Дислокация винтовая

Несовершенства строения кристаллов влияют на энергетическую неустойчивость кристаллической системы в целом. В наибольшей степени несовершенства строения проявляются в бездиффузионных процессах при самопроизвольной перестройке кристаллической решетки. Поскольку несовершенства строения характеризуются повышенной величиной свободной энергии и их передвижение, как указывалось ранее, в зависимости от типа кристаллической решетки также обусловлено энергетическими факторами, большое значение в установлении наиболее оптимальных в энергетическом отношении способов перестройки решетки кристаллов играют дислокации. Винтовая дислокация, например, на поверхности кристалла стимулирует кристаллизацию с минимальными затратами энергии по сравнению с кристаллизацией на идеально плоской грани. [c.26]

Дислокационная поляризация 168 Дислокационный момент 154, 168 Дислокация винтовая 150, 155, 163, 236 [c.245]

Если вектор Ь параллелен вектору 1, т. е. дислокация винтовая, то любой вектор п, для которого (п1)=0, также удовлетворяет условию (3.40), т. е. всякое движение винтовой дислокации является скольжением. При этом плоскость скольжения неопределенна. Плоскостью скольжения винтовой дислокации может быть любая из плоскостей области, осью [c.104]

Диск вращающийся 134, 390 Дислокация винтовая 344 [c.572]

В работе [268] установлен одинаковый тип дислокационных структур, формирующихся в монокристаллах всех переходных ОЦК-ме-таллов на одинаковых стадиях упрочнения и при близких гомологических температурах. Причем в основу типизации дислокационных, структур автор [268] положил вид дислокаций (винтовые-краевые),, преобладающих в структуре при данных условиях испытания. [c.111]

Однако следует отметить, что имеются данные структурных исследований [268—270], которые противоречат изложенным выше. Боуэн [269] на монокристаллах ниобия наблюдал структуру с преобладанием дислокаций винтового типа на II стадии кривой упрочнения. В работах (268, 270] установлено преобладание дислокаций краевого типа на монокристаллах молибдена и вольфрама, показавших при растяжении параболическое упрочнение. [c.112]

Валки 283 Дислокации винтовые 256 [c.356]

Три стадии структурообразования (рис. 38) I — диполи из краевых дислокаций, винтовые дислокации и скопления дислокаций II — клубки дислокаций, границы блочной структуры III — блочная структура. [c.125]

I отличает ее от другого типа дислокации — винтовой, г Винтовая дислокация образуется также путем [c.25]

На этой стадии возникнут участки винтовой дислокации противоположного знака. По мере дальнейшего движения линии дислокации винтовые дислокации противоположного знака будут притягиваться и взаимно уничтожат друг друга, в результате чего образуется идеальная решетка (рис. 3.24(d)). Оставшиеся линии, являясь краевыми дислокациями, могут уменьшить свою энергию, соединяясь вместе (рис. 3.24(e)). На этой стадии исходная первоначально существовавшая дислокация образовала замкнутую петлю и возродилась в виде отрезка ВС, существовавшего с самого начала. [c.58]

Рис. 63. Схема расположения двух одинаковых дислокаций (винтовых или краевых), лежащих в параллельных плоскостях скольжения (№ 1 и № 2), которые пересекают свободную поверхность под некоторым углом (а), и приведенное напряжение сдвига, необходимое для проталкивания дислокации N 2 сквозь поле напряжений от дислокации N 1 в функции от S /D и угла а (б-д)

Для простоты рассмотрим только винтовые дислокации. Винтовая дислокация, расположенная вдоль оси цилиндра радиусом г, создает сдвиговую деформацию Ь/2яг= 1/100. [c.186]

QR, дислокация винтовая. В случае, если угол между but отличен от О до 90° (например, для отрезка PQ петли), дислокация называется смешанной. [c.422]

Винтовая дислокация так же, как и краевая, образована неполным сдвигом кристалла по плоскости Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация и вектор сдвига (т) параллельны. [c.27]

Рис. 91. Схема простого узла двух дислокаций винтовой и краевой

Достаточно большой порог вдоль (рис. 145, а) в плоскости б, расщепленной дислокации винтовой или преимущественно вин-200 [c.200]

