Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Тепловая скорость атомов электронов

Из формул (2.3) и (2.6) видно, что электрическая проводимость прямо пропорциональна числу свободных электронов п, пробегу к и обратно пропорциональна скорости v, которые могут меняться от вещества к веществу. Пробег электрона ограничен тепловыми колебаниями атомов и наличием у кристалла различного рода дефектов.  [c.34]

Большая подвижность может быть обусловлена малой эффективной массой носителя заряда т и большим временем свободного пробега или, точнее, временем релаксации Tq. В полупроводниках элективная масса носителей заряда может быть как больше, так и меньше массы свободного электрона. Время релаксации, характеризующее спадание тока после снятия поля, обусловливается процессами рассеяния движущихся в полупроводниках электронов. Чем больше частота столкновений и чем они интенсивнее, тем меньше время релаксации, а следовательно, и подвижность. При комнатной температуре средняя скорость теплового движения свободных электронов в невырожденном полупроводнике и в диэлектрике (если они в нем имеются) около 10 м/с. При этом эквивалентная длина волны электрона будет около 7 нм, тогда как в металлах она составляет примерно 0,5 нм. Таким образом, вследствие большей длины волны электрона в полупроводнике и в диэлектрике по сравнению с металлом, неоднородности порядка размеров атома мало влияют на рассеяние электронов. У некоторых чистых полупроводников подвижность может быть очень большой, 10 м /(В-с) и выше, у других она меньше 10" mV(B- ). Вычисляемая по последнему значению длина свободного пробега составляет лишь долю межатомных расстояний в решетках. Физический смысл требует, чтобы длина свобод-  [c.240]


Явление теплопроводности состоит в переносе теплоты структурными частицами вещества (молекулами, атомами, электронами) в процессе их теплового движения. Такой теплообмен может происходить в любых телах с неоднородным распределением температуры, но механизм переноса теплоты зависит от агрегатного состояния тела. В жидкостях и твердых диэлектриках перенос теплоты осуществляется путем непосредственной передачи теплового движения молекул и атомов соседним частицам вещества. В газах распространение теплоты теплопроводностью происходит при соударении молекул, имеющих различную скорость теплового движения. В металлах это обеспечивается главным образом за счет движения свободных электронов.  [c.123]

Неидеальная плазма характеризуется значительным вкладом эффектов межчастичного взаимодействия — неидеальности. Поясним это понятие. При малых плотностях низкотемпературная частично ионизованная плазма может рассматриваться как смесь идеальных газов электронов, ионов и нейтральных атомов. Частицы движутся с тепловыми скоростями, лишь изредка сталкиваясь друг с другом. При повышении плотности средние расстояния между частицами уменьшаются и все большее время частицы начинают проводить, взаимодействуя друг с другом. При этом возрастает средняя энергия взаимодействия между частицами. Когда средняя энергия межчастичного взаимодействия оказывается сопоставимой с характерной кинетической энергией теплового движения, плазма становится неидеальной. Свойства такой плазмы перестают описываться простыми соотношениями теории идеальных газов и плазмы и становятся весьма необычными.  [c.338]

Первый шаг заключается в объединении выражения (4.112) для поглощения по Крамерсу при связанно-свободных переходах с водородоподобных уровней пг-кратно ионизованных атомов с уравнением (4.133) для поглощения при свободно-свободных переходах (при средней тепловой скорости электронов) в поле (та 1)-кратно ионизованных атомов. В результате получаем  [c.400]

