Напряжения, связанные с дислокациями. Энергия дислокации

Первый член представляет собою работу тех внутренних сип, которые уже были приложены к поверхности разреза, второй — работу внешних сил на дополнительных перемещениях, связанных с дислокацией, наконец третий — это работа сил, создающих дислокацию, т. е. энергия дислокации Wo. Сумма двух первых членов представляет собою энергию взаимодействия дислокации и поля напряжений от внешних сил [c.473]

Рассмотрим сначала результаты анализа неравновесных границ зерен, в которых предполагается существование хаотических ансамблей внесенных зернограничных дислокаций [208]. Данный подход позволил исследовать поля внутренних упругих напряжений в наноструктурных материалах и сравнить результаты теоретических расчетов с экспериментальными данными. Показана возможность оценить избыточную энергию границ зерен, связанную с появлением полей упругих напряжений. Кроме того, основываясь на нелинейной теории упругости, удалось сделать простую оценку дилатации кристаллической решетки, вызванную внесенными зернограничными дислокациями. [c.101]

Очевидно, избыточная энергия и увеличение объема наноструктурных материалов могут быть связаны с другими дефектами, не производящими дальнодействующих напряжений. Это прежде всего неравновесные вакансии, поры, микротрещины и свободные объемы, связанные с границами зерен. Например, концентрация неравновесных вакансий порядка 3 х 10 наблюдалась в Си на стадии V деформационного упрочнения [217]. Тем не менее скорость релаксации неравновесных вакансий очень высока и наиболее вероятно, что вклад вакансий во время дилатометрических исследований не удается зафиксировать [143]. К сожалению, в литературе отсутствуют данные о влиянии пор и микротрещин, однако можно предположить, что их роль незначительна в материалах, деформированных под высоким давлением. Следовательно, есть все основания полагать, что избыточная энергия границ зерен и изменение объема в наноструктурных материалах, полученных методами ИПД, в основном обусловлена наличием высоких внутренних напряжений неупорядоченных ансамблей дислокаций и дисклинаций. [c.112]

При напряжениях ниже уровня барьеров (т<то) наличие точечных дефектов кристаллической решетки и связанных с ними короткодействующих полей напряжений приводит к закреплению дислокаций у этих точек. Потенциальный барьер в точке закрепления U(x) может преодолеваться при напряжениях ниже уровня барьеров [42, 160, 164] за счет энергии термической флуктуации. Следовательно, вероятность отрыва дислокации пропорциональна вероятности появления термической флуктуации энергии величиной выше U (т). Частота такой флуктуации [128] [c.28]

Наличие в кристаллах дефектов и полей напряжений вокруг них создает сложный потенциальный рельеф для движущихся дислокаций. Кроме силы сопротивления со стороны кристаллической решетки (силы Пайерлса) дислокации при своем движении должны преодолеть барьеры, связанные с точечными дефектами и их комплексами, частицами внедрения, другими дислокациями, элементарными возмущениями решетки. В различных случаях подвижность дислокации лимитируется тем физическим механизмом, который обеспечивает в этих условиях наибольшую скорость диссипации их энергии. [c.78]

ЭМИССИЯ акустическая — излучение упругих вом, возникающее в процессе перестройки внутренней структуры твёрдых тел. Э. появляется при пластич. деформации твёрдых материалов, при возникновении и развитии в юа дефектов, напр, при образовании трещин, при фазовых превращениях, связанных с изменением кристаллич. решётки, а также при резании твёрдых материалов. Физ. механизмом, объясняющим ряд особенностей Э., является движение в веществе дислокаций и их скоплений. Неравномерность, прерывистость дислокационных процессов, связанных с отрывом дислокаций от точек закрепления, торможением их у препятствий, возникновением и уничтожением отд. дислокаций, является причиной, обусловливающей излучение волн напряжения, т, е. Э, Соответственно акустич. Э. имеет взрывной , импульсный характер длительность импульса может составлять 10 — 0 с, энергия отд, импульса—от 10 до 10 Дж. [c.612]