Другой простой тип дислокации — это винтовая дислокация, схематически изображенная на рис. 20.7 и 20.8. Винтовая дислокация указывает границу между смещенной и несмещенной частями кристалла. Граница на этот раз располагается параллельно направлению скольжения, а не перпендикулярно к нему, как в случае краевых дислокаций. Винтовую дислокацию можно представить себе, если мысленно сделать в кристалле разрез, а затем сдвинуть части кристалла по обе стороны разреза навстречу друг другу на одно межатомное расстояние параллельно краю разреза. Наличие винтовой дислокации превращает атомные плоскости в кристалле в геликоидальные поверхности от сюда и возник термин винтовая дислокация . [c.696]

В действительности процесс возникновения скольжения определяется в большинстве случаев более тонким механизмом. Решающую роль играют здесь линейные дефекты особого типа, называемые дислокациями. Два самых простых вида дислокаций, винтовые и краевые, изображены на фиг. 30.14 и более подробно описаны ниже. Плотности дислокаций в реальных кристаллах зависят от способа изготовления образца ) и могут изменяться в пределах 10 —10 см . Вдоль линейной дислокации локальная деформация кристалла столь велика, что для того, чтобы сдвинуть дислокацию в сторону на одну постоянную решетки, т. е. создать дополнительную деформацию, требуется относительно малое дополнительное напряжение. Более того, перемещение [c.249]

Третий тин дислокации (винтовая дислокация) получается при относительном сдвиге разрезанной трубки в осевом нанравлении (рис. В). При обходе вдоль любого контура, охватывающего ось трубки, можно выявить изменение вектора перемещения (па величину, равную относительному смещению берегов разреза). Приращение вектора перемещения имеет осевое нанравление. Это осевое нанравление (так же как и в случае краевой дислокации) принято называть линией дислокации. [c.290]

Другой тип дислокации (винтовая дислокация) можно представить как результат разреза решетки по полуплоскости, после чего части решетки по обе стороны разреза сдвигаются относительно друг друга на один период параллельно краю разреза (рис. ). [c.291]

Теперь можно дать определение простых дислокаций через вектор Бюргерса. Краевой дислокацией называют дислокацию, вектор Бюргерса Ь которой перпендикулярен линии краевой дислокации. Винтовой дислокацией называют дислокацию, вектор Бюргерса Ь которой параллелен линии винтовой дислокации. В общем случае смешанной дислокации вектор Бюргерса может иметь иные направления относительно линии дислокации. [c.100]

Другим важнейшим видом несовершенства кристаллического строения являются так называемые дислокации. Представим себе, что в кристаллической решетке по каким-либо причинам появилась лишняя полуплоскость атомов, так называемая экстраплоскость (рис. 8). Край 3—3 такой плоскости образует линейный дефект (несовершенство) решетки, который называется краевой дислокацией. Краевая дислокация может распространяться на многие тысячи параметров решетки, для нее вектор Бюргерса (см. с. ООО) перпендикулярен экстраплоскости. В реальных металлах дислокации смешанные на некоторых участках — краевые, на других — винтовые. [c.28]

Кроме краевых различают еще винтовые дислокации. На рис. 10 показана пространственная модель винтовой дислокации — это прямая линия EF (рис. 10), вокруг которой aroMinje п.юскости изогнуты гю винтовой поверхности. Обойдя верхнюю изогнутую атомную плоскость по часовой стрелке, приходим к краю второй атомной плоскости и т. д. В этом случае кристалл можно представить как состоящий из одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности (рис. 10). Винтовая дислокация так же, как и краевая, образована неполным сдвигом кристалла но плоскости Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация и вектор сдвига параллельны. [c.22]

В 1950 году Франк и Рид предложили механизм, объясняющий непрерывное развитие дислокационных линий и петель и прохождение их через плоскость скольжения. Рассмотрим линию дислокации, зацепленную в точках В и С. (рис. 86, а). Под действием сдвигового усилия линия стремится принять дугообразную форму (Ь). Если сдвиговое усилие достаточно велико, линия дислокации будет продолжать расширятся и пройдет вокруг точек В и С (с). На этой стадии возникнут з частки винтовой дислокации противоположного знака. По мере дальнейшего движения линии дислокации винтовые дислокации противоположного знака будут притягиваться и взаимно уничтожат друг друга, в результате чего образуется идеальнм решетка (б). Оставшиеся [c.143]

