Дефекты энергия

Реакция Дефект энергии, эВ Константа скорости, 10- 2 см /с [c.405]

Сг=10 5, а при Uf,z= 0 эВ и тех же Г и V Сг=10 °. Это означает, что практическое значение имеет учет равновесной концентрации дефектов, энергия которых не превышает нескольких электрон-вольт. Более слабую роль играют эффекты изменения частоты колебаний, особенно если учесть, что изменение частоты vs/vr более чем на 10% маловероятно. [c.232]

Основное предположение линейной механики разрушения состоит в том, что трещина распространяется тогда, когда величина коэффициента интенсивности достигает критического значения, характерного для данного материала. Совершенно эквивалентная формулировка этого предположения состоит н том, что сила G, движущая трещину, превосходит критическое значение — сопротивление распространению трещины. Формула (19.4.4) утверждает эквивалентность двух этих формулировок. Что касается механического содержания принятой гипотезы и всей теории в целом, на этот вопрос можно ответить по-разному, а в рамках формальной теории вообще его можно не ставить. Тем не менее некоторые соображения могут быть высказаны. В оригинальной работе Гриффитса предполагалось, что освобождающаяся при росте трещины упругая энергия расходуется на увеличение поверхностной энергии если есть поверхностная энергия на единицу площади, то сила сопротивления движению трещины G = Анализ Гриффитса в течение долгих лет считался безупречным, хотя в нем содержится некоторый органический дефект. Энергия поверхностного натяжения вводится в уравнения теории как нечто данное и постороннее по отношению к упругому телу. На самом деле, поверхностная энергия есть энергия поверхностного слоя, свойства которого в той или иной мере отличаются от свойств остального материала и при решении задачи теории упругости этот поверхностный слой нужно как-то моделировать. Простейшая схема будет состоять в том, чтобы рассматривать поверхностный слой как бесконечно тонкую пленку с постоянным натяжением 7. Если контур свободного отверстия имеет кривизну, то поверхностное натяжение дает нормальную составляющую силы на контуре. При переходе к разрезу, в вершине которого кривизна становится бесконечно большой, поверхностное натяжение создаст сосредоточенные силы. В результате особенность у кончика трещины оказывается более высокого порядка, а именно, вида 1/г, а не 1/У г. На это обстоятельство было обращено внимание Гудьером, однако полное решение задачи было опубликовано много позже. В связи с этим можно выразить сомнение, связанное с тем, в какой мере пригодно представление о поверхностном натяжении в твердом теле как о натянутой бесконечно тонкой пленке, а особенно в какой мере эта идеализация сохраняет смысл при переходе к пределу, когда отверстие превращается в бесконечно топкий разрез. [c.664]

Обработка экспериментальных данных свидетельствует о некоторой несостоятельности уравнения (5.21) и необходимости введения в уравнение экспериментальных параметров, таких, как эффективность возникающих под облучением стоков, для более точного описания температурного сдвига 187]. При этом учет температурного сдвига дает возможность воспроизвести не абсолютную, а нормализованную температурную зависимость распухания, поскольку, как правило, с изменением скорости создания дефектов энергии и сорта бомбардирующих частиц наблюдается изменение абсолютной величины радиационного распухания в максимуме (см. табл. 16) [49], что пока не нашло однозначного и удовлетворительного объяснения. Считают, что изменение величины радиационного распухания в максимуме, наблюдаемое на опыте, может быть обусловлено следующими причинами [c.137]

Ультразвуковой метод контроля основан на отражении от не-сплошности (дефекта) энергии ультразвуковых механических колебаний частотой 0,2... 10 МГц и фиксации их в виде импульса на экране дефектоскопа (рис. 6.6). Контроль этим методом проводится с помощью ультразвуковых дефектоскопов (табл. 6.7). Поверхность сварных соединений перед контролем очищается механическим способом от брызг металла, шлака и окалины, после чего покрывается контактирующей средой (минеральным маслом и др.) для обеспечения необходимого контакта преобразователя с поверхностью изделия. [c.383]

