Тон электронный в атоме

После удаления лишнего (пятого) электрона атом 8Ь становится положительно заряженным моном, имеющим четыре валентных электрона, подобно всем атомам 81 (ион 8Ь замещает 81 в кристаллической решетке). [c.388]

Так как электроны обладают более высокой скоростью, чем положительные ионы, благодаря своей малой массе, частица стремится принять отрицательный заряд. Видно, что случай ф > 0 в (10.14) представляет интегральное распределение для электронов, тогда как случай ф <0 относится к положительным ионам. Для слабо ионизованного газа столкновения типа ион — атом газа и электрон — атом газа будут происходить примерно во столько раз чаще электронно-ионных столкновений, во сколько раз концентрация атомов нейтрального газа больше концентрации положительных ионов. В первом приближении взаимодействием ударяющихся ионов и электронов можно пренебречь. Делается дополнительное предположение о присоединении абсолютно всех электронов и ионов, падающих на поверхность частицы, так как [c.441]

I электрон/атом, 2 = 0 закрытая — сфера (см. калий) [c.740]

П1 = п , открытая — пространственная сетка гофрированных цилиндров вдоль осей [111], рис. 30.11 1 = 1 электрон/атом, = О, открытая — пространственная сетка гофрированных цилиндров вдоль осей [111] подобна поверхности Ферми золота п фп , закрытая Открытая (расчет) [c.740]

Периода-шость. химических, оптических, электрических и магнитных свойств атомов разл шых элементов в зависимости от 2 связана со сходным строением внешних электронных оболочек, определяющих эти свойства. Эта периодичность сохраняется и для ионов. Теряя один электрон, атом по ряд> свойств становится подобным атомам предыд>тцей гр тты. [c.25]

НОЙ концентрации с учетом s- я d электронов дают 6,5— 7,4 электронов/атом в большинстве известных о фаз (табл 2), что позволяет считать эти фазы определенной группой электронных соединений Установлено также, что а фазы образуются элементами при различии атомных ра диусов R ло 8 % (в системе Со—Мо—до 12 %) [c.69]

Но поскольку в полупроводнике существуют раздельно носители отрицательного электричества — электроны и носители положительного электричества — дырки , то достаточно свободному электрону наткнуться на нуждающийся в электроне атом ( дырку ), как он будет захвачен. При этом одновременно исчезнут и свободный электрон и дырка . Атом станет электрически нейтральным. Такую встречу в физике называют рекомбинацией. [c.125]

Величина / (8) называется амплитудой рассеяния. Выражение-(9) для амплитуды рассеяния носит универсальный характер в том смысле, что, усложнив соответствующим образом понятие рассеивающей способности / данного центра, можно за такой центр принять, вообще говоря, любую физическую рассеивающую единицу — электрон, атом, молекулу, группу молекул и т. п. Однако в том аспекте, как мы его ввели с самого начала — для точечных рассеивающих центров,— это понятие особенно ценно тем, что рассеивающая способность f, является постоянной, не зависящей от направления (угла) рассеяния, величиной. [c.9]

Взаимодействия электрон—атом. Необходимо прежде всего отметить, что для расчета коэффициента теплопроводности, электропроводности и вязкости, как это следует из высших уравнений, не требуется эффективных сечений QP5) и в связи с этим о них [c.354]

Как известно, атом состоит из положительно заряженного ядра и движущихся вокруг него отрицательно заряженных частиц — электронов. Атом в стационарном состоянии электрически нейтрален. Число электронов в атоме равно положительному заряду ядра и соответствует порядковому номеру элемента в периодической системе элементов (см. табл. 1). Различаются внешние (валентные) электроны, связь которых с ядром незначительна, и внутренние — более прочно связанные с ядром. [c.9]

Если рассматривать абсолютно неупругий центральный удар (коэффициент восстановления равен нулю и после удара = й] - II2 =0), то изменение кинетической энергии в результате столкновения равно второму слагаемому в (20). На основе теоремы о движении центра инерции системы в пренебрежении внешним воздействием на систему электрон - атом первое слагаемое при ударе не изменяется. [c.9]

