Кристаллографические индексы

При выборе кристаллографических осей необходимо придерживаться правил (см. табл. 1.1), принятых в кристаллографии и обязательных для всех исследователей. Выполнение этих правил сводит к минимуму возможный в этом случае произвол. Следует всегда помнить, что от расположения осей координат зависят кристаллографические индексы, определяющие положение узловых плоскостей и направлений в кристалле. [c.16]

Таблица 25.1. Работа выхода простых веществ (в круглых скобках приведены кристаллографические индексы граней) [2]

ФОРМИРОВАНИЕ ТЕКСТУРЫ ЛАТУНИ (30 /о Zn). Идеальной текстурой прокатки латуни является 110 dl2>, при рекристаллизации листовой латуни обычно возникает текстура 225 <734>, которая, как видно из сравнения кристаллографических индексов, очень близка к идеальной ориентировке. [c.413]

Рис. 5.4. Некоторые важные направления н их кристаллографические индексы (в двойных квадратных скобках записаны координаты точек, не совпадающих с узлами решетки)

Рис. 5.5. Некоторые важные плоскости и их кристаллографические индексы

Кристаллы-монохроматоры, характеристики 117 Кристаллографические индексы 102 [c.349]

Рис. 1.7. Кристаллографические индексы направлений (а) и плоскостей (б)

Кристаллические системы 1 186 Кристаллографические индексы t 190, 198 [c.456]

Пространственное положение кристаллографических плоскостей (плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кристаллической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами. [c.20]

Индексы плоскости - это три целых числа, заключенных в круглые скобки и представляющих собой приведенные к целым числам значения обратных величин отрезков, отсекаемых плоскостью на осях х, у, z. За единицы длины принимают параметры решетки а, Ь, с. Например, плоскость, включающая пространственные диагонали куба, имеет индексы (101). Если плоскость отсекает отрицательные отрезки, то знак минус ставится над соответствующим индексом. Кристаллографические индексы отражают положение не только данной плоскости, но целого семейства плоскостей, ей параллельных. [c.20]

Скорости двух стадийных процессов могут быть близкими, что приводит к смене одного механизма разряда другим при незначительном изменении условий. При коррозии стали, травлении в кислотах и при электрохимическом осаждении металлопокрытий выделение водорода на гранях с разными кристаллографическими индексами возможно по различным механизмам. [c.446]

Рентгенографическое определение ориентировок индивидуальных кристаллов а-фазы показало, что реальная ориентационная связь между решетками отклоняется от предложенных моделей. Янг [69] установил, что в метеоритном железе отклонение от параллельности направлений с низкими кристаллографическими индексами замет- [c.32]

Подстрочная цифра у кристаллографических индексов - номер двойниковой ориентировки мартенсита, к которой относится соответствую щий полюс оси симметрии обеих ориентировок мартенсита обозначены кристаллографическими символами индексы без подстрочной цифры относятся к полюсам аустенита [c.52]

Номера ориентировок аустенита в соответствии с табл. 2.1 указаны подстрочными цифрами у кристаллографических индексов отмечены также полюсы (111) и (101) первичного кристалла, входящие в ориентационные соотношения а у [c.54]

Подстрочные цифры при кристаллографических индексах соответствуют номерам в табл. 2.2 основной стереографический треугольник заштрихован [c.59]

Используя кристаллографические индексы, можно определить положение любой атомной плоскости для кристаллической решетки различных типов. [c.26]

Среди бесконечного множества плоскостей, проходящих через данный атом, выделяют плоскости, проходящие через центры других атомов. Эти плоскости, называемые кристаллографическими, обозначаются так называемыми индексами Миллера. Кристаллографическая плоскость определяется координатами точек пересечения ее с осями, а индексы Миллера представляют собой обратные величины этих координат. Отсюда следует, что в кубической решетке индексы Миллера для любой кристаллографической плоскости равны кристаллографическим индексам перпендикуляра к этой плоскости. [c.41]

Как видно из рис. 32, г, координаты точек пересечения граней элементарного куба с координатными осями равны 1, сю, оо оо, 1, оо сх), оо, 1 и кристаллографические индексы суть (100), (010), (001). Противоположные грани обозначаются соответственно индексами (100), (010), (001). Показанная на рис. 32, г плоскость (111) представляет собой одну из октаэдрических плоскостей с плотным расположением атомов. [c.41]