Ультразвуковая дефектоскопия, основанная на отражении от дефекта энергии ультразвуковых механических колебаний частотой 0,2... 10 МГц, проводится согласно ГОСТ 14782—86 и методическим руководящим документам (например, Госгортехнадзора России). Этот метод контроля применяют для выявления внутренних несплошностей сварных соединений. [c.375]

Для многих металлов (железа, никеля, меди, серебра, золота, магния и титана), подвергнутых деформации при низких температурах, наблюдался ряд пиков внутреннего трения релаксационного типа, исчезающих при отжиге при комнатной температуре., Исчезновение двух основных пиков происходило в несколько стадий, которые количественно коррелируют со стадиями возврата электросопротивления. Это привело к выводу о том, что затухание, вероятно, обусловлено движением в поле напряжений двойных вакансий и других сложных образований из точечных дефектов. Энергия активации, характеризующая смещение частоты одного из пиков в меди при изменении температуры, приблизительно равна 8-10 2° дж ( 0,5 эв), что согласуется с энергией активации диффузии дивакансий. [c.69]

Ультразвуковой контроль основан на регистрации в виде импульса на экране прибора отраженной от дефекта энергии ультразвуковых колебаний частотой 0,6. .. 10 МГц. Для этой цели применяются дефектоскопы УД, УДМ, УТ, ДУК и др. [4]. Ультразвуковой контроль разработан и применяется для оценки качества сварных соединений различных типоразмеров, в том числе, для стыковых сварных соединений равно- и разнотолщинных трубных элементов (литых, катаных, кованых), штуцерных и тройниковых сварных соединений. [c.151]

Дальнейшее развитие этой теории с учетом многочисленных дефектов кристалла, особенно дислокаций (см.10.3.2), приводит снова к схеме Уббелоде, который принимал во внимание кооперативные дефекты кристалла. Кооперативными называются такие дефекты, энергия образования которых уменьшается благодаря дефектам в соседних областях решетки (по сравнению с образованием изолированного точечного дефекта). [c.194]

В случае многофотонных переходов время жизни электрона в виртуальных состояниях с энергией Е1+КНш определяется величиной неопределенности AEi, равной т.н. дефекту энергии, т.е. разностью энергии Е + КШх) и энергией Е какого-либо связанного состояния в атомном спектре. Исходя из спектров связанных состояний атомов, величина дефекта энергии AEi лежит в интервале от 20 эВ до значения порядка естественной ширины уровня г 10 эВ. Соответственно времена жизни электрона в виртуальных состояниях лежат в пределах от 10 с (это атомное время) до 10 с. [c.15]

Техническое состояние машин роторного и циклического типа действия описывается, в основном, периодическими колебательными процессами. Одним из методов, адекватных физической природе таких процессов, является метод следящего спектрального анализа. По порядку гармоник вибрации можно идентифицировать ее источники амплитуды этих гармоник характеризуют распределение энергии, связанное с состоянием объекта. При развитии дефекта энергия колебаний увеличивается. Для контроля механических ослаблений и люфтов в поршневых машинах регистрируют количество появляющихся дополнительных импульсов, превышающих некоторое пороговое значение за несколько оборотов ротора. [c.603]

В рассматриваемой смеси газов вследствие близких значений колебательных частот некоторых молекул возможны эффективные процессы обмена колебательной энергией, которые также необходимо ввести в общую систему релаксационных процессов. В качестве таких V—V процессов были выбраны следующие процессы, имеющие относительно небольшой дефект энергии [c.278]

В высшей степени маловероятно, чтобы нри термодинамическом равновесии концентрация линейных и двумерных дефектов была отлична от нуля, подобно концентрации точечных дефектов. Энергия образования линейного или двумерного дефекта пропорциональна линейным размерам (7У /з) [c.237]

Ограниченность дефекта энергии (2.28) имеет место и в общем случае. Из него следует сходимость решений неавтомодельных задач (в том числе задач без обострения) к автомодельным решениям в тех случаях, когда граничный закон следует закону автомодельного режима, а поступившая в среду энергия неограниченно нарастает. Влияние начальных данных при этом забывается . [c.39]