Таким образом, при сильном сжатии конденсированного вещества в нем развивается колоссальное внутреннее давление, даже в отсутствие всякого нагревания, только за счет отталкивания атомов друг от друга. Существование этого давления нетеплового происхождения, совершенно не свойственного газам, и определяет основные особенности поведения твердых и жидких тел при сжатии их ударными волнами. В ударных волнах очень большой амплитуды, как мы увидим ниже, происходит и сильное нагревание вещества, приводящее к появлению давления, связанного с тепловым движением атомов (и электронов), которое называют тепловым , в отличие от упругого, или холодного давления, обусловленного силами отталкивания. В принципе, если амплитуду ударной волны устремить к бесконечности, относительная роль теплового давления возрастает и в пределе упругое давление становится малым по сравнению с тепловым в волнах чрезвычайно большой амплитуды первоначально твердое вещество ведет себя как газ. Однако в ударных волнах с давлениями в миллионы атмосфер, полученными в лабораторных условиях, давления обоих типов сравнимы друг с другом. В менее сильных волнах, с давлением порядка сотен тысяч атмосфер и ниже, упругое давление преобладает. Мала в этом случае и тепловая энергия вещества, сжатого ударной волной. Вся внутренняя энергия, приобретаемая веществом в волне, затрачивается на преодоление сил отталкивания при сжатии тела и сосредоточена в форме потенциальной, упругой энергии. Скорость распространения малых возмущений в конденсированном веществе, в отличие от газов, никак не связана с температурой. Она определяется упругой сжимаемостью вещества.  [c.535]


Температуру разреженной атмосферы следует понимать в соответствии с кинетической теорией газов, а именно как величину, характеризующую среднюю тепловую скорость движения молекул, атомов и электронов. Именно в этом отношении делают различие между электронной температурой и температурой нейтральных частиц. Начиная с высот 130—150 км, температура заряженных частиц обычно на несколько сотен градусов превышает температуру нейтральных частиц. Объясняется это тем избытком энергии, который приобретают заряженные частицы в процессе ионизации (см. параграф 4.2). По изложенным причинам температуру верхних слоев атмосферы часто называют кинетической.  [c.191]

Это выражение получено нами из рассмотрения частного случая движения электрических зарядов в металлическом проводнике. Для того чтобы выяснить, насколько общим является это выражение и можно ли его распространять на другие случаи движения электрических зарядов в магнитном поле, необходимо представить себе физическую картину движения зарядов в металлическом проводнике и возникновения силы F. В металлическом проводнике носителями зарядов являются свободные электроны, слабо связанные с атомами металла. Независимо от того, течет по проводнику ток или нет, свободные электроны совершают хаотическое тепловое движение со скоростями порядка сотен километров в секунду (эта скорость растет с ростом температуры). Пока электрическое поле в проводнике отсутствует, вследствие полной хаотичности теплового движения за единицу времени через любое сечение проводника в обе стороны проходит одинаковое число электронов, т. е. одинаковое количество электричества, и ток  [c.80]

Тепловое ионизационное равновесие. Формула Саха. При достаточно высокой температуре (когда химическое соединение уже полностью диссоциировано) столкновения атомов газа приводят к их ионизации. При этом часть атомов распадается на положительный ион /1 и электрон е. Одновременно с этим происходит и обратный процесс рекомбинации, в ходе которого ион и электрон соединяются в нейтральный атом. При равновесии оба эти процесса идут с одинаковой скоростью. Уравнение реакции имеет вид  [c.199]

Теплопроводность представляет собой перенос теплоты, осуществляемый посредством теплового движения структурных частиц вещества (атомов, молекул, электронов). В газообразных телах распространение теплоты теплопроводностью происходит вследствие обмена энергией при соударении молекул, имеющих разную скорость теплового движения. В металлах такими структурными частицами являются свободные электроны, в жидкостях и твердых телах (диэлектриках) теплота переносится путем непосредственной передачи теплового движения молекул и атомов соседним частицам вещества в форме упругих волн.  [c.148]

Высокая теплопроводность металлов, таких, как медь и серебро, хорошо известна из повседневной жизни и тесно связана с их высокой электропроводностью. В теории электропроводности Друде [64, 65] предполагается, что имеется некоторое среднее расстояние, или средняя длина свободного пробега /, на которой свободные электроны ускоряются электрическим полем, а затем они теряют приобретенную в результате ускорения скорость и остаются в состоянии чисто теплового движения. Ускорение прекращается в результате какого-либо столкновения с атомами. Для электропроводности тогда получаем выражение  [c.24]