К настоящему времени получен большой объем экспериментальных данных, свидетельствующих о том, что начальные акты пластической деформации, а следовательно и диссипация энергии, связаны с поверхностными слоями кристалла. Крамер [539] экспериментально показал на деформируемых ОЦК-, ГЦК- и ГПУ-кристаллах наличие градиента плотности дислокаций в приповерхностных слоях. Образующийся деб-рис-слой действует как барьер, задерживающий дислокации, генерированные в процессе нагружения внутренними источниками. Глубина такого слоя — около 60 мкм для алюминия и 100 мкм для железа, что сопоставимо с размером зерна. Установлено, что этот эффект не связан с градиентом напряжений, так как он проявляется и при одноосном растяжении, а являет собой пример самоорганизации структур, обеспечивающей самозащиту поверхности металла от разрушения. [c.336]

Множественное и поперечное скольжение вблизи диспергированных частиц приведет к большому числу центров зарождения дислокационных сплетений и, вследствие этого, к более быстрому уменьшению свободно движущихся винтовых дислокаций по сравнению с аналогичным альфа-твердым раствором. Из-за наличия частиц и связанных с ними дислокационных сплетений плотность подвижных винтовых дислокаций для одного и того же уровня напряжений и температуры будет меньше, чем для альфа-твердого раствора. Если дислокации имеют большое число порогов, то энергия активации ползучести при более низком напряжении равна примерно энергии активации самодиффузии. Однако при более высоких напряжениях и, в частности, для металлов с низкой энергией дефектов упаковки энергия активации ползучести с увеличением приложенного напряжения должна уменьшаться линейно. Поскольку структурный фактор р, так же как и величина энергии активации, зависит от напряжения, пока не представляется возможным обоснованно предсказать общую зависимость высокотемпературной ползучести дисперсионно упрочненных сплавов от напряжения. Скорость ползучести для второй стадии процесса может быть выражена уравнением [c.293]

Действительно, при низких температурах вакансионный порог должен перемещаться неконсервативно. Так как возникающая вакансия не успевает отделиться от порога, который при этом вместе с дислокацией на некотором расстоянии движется обратно и поглощает точечный дефект, то работа, связанная с образованием вакансии, совершается за счет энергии внешних напряжений. При этом скорость движения порога (ступеньки) вперед и обратно должна быть соответственно пропорциональна [c.202]

Первый максимум или максимум Снука, наблюдаемый некоторыми исследователями при 50 К, как полагают, связан с активизированной напряжениями диффузией водорода. Такая точка зрения подтверждается хорошим соответствием значений энергии активации и коэффициента диффузии, полученных при измерении внутреннего трения и экстраполяции результатов при высокотемпературной диффузии. Кроме того, этот низкотемпературный максимум появляется сразу же после наводороживания и уменьшается по величине с увеличением длительности вылеживания стали. Второй максимум (максимум при наклепе), наблюдаемый при более высоких температурах (100—150 К), как считают, обусловлен взаимодействием образующихся дислокаций и водорода. Этот максимум не обнаруживается на стали, только что подверженной наводорожива-нию, но обнаруживается после значительного времени вылеживания. Исследование внутреннего трения дает важную информацию о взаимодействии водород — дислокации и диффузии водорода в железе и стали. [c.268]

В результате пересечения двух дислокаций с противоположными векторами Бюргерса на каждой из них возникают искажения, называемые ступеньками. Плоскость скольжения, связанная со ступенькой, отличается от плоскости скольжения основной дислокации. Это означает, что при скольжении дислокаций обычно происходит переползание ступенек. При температурах, недостаточно высоких для протекания интенсивной диффузии, ступенька при движении оставляет за собой цепочку вакансий или межузельных атомов. Энергия активации для движения ступеньки линейно зависит от напряжения, а именно — от его касательной составляющей в направ-лении скольжения, т. е. [c.298]

При деформации пластин чистого никеля между вращающимися наковальнями при комнатной температуре и давлениях ВПЛОТЬ-до 150 кбар обнаружено увеличение напряжения течения с давлением, на порядок большее, чем увеличение модуля сдвига [189]. Этот эффект был приписан зависимости от давления напряжения Пайерлса при движении дислокации из одной потенциальной ямы в другую ее ядро расширяется и сжимается (как бы дышит ). При давлении 150 кбар наблюдаемое изменение напряжения течения отвечает дилатации, равной 10" атомного объема на участке дислокации длиной, Ь. Это, в сущности, миграционный объем дислокации, в то время как эффект Зеегера и Хаасена (см. выше) связан с объемом образования дислокации. Близкое объяснение дается так называемому эффекту дифференциального упрочнения мартен-ситной стали [118] заметно более высокое напряжение течения в экспериментах с одноосным сжатием, чем с одноосным растяжением, связывается с существованием объема образования пар изломов. При этом для образования пары изломов требуется большая энергия в режиме сжатия, чем в режиме растяж ения. [c.175]