Первый закон термодинамики представляет собой частный случай всеобщего закона сохранения и превращения энергии применительно к тепловым явлениям. В соответствии с уравнением Эйнштейна Е = тс надо рассматривать единый закон сохранения и превращения массы и энергии. Однако в технической термодинамике мы имеем дело со столь малыми скоростями объекта, что дефект массы равен нулю, и поэтому закон сохранения энергии можно рассматривать независимо. [c.14]

Начавшееся хрупкое разрушение является самопроизвольным процессом накопленная в системе энергия поддерживает процесс лавинообразного хрупкого разрушения, затрата энергии на образование новых поверхностей меньше, чем освобождающаяся при этом упругая энергия. Гриффитсом было установлено, что существует некоторая критическая длина трещины, назовем ее первой критической и обозначим через /аь рост которой происходит самопроизвольно и сопровождается уменьшением энергии в системе. Как было сказано выше, для того чтобы трещина двигалась, кроме энергетических условий (уменьшение энергии в системе), требуется и достижение определенного напряжения в устье трещины, что достигается при втором критическом ее размере—1с. Ввиду того что в металлах трещина не предельно остра, определяет хрупкую прочность вторая критическая длина дефекта, поскольку h >U, для, стекла имеет место обратная картина 1о<1а или разница между 1с и /э не так велика. Это количественная, но не принципиальная разница хрупкого разрушения стекла и металла. [c.72]

При малой степени деформации насыщенность дефектами незначительна и поэтому образование новых, свободных от дефектов, рекристаллизованных зерен не дает значительного эффекта в смысле выигрыша в свободной энергии. Поэтому при малой степени деформации и первичная рекристаллизация осуществляется с трудом (при высокой температуре), и роста зерна при вторичной рекристаллизации почти не проис- [c.94]

Кроме того, дефекты возникают в результате образования термических пиков. Дело в том что часть энергии нейтронов затрачивается на возбуждение упругих колебаний отдельных групп атомов. Это соответствует как бы резкому возрастанию температуры в небольшом объеме. Вслед за локальным увеличением температуры происходит быстрое рассеяние тепла (посредством теплопроводности) и металл в этом месте получает закалку, сопровождающуюся сильными остаточными искажениями решетки. [c.556]

Воздушно-дуговой поверхностной и разделительной резке могут подвергаться цветные металлы и их сплавы. Однако применение этого способа для разделения цветных металлов требует повышения погонной энергии ввиду более высокой теплоемкости и теплопроводности этих материалов. С помощью воздушно-дуговой резки можно удалять все дефекты в сварных швах, а в стальном—литье, газовые и усадочные раковины, шлаковые включения, земляные засоры, трещины, рыхлости и пористости, [c.122]

Согласно сказанному выше, сталь, прошедшая холодную механическую обработку, корродирует в природных водах с той же скоростью, что и отожженная [1]. Однако в кислотах скорость коррозии нагартованной стали увеличивается в несколько раз (рис. 7.1). Традиционно многие авторы приписывали этот эффект остаточному напряжению в металле, которое увеличивает склонность к коррозии. Но эта интуитивная концепция, вероятно, неверна, так как остаточная энергия, приобретенная в результате холодной деформации (по калориметрическим данным обычно <7 кал/г), недостаточна, чтобы обусловить значительное изменение энергии Гиббса [3]. Вероятно, наблюдаемое увеличение скорости коррозии обусловлено скорее сегрегациями атомов углерода или азота по дефектным местам, образовавшимся вследствие пластической деформации (рис. 7.2), чем влиянием самих дефектов (рис. 7.3). На этих участках водородное перенапряжение ниже, чем на цементите или на железе [2], и это, возможно, наиболее важный фактор. Второстепенными факторами являются [c.130]

Поверхностные дефекты. Энергия кристалла с той или иной поверхностью больше энергии равного количества того же материала, находяш,егося внутри кристалла (Т. е. не имеюш,его никакой поверхности). Свободная поверхность кристалла, границы зерен и блоков, двойни-ковая граница и когерентная и некогерентная межфазовые поверхности имеют поверхностные дефекты двухмерной протяженности (вакансии, дислокации, примесные атомы, микротреш,ины и др.). [c.35]