Наиболее монохроматическим из обычных тепловых источников света является светящийся атомный пучок [24]. Здесь за счет сведения к нулю одной компоненты скорости достигается резкое уменьшение допплеровской ширины. Излучение коллимированного пучка атомов наблюдают в поперечном направлении. Атомный пучок можно возбуждать электронным ударом или оптической накачкой от атомов, находящихся в возбужденном состоянии. Атомным пучком можно также пользоваться в абсорбционной спектроскопии [25]. При использовании резонансной линии кальция был получен излучающий пучок атомов с длиной когерентности свыше 2 м [26]. Наиболее точные измерения длины волны были проведены с атомным пучком Hg [27], причем была достигнута относительная точность порядка 5-10-10.  [c.328]


Явление термической ионизации газа заключается в том, что при высокой температуре скорость теплового движения молекул газа достигает настолько большой величины, что при столкновении их становится возможным выбивание электронов из атомов, т. е. ионизация газа.  [c.83]

Как уже указывалось, в современных ионных источниках коэффициент использования массы достаточно высок (до 0,9 — 0,95), но все же некоторое количество атомов рабочего вещества поступает в ионнооптическую систему с тепловыми скоростями. В результате в ионнооптической системе могут протекать такие процессы, как рассеяние и перезарядка ионов на атомах, ионизация атомов ионами и др. В условиях ионных двигателей при относительных скоростях ионов и атомов 10 - м/с наиболее вероятным процессом является резонансная перезарядка ускоренных ионов на нейтральных атомах. При перезарядке ускорений ион приобретает электрон и становится быстрым атомом, продолжающим движение со скоростью, равной скорости иона в момент перезарядки. Атом, потерявший электрон, становится вторичным ионом, начальная скорость которого равна тепловой скорости атома (около 10 м/с).  [c.83]

Представляет интерес отметить, что если между атомами, молекулами, ионами и электронами столкновения происходят достаточно часто, то между ними устанавливается тепловое равновесие, и распределение скоростей всех частиц можно найти по закону Максвелла, причем средние кинетические энергии частиц разных сортов будут одинаковы. Это, по-видимому, имеет место, когда дуговой разряд происходит при атмосферном давлении или при несколько более низком. Но если давление в дуге достаточно мало, то, как показывает опыт, равновесие между атомами и электронами может и не наступить, хотя равновесие между атомами, равно как и равновесие между электронами, может установиться ). Таким образом, можно говорить об атомной температуре (максвелловское распределение скоростей атомов, соответствующее температуре Та) и об электронной температуре (максвелловское распределение скоростей электронов, соответствующее температуре Т ), но неравноГд, а значительно выше (Т Тд).  [c.743]

Характер конвективных токов связан со структурой течения, которое может быть либо ламинарным, либо турбулентным. По латыни lamina — слой, листовое изделие. Течение называется ламинарным, т. е. слоистым, если его можно уподобить скольжению одного слоя жидкости относительно другого без их перемешивания. Поскольку при ламинарном течении направление вектора скорости остается в каждой точке устойчивым, конвекция по нормали к этому направлению никогда не возникает и соответствующий перенос того или иного субстрата должен быть исключительно микрофизической природы, т. е. иметь в своей основе тепловое движение молекул, атомов, электронов (излучение здесь не рассматривается). В частности, напряжение трения т, действующее на данный слой со стороны смежных, определяется законом Ньютона через коэффициент вязкости (молекулярной) р.  [c.75]

РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация электроняо-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда с зоной проводимости (с) и валентной дырочной зоной (г) посредством процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону I (с вероятностью в единицу времени g ) и дырки из пустого Р. ц. в зону V (с вероятностью д), а также обратных процессов захвата свободного электрона ва пустой Р. ц. (вероятность К ) и свободной дырки ва заполненный Р, ц. (Ад). Величины Д1 Ад, Ад определяются сечениями захвата электрона и дырки Од, Пд, их тепловыми скоростями Од, Уд, эяергетич. расположением уровня Р. ц. я краёв зон (/,., т,), кратностью вырождения уровня Р. ц. у, статистич. факторами с- и о-зон (Ас, Ас). Они являются ф-циями темп-ры Г и концентраций свободных электронов п и дырок р (при отсутствии вырождения)  [c.321]

