 предусмотрено табулирование функции ф у у ) по переменной х, при различных значениях у. На основании выполненных расчетов построены линии уровня поверхности отклика для катионита КУ-2 X 8, анионитов АН-31 и АВ-17, которые позволяют определить рабочую емкость исследованных ионитов в зависимости от количества в сточной жидкости сорбируемых ионов и напряженности магнитного поля (рис. 26). [c.87]

Для наблюдения явления парамагнитного резонанса испытуемый образец вносят в ячейку с волноводом или объемным резонатором, помещенную между полюсами магнита. Источник переменного модулирующего напряжения вырабатывает пилообразное напряжение, которое подается в усилитель мощности и служит для питания катушки электромагнита или для модуляции СВЧ генератора. В контрольную ячейку помещается исследуемый образец и от источника вводится энергия СВЧ. Выходной сигнал этой ячейки поступает на прие.мник или болометрический детектор, мост, синхронный усилитель и гальванометр. Болометр включается в плечо моста, который балансируется нри бездефектном образце. Возникновение дефекта и связанного с ним резонансного поглощения приводит к разбалансу моста, сигнал с частотой модуляции усиливается синхронным усилителем и гальванометр фиксирует появление дефекта. В тех случаях, когда линии поглощения очень острые (например, когда полость дефекта заполняется некоторыми газами), применяется модуляция СВЧ источника, а выходной сигнал ячейки детектируется балансным смесителем СВЧ приемника, усиливается и после вторичного детектирования наблюдается на осциллографе. развертка которого производится пропорционально частоте СВЧ источника. Появление дефекта фиксируется по форме кривой на осциллографе. В этом случае можно использовать другой вид индикатора. Измеряя расстояние между пиками поглощения (по частоте или напряженности магнитного поля), можно судить о составе материала дефекта, а по ширине пика на определенном уровне контролировать его структуру. Резонансные частоты не зависят от размеров образца, поэтому результаты контроля свидетельствуют об эффектах, связанных только с материалом изделия или дефекта. [c.458]

Рассмотрим, как изменяется энергия при переходе напряженности магнитного поля В через критические значения. Пусть энергия уровня уо( 1) совпадает с энергией Ферми в поле Во. Согласно (29.13) в единице объема кристалла число заполненных электронами состояний, приходящихся на интервал значений при г = 0 определяется выражением [c.179]

Следовательно, разность п — По изменяется пилообразно (рис. 36). Равная нулю при точном равенстве В = Во. она скачком изменяется до значения —рВ Ьк, при очень малом превышении В над Во- Затем линейно возрастает с полем до нулевого значения при приближении В к Bo(l + l/vo), а затем снова обрывается до отрицательных значений при малом превышении В над Во(1-Ь 1/Уо), так как при этом освободятся уровни Уо — 1 и останутся заполненными уровни с квантовыми числами, меньшими или равными Уо —2. Поскольку энергия (30.14) зависит от напряженности магнитного поля, то можно определить намагниченность единицы обьема кристалла бМ, обусловленную слоем Ьк, при = используя соотношение [c.180]

Одна из формулировок третьего закона термодинамики гласит, что энтропия равна нулю, когда система находится на низшем энергетическом уровне (например, при абсолютном нуле температуры). Это прямо следует из определения о, если только низший энергетический уровень соответствует одному-единствен-ному состоянию системы. В этом случае g — I и 0 = lng = O. Но для многих систем низший энергетический уровень может оказаться вырожденным, и, следовательно, g не равно единице и G не равно нулю. Другая формулировка третьего закона утверждает, что при стремлении температуры к абсолютному нулю энтропия становится не зависящей от внешних параметров, входящих в определение системы (таких, как объем и напряженность. магнитного поля). [c.48]

Для количественной оценки уровня концентрации напряжений определяется градиент (интенсивность изменения) нормальной составляющей магнитного поля Нр при переходе через линию I H (линию Нр=0). [c.351]

При низкой температуре молекулярные магниты устанавливаются в сильном магнитном поле, как показано на рис. 23, а, т. е. приходят в состояние с наименьшей энергией (или, как говорят, в системе заняты преимущественно более низкие энергетические уровни). При сообщении системе магнитов энергии (приводящей к увеличению ее температуры) уже не все магниты ориентируются по напряженности поля, и чем большую энергию получает система, тем более беспорядочным будет распределение магнитов. Наступает такой момент, когда беспорядочность становится полной — система полностью утрачивает намагниченность. Это соответствует температуре Т= + со, характеризующей равномерное распределение частиц по всем энергетическим уровням (рис. 23,6). Продолжая сообщать энергию системе, можно достигнуть того, что элементарные магниты ориентируются против напряженности внешнего поля (рис. 23, в) так, что возникает преимущественная заселенность верхних энергетических уровней (инверсная заселенность уровней). В этом состоянии внутренняя энергия системы больше, чем при бесконечно высокой температуре, и, следовательно, система имеет отрицательную температуру. [c.139]