Другой фазы. При закаливании стали, например, выпадают кристаллы карбида железа. К тому же эффекту (упрочнению) приводит наличие границ зерен. Закрепить дислокации можно также путем введения примесей. Введенные при высокой температуре примеси концентрируются на дислокациях, так как там имеется большой свободный объем и они легко диффундируют в него. При низких температурах атомы примесей замораживаются и не дают дислокации свободно двигаться по кристаллу. Взаимодействие атомов примесей с дислокациями также может фиксировать дислокации в решетке, поскольку разрыв связи между атомами примеси, вызываемой движением дислокации, связан с затратой энергии. Наконец, даже в самом чистом кристалле может протекать процесс упрочнения, называемый упрочнение при холодной обработке , которое происходит за счет переплетания и сцепления дислокаций при механической обработке, например при волочении и наклепе. В совокупности эти механизмы могут обусловить увеличение прочности кристалла на величину до одного процента модуля сдвига совершенный кристалл, как можно показать, выдерживает механические напряжения до Ve модуля сдвига (кубическая решетка). При высоких температурах вследствие увеличения растворимости и скорости диффузии дислокации снова могут свободно передвигаться по кристаллу, и поэтому прочность кристалла падает. [c.87]

В заключение отметим еще один момент. Если дилатометрические изменения при отжиге обусловлены переходом неравновесных границ зерен в более равновесное состояние, то по данным кинетики этих изменений можно судить о кинетике перехода неравновесных границ в равновесные, т. е. о возврате структуры неравновесных границ зерен в ультрамелкозернистом поликристалле. В последние годы для описания этого процесса возврата предложен ряд моделей [148, 149], в согласии с которыми скорость возврата границ зерен контролируется объемной диффузией в тройных стыках. Однако полученные из дилатометрических исследований данные — низкое значение энергии активации, временная стадийность эффекта — позволяют полагать, что возврат границ зерен в поликристалле не является чисто диффузионным процессом и связан с процессом релаксации напряжений в тройных стыках, по-видимому, за счет перераспределения дислокаций в границах. [c.83]

В холоднодеформированном металле всегда имеется избыток накопленной свободной энергии, который является движущей силой процесса разупрочнения при нагреве. При возврате уменьшается кривизна и плотность дислокаций, повышается структурное совершенство металла, уменьшается величина избыточного вектора Бюргерса, происходит снятие связанных с ним дальнодействую-щих напряжений, отжиг точечных дефектов и уменьшение числа плоских границ. [c.8]

Начальный участок кривой e t) при напряжениях и температурах, соответствующих преобладающей роли процессов термоактивируемого преодоления препятствий на пути движения дислокации, связан с изменением плотности подвижных дислокаций Lh Скорость изменения пропорциональна общему числу закрепленных дислокаций Ls и вероятности появления флук- туации энергии f/(T), достаточной для отрыва дислокации от точки закрепления. Учитывая вероятность обратного перехода — закрепления дислокаций — с энергией активации U (т), получаем [c.37]

Простейший видР. а.— релаксация внутримолекулярного возбуждения, или квеэеровская релаксация. Такая Р. а. происходит, напр., в двухатомных и многоатомных газах, где энергия поступат. движения молекул в звуковой волне переходит в энергию, связанную с колебат. и вращат. степенями свободы молекул, т. е. изменяется заселённость вращат. и колебат. уровней. Др. виды Р. а. структурная релаксация в жидкостях, при к-рой акустич. волна инициирует изменение ближнего порядка в расположении молекул жидкости хим. релаксация, при к-рой под действием звука сдвигается равновесие в хим. реакции. В твёрдом теле звуковая волна нарушает равновесное распределение фононов, что приводит к релаксац. процессам, определяющим решёточное поглощение звука. Один из видов Р. а. в твёрдом теле — релаксация разл. дефектов кристаллической решётки — как точечных, так и линейных дислокаций), связанная с движением дефектов под действием механич. напряжений в упругой волне. При распространении звука в полупроводниках и металлах нарушается равновесное распределение электронов проводимости, что также приводит к релаксации, а следовательно, к дополнит, поглощению звука. [c.328]