Предположим теперь, что мы имеем дело не с трубой, а со сплошным цилиндром. Формулы (9.2.1) и (9.2.2) можно применить и к этому случаю, на оси цилиндра при Xi=X2 = 0 напряжения оказываются бесконечно большими. Таким образом, мы получили некоторое сингулярное решение теории упругости. Бесконечно большие напряжения в теле, конечно, невозможны. На самом деле, если напряжения достаточно велики, уравнения линейной теории упругости утрачивают силу. Формулы (9.2.2) имеют смысл тогда, когда г> с, с — некоторая определенная величина. При г < с нужно строить решения, основываясь на истинных нелинейных зависимостях. Линия, на которой напряжения, вычисленные с помощью линейной теории, обращаются в бесконечность, называется линией дислокации, вектор Ь— вектором Бюргерса (рис. 9.2.1). Область г с с, непосредственно примыкающая к линии дислокации, называется ядром дислокации. Теория упругости не дает возможности судить о том, что происходит внутри ядра дислокации. Винтовая дислокация характеризуется тем, что ее линия — прямая и вектор Бюргерса направлен по линии дослокации. [c.282]

Винтовая дислокация (рис. 7, б). Образуется неполным сдвигом кри- raoia по плотности Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация парапельна вектору сдвига. [c.13]

А)] и толстых [>200 нм (>2000 А)] ленточных усов корунда различна [335]. В тонких пластинках наблюдаются осевые дислокации винтовой, краевой и смешанной ориентации. Для толстых кристаллов характерно наличие сложных переплетений дислокаций либо осевых шнуров из нескольких дислокаций. Наблюдались также бездислокационные ленты корунда. Травлением пластинок сапфира можно выявить дислокации, перпендикулярные или наклонные к плоскости базиса. Как правило, на базисных гранях пластпнок А и Лг, протравленных после выращивания, ямки травления не наблюдаются, что свидетельствует об отсутствии дислокаций, выходящих на эти плоскости. Лишь в редких случаях были выявлены дислокации роста. На рис. 167 представлена фотография дефектной пластинки сапфира на ее поверхности, ближе к краям, имеются многочисленные зародыши двумерной кристаллизации в форме гексагональных пирамид. После травления в центральной части пластины видны группы дислокаций, расположенных вдоль оси роста [1120] и проходящих насквозь через весь кристалл под углом к поверхности базиса. Рассмотрение некоторых работ, посвященных исследованию структуры нитевидных кристаллов, показывает, что она недостаточно изучена. Однако можно сформулировать вывод о том, что усы имеют самую совершенную структуру и поверхность, которую удалось получить искусственным путем усы или совсем не содержат дислокаций, или имеют их очень немного. Является ли это результатом влияния масштаба или следствием специфических условий роста, не ясно. [c.365]

Стадийность процесса прежде всего связана с различным типом дефектных структур, самоорганизующихся при обмене системы энергией (и веществом) с окружающей средой. Эволюция дислокационной структуры в процессе деформации монокристаллов с ОЦК-решеткой, детально изученная в работах [35, 148, 216, 235 и др.], связана на различных стадиях со следующими дислокационными структурами стадия I — диполи из краевых дислокаций, винтовые дислокации и скопления дислокаций II — клубки дислокаций, границы ячеистой структуры III — ячеистая структура. Считают, что переход от одной стадии к другой, а следовательно и перестройка дислокационной структуры, связаны с изменением кристаллографии скольжения. В случае поликристаллических материалов также удается выделить эти стадии, в том числе при циклическом нагружении [35, 236, 237]. В работе [235] предложена обобщенная схема деформационного упрочнения поликристаллических ОЦК-металлов и сплавов (рис. 90), отражающая многостадийный и иерархический характер перест- [c.135]

Аккерман [4] высказал несколько предположений о том, как уменьшить имеющееся расхождение. Обычное выражение для скорости рассеяния соответствует рассеянию на винтовой дислокации, перпендикулярной температурному градиенту, и содержит множитель, происходящий вследствие усреднения по случайному расположению дислокаций. Аккерман, следуя Шоеку [206], предложил другую процедуру усреднения, которая учитывает реальную общую длину дислокационных линий в объеме, где они расположены случайно. Это увеличивает множитель, возникающий при усреднении, почти в 3 раза. Он также показал, что скорость рассеяния на краевой дислокации с той же самой величиной вектора Бюргерса составляет 13/8 ее величины при рассеянии на винтовой дислокации. Если вектор Бюргерса ориентирован случайно относительно дислокационной линии, то число краевых дислокаций и число винтовых удваивается, так что общая скорость рассеяния в 1,4 раза больше, чем в случае, когда все дислокации винтовые. Учитывая оба эти эффекта, расхождение мон<но уменьшить примерно в 2 раза даже без учета возможной неточности определения числа дислокаций из других экспериментов. [c.244]