Вакуумное испарение. Метод не обязательно связан с использованием ионов, но исторически явился первым методом формирования покрытий в вакууме, и уместно упомянуть о нем хотя бы в сравнительном плане. Суть метода сводится к осаждению паров материала. Создание высокоэффективных электронных пушек, обеспечивающих высокие скорости испарения, значительно расширило возможности метода. Помимо электронных пушек используются нагреватели из тугоплавких металлов. Введение в вакуммную камеру небольших добавок химически активных газов позволяет формировать покрытия оксидов, нитридов, карбидов и т. д. Энергия осаждаемых частиц соответствует характерным значениям энергии тепловых колебаний атомов, а скорость осаждения покрытий достигает десятков и сотен микрометров в час.  [c.74]

Фундаментальное свойство всех проводников — пропорциональность между плотностью тока, протекающего через проводник, и прпло кепным к проводнику нанряжением (закон Ома). При прохождении больших токов (для металлов 10 — 10 а/с.м-) наблюдаются отклонения от линейной зависимости. Объяснение закона ()ма, а также вычисления удельной электропроводности связаны с учетом взаимодействия электронов проводимости с фононами, а также рассеяния электронов па атомах примеси, дислокациях и т. п. Можно показать, что уд. электропроводность изотропного или кубич. металла а (2е-/ < 2яЛ) ) р1, где р, — площадь поверхности Г ерми, а I — длина свободного пробега. Для полупроводников а = пе -1/т, и, где п — число электронов в зоне проводимости, у — их средняя теплова скорость, а т — эффективная масса электрона.  [c.120]


При больших интенсивностях света многофотонное вынужденное тормозное поглощение является основным механизмом его поглощения в плазме. В случае, когда колебательная скорость электрона в поле волны V =eEo/m o оказьюается больше средней тепловой скорости его поступательного движения Vt = (3 частота соударений электрона и рассеивающего центра в плазме (атома, иона, ядра) начинают зависеть от амплитуды волны о Это, в свою очередь, приводит к зависимости коэффициента поглощения плазмы а, обусловленного вынужденным тормозным эффектом, от интенсивности излучения /, т.е. сечение становится нелинейным.  [c.308]

Если к идеальному полупроводнику приложить электрическое поле, то электроны под действием этого поля начнут свободно двигаться, ускоряясь полем. Однако в реальных кристаллах направленное движение электрона все время нарушается из-за его столкновения с рассеиваюи1,ими центрами. Такими центрами являются колеблющиеся узлы решетки, ионизированные атомы примеси, нарушения кристаллической решетки и т. д. Электрическое поле стремится создать наиравленное движение, а искажения кристаллической решетки рассеивают электроны. В результате устанавливается некоторое динамическое равновесие, которое характеризуется тем, что электроны совершают дрейфовое движение, которое является суперпозицией движения в электрическом поле и хаотического теплового движения. До тех пор, пока скорость дрейфа мала по сравнению с тепловой скоростью (при напряженности поля ( = 10 е/сл приращение энергии на длине свободного пробега электрона составляет эв, т. е. мало по  [c.15]

Однако для плотной плазмы важно наличие тяжелых s-частиц (ионов, атомов), при столкновении с которыми вектор скорости электронов претерпевает хаотическое (в среднем равномерное) рассеяние. При этом становится возможным превращение кинетической энергии электронов в энергию беспорядочного теплового движения других частиц. Полная нерегулярность направлений скорости электронов достигается уже после небольщого числа столкновений. Формула для т имеет вид  [c.49]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях.  [c.120]