Лазерная генерация происходит в Ые, наиболее характерные линии таковы — 0,6328 мкм, X = = 1,15 мкм, X — 3,39 мкм. Способ накачки атомов Ме особенно интересен. В смеси газов, которая обычно содержит 1,0 мм рт. ст. Не и 0,1 мм рт. ст. Ме, возбуждается разряд постоянного или переменного тока. Высвобождающиеся в разряде электроны набирают высокую энергию, достаточную для возбуждения Не в электрон-атом-ных столкновениях. Возбужденные атомы Не релаксируют в каскадных процессах и накапливаются преимущественно в долгоживущих метастабильных состояниях 2 5 и 215 (рис. 2.17). Поскольку эти долгоживущие уровни практически совпадают (по энергии) с уровнями 25 и 35 атомов Ме, возбужденные атомы Не в столкновениях могут передавать энергию атомам Ме, которые в результате оказываются в возбужденных состояниях. Эти уровни являются начальными состояниями для лазерных переходов или даже для каскада лазерных переходов. [c.50]

Как описать взаимодействие атома со светом На первый взгляд это невероятно трудная задача, так как она включает много степеней свободы. Есть атом с его ядром и множеством электронов. В простейшем случае мы можем рассмотреть атом водорода, состояш,ий из единственного протона и единственного электрона. Атом движется как целое. Сам электрон совершает движение относительно протона. При соответствуюш,их условиях оба движения должны рассматриваться в рамках квантовой механики. [c.31]

Наличие сил кулоновского взаимодействия между электронами и ионами делает их соударения в плазме значительно более сложными, чем соударения нейтральных частиц. Вместо броуновского зигзагообразного движения молекул траектория заряженной частицы становится извилистой, соответствующей изменениям (флуктуациям) электрического поля в плазме. Поэтому в плазме, вообще говоря, должны учитываться все возможные сечения соударений ион — атом — Qia (перезарядка) ион— ион — Qii (сечение Гвоздовера) электрон — атом — Qm (сечение Рамзауэра) электрон — ион — Qe, (прилипание или захват электрона) и электрон — электрон Qee. Тогда для k видов частиц [c.41]

Вместе с тем автор считает, что, несмотря на отсутствие 100%-ной уверенности в сираведливости рассуждений, подобных проведенным выше, с ними все-таки надо знакомить начинающих физиков, потому что такие, возможно ошибочные, рассуждения очень физичны и часто способствуют продвижению науки вперед. В истории ядерной физики таких полезных ошибок было очень много (предположение о существовании в ядре электронов, атом Бора, гипотеза о справедливости закона сохранения четности во всех взаимодействиях, предположение об идентичности нейтрино из Р-раепада и (я—ц)-распада и др.). Читатель помнит, сколько пользы принесли эти ошибки . [c.197]

Возможность изменения массы электрона. Атом водорода обязан своей стабильностью закону сохраления энергии в реакции [c.205]

На рис. 98 схематически показана простейшая атомная система с одним электроном (атом водорода или водородоподобный ион), какой она представляется в теории Бора. Поле в атоме водорода можно считать число кулоновским. Состояния с различными значениями побочного квантового числа I и одинаковыми главными квантовыми числами и в атоме водорода вырождены и обладают практически одинаковыми энергиями. Орбита электрона в кулоновском поле не совершает прецессии вокруг ядра, а имеет вполне определенное положение. Электрон, обращаясь по орбите, наиболее медленно движется вдали от ядра. Поэтому электрический центр тяжести орбиты электрона находится в точке С. Такая атомная система обладает стационарным дипольным моментом. В этом случае наблюдается линейный игтарк-эффект — линейная зависимость расщепления линий от величины электрического поля. [c.264]

Если состояния атомных систем дискретны, то внутренняя энергия атомов при столкновении изменяется лишь на конечные значения, равные разности энергий атома в стационарных состояниях. Следовательно, при неупругом столкновении электрон можег передать аюму лишь определенную порцию энергии. Измеряя энергии, передаваемые электроном атому при столкновении, можно сделать [c.76]

