Кристаллографические

А), кристаллографические плоскости в которых повернуты друг относительно друга на [c.32]

Исследования Г. В. Курдюмова показали, что выделившаяся тонкая пластинка карбида при таких низких температурах отпуска еще полностью не обособилась от а-твердого раствора. Решетка мартенсита (а-раствора) сопряжена с решеткой карбида по определенной кристаллографической плоскости, т е. пограничный слой атомов принадлежит и мартенситу, и карби- [c.273]

Выбор адсорбционных центров при адсорбции окислителя определяется расположением атомов металла на поверхности и зависит, таким образом, от кристаллографической ориентации поверхности [c.30]

Довольно часто наблюдается влияние кристаллографической ориентации на скорость коррозии металлов. Так, медный моно-кристаллический - электрод, выточенный в форме шара, после анодного травления в растворах фосфорной и серной кислот принимает форму многогранника. При травлении металлографических шлифов на зернах с различной кристаллографической ориентировкой получают разные фигуры травления (рис. 224). [c.326]

В ряде работ установлено уменьшение скорости активного растворения металлов с увеличением плотности упаковки атомов в кристаллографической плоскости, в результате чего снижается поверхностная энергия и повышается энергия активации ионизации металла. Плотность упаковки атомов может также влиять на [c.326]

По В. П. Батракову (1962 г.), интенсивной линейной локализованной коррозии вследствие приложенных извне или внутренних напряжений подвержены границы зерен или блочных структур, своеобразные группировки атомов по кристаллографическим плоскостям, дислокации и другие искажения кристаллической решетки, находящиеся в активном состоянии. [c.335]

Кристаллографические обозначения атомных плоскостей [c.17]

Рис. 7.1, Кристаллографические плоскости скольжения в решетках а — Г 2, б — К8 в - К12

Возврат происходит вследствие сдвига и перемещения групп атомов в кристаллографической плоскости в результате внутренних напряжений без диффузии атомов. [c.85]

Итак, в пересыщенном твердом растворе протекают процессы, связанные с переходом его в более устойчивое, стабильное состояние, т. е. процессы старения. Механизм процесса следующий вначале в определенных участках кристаллической решетки пересыщенного твердого раствора происходит скопление атомов (В). Затем протекает формирование новой (свойственной выделяющейся фазе) кристаллической решетки. Однако решетка фазы остается кристаллографически близкой к решетке твердого раствора (когерентная связь). Далее происходит отрыв решеток и образование самостоятельных дисперсных частиц фазы. В заключение частицы фазы укрупняются (коагуляция). [c.211]

Отметим, что критерий наибольших касательных напряжений обычно рассматривается как условие начала образования пластических (остаточных) деформаций. Последние являются результатом скольжения слоев атомов в кристалле по определенным кристаллографическим плоскостям. Это становится возможным в случае, когда на указанных плоскостях скольжения касательные напряжения достигают некоторой предельной величины. [c.185]

Рентгеновские методы исследования остаточных напряжений основаны на определении расстояния между кристаллографическими плоскостями, т. е. деформации кристаллографической решетки, с помощью измерения угла отражения луча. Остаточные напряжения этим методом можно определить с невысокой точностью и только в тонком поверхностном слое. Для рентгеновских методов исследования остаточных напряжений характерны большая трудоемкость и высокая стоимость проведения эксперимента. [c.424]

Хрупкое разрушение не сопровождается заметной пластической макродеформацией и происходит при действии средних напряжений, не превышающих предела текучести. Траектория разрушения близка к прямолинейной, излом нормален к поверхности и имеет кристаллический характер (рис. 13.38, в). Хрупкое разрушение, как правило, внутрикристаллическое. Разрушение происходит под действием нормальных напряжений и распространяется вдоль наименее упакованной кристаллографической плоскости, называемой плоскостью скола (отрыва). При некоторых условиях хрупкое разрушение бывает межкристаллитным (например, при водородной хрупкости). Хрупкое разрушение. [c.544]