КОГО течения воспринимается как изменение в характере порождаемых дефектов, связанное с изменением механизмов скольжения. Отмечено [З], что исходя из критических температур упорядочения фаз NijX, титан, ниобий и тантал не должны существенно увеличить энергию АРВ. Однако титан и, возможно, тантал, могли бы увеличивать энергию дефектов другого типа. В результате анализа серии данных с целью расчета энергии АРВ в зависимости от содержания легирующего элемента было установлено [22], что энергию этих дефектов можно изменять в достаточно широких пределах (табл.3.2, ее анализ приводится ниже при обсуждении принципов проектирования сплавов). Упрочнение за счет размерного несоответствия. Сделанные ранее [l] попытки объяснить зависимость приведенного критического напряжения сдвига от размеров частиц влиянием на него когерентных напряжений оказались неудачными. Согласно модели Герольда и Хаберкорна [31] главная роль принадлежит взаимному влиянию дислокаций и деформации, а перерезание частиц — следствие этого влияния. Расчеты в общем виде [c.101]

Эффект поверхностного торможения, связанный с образованием ступеньки скольжения, когда винтовая дислокация пересекает поверхность. Перемещение дислокаций под действием напряжений вызывает рост ступеньки. При этом сила сопротивления или поверхностного торможения равна уЬ (у — поверхностная энергия и Ь — вектор Бюргерса). Наличие прочных (например, окнсных) пленок должно приводить к увеличению напряжений, необходимых для прохождения дислокации, за счет сильного эффекта торможения. [c.318]

На основе подходов синергетики и данных исследования эволюции дислокационных структур при деформации, рассмотренных в гл. 3, точку перехода от стадии II к стадии III с координатами х, у (см. рис. 89) следует трактовать как точку бифуркации, отвечающей смене типа дефекта, контролирующего диссипацию энергии. На стадии II диссипация энергии связана с дислокациями (ламинарное течение), а на стадии III — с дискли-нациями (турбулентное течение). Это и обусловливает смену типа диссипативных структур в этой критической точке. Таким образом, критическое напряжение отвечает напряжению сдвига, выше которого система не может продолжать пластическую деформацию по механизму трансляции как контролирующей моды, не обеспечивающей дальнейшую эффективную диссипацию энергии и устойчивость системы, а поэтому включается новый контролирующий механизм диссипации энергии, связанный с ротационной модой деформации [11]. [c.137]

Механизмы деформации, основанные на указанной последовательности скольжение-переползание-скольжение, относят к ползучести, контролируемой переползанием дислокаций или вакансионными процессами. В этих условиях зависимость скорости ползучести от напряжения носит степенной характер, а процесс ползучести связан с перестройкой дислокационной структуры из неупорядоченной в упорядоченную (полигональную). Процесс ползучести является стабильным до тех пор, пока полиго-низация остается ведущим механизмом организации структуры сплава под напряжением. Конкурирующим механизмом при этом является рекристаллизация. Неустойчивость динамической структуры связана поэтому с исчерпанием возможностей диссипации энергии путем организации [c.256]

Линии дислокаций между узлами пространственной сетки стремятся выпрямиться, чтобы уменьшить потенциальную энергию, связанную с искажениями кристаллической решетки. Поэтому можно говорить оТнекотором линейном натяжении дислокации, численно равном потенциальной энергии U, приходящейся на единицу ее длины. При действии "вХ плоскости скольжения внешнего касательного напряжения т линия дислокации между точками закрепления А и В выгибается по дуге радиуса г = Ul xb) (рис. 2.17, а, позиция 1). [c.88]

Внутреннее трение проявляется при циклических напряжениях ниже предела упругости в результате необратимой потери энергии деформирования. Энергия деформирования теряется вследствие теплообмена в окружающую среду, расходуется на изгибание дислокаций и перемещение внедренных атомов, а в ферромагнитных материалах — на магнитно-упругий эффект, связанный с механострикцией. [c.354]

На рис. 7.10, б и в показано распределение радиальных и тангенциальных напряжений, описываемых соответствующими участками гармонической кривой, смещенными на четверть периода. Вдоль лйнии разреза 0 = 0 радиальные напряжения Тгг равны нулю. Энергия краевой дислокации больше энергии винтовой дислокации Wb на величину, связанную с модулем пуассонова сжатия [c.140]