При низкой температуре молекулярные магниты устанавливаются в сильном магнитном поле, как показано на рис. 15, а, т. е. приходят в состояние с наименьшей энергией (или, как говорят, в системе заняты преимущественно более низкие энергетические уровни). При сообщении системе магнитов энергии (приводящем к увеличению ее температуры) уже не все магниты ориентируются по напряженности поля, и чем большую энергию получает система, тем более беспорядочным будет распределение магнитов. Наступает такой момент, когда беспорядочность становится полной — система полностью утрачивает намагниченность. Это соответст- [c.115]

Отметим, что наличие смещения квантовых уровней, пропорциональное первой степени напряженности электрического поля, связано с тем, что в атоме водорода происходит /-вырождение, т. е. энергия атома не зависит от орбитального квантового числа /. В общем случае вырождения по / нет, а при заданных квантовых числах (п, [) наблюдается вырождение по магнитному числу m(m = о, 1, 2,, [) всего 21 -Ь 1 состояний. Однако в этом случае различные волновые функции, принадлежащие вырожденному состоянию ( ,/), обладают одинаковой четностью и матричные элементы энергии возмущения равны нулю. Следовательно, первая поправка, ш-нейная относительно напряженности поля, равна нулю. Смещение квантовых уровней пропорционально Этот эффект называется квадратичным эффектом Штарка. Величины смещений уровней энергии находятся в результате решения (42.16). [c.256]

ПРОБОЙ магнитный — туннельный переход электрона, движущегося в металле при наличии магнитного поля, с одной орбиты на другую световой — переход вещества в состояние плазмы в результате сильной ионизации под действием мощного светового излучения электрический — общее название процессов, приводящих к резкому возрастанию электрического тока в среде, исходно не электропроводной) ПРОВОДИМОСТЬ ионная обусловлена движением свободных ионов комплексная определяется отношением действующего значения силы переменного тока в электрической цепи к действующему значению напряжения на ее зажимах магнитная измеряется отношением магнитного потока в каком-либо участке магнитной цепи к магнитодвижущей силе, действующей на этом участке полупроводника [примесная дырочная (/)-типа) обеспечивается движением дырок в направлении, противоположном движению электронов, перебрасываемых из валентной зоны в зону проводимости полупроводника электронная (я-типа) осуществляется электронами, перебрасываемыми с донорных уровней в зону [c.266]

Не так важно, что именно колеблется. По оси ординат на рисунках может быть отложена напряженность электрического или магнитного поля, изменение плотности воздуха, высота водяной волны над уровнем моря и т. д. В любом случае операция сложения производится одинаково. [c.58]

Самописцы уровня относят к приборам со следящим преобразованием Регистрируемый электрический сигнал поступает через входной аттенюатор на сменный функциональный делитель диапазона, который состоит из прецизионных резисторов, соединенных попарно с соответствующими ламелями прямолинейного коммутатора. По контактам коммутатора перемещается движок делителя диапазона, механически связанный с рычагом пишущего механизма. Электрический сигнал на движке усиливается, детектируется и уровень его сравнивается с внутренним эталонным напряжением. В случае, когда уровень детектируемого сигнала отличается от эталонного, возникает разбаланс напряжения, который усиливается по мощности и подается на катушку электромагнитного приводного механизма. Катушка перемещается в магнитном поле и вызывает перемещение движка делителя диапазона, а следовательно, и рычага пишущего механизма. Направление движения определяется полярностью разбаланса напряжения. Перемещение движка происходит до тех пор, пока разбаланс напряжения не уменьшится до нуля. При этом уровень сигнала поддерживается постоянным. [c.251]

Не демпфирующую способность материала при циклическом деформировании оказывает влияние наложение деформирования другой частоты, причем это влияние существенно зависит от соотношения частот и амплитуд напряжений основных и сопутствующих колебаний и угла сдвига фаз. Наложение внешнего магнитного поля сказывается на уровне демпфирующей способности материалов, обладающих магнитомеханическим гистерезисом. Это, в основном, ферромагнитные стали мартенситного и мартенситно-ферритного классов. Достаточно сильное внешнее магнитное поле вызывает уменьшение, причем довольно существенное, уровня демпфирующих свойств материалов. [c.328]

Эффект Шубникова — де Гааза—осцилляционная зависимость электросопротивления металла от напряженности магнитного поля, обусловленная наличием уровней Ландау. [c.289]

А/м [16]. Напряженность магнитного поля в производстве магнитов достигает 72 000 А/м. У работников водородных станций напряженность на уровне головы, груди и живота 480. . . 800 А/м. Наиболее значительная напряженность магнитных полей имеет место в специальных лабораториях для изучения ядерно-магнитного и электронно-парамагнитного резонанса, где по данным [16] у кисти рук операторов она достигает 80 000. .. 20 000 А/м, а на уровне головы, груди и живота — 4000. .. 20 000 А/м. Данные медицинских обследований показывают, что постоянное действие магнитных полей с уровнем более 24 ООО А/м приводит к некоторым профессиональным заболеваниям сосудистого характера, изменению РОЭ крови. Действие повышенных магнитных полей отражается на быстроте реакции человека на внешние раздрансители. Вместе с тем, организм больше реагирует на изменение напряженности магнитного поля, чем на ее повышенное значение, поскольку он обладает большой способностью к адаптации. [c.176]

Технология размагничивания разрабатьшается индивидуально применительно к конкретным турбинам, так как она зависит от места, уровня и направления намагниченности. Основная идея заключается в создании внешнего поля, обеспечивающего периодическое перемагни-чивание агрегата с постепенным сниже шем до нуля магнитодвижущей силы (МДС) размагничивающих обмоток. Первый цикл размагничивания должен обеспечить перемагничивание турбины в направлении, противоположном остаточной намагниченности, поэтому МДС обмоток во время первого цикла должна обеспечить напряженность магнитного поля вблизи поверхности размагничиваемых деталей, в [c.244]

На рис. 3-5 показана схема стенда МЭИ для изучения процесса контактного фильтрования. При обработке воды магнитным полем четырехходовая петля 3 помещается в зазоре электромагнита 6. Напряженность магнитного поля составляла, 5-10 а/м. Скорость воды в магнитном поле 0,2 м/сек. Для ускорения выделения твердых частиц карбоната кальция вода после магнитного аппарата до поступления на фильтр подогревается в подогревателей до 80°С, а выделяющийся при этом углекислый газ удаляется в атмосферу при помощи воздушника 7. Вода из подогревателя 4 поступает в нижнюю часть колонки /. Высота шламового фильтра составляла /з от уровня воды в колонке. Концентрация твердых частиц карбоната кальция в суспензии шламового фильтра составляла 7—10 г/л. Скорость восходящего потока в колонке 1 м.и/сек. Температура в колонке 72— 73° С. Вре мя пребывания суспензии в колонке 20 мин. 78 [c.78]

В дистиллированной воде все молекулы можно считать равноценными, поэтому наблюдаемые различия ф зических свойств до и после магнитной обработки незначительны и мало зависят от напряженности магнитного поля. Введение в воду солей и появление заряженных частац ионов приводит к нарушению структуры воды и тем в большей степени, чем выше концентрация раствора. При этом силовые поля катионов оттягивают от кислорода ближайших молекул воды электронные пары, в результате чего вокруг катионов образуется дополнительный слой из восьми электронов, т. е. заполняются свободные энергетические уровни в катионах, и последние оказываются более или менее прочно связанными с молекулами воды, непосредственно прилегающими к иону (ближняя гидратация). Вследствие поляризации, вызываемой полем иона, нарушается структура молекул воды ве только в окружающих слоях, но и прилегающих к гидратированному иону (дальняя гидратация). [c.43]

В связи с определенными трудностями практического использования полученных уравнений (32) — (34) построены линии уровня поверхности отклика рад исследованных ионитов в зависимости от влияющих факторов (напряженности магнитного поля активации и содержания сорбируемых ионов в исходной сточной воде), исходя из следующих соображений. Если в уравнении (31) примем у х х ) — onst, то получим семейство линий уровня поверхности отклика. Решив затем уравнение относительно переменной лгц найдем [c.87]

Представляет интерес искусственное вращение плоскости поляризации при освещении образца излучением, частота которого близка к частоте поглощения исследуемого вещества, т.е. когда затуханием колебаний нельзя пренебречь. Эта задача осложнена тем, что до сего времени мы не интересовались, что происходит со спектральной линией, если источник света или поглощающая среда помещены в магнитное поле, Как было впервые установлено в 1896 г. Зееманом, при этом линия расш,епляется на несколько компонент (эффект Зеемана). Число таких компонент, взаимное расположение и относительная интенсивность определяются структурой энергетических уровней, при переходах между которыми возникла исследуемая спектральная линия, и существенно зависят от напряженности прилаженного магнитного по ля. Эффект Зеемана — важное для спектроскопии и атомной физики явление, которое до конца объясняется с позиций кван товой механики. [c.165]

К гигиеническим показателям относятся уровни освещен ности, вентилируемости, температуры, влажности, давления напряженности магнитного и электрического полей, запылен ности, радиации, токсичности, шума, вибрации, гравитацион ной перегрузки и ускорения. [c.150]

Магнитные свойства веш,еств возникают в результате вращения электрона вокруг собственной оси, что постоянно поддерживает вокруг него магнитное поле малой протяженности, которое вместе с электроном движется по орбите в атоме или сопутствует ему при прохождении по непрерывным энергетическим уровням кристалла. Поэтому все металлы при внесении в магнитное поле взаимодействуют с внешним магнитным полем, однако в различной степени, что подтверждается изменением напряженности и конфигурации поля как внутри тела, так и вне его. Все веш,ества имеют пять типов магнетизма диамагнетизм, парамагнетизм, ферромагнетизм, анти-, ( рромагнетизм и ферримагнетизм. [c.59]

На рис. 331 приведено магнитное расщепление уровней водорода сплошные линии для уровня 2 2Si/j соответствуют наличию лэмбовского сдвига, а пунктирные — тому расщеплению, которое наблюдалось бы при совпадении уровней 2 2Si/j и 2 2pi/j. На рис. 332 даны частоты переходов между зее-мановскими подуровнями состояний 2 2Si/j и 2 2pVa (обозначения аа, аЬ и т. д. указывают, какой паре подуровней соответствует данный переход) в зависимости от напряженности внешнего магнитного поля Н. Пунктирные линии снова отвечают случаю совпадения уровней 2 2Si и 2 Pi/j. Кружки относятся к экспериментальным данным. Как видно, опыт вполне определенно указывает на наличие сдвига уровня 2 2Sy, по отношению к уровню 22р1д. Для величины этого сдвига Лэмб и Ризерфорд нашли значение [c.575]

С изменением уровня бензина в баке е перемещение поплавка / при помощи конических зубчатых колес 2 и 3 передается ползунку 4, скользящему по обмотке потенциометра 5. При движении ползунка 4 по обмотке потенциометра 5 напряжение между точками а, d я Ь непрерывно изменяется, и каждому положению поплавка 1 в баке е соответствует определенное соотношение напряжений, подводимых к электромагнитным катушкам 6 и 7, расположенным иод углом 120 друг к другу. Внутри катушек б и 7 движется серповидный железный сердечник 8, с которым жестко связаиа стрелка В зависимости от положения ползунка 4 па потенциометре 5 в катушках 6 и 7 будут протекать токи различной силы, создающие различные магнитные поля, заставляющие сердечник 8 поворачиваться. Стрелка f указывает при этом объем бензина в баке е. Так как бензиновые баки имеют различную форму, то прибор тарируют специально для бака данного тина. [c.143]

ТЕОРЕМА (Ирншоу система неподвижных точечных зарядов электрических, находящихся на конечных расстояниях друг от друга, не может быть устойчивой Карно термический КПД обратимого цикла Карно не зависит от природы рабочего тела и являегся функцией абсолютных температур нагревателя и холодильника Кастильяно частная производная от потенциальной энергии системы по силе равна перемещению точки приложения силы по направлению этой силы Кельвина сила (или градиент) будет больше в тех точках поля, где расстояние между соседними поверхностями уровня меньше Кенига кинетическая энергия системы равна сумме двух слагаемых — кинетической энергии поступательного движения центра инерции системы и кинетической энергии системы в ее движении относительно центра инерции Клеро с уменьшением радиуса параллели поверхности вращения увеличивается отклонение геодезической линии от меридиана Кориолнса абсолютное ускорение материальной точки рав1Ю векторной сумме переносного, относительного и кориолисова ускорений Лармора единственным результатом влияния магнитного поля на орбиту электрона в атоме является прецессия орбиты и вектора орбитального магнитного момента электрона с некоторой угловой скоростью, зависящей от внешнего магнитного поля, вокруг оси, проходящей через ядро атома и параллельной вектору индукции магнитного поля Остроградского — Гаусса [для магнитного поля магнитный поток сквозь произвольную замкнутую поверхность равен нулю для электростатического поля <в вакууме поток напряженности его сквозь произвольную [c.283]

ФАКТОР <есть причина, движущая сила какого-либо процесса, явления, определяющая его характер или отдельные его черты магнитного расщепления — множитель в формуле для расщепления уровней энергии, определяющий величину расщепления, выраженный в единицах магнетона Бора размагничивающий— коэффициент пропорциональности между напряженностью размагничивающего магнитного поля образца и его намагниченностью структурный—величина, характеризующая способность элементарной ячейки кристалла к когерентному рассеянию рентгеновского излучения, гамма-излучения и нейтронов в зависимости от внутреннего строения ячейки) ФЕРРИМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты ионов, входящих в его состав, образуют две или большее число подсистем (магнитных подрещеток) ФЕРРОМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты атомов или ионов самопроизвольно ориентированы параллельно друг другу ФИЛЬТРАЦИЯ—движение жидкости или газа через пористую среду ФЛУКТУАЦИЯ <есть случайное отклонение значения физической величины от ее среднего значения, обусловленное прерывностью материи и тепловым движением частиц абсолютная — величина, равная корню квадратному из квадратичной флуктуации квадратичная 01ли дисперсия) равна среднему значению квадрата отклонения величины от ее среднего значения относительная равна отношению абсолютной флуктуации к среднему значению физической величины) ФЛУОРЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, быстро затухающая после прекращения действия возбудителя свечения ФОРМУЛА (барометрическая — соотношение, определяющее зависимость давления или плотности газа от высоты в ноле силы тяжести Больнмаиа показывает связь между энтропией системы и термодинамической вероятностью ее состояния Вина устанавливает зависимость испускательной способности абсолютно черного тела от его частоты в третьей степени и неизвестной функции отношения частоты к температуре) [c.292]

ЧАСТОТА (биений циклическая — частота негармонических колебаний, получающихся в результате наложения двух одинаково направленных гармонических колебаний с близкими частотами волны — частота гармоническая (синусоидальная), соответствующая упругой волне колебаний частиц среды вращения — величина, равная отношению числа оборотов, совершенных телом, ко времени вращения линейная— частота гармонических колебаний обращения—частота периодического движения точки по замкнутой траектории несущая — частота модулируемой волны резонансная — частота колебаний, при которой наступает явление резонанса собственная—частота гармонических колебаний системы, не подвергающейся действию внешних сил характеристическая—частота колебаний определенной группы атомов в молекулах, соответствующая определенной химической связи щжлическая — частота гармонических колебаний, умноженная на два пи циклотронная — частота обращения заряженных частиц в постоянном магнитном поле в плоскости, перпендикулярной к вектору напряженности этого поля) ЧИСЛО [Авогадро — число молекул (или атомов) в одном моле вещества (6,022136 10 моль ) волновое — отношение циклической частоты к скорости волны вращательное квантовое определяет энергию ротатора квантовое (главное—целое число, определяющее энергетические уровни водородного атома в стационарном состоянии магнитное— целое число, определяющее проекцию вектора орбитального момента импульса электрона на направление внешнего магнитного поля орбитальное — целое число, определяющее орбитальный момент импульса электрона в атоме спиновое определяет спиновой момент импульса электрона в атоме) координационное — число ближайших к данному атому соседних атомов в кристаллической решетке] [c.296]

После этого размагничивают второй образец. Из уравнения (3-155) очевидно, что поскольку размагничивание второго образца начинается со значительно более низкого, чем у первого образца, температурного уровня, то достаточно низкое значение Tj может быть получено при не слишком высоких значениях Я. Так, применяя двухступенчатое размагничивание, удалось получить температуру 0,001 К, используя магнитное поле напряженностью всего лишь в 9000 Э (в качестве первой ступени был использован образец железоаммоииевых квасцов, который охлаждался до 0,25 К, в качестве второй ступени был применен образец разбавленных хромокалиевых квасцов). Процесс охлаждения с помощью двухступенчатого размагничивания в Т, Я-диаграмме представлен на рис. 3-16 здесь АВ — изотермическое намагничивание образца первой ступени ВС — адиабатное размагничивание этого образца [c.71]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...