Например, даже в однофазном ме-галле зерна имеют различную кристаллографическую ориентировку, и поэтому в поверхности микрошлифа зерна будут срезаны по разным кристаллографическим плоскостям, которые будут травиться неодинаково. В результате после травления поверхность микрошлифа будет иметь сложный микрорельеф, характеризующий строение металла (рис. 5.9). [c.312]

При анализе поведения фрактальных структур под нагрузкой целесообразно использовать представления о фрактальных кластерах, что позволяет выделять в деформируемом металле объекты (локальные области), обладающие свойствами фрактальных структур. Деформируемое твердое тело - открытая система, обменивающаяся энергией и веществом с окружающей средой. Результатом этого обмена является самоорганизация фрактальных структур. Образующиеся при деформации металлов и сплавов фрактальные кластеры в зоне предразрушения в зависимости от механизма диссипации энергии связаны либо с кристаллографическими на фоне пор микротрещинами (квазихрупкий отрыв), либо с порами (вязкий отрыв). [c.232]

Существует ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. Взаимное расположение атомов в одной из плоскостей показано на схеме разме-ш,ения атомов (рис. 3). Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, образуют решетку, в узлах которой располагаются атомы (положительно заряженные ионы) это так называемая кристаллографическая плоскость. Многократное повторение кристаллографических плоскостей, расиолол енных параллельно, воспроизводит пространственную кристаллическую решетку, узлы которой являются местом расположения атомов (ионов). Расстояния между центрами соседних атомов измеря- [c.22]

На рис. 22 показаны два типичных излома — кристаллический (хрупкий) слева и волокнистый (вязкий) справа. Fleipabift происходит в результате отрыва одной части кристалла от другой по кристаллографическим плоскостям [c.41]

Оказывается, что ориентировка пластин мартенсита обусловлена тем, что он может образовываться лишь по определенным кристаллографическим плоскостям и направлениям в аустените. Подобное ориентированное превращение можно рассматривать как сдвиг или смещение какого-то объема металла по определенной плоскости с одновременным а-превраще-нпем. Превращение сопровождается значительным смещением атомов металла в пространстве, по без обмена мест и без значительного изменения расстояний между атомами. Подобное [c.260]

Финч и Кворелл (1933 г.) на основании своих исследований предположили, что ориентация кристаллов образующегося соединения может сопровождаться изменением характера решетки, т. е. образуется псевдоморфный слой, являющийся кристаллографическим продолжением решетки металла. Так, на поверхности металлического магния, обладающего гексагональной структурой, первичный псевдоморфный слой окислов также имеет гексагональную структуру, ориентированную по структуре металлического магния, хотя для компактного окисла MgO характерна кубическая структура. Однако существование таких псевдоморфных слоев в настоящее время считается недоказанным. [c.43]

В ряде работ, посвященных изучению механизма окисления чистых металлов, обнаружена двухслойность однофазной окалины, при этом металлы в окисле проявляют одну (низшую) валентность uaO, ujS, NiO, СоО и др. Окалина, которая кристаллографически представляет собой один и тот же окисел, состоит из двух слоев внутреннего пористого и наружного компактного. [c.74]

Характер адсорбции на отдельных кристаллйграфических плоскостях. При образовании защитных пленок может иметь значение не только плотность упаковки плоскости кристалла, но и соответствие кристаллографической структуры поверхности металла и возникающей пленки. При большом несоответствии в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ее разрушению. Иногда кристаллографическая ориентация оказывает влияние на механизмы протекания анодного и катодного процессов электрохимической коррозии металлов. [c.327]