Генерация второй сдвиговой гармоники не связана с взаимодействием излучаемой сдвиговой волны с продольной. Внешние силы настолько малы по сравнению с силами межмолекулярного взаимодействия, что они не могли бы сколько-нибудь заметно изменить решеточную нелинейность эффект связан с процессами, имеющими сравнительно малую энергию активации. Наиболее вероятной причиной возникновения второй сдвиговой гармоники в [17] считались внутренние напряжения в кристалле, вызванные дислокациями. Воздействие внешних нагрузок с этой точки зрения находит простое объяснение в чистых монокристаллах алюминия, как известно, дислокации закреплены в достаточной мере слабо, скольжение начинается при напряжениях, составляющих несколько кГ1см . Дополнительное напряжение, создаваемое нагрузкой, приводит сначала (при небольших напряжениях) к тому, что дислокационные петли выгибаются в направлении составляющей силы в плоскости скольжения, и если вектор смещения в волне имеет составляющую в этой плоскости (при распространении волны вдоль кубической оси алюминия [c.343]

Широко распространенной точке зрения, согласно которой деформационное упрочнение при пластическом течении есть результат возрастания сопротивления среды движению носителей деформации за счет изменения характеров как самих носителей, так и барьеров, в определенной мере противостоит релаксационный переход к описанию этого процесса [2] (см. гл. 1). Он предполагает, что рождение, движение и объединение дефектов в более крупные агрегаты, перестройка дефектов внутри агрегатов и преобразование последних связываются со стремлением нагружаемого объекта снизить уровень напряжений. В таком случае следует учитывать, что поле напряжений внутри объекта неоднородно, а наблюдаемое нарастание деформирующего напряжения отражает некий средний уровень. В связи с неоднородностью поля напряжений пластическая деформация также неоднородна, п развивается локализованно в областях концентрации напряжений. Такие представления позволяют использовать синергетический подход к описанию пластической деформации и рассматривать нагружаемый объект как далекую от равновесия диссипативную систему. При этом предполагается диссипация упругой энергии, поэтому данный процесс напрямую связан с релаксацией полей напряжений. В кристаллических твердых телах релаксация напряжений (а следовательно, и диссипация энергии) может осуществляться рождением и миграцией точечных дефектов, рождением и движением (консервативным пли неконсервативным) дислокаций, образованием и перестройкой дислокационных ансамблей, рождением и перемещением дисклинаций и их ассоциатов, перестройкой и миграцией границ различного рода (блочных, доменных, границ фрагментов и ячеек, межзеренных) и, наконец, нарушением сплошности, т. е. образованием трещин. В специфических условиях релаксация осуществля [c.64]

Как известно, пластическая деформация металлов при низких температурах осуществляется в результате размножения и перемещения дислокаций. При движении дислокации преодолевают различного рода препятствия. Дислокации прежде всего должны преодолеть потенциальные барьеры, связанные с периодическим расположением атомов в идеальной кристаллической решетке. Необходимые для этого напряжения называют напряжениями Пайерлса — Набарро или сопротивлением трения решетки. Помимо этого, дислокации на своем пути преодолевают различного рода препятствия, не свойственные идеальной решетке, такие как лес дислокаций, пороги винтовых дислокаций, барьеры Ломера — Коттрелла, выделения вторых фаз, искажения решетки, обусловленные растворенными атомами. Преодоление этих барьеров может осуществляться путем прорыва через них дислокаций, а также путем поперечного скольжения и нерепол-за шя дислокаций. Во всех случаях для этого необходимо затратить некоторую энергию Я(ст) (рис. 2). [c.10]

Размножение дислокаций и скольжение. Рассмотрим замкнутую дислокационную петлю радиуса г, которая охватывает область того же радиуса, иретерпевщую сдвиг. Гакая дислокация будет частично винтовой, частично краевой, а на большей части длины — смещанного типа. Поскольку энергия деформаций, связанных с дислокационной петлей, возрастает пропорционально длине петли, последняя будет стремиться сократиться. Однако если при этом действует скалывающее напряжение, способствующее развитию скольжения, то петля будет стремиться расщириться. Отрезок дислокационной линии, закрепленной на конусе (рис. 20.18), называется источником Франка — Рида ), и, как видно из рисунка, из него в одной и той же плоскости скольжения может развиться большое число концентрических дислокационных петель. Этот и аналогичные типы механизмов размножения дислокаций приводят к возникновению скольжения и к возрастанию плотности дислокаций при пластической деформации. Прекрасный пример дислокационного источника показан на рис. 20.19. [c.709]