Принс и Вильсдорф [130] рассмотрели взаимодействие двух одинаковых дислокаций (винтовых или краевых), лежащих в параллельных плоскостях скольжения, которые пересекают свободную поверхность под некоторым углом а (рис. 63, а). Они рассчитали приведенное напряжение сдвига, необходимое для проталкивания дислокации N 2 сквозь поле напряжений от дислокаций N"1 (как известно, этот случай обычно рассматривают в качестве основной модели деформахщонного упрочнения на I стадии). Полученные данные представлены на рис. 63, б-д. Из них видно, что напряжение, требуемое двум с одинаковым знаком краевым дислокациям (рис. 63, б), для того, чтобы пройти мимо друг друга вблизи свободной поверхности, всегда меньше по сравнению с аналогичной ситуацией в объеме кристалла (напряжения проталкивания в объеме на всех рис. 63, б д отмечены пунктирной линией) и является функцией угла а. Для положительных углов а напряжение, необходимое для проталкивания двух краевых дислокаций противоположного знака мимо друг друга вблизи свободной поверхности намного больше по сравнению с объемом кристалла и возрастает с ростом а. (рис. 63, в). Из рис. 63, г, д также видно, что для винтовых дислокаций напряжения проталкивания всегда меньше у поверхности, чем в объеме кристалла. [c.112]

Отметим, что смещение в той же плоскости, но перпендикулярное данному, образовало бы краевую дислокацию. Винтовая дислокация, вышедшая на поверхность, оставляет на этоП поверхности атомную ступеньку. Если атомы нз пара садятся иа поверхность, сту> [c.505]

Винтовая дислокация II249, 250. См. также Дислокации Винтовая ось 1121 (с), 134 [c.403]

Сдвиг одной части кристалла относительно другой, возникающий под влиянием внешних воздействий, может деформировать кристалл таким образом, что его можно представить состоящим из атомных плоскостей, закрученных в виде винтовой лестницы, ось которой и образует линию винтовой дислокации АО (рис. 3.5 и рис. 3.6). Винтовая дислокация обозначается (8>. Линия винтовой дислокации характеризуется тем, что она параллельна направлению сдвига. При каждом обходе вокруг нее мы поднимаемся или опускаемся на одно межплоскостное расстояние (рис. 3.6). Выход винтовой дислокации на поверхность кристалла заканчивается незарастающей ступенькой. В отличие от краевой дислокации, винтовая дислокация не имеет лишних плоскостей и может образовываться при сдвиге по любой атомной плоскости, проходящей через линию дислокации АО, то есть она не определяет однозначно плоскость скольжения. Различают правые и левые винтовые дислокации, причем направление вращения играет ту же роль, что и знак у краевых дислокаций. [c.97]

Если винтовая дислокация образована движением по часовой стрелке, ее называют правой, а против 4a (jR0H стрелки—левой. Вокруг дислокаций на протяжении нескольких межатомных расстояний возникают искажения рет. иси. Э.чсми мя т1 ажепия кр1г [c.22]

Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. В этом случае рост кристалла может протекать даже без образования двумерного зародыша. В растущем кристалле всегда имеются дислокации. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется ступенька, к которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости (рис. 21, б). Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высогой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [c.34]

Металловедение (1978) -- [ c.28 ]

Теоретическая физика. Т.7. Теория упругости (1987) -- [ c.150 , c.155 , c.163 , c.236 ]

Теория упругости (1975) -- [ c.344 ]

Прикладная механика твердого деформируемого тела Том 1 (1975) -- [ c.233 , c.234 , c.236 , c.244 , c.247 , c.248 , c.261 ]

Повреждение материалов в конструкциях (1984) -- [ c.48 , c.50 , c.52 , c.54 , c.56 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.37 , c.38 , c.147 ]

Теория сварочных процессов Издание 2 (1976) -- [ c.37 ]

Теория твёрдого тела (1972) -- [ c.505 ]

Основы металловедения (1988) -- [ c.20 , c.21 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...