Второй возможный механизм развития трещины базируется на следующих представлениях. После объединения микротрещины с макротрещиной идет непрерывное динамическое развитие макротрещины по тем же законам, по которым развивалась и микротрещина отсутствие заметного пластического деформирования у верщины быстро развивающейся трещины (недостаточно времени на реализацию релаксационных процессов в вершине) рост трещины по плоскостям спайности с преодолением различных барьеров типа границ зерен, фрагментов, блоков (см. раздел 2.1). При реализации второго механизма энергия, необходимая для старта трещины, будет отличаться от энергии, идущей на ее рост. Энергия зарождения хрупкого разрушения обусловлена пластическим деформированием, необходимым как для зарождения микротрещин, так и для реализации деформационного упрочнения, обеспечивающего рост напряжений до величины S . Для распространения трещины от одного зерна к другому необходима эффективная энергия не только для образования новых поверхностей, но и для компенсации дополнительной работы разрушения, идущей на образование ступенек и вязких перемычек при распространении трещин скола [121, 327]. Образование ступенек на поверхности скола, как известно, связано с различной ориентацией зерен. При переходе трещины скола через границу зерна в новом зерне из-за различий в ориентации происходит разделение трещины на ряд отдельных трещин, которые распространяются параллельно по кристаллографическим плоскостям спайности и прп объединении образуют ступеньки скола. При распространении макротрещины через отдельные неблагоприятно расположенные зерна, для которых плоскости спайности сильно отклонены от направления магистральной трещины, могут наблюдаться вязкие ямочные дорывы (перемычки) [114, 327]. Учитывая, что для старта макротрещины требуется пластическое деформирование, по крайней мере в масштабе, не меньшем, чем диаметр зерна, а для ее развития масштаб пластического деформирования ограничен размером перемычек между микротрещинами, можно заключить энергия G , необходимая для старта трещины, выше, чем энергия ур, требующаяся на ее развитие. Эксперименты для большинства конструкционных металлических материалов подтверждают сделанное заключение [253]. Следовательно, динамическое развитие трещины при хрупком разрушении наиболее вероятно происходит по второму механизму. Кроме того, в пользу второго механизма говорят имеющиеся фрактографические наблюдения (рис. 4.19), которые иллюстрируют переход трещины скола через границу зерна со значительной составляющей кручения и расщепление зерна рядом параллельных друг другу трещин. Если бы развитие трещины [c.240]

Изложенные требования отнюдь не являются исчерпывающими. Имеется много данных, указывающих на зависимость высоких защитных свойств окиспых пленок от других их свойств, например от их кристаллографической структуры. [c.147]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть. [c.190]

Под изломом понимают поверхность, образую1цуюся в результате разрушения металла. Вид излома определяется условиями нагружения, кристаллографическим строением и микроструктурой м -талла (сплава), формируемой технологией его выплавки, обработ и давлением, термической обработки, температурой и средой, в ко-торых работает конструкция. [c.13]

Границы между отдельными кристаллами (зернами) обычно представляют переходную область шириной доЗ—-1 Me>KaTOMUijix расстояний, в которой решетка одного кристалла, имеющего определенную кристаллографическую ориентацию, переходит в решетку [c.25]

Примеси, удовлетворяющие этим требованиям, обладают естественной активностью. Естественная активность дисперсных частиц, взвешенных в жидкости, связана с закономерностями зарождения центров кристаллизации на твердых поверхностях, которые rj общем виде были сформулированы П. Д. Данковым и С. Т. Конобеевским. Превращение на поверхности твердого тела развивается таким образом, чтобы конфигурация атомов твердой фазы сохранилась (или почти сохранилась) и в новой твердой фазе. Возникающая при указанном процессе кристаллическая решетка новой фазы сопрягается с кристаллической решеткой старой фазы подобными кристаллографическими плоскостями, параметры кото[)ых 01личаются друг от друга минимально. Причина закономерной ориентации двух фаз с термодп-ппмическои точки зрении состоит в том, что минимум поверхностной энергии обеспечивается при максимальном сходстве в расположении атомов на соприкасающихся гранях старой и новой фаз. [c.36]

Текстура деформации. При большой степени деформап ин возникает преимущественная ориентировка кристаллографических плоскостей и напряжений в зернах. Закономерная ориентировка кристаллитов относительно внешних деформационных сил получила название текстуры (текстура деформации). [c.48]

Чем больше степень деформации, тем большая часть кристаллических зерен получает преимущественную ориентировку (текстуру). Характер текстуры зависит от природы металла и вида деформации (ирокатка, волочение и т. д.) Кристаллографическую текстуру не следует отождествлять с волокнистой структурой, волокнистость иногда может и не сопровождаться текстурой. Образование текстуры способствует появлению анизотропии механических и физических свойств. [c.48]