Амплитудно-зависимый гистерезис появляется при таких интенсивностях УЗ, когда абсолютные величины упругих напряжений в плоскости скольжения Ох при циклпч. изменении достигают критич. значений сг тр, достаточных для отрыва отрезков Ьс от закрепляющих дефектов. Если предположить, что все этп дефекты принадлежат к одному типу с неизменной энергией связи и располагаются на линии дислокации случайным образом, то в момент, когда Ох = с отр петля 1/дг должна сразу отрыгааься от всех закрепляющих точек, кроме узлов (рис. 1, б, в). При уменьшении напряжения в последующей фазе цикла петля упруго сжимается, возвращаясь к своему исходному положению, и снова закрепляется дефектами. Поскольку процесс отрыва связан со скачкообразным увеличением дислокационной деформации г дис то зависимость = / От ) [c.117]

Третий механизм — дислокационная релаксация — ответствен за появление низкотемпературных пиков поглош е-ния, впервые открытых П. Бор-дони. Этот вид поглош,ения не связан с точечными дефектами, а обусловлен взаимодействием дислокаций непосредственно с самой кристаллич. решёткой. В простейшем случае дислокационную релаксацию можно описать моделью, где два энергетич. состояния, соответствуюш ие минимумам энергии дислокации, разделены барьером Пайерлса. Если пренебречь квантовомеханпч. флюктуациями, то при темп-ре О К линии дислокаций целиком располагаются в одной из потенциальных ям вдоль направления плотной упаковки. Минимальные напряжения, необходимые для преодоления дислокацией барьеров, равны здесь напряжениям Пайерлса — [c.118]

Предполагается, что физический предел текучести обусловлен присутствием атомов углерода или азота, которые могут занять промежуточные положения в решетке железа. В определенное время атомы углерода или азота стремятся диффундировать к дислокациям и снижают энергию, связанную с ними, сводя к минимуму непрерывность структуры, как предположил Коттрелл. В результате это закрепляет дислокацию, затрудняя передвижение в новую область, где нет загрязнений, несмотря на то что выполнена работа, обеспечивающая повышение энергии для перемещения. Но стоит дислокации передвинуться и этот процесс может легко продолжаться. Так как наличие углерода или азота упрочняет железо, то деформация может наступить при повышенном значении приложенного напряжения. Но как только это произошло, материал продолжает деформироваться при снижающемся напряжении [24]. На то, что водород также может обуачовить начало текучести в условиях, когда действие углерода и азота в этом отношении бы.ю исключено, указывает X. Роджерс [25]. Довольно странно, что водород устраняет физический предел текучести, обусловленный углеродом (см. также работу [26]). [c.343]

Эффективность действия границ зерен как источников и стоков дефектов решетки имеет определяющее значение для развития внут-ризеренных деформационных процессов, в частности влияет на формирование субструктуры. Например, в работе [170] установлена прямая связь между эффективностью границ поглощать дислокации и плотностью дислокаций в структуре. Важной является и другая сторона проблемы—изменение структуры границ зерен при их взаимодействии с дефектами решетки. Эти изменения, связанные нарушениями периодичности структуры границ, т.е, появлением. зернограничных дефектов и возникновением дальнодействующих напряжений вокруг границ- зерен, приводят к тому, что при заданных кристаллографических параметрах границы зерен будут обладать повышенной энергией [1, 63, 150] [c.82]

Если мы теперь попытаемся продеформировать кристалл, прикладывая к верхней его части усилие назад, а к нижней — усилие вперед, мы обнаружим, что дислокация, образующая верхнюю сторону прямоугольника, стремится переместиться вперед, а нижняя дислокация — назад. Это видно из фиг. 141. Одновременно дислокации, образующие боковые края прямоугольника, будут наклоняться и удлиняться. Существует, однако, упругая энергия, связанная как с дислокационной линией, так и с ядром дислокации. С увеличением длины дислокационной линии будет расти ее энергия> поэтому при небольших напряжениях петля будет растягиваться, как резиновый жгут, приобретая некоторую равновесную форму. Прп больших напряжениях можно ожидать, что дислокации выйдут на поверхность, образовав конфигурацию, показанную на фиг. 141 справа. Упругие напряжения, остающиеся как снаружи, так н внутри призмы, в результате приведут к искажению кристалла, [c.506]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...