Примесямк второго вида для германия служат элементы третьей группы, например, индия, на внешней оболочке которого имеется три валентных электрона. При замещении атома германия индием возникают связи лишь с тремя атомами, а с четвертым — связь оказывается нарушенной. Для заполнения этой связи атом индия захватывает один из электронов, образующих валентную связь в кристалле, и дополняет свою внешнюю оболочку четвертым электроном для этого требуется незначительная энергия — 0,011 эв. Однако при этом нарушается одна из валентных связей между близлел<ащими атомами германия, откуда был захвачен этот электрон, т. е. образуется дырка. Возникновение дырки не сопровождается появлением свободного электрона. Атом индия приобретает отрицательный заряд, но этот заряд не может являться носителем. [c.173]

В. атома связана с ого электронной структурой, а следовательно, и с его положением в периодической системе элементов, т. к., отдавая или нрисоединяя электроны, атом стремится иметь заполненную, наиб, устойчивую внеш. электронную оболочку. Так, макс. В. атома С, имеющего во внешней (валентной) оболочке [c.238]

Возбуждённые в твёрдом теле оже-электроны должны донести до энергоанализатора ту энергию, с к-рой они вылетели из эмитирующих их атомов, поэтому необходимо, чтобы, вылетев из атома, они не испытали неупругих взаимодействий. Это возможно лишь в том случае, когда глубина, па к-рой расположен эмитирующий оже-электрон атом, не превосходит ср. длины свободного пробега d для неупругого рассеяния величина d и определяет толщину приповерхностного слоя, анализируемого методами 0.-е. (рис. 3), она составляет [c.400]

О. м. микрочастицы (электрон, атом, ядро и т. д.) связан с её движением в пространстве. Помимо О. м., микрочастица, как правило, обладает внутренним, или спиновым, моментом s, имеющим чисто квантовое происхождение (спин исчезает при переходе к пределу й —> О и не допускает классич. интерпретации). При наличии спина из изотропии пространства следует, что сохраняются не i и по отдельности, а лишь полный момент у = / -J- (см. Квантовое сложение моментов). При этом собств. значения оператора У равны j(j 1)й. Волновая ф-ция с определ. значениями р и может быть построена из координатной и спиновой волновых ф-ций с помощью Клебиш — Гордана коэффициентов. Имеются отбора правила для переходов между состояниями С определёнными i и /, к-рые играют важную роль в теории ал.-маги, переходов в атомах в ядрах, при рассмотрении распадов элементарных частиц и т. д. [c.465]

Взаимосвязь макро- и микропараметров среды была обоснована микроскопич. электронной теорией X. А. Лоренца (1880), рассматривающей электрон (атом) как осциллятор, а среду как набор частиц-осцилляторов. Падающая световая волна вызывает колебания в частицах, в результате чего они излучают волны, когерентные с падающей. Вторичная волна одного атома действует на др. атомы и вызывает их дополнит, излучение интерференция всех этих волн с падающей объясняет все явления отражения и преломления. Если расстояние между частицами X (что справедливо для оптич. диапазона) и если плотность частиц одинакова во всём объёме среды, то расчёт по молекулярной теории приводит к тем же выводам, что и феноменологич. теория. Именно в среде вторичные волны гасят падающую и создают прелом.чённую вне среды интерференция вторичных волн приводит к образованию отражённой волны с амплитудой, описываемой ф-лами Френеля. Если расстояние между частицами сравнимо с А. (в ренте, области), то феноменологич. теория неправомерна. необходим другой подход (см. Дифракция рентгеновских лучей). Тепловое движение частиц нарушает постоянство их плотности и приводит к новому явлению — молекулярному рассеянию света. [c.512]

Алюминий трехвалентен, и 13 его электронов распределены на электронных оболочках 2s , 2р , 3 , Ър . На внешнем электронном слое М находятся три валентных электрона два на З -орбите с потенциалами ионизации 1800 и 2300 кДж/моль и один на Зр-орбите с потенциалом 574,5 кДж/моль, и поэтому в химических соединениях алюминий обычно трехвалентен (Al " ). Так как электрон на /j-орбите с ядром атома связан слабее, чем два спаренных электрона на 5-орбите, то при определенных условиях, теряя />-электрон, атом алюминия становится одновалентным ионом (А " ), образуя соединения низшей валентности (субсоединения), и еще реже — Al . [c.15]