У многофазных сплавов отдельные фазы имеют различные кри-у сталлические решетки. Однако если две различные фазы имеют плоскости с близкими межатомными расстояниями (эти плоскости могут иметь различные кристаллографические индексы в каждой фазе) и расстановка атомов на их границах подобна или тождественна, то возникает их совершенное соединение. Такие границы (и фазы, разделенные ими) называются когерентными и имеют малую энергию. Часто такая ориентация создается между выпавшей фазой и основным твердым раствором. Когерентными являются, например, и границы двойниковых кристаллов в том случае, если они совпадают с плоскостью двойникования. [c.43]

Ориентировка семейства направлений и плоскостей в решетке однозначно определяется кристаллографическими индексами. Под кристаллографическими индексами плоскости понимают три целых взаимно простых числа Нк1, обратно пропорциональных числу осевых единиц, отсекаемых любой плоскостью данного семейства на кристаллографических координатных осях (см. рис, 5). [c.184]

Кристаллографические индексы направлений заключают в квадратные скобки и обозначают буквенно [иуш]. [c.185]

Порядок отражения п связывает индексы интерференции в (7) и кристаллографические индексы отражающей плоскости (кЫ) ,Н = п к К=-пк-, 1 = п-1 [c.190]

Кристаллографические индексы плоскостей и направлений [c.128]

Индексы плоскостей. Ориентировка семейства направлений и плоскостей в решетке однозначно определяется кристаллографическими индексами. Под кристаллографическими индексами плоскости понимают три целых взаимно простых числа кЬ1, обратно пропорциональных [c.128]

Индексы направлений (узловых прямых). Все параллельные узловые прямые обозначаются одинаковыми индексами. При установлении этих кристаллографических индексов рассматривается та конкретная узловая прямая из данного се-мр" "тва параллельных узловых прямых, К(. рая проходит через начало координат. Под кристаллографическими индексами узловой прямой (направления) понимают три целых взаимно простых числа, пропорциональных координатам любого атома, лежащего на данном направлении, измеренным в осевых единицах. [c.129]

Индексы направлений. Для описания направления в кристалле выбирают прямую, проходящую через начало координат. Ее положение однозначно определяется индексами ит> первого узла, через который она проходит. Поэтому индексы узла uvw являются также и индексами направления. Условимся под кристаллографическими индексами узловой прямой (направления) понимать три целых взаимно простых числа, характеризующих положение ближайшего узла, лежащего на данном направлении, измеренном в осевых единицах. Кристаллографические индексы направлений заключают в квадратные скобки [ииш]. [c.18]

Индексы Миллера и кристаллографические направления. Положение и ориентация плоскости кристалла определяются заданием координат трех атомов, лежащих в этой плоскости. Если каждый из трех атомов находится на одной из трех кристаллографических координатных осей, то положение данной плоскости может быть задано соответствующими координатами атомов по осям в единицах постоянной решетки. Так, если атомы, определяющие плоскость, имеют координаты (4, О, 0), (0, 1, 0), (0, о, 2) в какой-то системе кристаллографических координатных осей, то указанная плоскость может быть охарактеризована тремя числами 4, 1 и 2. [c.54]

Соответствующую кристаллографическому направлению плоскость обозначают теми же индексами, но в круглых скобках (Л k I). В табл. 2.6 приведена установка кристаллографических осей для различных сингоний. [c.40]

Таблица 2.11. Матрицы материальных тензоров четвертого ранга с попарно симметричными индексами (фотоупругость, электрострикция и т. п.) для различных кристаллографических классов

В приведенных в табл. 2.9—2.11 матрицах для многих кристаллографических классов несколько компонент должны быть равны друг другу. Обычно их обозначают одинаково по компоненте с наименьшими индексами. При использовании таблиц следует помнить о всех не равных нулю компонентах, так как в таблицах приводятся только независимые компоненты. [c.45]

Образцы для исследования вырезались из монокристаллов вольфрама электроискровым способом так, чтобы широкая грань пластинки имела кристаллографические индексы (320). Искаженный электроискровой обработкой слой удалялся электрополированием, после чего рентгенографическим методом Шульца исследовалась исходная структура образцов. Деформация монокри-сталлических пластин осуществлялась на специально сконструированном приспособлении [3] методом четырехточечного чистого изгиба со скоростью нагружения 1 кг/мин. Деформация без электрополирования осуществлялась в среде электролита, но при плотности тока, равной нулю. Максимальная деформация образцов во внешних слоях достигала 3,5%, радиус изгиба составлял во всех случаях 25 мм. [c.117]