Проводниковые материалы представляют собой металлы и сплавы. Металлы имеют кристаллическое строение. Однако основное свойство кристаллического тела — анизотропность — не наблюдается у металлов. В период охлаждения металла одновременно зарождается большое количество элементарных кристаллов, образуются кристаллиты (зерна), которые в своем росте вступают в соприкосновение друг с другом и приобретают неправильные очертания. Кристаллиты приближаются по своим свойствам к изотропным телам. Высокая тепло-и электропроводность металлов объясняется большой концентрацией свободных электронов, не принадлежащих отдельным атомам. При отсутствии электрического поля равновероятны все направления теплового движения электронов в металле. Под воздействием электрического поля в движении электронов появляется преимущественное направление. При этом, однако, составляющая скорости электрона вдоль этого направления в среднем невелика, благодаря рассеянию на узлах решетки, Рассеяние электронов возрастает при уведичении степени искажения решетки. Даже незначительное содержание примесей, таких как марганец, кремний, вызывает сильное снижение проводимости меди. Другой причиной снижения проводимости металла или сплава может явиться наклеп— т. е. волочение, штамповка и т. п. Твердотянутая проволока имеет более низкую проводимость, чем мягкая, отожженная. При отжиге происходит рекристаллизация металла, сопровождающаяся повышением проводимости. Ее величина приближается к первоначальной благодаря восстановлению правильной формы кристаллической решетки. Во многих случаях желательно получение проводникового материала с низкой проводимостью такими свойствами обладают сплавы — твердые растворы двух типов. Твердыми растворами замещения называют такие, в которых атомы одного из компонентов сплава замещают в кристаллической решетке второго компонента часть его атомов. В твердых растворах внедрения атомы одного из компонентов сплава размещаются в пространстве между атомами второго, расположенными в узлах кристаллической решетки. Если атомы первого и второго компонентов сплава близки по размерам и строению электронных оболочек  [c.272]

Необходимо отметить некоторые недоразумения, которые встречались по поводу этого случая возбуждения в более старых литературных источниках, а именно иногда считалось, что термический характер возбуждения специфически связан с возбуждением при столкновениях нейтральных атомов и молекул, совершающих тепловое движение. Наличие в светящемся объеме свободных электронов или других заряженных частиц, как предполагалось, нарушает тепловой характер возбуждения. В действительности он обусловливается лишь наличием термодинамического равновесия независимо от того, при столкновении с какими частицами происходит возбуждение атомов. При этом обычно рассматриваются случаи неполного равновесия, в том смысле, что в источнике света отсутствует равновесие с излучением. Равновесие считается выполненным лишь по отношению к движению частиц всех сортов и их распределению по энергетическим уровням. Другими словами, считается, что частицы всех сортов движутся со скоростями, распределенными по закону Максвелла с одним и тем же значением температуры Г, и что они распределены по энергетическим уровням по закону Больцмана с той же температурой Т. Тогда, при одновременном отсутствии равновесия с излучением, интенсивность линий, для которых самопоглощение не играет заметной роли, выражается формулой (2). Излучатель, удовлетворяющий формуле (2), называется больцмановским излучателем. При возрастании оптической плотности, когда сказывается самопоглощение света, больцманов-ский излучатель начинает переходить в планковский излучатель. )  [c.428]

Тепловое излучение представляет собой процесс распространения внутренней энергии излучаюш,его тела путем электромагнитных волн. Электромагнитными волнами называют электромагнитные возмущения, исходящие из излучаемого тела и распространяющиеся в вакууме со скоростью света с = 3-10 м/с. При поглощении электромагнитных волн какими-либо другими телами они вновь превращаются в энергию теплового движения молекул. Возбудителями электромагнитных волн являются заряженные материальные частицы, т. е. электроны и ионы, входящие в состав вещества. При этом колебания ионов соответствуют излучению низкой частоты излучение, обусловленное движением электронов, может иметь высокую частоту, если они входят в состав атомов и молекул и удерживаются около своего равновесия значительными силами.  [c.361]


Дрейфовая скорость и, следовательно, П. и. з. ограничиваются процессами их рассеяния, к-рое происходит на дефектах крпсталлич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки (испуская или поглощая фонон, электрон изменяет свой квазиимпульс, а следовательно и скорость Цдр). Поэтому П. н. з. зависит от темп-ры Т. С понижением Т доминирующим становится рассеяние на заряж. дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшением энергии носителей.  [c.666]