Алюминий имеет электронную конфигурацию ls 2s 2p 3s 3p . На третьем (внешнем) энергетическом уровне атома алюминия находится три электрона, и в химических соединениях алюминий обычно трехвалентен. Из трех валентных электронов два расположены на s-подуровне и один на р-подуровне (3s Зр ). Так как один р-электрон с ядром атома связан слабее, чем два спаренных s-электрона, то в определенных условиях, теряя р-электрон, атом алюминия становится одновалентным ионом, образуя соединения низшей валентности (субсоединения). ь [c.7]

Решение задачи устойчивости атома непосредственно связано с принятой моделью его строения [20], Наиболее привлекательной в этой связи явилась ядерная модель, в соответствии с которой вся масса атома сосредоточена в малом ядре. В этом объеме заключен и положительный заряд атома. Вокруг ядра движутся легкие, отрицательно заряженные электроны атом при этом вцелом остается электрически нейтральным. Динамическая устойчивость атома в этой модели обеспечивается равновесием между кудоновской силой притяжения электронов к ядру и центральной силой, возникающей при обращении электрона вокруг ядра. [c.58]

По теоретическим расчетам Зеегера 76] увеличение отношения электрон/атом в результате добавки растворенных элементов к меди, серебру или золоту вызывает уменьшение энергии дефектов упаковки. Это находится в соответствии с увеличением возможности двойникования в растворах указанных металлов, имеющих более высокое отношение электрон/атом. Данные об изменении энергии дефектов упаковки при легировании для некоторых случаев приведены в работе [77]. В общем случае, возрастание или уменьщение энергии дефектов упаковки при легировании определяется конкретной системой. Энергия дефектов упаковки почти не зависит от температуры. [c.301]

Электропроводность. Электропроводность воздуха рассчитана в диапазоне температур 4000 Г 20000° К и давления 10" атм по формуле (5). Расчеты показали, что достаточно учитывать три приближения. Результаты расчетов приведены на рис. 2. Произведено сравнение с данными о (Г, р), опубликованными в работах [И], [24] и [25]. В области высоких температур расхождение, наблюдающееся с упомянутыми выше данными, объясняется особенностями теории Кихара и Аоно. При низких температурах расхождение может быть вызвано главным образом выбором эффективных сечений взаимодействия электрон—атом. Бруннер, например, выбрал Qю = QгN = onst = 10 см [25]. Это оценочное значение является завышенным, что и объясняет, почему при Т 6000° К его результаты ложатся ниже кривых, полученных в настоящей работе. Видимо в качестве эффективных сечений в работе [24] были взяты более надежные величины, однако, к сожалению, авторы в статье их не приводят. В работе [И] приведены зависимости осредненных эффективных сечений электрон—атом от температуры. О достоверности этих данных трудно судить, так как авторы не уточняют источник, на основании которого определены эти величины. Однако следует отметить, что, так как эти значения превосходят соответствующие величины, принятые в настоящей работе, следовало бы ожидать заниженные, по сравнению с данными рис. 2, результаты расчета а(Т) [11]. На самом деле наблюдается обратная картина, что заставляет предполагать, что в работе [11] имеется ошибка в расчете. К такому же выводу пришли и авторы работы [26]. [c.357]

Столкновения первого рода. Способ получения отрицательного поглош,ения с помощью разряда был предложен впервые В. А. Фабрикантом в 1939 г. Суть его заключается в том, что при неупругих столкнове-ниях электрон — атом столкновения первого рода) атом возбуждается, а затем высвечивается. (Под столкновениями первого рода подразумевают такие, при которых кинетическая энергия поступательного движения переходит в энергию возбужденного состояния). Схематически процесс выглядит так [c.93]

Смотреть страницы где упоминается термин Тон электронный в атоме : [c.739] [c.739] [c.740] [c.740] [c.113] [c.8] [c.13] [c.437] [c.472] [c.86] [c.158] [c.689] [c.107] [c.252] [c.423] [c.15] [c.190] [c.324] [c.93] [c.16] [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...