Зерна, растущие с большой скоростью, можно условно рассма тривать как зародышевые центры и поэтому процесс их роста получил название вторичной рекристаллизации. В результате вторичной рекристаллизации образуется множество мелких зерен и небольшое число очень крупных зерен. Вторичная рекристаллизация, вероятно, вызывается благоприятной для роста кристаллографической ориентировкой отдельных зерен, меньшей чем у других зерен концентрацией дефектов (величиной объемной энергии) и более высокой подвижностью границ в результате неравномерного выделения примесей. В большинстве случаев причиной вторичной рекристаллизации является торможение роста большинства зерен, образовавшихся при первичной рекристаллизации, дисперсными частицами примесей. Вторичная рекристаллизация, вызывающая образование крупного зерна и разнозернистости, способствует снижению механических свойств металлов. [c.57]

Превращение в твердом состоянии характеризуется также тем, что образование зародыша н<звой фазы в твердой анизотропной среде должно проходить с соблюдением правила структурного и размерного соответствия. Тогда зародыш новой фазы ориентирован так, что он сопряжен с исходной фазой но определенным кристаллографическим плоскостям, наиболее сходным по расположению атомов и по расстоянию между ними. [c.103]

Пока на границе новой //и исходной / фаз существует сопряженность или когерентность ре1иеток по определенным кристаллографическим плоскостям (рис. 65), рост новой фазы происходит с большой скоростью, так как атомы перемещаются упорядоченно [c.103]

Если ири этом между исходной и новой фаза.ми существует структурное соответствие, то новая фаза располагается вдоль определенных кристаллографических плоскостей исходной фаз1>1 в виде пластин или игл. Такую структуру называют видманштеттовой Крис галлы новой фазы ускоренно растут в тех плоскостях и направлениях решетки исходной фазы, в которых легко обеспечивается ориентационная связь между этими двумя фазами. [c.104]

Чрезмерное повышение температуры нагрева вьнпе точки Лс , вызывает рост зерна аустеннта, что ухудытет свойства стали. Пели исходи и1 структура кристаллографически упорядочена (мартенсит, пндмапи1теттова структура, бейннт), при нагреве несколько выше /It , размер, форма и кристаллографическая ориентировка но- [c.194]

После такой обработки магнитные свойства сплавов становятся анизотропными, их магнитные характеристики (В,, (В//)тах) сильно 1103 )астают в направлении приложенного магнитного ноля (магнитная текстура). Термомагнитнон обработке подвергают сплавы, содержащие свыше 18 % Со. Кристаллическая текстура образуется в случае направленноп кристаллизации отливки магнита, при этом возникают столбчатые кристаллы, растущие в направлении [100], Это сильно повышает магнитные свойства, поскольку они зависят от кристаллографической ориентации ферромагнитных фаз. [c.308]

На участке полной перекристаллизации (рис. 13.17,/б) в металле проходят процессы аустенитизации, роста зерна и перераспределения легирующих элементов и примесей. Аустенитиза-ция — переход Fe,. Fe . Этот переход для доэвтектоидных сталей происходит в интервале температур, причем в условиях неравновесного сварочного нагрева с большими скоростями он начинается и заканчивается при температурах более высоких, чем равновесные Ad и При нагреве до температур начала аустенитизации сталь получает структуру феррито-перлито-карбидной смеси. Переход в аустенитное состояние представляет собой фазовое превращение диффузионного типа. Превращение начинается на участках перлита. Зародыши аустенита образуются на межфазных поверхностях феррит—цементит. Поскольку на каждом участке перлита возникает несколько зародышей аустенита, превращение Fea-> Fe приводит к измельчению зерна. При росте зародышей зерен аустенита вместе с перестройкой ОЦК решетки в ГЦК решетку возникает новая кристаллографическая ориентация последней. В результате исчезают границы бывших аусте-нитных зерен и образуются новые границы при стыковке растущих зерен. После завершения этого процесса образуются так называемые начальные зерна аустенита. Чем дисперснее исходная структура стали, т. е. чем больше межфазная поверхность, на которой образуются зародыши зерен аустенита, тем меньше размер начального аустенитного зерна. [c.512]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...