В 1980-х гг. появилась гипотеза о круговороте плазмы в. магнитосфере Земли. Эксперим. подтверждение этой гипотезы получено при измерениях ионного состава Р. п.— среди энергичных частиц зарегистрирована значит, доля ионосферных ионов (ионов кислорода и молекулярных ионов). Хотя мн. аспекты процессов ускорения и переноса частиц в магнитосфере недостаточно ясны, в первом приближении Р. п. можно считать промежуточным резервуаром накопления энергичных частиц, перемещающихся по энергетич. шкале в процессе круговорота . Предполагается, что круговорот плазмы в магнитосфере Земли происходит по следующей схеме. В полярных областях вдоль открытых силовых линий геомагн. поля, уходящих в удалённые области магнитосферы, ионосферные ионы и электроны с энергией неск. эВ (превышающей их тепловую энергию) испаряются из плотных слоёв атмосферы, преодолевая гравитац. притяжение Земли (т, и. полярный ветер). Попадая в плазменный слой хвоста магнитосферы, эти частицы ускоряются до энергий порядка неск, кэВ и вовлекаются в конвективное движение плазмы к Земле, На внеш. границе Р. п. (на геоцентрич. расстояниях 6—10 На, Нд — радиус Земли) большие квазистационарные электрич. поля и сильно неоднородные магн. поля увеличивают энергию частиц ещё на один-два порядка. Далее, перемещаясь ближе к Земле, в район максимума потоков частиц Р, п. (2—5 На), в результате, рассеяния на колебаниях электрич. и магн. полей, частицы попадают в область всё более сильного магн. поля, испытывая индукд, ускорение вплоть до энергий в сотни МэВ. Те же процессы рассеяния, к-рые приводят к радиальному перемещению частиц к Земле, обусловливают их попадание в конус потерь (см. Магнитные ловушки). Он определяется соотношением между полем в вершине силовой линии (в экваториальной плоскости) и нолем вблизи торца геомагн. ловушки (в верх, слоях атмосферы). Частицы, у к-рых достаточно велика продольная (по отношению к магн. полю) компонента скорости при движении вдоль силовой линии, попадают в плотные слои атмосферы. Здесь они сталкиваются с ионами или нейтральными атомами и тормозятся, теряясь среди тепловых ионов. После переноса в полярные области заряж. частицы готовы вновь стать полярным ветром и начать новый цикл, Помимо высыпания в верх, атмосферу др. механизмом потерь является перезарядка энергичных частиц (см. Перезарядка ионов) на нейтральных атомах экзосферы. Этот процесс особенно важен для долгоживущих энергичных частиц. В целом различия в механизмах ускорения и потерь разных составляющих Р. п.— электронов, протонов и др. частиц — настолько  [c.208]

Неустойчивости Т, р., вызывающие волны и домены, можно приблизительно разбить на 3 больших класса электродинамические, тепловые и доменные. Электродинамические неустойчивости (упоминавшиеся выше) проявляются в виде шнурования тока на электродах в КС и АС и связаны с отрицат. дифференц. сопротивлением этих слоев. Во мн. случаях эти неустойчивости приводят к появлению тепловых неустойчивостей из-за резкого увеличения скорости ионизации вследствие нагрева газа и его прорежения либо из-за возбуждения колебат. или электронных уровней молекул и атомов. На рис. 5 хорошо видно прорастание токового канала из катодного пятна в импульсном несамостоятельном Т. р. Этот токовый канал может приводить к более быстрому замыканию меж-электродного канала по сравнению с неустойчивостью, однородной вдоль электрич. поля. Это связано с тем, что на головке канала может существенно усиливаться электрич. поле, как в обычном стримере, что приводит к ускоренному распространению канала. В Т. р. в потоке газа такие шнуры выносятся потоком и снова возникают в меж-электродном пространстве. Они являются причиной низкочастотных ( кГгО колебаний.  [c.119]