Внедренные атомы являются точечными дефектами кристаллической решетки металла, вызывающими ее деформацию. Такая деформация, в частности, может иметь характер тетрагональных искажений, существенных для понимания свойств мартенситных фаз. Поля деформаций вызывают появление сил деформационного взаимодействия между внедренными атомами, важного для понимания ряда яв.лепий, происходящих в сплавах внедрения. В главе I, имеющей вводный характер, даетСуЧ обзор теорий точечных дефеютов кристаллической решетки металлов и сплавов, который мон ет иметь и самостоятельный интерес для специалистов, работающих в области физики неидеальных кристаллов. Точечные дефекты рассматриваются в рамках различных моделей (изотропный и анизотропный континуум, атомная модель, учет электронной подсистемы), причем эти модели применяются для определения смещений и объемных изменени1Г в кристалле, вызванных появлением дефекта, энергии дефекта, а также взаимодействия между точечными дефектами, приводящего к образованию их комплексов. [c.7]

Адиабатич. принцип разделения движений и полуклассич. метод описания взаимодействия между партнёрами столкновения являются предпосылкой описания эволюции всей системы на основе нестационарной теории возмущений. Гл. характеристикой неупругого перехода с дефектом энергии при скорости относит, движения V служит параметр Месси = = A -a/kv. Здесь а — размер области, где существенно меняется адиабатич. электронная волновая ф-ция. Критерием адиабатичности столкновения является выполнение неравенства 1. Вероятность Н. п. между состояниями г> и /> с не очень малым дефектом энергии А при > 1, как правило, экспонен.циаль- [c.248]

Чтобы оценить реальную площадь плоскостного дефекта можно воспользоваться следующими рассуждениями. Как видно из рис.1, отраженная дефектом энергия имеет две составляющие Аобр и А,, следовательно, в первом приближении можно считать [c.201]

Постоянная времени, характеризующая нерезонансный эффект Штарка, и действующее поле лазерного излучения. Часто можно встретить утверждение, что нерезонансный эффект Штарка является бези-нерционным. На самом деле это утверждение не является строгим. Дело в том, что постоянная времени нерезонансного эффекта Штарка определяется соотношением неопределенности энергия-время АЕ Аг Н. При этом величина АЕ представляет собой расстройку резонанса (дефект энергии) для перехода электрона, поглотившего один фотон внешнего поля в ближайшее реальное связанное состояние с учетом дипольных правил отбора, т.е. АЕ = [c.88]

Эффективное сечение этого процесса невелико — 3,7 х X 10" см , так как дефект энергии между состояниями 2 3 и 2 5 атома гелия и (2р п пр) неона около 313см" что существенно выше, чем кТ при комнатной температуре (200 см"1). [c.109]

В качестве первого ограпичення воспользуемся только функциями зоны проводимости. Это молшо сделать, если энергия, с которой электрон связан в дефекте, мала по сравнению с энергией, с которой валентный электрон связан в решетке (ширина энергетической щели Ев). В противном случав следует учитывать также блоховские функции валептной зоны. Дефекты, к которым эти ограничения могут быть применимы, называются мелкими, примесями. Данное условие выполняется для большинства допоров. Дефекты, энергия связи которых сравнима с Ео, действуют как ловушки и центры рекомбинации ( 20). Энергии связи важнейших доноров в Се и 81 составляют менее 1 % от ширины запрещенной зовы. [c.70]

Чтобы выполнить в расчете условие локального равновесия мод колебаний, времена релаксации процессов 8—10 формально полагаются на два порядка менынимп, чем время релаксации со-ответсгвующего процесса деформационной моды. Для процесса 16 экспериментальные данные отсутствуют. Поскольку процессы 14 и 16 имеют практически одинаковые дефекты энергии, приближенно полагается, что времена релаксации процессов 14 и 16 совпадают. [c.282]

