Питтинг кристаллографический

Часто крупные (полусферические) питтинги возникают в результате слияния множества более мелких кристаллографических (рис. 5.1). [c.124]

Ограненные (кристаллографические) прггтинги и питтинги неправильной формы (анизотропно растущие в различно ориентированных зернах металла), как правило, являются травлеными. Они обнаружены на железе, углеродистых, низколегированных и нержавеющих сталях, никеле, алюминии, цинке, хроме. Форма кристаллографических питтингов соответствует правильным пирамидам, призмам, и сложным многогранникам, как правило, ограниченным низкоиндексными плоскостями кристаллической решетки, а тип огранки определяется пустотами кристаллической решетки, образовавшимися на начальных стадиях зарождения питтингов. [c.124]

При этом морфологически образуется питтинг двух типов округлый или относительно бесформенный рис. 6.002—6.005) кристаллографический , образованный как бы перекрывающимися фигурами травления рис. 6.006, 6.008). Кристаллографический питтинг имеет тенденцию к преимущественному образованию на границах зерен рис. 6.006,6,6.007,6). [c.231]

Рис. 6.010. Кристаллографический питтинг высокой плотности на поверхности листа из сплава В95Т1. Потенциостатическая поляризация в 3 %-ном растворе Na l. = —780 мВ,

Когда кристаллиты обнаженного металла разъедаются раствором, то скорость растворения меняется в соответствии с кристаллографической ориентацией независимо от влияния несовершенств кристаллитов. Некоторые смеси реагентов создают ямки с гладкими поверхностями, которые соответствуют характерным кристаллографическим плоскостям. Если это известно, то легко установить кристаллическую ориентацию. Например, на алюминии смесь дымящейся азотной, соляной и плавиковой кислот с бутилцелло-сольвом 162] образует ямки на плоскостях (100). Кристаллографическая природа питтинга алюминия в хлоридных растворах также доказана [63]. При разъедании очень тонкой фольги образуются узкие туннели , которые изменяют направление под прямым углом. Скорость растворения, по-видимому, постоянна, так как наложение анодной поляризации только расширяет фронт проникновения, но не увеличивает его скорость. [c.103]

Конфигурации питтингов, полученных как в лабораторных, так и естественных условиях, могут существенно изменяться. В лабораторных условиях питтинги, образованные при низких потенциалах, растут медленно при этом могут выявляться наиболее медленно растворяющиеся кристаллографические грани. При очень благородных потенциалах иногда возникают полусферические пит-тингй с полированными поверхностями. В условиях разомкнутого контура и при длительных периодах роста питтинги часто имеют весьма разнообразные неправильные формы, иногда с подрезами, когда диаметр питтинга под поверхностью больше ее диаметра на поверхности металла. [c.171]

М. Чахор, и 3. Смиаловская [69] изучали форму питтингов, образующихся на монокристалле сплава Ре+ 16% Сг в зависимости от потенциала, при котором образовался питтинг. Они отметили, что при потенциалах, значительно более положительных, чем Еит, образовывались полусферические питтинги, а при потенциалах, близких к Етг — кристаллографические, т. е. происходило анизотропное раст1ворение металла внутри питтинга. Это указывает на отсутствие в этих условиях в питтинге слоя с большим омическим сопротивлением и, следовательно, противоречит утверждению Франка [22] о механизме растворения металла в питтинге через окисную пленку с большим поляризационным сопротивлением. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...