Для плоских образцов внешняя картина разрушения несколько иная (рис. 1, б). Макроскопически путь трещины усталости совпадает с плоскостью действия максимальных нормальных напряжений, характер рентгенограммы от поверхности разрушения указывает на ее кристаллографические индексы 001 . (Зднако наблюдение за развитием пластической деформации на полированных гранях обра.зцов показало образование по меньшей мере двух систем устойчивых полос скольжения с последующиги развитием разрушения по ним (рис. 1, а, д). Таких ступенек на широкой грани образца можно обнаружить 150—200, т. е. микроскопически и в плоских образцах трещина следует по двум активным плоскостям скольжения 111 . Наблюдавшееся внешнее различие характера разрушения этих двух типов образцов объясняется различием их напряженных состояний (отсутствие градиента напряжений по длине цилиндрического и его наличие в плоском образце). [c.149]

Представляло интерес связать особенности рельефа поверхности разрушения с размером пластической зоны вокруг трещины усталости. Плоская поверхность разрушения (рис. 1, н, б) с кристаллографическими индексами (111 оказалась удобной для изучения характера пластической зоны методом рентгеновского двойного кристаллоспектрометра использовали рефлекс (111). Видно (рис. 2), что на поверхности разрушения дифракционная линия 111 размытая, полуширина ее может достигать значения больше 10° (для больших Од). После удаления металла (методом электроиолировки) всего на глубину 10—15 мкм кривая двойного отражения сужается до 12... и затем полуширина кривой стабилизируется. Для всех значений Па глубина пластически деформированного слоя составляет приблизительно 15 мкм Оа влияет на уширение рентгеновской линии непосредственно с поверхности (см. рис. 2), характер которой согласуется со строением усталостного излома. [c.150]

Кристаллографические индексы направлений (и плоскостей) определяют положение в пространстве кристалла семейства параллельных прямых (и плоскостей), проходящих через узлы ПР. Основной характеристикой кристаллографического направления является период идентичности (/и,с,ш) — расстояние между соседними узлами основная характеристика кристаллографической плоскости (точнее, семейства плоскостей) — межплоскостное расстояние (дькс). [c.102]

Еще одно прямое подтверждение конкуренции атомов Р и С при адсорбции на границах зерен дают результаты работы 125], показывающие, что после закалки от 800°С образца из а-железа с 0,52 % Р и 0,002 % С средняя концентрация Р на разных границах зерен примерно в 2 раза выше, чем в образце с тем же содержанием Р и 0,012 % С. Образец с промежуточным содержанием углерода (0,008 %) показывает и промежуточную среднюю концентрацию Р на границах. Для каждого образца Оже-спектроскопия выявляет значительную анизотропию обогащения примесями различнь(х межзеренных границ, причем те границы, которые обнаруживают повышенную концентрацию фосфора, имеют и повышенную концентрацию углерода. Основьгваясь на данных [126], показавших, что концентрация фосфора на границах зерен в a-Fe слабо чувствительна к углу разориентировки и типу границ (наклона или кручения), но возрастает для границ, лежащих в плоскости с большими кристаллографическими индексами, авторы работы [125] полагают, что такие границы игиеют большую адсорбционную емкость как для фосфора, так и для углерода. [c.72]

Для определения индексов кристаллографической плоскости необходимо установить координаты точек пересечения плоскости с осями координат в единицах периодов решетки т, п, р. Затем взять обратные значения этих величин и привести их к наименьшему целому, кратному каждому из чисел Мт, Мп, Мр. Полученные значения простых целых чисел в круглых скобках не имеющие об1цего множителя, являются кристаллографическими индексами Миллера для плоскости (рис. 1.9). Например, плоскость, параллельная координатной плоскости yz и перпендикулярная оси х, отсекает на осях отрезки (1, оо, оо) тогда индексы плоскости будут (100). [c.24]

В прокатанном листе ориентировку зерен устанавливают относительно плоскости и направления прокатки. Если рассматриваются только плоскости с наименьшими кристаллографическими индексами, то сложную текстуру ферритного листа можно определить исходя из трех преимущественных ориентировок текстуры (100) <110) (элементарный куб лежит на грани и направление (ПО) является направлением прокатки), текстуры (110) <110) (куб на ребре) и текстуры (111) и <110) (куб на вершине) (рис. 74). В холоднокатаном листе из очень низкоуглеродистой стали основной ориентировкой является (100) <110) с угловым рассеянием относительно направления прокатки, которое может переходить в ориентировки (112) <110) или (111) <110) это значит, что ось <110) играет роль оси волокна (рис. 75). Ориентировка (111) <112) появляется при высоких степенях холодной деформации. При поперечной прокатке рассеяние относительно <110) исчезает и получается текстура (100) <110). При повышении температуры прокатки ослабляются все ориентировки кроме (110) <100). Низкая температура прокатки дает анизотропию в плоскости листа, которая затем усили- [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...