Формирование, фокусировка и управление электронным лучом осуществляются в электронной пушке. Электроны, эмиттируе-мые катодом, ускоряются напряжением до 150 кВ, в результате скорость электронов в луче достигает 20-10 м/с. После фокусировки плотность энергии в пучке составляет 10 — 10 Вт/см . Сфокусированный пучок электронов проходит в рабочую камеру и бомбардирует обрабатываемую поверхность. При бомбардировке кинетическая энергия электронов преобразуется в тепловую энергию обрабатываемого вещества. Преобразование происходит при неупругих столкновениях быстрых электронов с электронами атомов вещества и последующем взаимодействии возбужденных атомов с атомной решеткой, вызывающем увеличение температуры вещества.  [c.614]

Мартенситные превращения связаны с перестройкой кристаллической решетки и совершаются путем кооперативного движения атомов. Теоретические исследования у—а мартенситных превращений проводятся с использованием кристаллогеометрического, термодинамического и волнового подходов. Однако только волновой подход способен описать динамику у—а мартенситных превращений. Это направление связано с работами Кащенко [395], развившим волновую модель роста мартенсита при у—а-превращении в сплавах на основе железа. Модель базируется на экспериментальных данных, показывающих, что скорость торцевого роста кристаллов инвариантна к температуре, близка по порядку величины к скорости звука и, возможно, превышает скорость распространения продольных упругих волн. Это указывает на нелинейный характер волнового процесса и его адиабатичность. Сочетание этих факторов с переохлаждением (ЛТ = 200К ниже температуры Tq равновесия фаз), значительными тепловым и объемным эффектами превращения приводят к большим градиентам температуры и химического потенциала электронов в меж-фазной области. Это показывает, что у—а мартенситные превращения — сильно неравновесные процессы с характерными признаками самоорганизации структур.  [c.248]

Основным физическим механизмом, определяющим значение п.2 в стеклах, является нелинейная электронная поляризуемость [107]. Она обусловлена оптически наведенной деформацией электронных оболочек атомов и имеет короткое характеристическое время установления порядка 10-1 с. Электронная поляризуемость вносит доминирующий вклад в общее значение п.2 стекол — 80—85 % для импульсов света короче 10- —10- с. Из других механизмов, при определенных условиях также вносящих вклад в значение Лг стекол, отметим электрострикцию, тепловую нелинейность, а также ориентационную (керровскую) и ядерную поляризуемости. Изменение 2 под действием электрострикции связано с изменением плотности среды под влиянием давления, возникающего в интенсивной световой волне и пропорционального Е . Скорость этих изменений определяется скоростью распространения звука в среде, т. е. временами порядка 10 —10 с для /л О, 1—1 см.  [c.50]

Несмотря на то, что ядерная реакция протекает за весьма короткое время, ядерный заряд бомбы стремится к тепловому равновесию, так что до того, как произойдет заметное разрушение бомбы, установится равновесие между кинетической энергией вещества и энергией электромагнитного излучения. При температуре 10 °К атомы и ионы урана движутся со средними скоростями порядка 3- 10 см1сек, а электроны — со скоростями порядка 2-10 см/сек. Следовательно, за время 10" сек. электроны и ионы, движущиеся в среде с плотностью 5 г см при температуре 10 (нормальная плотность металлического урана равна 18,7 г см ), сталкиваются друг с другом чрезвычайно большое число раз это и обеспечивает установление равновесия между кинетической энергией вещества и энергией излучения.  [c.369]


Смотреть страницы где упоминается термин Тепловая скорость атомов электронов : [c.552]    [c.440]    [c.138]    [c.277]    [c.449]    [c.468]    [c.8]    [c.150]    [c.197]    [c.101]    [c.738]    [c.906]    [c.589]    [c.430]    [c.152]    [c.519]   
Принципы лазеров (1990) -- [ c.135 ]



ПОИСК



Мир атома

Скорость электронов

Тепловая скорость

Тепловая скорость атомов

Тон электронный в атоме

Электроны тепловые



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте