Туннельные переходы

Туннельные переходы. При низкой температуре в силовых электрических полях напряженностью около 5-10 ...10 В/см наблюдается электронная эмиссия, быстро возрастающая с увеличением Е, а также с появлением поверхностных дефектов, имеющих заострения и шероховатости. Так как Wa>Wj, то при низких температурах практически нет электронов с энергиями Wx>Wa — AUf. Следовательно, электроны проходят сквозь узкий барьер непосредственно с уровня Ферми и ниже без затраты энергии. Эти переходы носят название туннельных и объясняются волновыми свойствами электронов. Длина волны равна [c.66]

Туннельные переходы 66 Термо — з.д.с. 204 [c.555]

Туннельный переход 229, 230, 326 Тяжелая вода 312 [c.396]

Механизм а-распада. Туннельный переход [c.125]

В этом случае, согласно классической механике, частица вообще не может Попасть в атомное ядро. Однако в соответствии с квантовой механикой частица с Г < Вк имеет некоторую конечную вероятность пройти через потенциальный барьер туннельным переходом. [c.433]

Вероятность туннельного перехода, или, как ее иначе называют, прозрачность потенциального барьера, дается формулой [c.433]

При Т < Вк заряженная частица попадает в ядро при помощи туннельного перехода, вероятность которого для случая I = О определяется прозрачностью потенциального кулоновского барьера [c.452]

Телескоп из счетчиков 521 Тензорные силы 507 Теория возмущений 524, 528, 532 Теория возраста 308 Тепловые нейтроны 298 Тепловые реакторы 387 Термализация 298 Термоядерная реакция 479 Тета — пинч — эффект 482 Томсона модель атома 15—16 Томсоновское рассеяние у-лучей 244 Ториевая вилка 142 Тормозное излучение 233 Транспортная длина 307 Трансурановые элементы 413 Триплет см. Мультиплет Туннельный переход 126, 396 Турбулентный нагрев 483 [c.719]

Эффект Зинера. Его наблюдают в очень сильных полях (больше 10 В/м). Увеличение концентрации носителей в этом случае осуществляется за счет туннельного перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. У полупроводника, помещенного в электрическом поле, наблюдается наклон энергетических зон, тем больший, чем выше 17 [c.259]

В работах [12, 28] изучалось поведение германиевых и кремниевых диодов Исаки под действием облучения быстрыми нейтронами. При низком прямом напряжении в характеристиках диодов Исаки обнаружен пик тока, обусловленный туннельными переходами электронов из зоны проводимости в валентную зону. Так как этот эффект не зависит от времени жизни носителей, то влияние излучения может привести только к уменьшению плотности ионизированных доноров и акцепторов. Подсчитано, что для существенного изменения вольт-амперных характеристик устройств с высокой начальной концентрацией доноров и акцепторов на основе такого механизма требуется интегральный поток быстрых нейтронов порядка 101 нейтрон 1см . [c.301]

ПРОБОЙ магнитный — туннельный переход электрона, движущегося в металле при наличии магнитного поля, с одной орбиты на другую световой — переход вещества в состояние плазмы в результате сильной ионизации под действием мощного светового излучения электрический — общее название процессов, приводящих к резкому возрастанию электрического тока в среде, исходно не электропроводной) ПРОВОДИМОСТЬ ионная обусловлена движением свободных ионов комплексная определяется отношением действующего значения силы переменного тока в электрической цепи к действующему значению напряжения на ее зажимах магнитная измеряется отношением магнитного потока в каком-либо участке магнитной цепи к магнитодвижущей силе, действующей на этом участке полупроводника [примесная дырочная (/)-типа) обеспечивается движением дырок в направлении, противоположном движению электронов, перебрасываемых из валентной зоны в зону проводимости полупроводника электронная (я-типа) осуществляется электронами, перебрасываемыми с донорных уровней в зону [c.266]

В отсутствие мюонов реакции синтеза, напр. ядер дейтерия d -j- d —> Не -j- n или ядер дейтерия и трития d - - t 7- Не - - п, происходят с заметной вероятностью лишь при высоких энергиях / сталкивающихся частиц, / 1—10 кэВ, т. е. при темп-рах в десятки и сотни млн. градусов, поскольку ядрам нужно путём туннельного перехода преодолеть высокий барьер кулоновского отталкивания, чтобы сблизиться до расстояний действия ядерных взаимодействий (г г 5х IQ-is см) (рис. 1). При торможении отрицательно заряж. мюонов в плотной смеси изотопов водорода за вре- [c.229]

Наличие у дефектов эквивалентных положений приводит к вырождению состояний, между этими состояниями происходят туннельные переходы. В результате возникает расщепление уровней. Внеш. пост, электрич. поле смещает (дополнительно расщепляет) эти уровни, появляется возможность ими управлять. Если к кристаллу дополнительно приложить ещё и перем. электрич. поле, возникают квантовые переходы с поглощением или излучением эл.-магн. волны. Переходы осуществляются резонансно, на определ. частоте, соответствующей разности энергий между двумя уровнями. Это явление и принято называть П. р. Характерная область частот П. р.— диапазон СВЧ (Ю —10 Гц). [c.546]

В туннельных переходах сверхпроводник — изолятор — сверхпроводник (СИС) при напряжении смещения V — 2Д/е, где А — ширина энергетич. щели сверхпроводника, начинается туннелирование отд. электронов, к-рому соответствует резкий рост тока через переход (рис. 4). Большая нелинейность ВАХ такого одно- [c.444]

Реакции под действием протонов, дейтронов н других заряженных частиц отличаются от реакций под действием нейтронов прежде всего тем, что для них существует потенциальный барьер ядра и частица должна преодолеть это сильное кулоновское отталкивание. Поэтому, только обладая большой энергией, заряженные частицы в состоянии подойти близко к ядру и вызвать ядериую реакцию. В случае легких ядер энергия налетающей заряженной частицы может быть меньшей, так как при этом появляется вероятность захвата частицы ядром в результате туннельного перехода. Протоны могут вызвать реакции (р, у), (р, п) и (р, а). [c.284]

В 42 было показано, что путем туннельного перехода может происходить самопроизвольное деление ядра без предварительного возбуждения. Этот процесс, называемый спонтанным делением, подобен процессу а-расиада. Осколки деления просачиваются через потенциальный барьер, образующийся при первоначальной деформации делящегося ядра (см. рис. 150). [c.396]

Эффект Зпнера — туннельный переход электронов из валентной зоны в зону проводимости в сильном внешнем электрическом поле. [c.289]

Кроме деления ядер под действием указанных механизмов возбуждения возможен процесс деления ядер без каких-либо видимых внешних воздействий на ядро. Такой процесс называют спонтанным делением ядер. Принято считать, что в невозбужденных ядрах (представляемых как маленькие капли) имеют место колебания с периодом 10 "—10 с и амплитудой 0,1—0,2 радиуса ядра. Наличие барьера деления сдерживает самопроизвольный развал ядра, однако после огромного числа колебаний барьер может оказаться случайно пройденным посредством туннельного перехода. Времена жизни ядер по отношению к спонтанному делению изменяются от 10 лет для изотопов урана и тория до миллисекунд для ядер с зарядом Z=104-Hl07. [c.1087]

В этом случае возможен прямой туннельный переход электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости п-областн, просачивающихся сквозь потенциальный барьер толщиной х и высотой, меняющийся от Eg в точке до О в точке Jta. С увеличением толщина барьера уменьшается (рис. 8.25, б) и напряженность поля Ё в нем растет. Если р — /г-переход достаточно тонок, то уже при сравнительно невысоком Vas поле ё достигает такого значения, при котором начинается интенсивное туннелирование, электронов сквозь, р — / -переход и его пробой. Для германия это происходит при ё X 3 10 В/м, для кремния при й 10 В/м. Такой пробой называется туннельным. Обратная ветвь ВАХ перехода, отвечающая этому типу пробоя, показана иа рис. 8.24 кривой 2. С увеличением толщины р — -перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается и более вероятным становится лавинный пробой. [c.239]

Г. п. 3. происходит также в присутствии сильного электрич. поля вследствие ударной ионизации и туннельных переходов электронов в зону проводимости из валентной зоны (т. и. пробой Зенера) и с примесных уровней. [c.435]

В квантовой теории любой процесс описывается суммой по всем возможным траекториям, осуществляющи.м переход. В классич. пределе из этой суммы выделяются траектории, являющиеся решением ур-ний классич. динамики. В тех случаях, когда данный переход классически невозможен, ос проис. содит за счёт туннельного аффекта. И. являются туннельными переходами, происходящими в вакууме. [c.149]

Симл1етрип относительно обращения времени нриво-дит к ряду сажных следствий, таких, как Крамерса теорема, равенство коэф. туннельных переходов ирй прохождении потенциального барьера.с разных сторон, 284 теорема взаимности (согласно к-рон совпадают ампли - [c.284]

В отличие от классич. механики, коэф. прохождения для квантовомеханич. движения не равен нулю даже в случав, когда энергия (< i) меньше высоты барьера Уб- В этой ситуации при классич. движении слева направо частица должна была бы остановиться в точке а и затем, отразившись от барьера, двигаться налево (аналогично частица, двигавшаяся из области z налево, должна была бы отразиться в точке остановки Ь). Область а<.х<.Ь запрещена для классич. движения. В квантовом случае существует конечная вероятность подбарьерного, туннельного, перехода (см. Туннельный, аффект). Для гладкого барьера в квазиклассическом, приближении коэф, туннельного перехода равен [c.286]