Образование точечных дефектов всех типов требует затраты энергии. Энергия образования одной вакансии или междоузельного атома, как правило, имеет порядок нескольких электронвольт, но энергия образования междоузельного атома немного (в 1.5-2 раза) больще, чем энергия образования вакансии. Эта энергия тратится на разрыв связей при образовании точечного дефекта и на искажение рещетки вокруг дефекта, вызванное смещением атомов из равновесных положений. Рассматривая кристалл как сплошную упругую среду, можно показать, что упругие напряжения вокруг точечного дефекта убывают пропорционально 1/г , где г — расстояние от дефекта. Энергия образования точечного дефекта [c.90]

Истоки этого направления начинаются с работ А. Гриффитса (20-е годы), который показал, что разрушение высокопрочных материалов обусловлено имеющимися в теле трещинами или трещиноподобными дефектами, развитие которых и определяет весь процесс разрушения. Как указывалось выше (с. 72), концентрация напряжений в устье дефекта прямо пропорциональна корню квадратному из отношения его длины к радиусу закругления. Если напряжение в устье дефекта достигнет теоретической прочности, то произойдет хрупкое разрушение и трещина увеличится по длине. Такое местное разрушение в устье трещи-иы может перейти в самопроизвольное, если уме[1ьшение упругой энергии, обусловленное приростом трещины, будет превышать работу, необходимую для образования новых поверхностей, т. е. поверхностная энергия должна быть меньше высвобождающейся упругой энергии. [c.75]

Абсолютная чувствительность метода определяется размером минимального дефекта, обнаруживаемого при контроле и выражаемого в миллиметрах. О т п о с и т с л ь и а я чувствительность представляет собой отношение минимального размера выявляемого дефекта в нанравлении нросвечивания к толщине зондируемого элемента и выражается в процентах. Согласно ГОСТ 7512—82 абсолютная чувствительность контроля может быть вдвое меньше числового значения минимального дефекта, который требуется выявить в процессе просвечиваиия. Результаты исследований показывают, что чувствительность контроля тем выше, чем меньню энергия излучения. Чувствительность пленки зависит от условий ее изготовления и фотообработки, а также от жесткости излучения наилучшая чувствительность при = 60. ..80 кэВ. [c.116]

Наиболее легко дифс1)узня протекает по поверхности и границам зерен, где сосредоточещ) дефекты кристаллического строения (вакансии, дислокации и т. д.). Поэтому энергия активации диффузии по границам зерен (блоков) примерно вдвое меньше, чем в объеме, т. е. при объемной диффузии. [c.28]

Зерна, растущие с большой скоростью, можно условно рассма тривать как зародышевые центры и поэтому процесс их роста получил название вторичной рекристаллизации. В результате вторичной рекристаллизации образуется множество мелких зерен и небольшое число очень крупных зерен. Вторичная рекристаллизация, вероятно, вызывается благоприятной для роста кристаллографической ориентировкой отдельных зерен, меньшей чем у других зерен концентрацией дефектов (величиной объемной энергии) и более высокой подвижностью границ в результате неравномерного выделения примесей. В большинстве случаев причиной вторичной рекристаллизации является торможение роста большинства зерен, образовавшихся при первичной рекристаллизации, дисперсными частицами примесей. Вторичная рекристаллизация, вызывающая образование крупного зерна и разнозернистости, способствует снижению механических свойств металлов. [c.57]

Зародыши а-фазы образуются на поверхности в местах выхода границ зерен, блоков, скопления дислокаций и других дефектов строении, где более быстро достигается пересыщение 7-фазы диффундирующим элементом, легче возникают флуктуации концентраций и энергии, необходимые для образования зародыша а-фазы критического размера и меньше работа его образования. Поскольку пересыщение имеется только на поверхности, а-фаза образует сплошной слой. Пока суигествует только у-фаза, концентрация диффундирующего элемента плавно уменьшается от поверхности в глубь (рис. 143, б). Образование а-фазы приводит к скачкообразному повышению концентрации на величину, соответствующую ширине двухфазной области о. + у- [c.230]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...