ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Третий механизм — дислокационная релаксация — ответствен за появление низкотемпературных пиков поглош;е-ния, впервые открытых П. Бор-дони. Этот вид поглош,ения не связан с точечными дефектами, а обусловлен взаимодействием дислокаций непосредственно с самой кристаллич. решёткой. В простейшем случае дислокационную релаксацию можно описать моделью, где два энергетич. состояния, соответствуюш;ие минимумам энергии дислокации, разделены барьером Пайерлса. Если пренебречь квантовомеханпч. флюктуациями, то при темп-ре О К линии дислокаций целиком располагаются в одной из потенциальных ям вдоль направления плотной упаковки. Минимальные напряжения, необходимые для преодоления дислокацией барьеров, равны здесь напряжениям Пайерлса — [Выходные данные]