Наряду с туннельным переходом чисто квантовым эффектом является над барьерное отражение, происходящее при энергиях, превосходящих высоту барьера (и даже в отсутствие к.-л. барьера, напр, при прохождении частицы над потенц. ямой). Классич. частица в этом случае свободно проходит над барьером и лишь её кинетич. энергия изменяется от величины (6 — Vi) до величины ( —V. ) [при прохождении слева направо в поле с V(x), изображённой на рис. 6]. Волновым аналогом надбарьерпого отражения частиц является частичное отражение световой волны от границы раздела двух прозрачных сред. Для гладких [c.286]

Влияние внешних полей. Структура края фуидам. Поглощения изменяется под влиянием электрик, и магн. полей. Электрич. попе наклоняет зоны и делает возможным туннельный переход при йш < Sg (си. Келдыша — Франца эффект). Магн. иоле вызывает квантование энергии электронов и дырок, т. е. возникновение эквидистантных Ландау уровней, расстояние между к-рыми равно кеШт, где т — эфф. масса электрона или дырки. Плотность состояний носителей заряда вблизи уровней Ландау возрастает, вследствие чего появляются осцилляции коэф. поглощения как ф-цни частоты света. Максимум поглощения соответствует переходам между уровнями Ландау. Изучение осцилляций позволяет расшифровать спектр электронов и дырок (см. Квантовые осцилляции в магнитном поле). [c.42]

ЦРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — низкотемпературный механизм проводимости в полупроводниках, при к-ром перенос заряда осуществляется путём квантовых туннельных переходов ( прыжков ) носителей заряда между разл. локализованными состояниями. Прыжки сопровождаются поглощением или излучением фононов. Наиб, изучена П. п. в слаболегированном кристаллич. полупроводнике, где происходит туннелирование между примесными электронными состояниями, а также в аморфных и стеклообразных полупроводниках, в к-рых носители заряда туннелируют между локализов. состояниями хвоста плотности состояний в квазизапре-щённой Зоне. [c.170]

Модель сеткн сопротивлений. При териодивамич, равновесвв частоты туннельных переходов электрона с донора I на донор и обратно (Г () равны между собой и определяются соотношением [c.170]

В гетеродинных приёмниках излучения нелинейность ВАХ ДП используется для смещения поступающего сигнала с частотой f с сигналом внеш. гетеродина /г и с дальнейшим усилением по промежуточной частоте /д = I/ — /г - Общая схема приёмника аналогична обычным гетеродинным приёмникам с нелинейным смесительным элементом (сш. Радиоприёмные устройства). Наилучшая эффективность преобразования частот получается при задании смещения на ДП в точке максимума (обычно между 0 и — первой ступенькой). Чувствительность приёмника со смесителем зависит от величины шума, добавляемого при преобразовании частоты сигнала к /д, и обычно характеризуется соответствующей шумовой температурой Сильная нелинейность ВАХ и наличие в ДП собств. генерации создают условия для преобразования вниз по частоте не только полезного сигнала, но и >ш. ВЧ-компонентов шума. В результате, как показывают теория и эксперимент, смесителя на основе ДП в десятки раз превышает его физ. темп-ру. Частотная область использования смесителей с ДП составляет 30—500 ГГц. Для частот 100 ГГц наименьшее достигнутое значёВие 7 у равняется 100К. Как квадратичные детекторы, так II гетеродинные приёмники на основе ДП широко не применялись. Причина этого в недостаточной стабильности свойств обычно используемых в них сверхпроводящих точечных контактов и в повыш. уровне шума. Вместе с тем по своим возможностям они в ВЧ-облаоти (100—1000 ГГц) превосходят, по-видимому, приёмники, основанные аа Шоттки эффекте и одночастичных туннельных переходах (см. Туннельный эффект). [c.444]

Рис. 4 , Вольг-амперная ха-рактеристина (ВАХ) туннельного перехода сверхпроводник — изолятор — сверхпроводник. Сплошная кривая — БЛХ без действия излучения, штриховая кривая — ВАХ при действии излучения с частотой /.

Зависимость потенциальной энергии и от расстояния г между частицами. Стабильные связанные состояния лежат в области анергий < О, им соответствуют дискретные уровни анергии системы, При > О стабильные связанные состояния не существуют, однако в области О <9 < Vf, где Uf — высота потенциального барьера, при некоторых W могут существовать квази-стабильные связанные состояния, время жизни которых определяется вероятностью туннельного перехода через потенциальный барьер и может быть (особенно для частиц большой массы) весьма велико. Для макроскопических теп связанные состояиня могут иметь любую энергию в области и < if < ц . [c.471]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...