Контраст кристаллографический

В связи с развитием техники трансмиссионной электронной дифракционно микроскопии факт существования мощных взаимных разворотов отдельных частей деформируемого кристалла стали наблюдать как рядовое явление. Характерный чередующийся темно-белый контраст ячеек и фрагментов, свидетельствующий о наличии кристаллографических разориентаций этих областей, известен любому специалисту, использующему технику тонких фолы. В качестве примера сошлемся на [192] и, [39]. [c.34]

Укрупнение субзерен путем коалесценции наблюдают при отжиге фольги непосредственно в колонне электронного микроскопа. Пряные наблюдения выявили постепенное размывание субграниц и исчезновение контраста между субзернами. А это значит, что субзерна приобретают одинаковую кристаллографическую ориентацию. [c.49]

Интенсивность эмиссии электронов активированной металлической поверхностью зависит только от кристаллографической ориентации зерен. Различие в плотности атомов активатора, адсорбированных поверхностями различных кристаллов, увеличивает контраст. Другим фактором, способствующим увеличению контраста, является искажение электрического поля из-за наличия поверхностного рельефа. [c.20]

Эффект травления зависит от химического состава фаз, их кристаллографической ориентации и напряженного состояния зерен. Рельеф, который при использовании эффекта травления первого типа, является результатом различий в скоростях растворения различных фаз, выявляется под микроскопом как чередование темных и светлых пятен — эффект контраста, однако не очень четко. Незначительные различия в толщине пленок, образующихся на поверхности образцов при использовании эффектов второго типа, проявляются в виде различий в цвете, которые хорошо заметны при наблюдении с помощью микроскопа. [c.44]

Большие возможности в изучении структуры аморфных сплавов открывает метод просвечивающей микроскопии в режиме формирования фазового контраста. В этом случае можно наблюдать отдельные кристаллографические плоскости и даже отдельные атомы, если использовать объекты толщиной порядка 1—5 нм. Такие исследования проведены в [455] на сплавах Fe-B в режиме прямого разрешения. Авторы интерпретировали наблюдаемую структуру как микрокристаллическую (радиус этих микрокристаллов изменялся от 0,7 до 1,1 нм по мере снижения содержания бора от 5 до 15 ат.%). Вывод о микро исталлической природе аморфных сплавов сделан в авторами других электронно-микроско-пических исследований [456—458]. Однако при анализе субкристалли-ческнх структур (при структурной единице размером порядка 1 нм) трудно отличить "микрокрисгалл" от "кластера". Поэтому считают, что электронно-микроскопические исследования подтверждают в равной мере как микрокристаллическую, так и кластерную природу аморфных сплавов. [c.283]

При исследованиях методом тонких фолы чрезвычайно богатую информацию дает микродифракция. Микродифракционная картина позволяет не только выбирать и правильно интерпретировать дифракционный контраст на соответствующем электронно-микроскопическом изображении, но и проводить фазовый анализ, определять кристаллографические и кристаллогеометрические особенности наблюдаемых структур и т. п. Особенности микродифракци-онных картин (МДК), получаемых в электронном микроскопе при просмотре тонких фолы [c.53]

Для получения картины кристаллического строения электролитического осадка на его поверхность осаждают также электролитическим способом тонкий слой (50—100 А) никеля, который имеет кристаллическую структуру, ориентированную в соответствии с кристаллографической структурой образца. После растворения образца в соответствующем растворителе отпечатки отделяют и исследуют в электронном микроскопе. Вследствие кристаллической структуры никелевого отпечатка электронномикроскопическая картина обладает дополнительным контрастом, вызванным брэгговским отражением от сетчатых поверхностей. На фиг. XV приводятся микрофотографии, полученные описанным способом с помощью электролитических никелевых отпечатков, осажденных на поверхности меди, которые исследовались в темном и светло.м поле. Отделение отпечатков производилось растворением медного слоя в оастворе хромовой кислоты. [c.72]

Существует ряд электронно-микроскопических исследований, которые выполнены на аморфных сплаЕ ах в режиме получения фазового контраста. В этом случае при определенных условиях удается визуализировать отдельные кристаллографические плоскости или отдельные атомы [12.7 ]. Определенные методические трудности, возникающие при работе в режиме прямого разрешения, удается преодолеть, применяя очень тонкие (порядка 1— 5 нм) объекты и проводя параллельно машинные расчеты форми-руюп] ихся изображений гфи идентичных условиях рассеяния. На рис. 12.5 показан пример изображения атомной структуры аморфного сплава F 74E-i2g, полученного в режиме прямого разрешения 112,71. Авторы. этого исследования делают заключение, что структуру сплавов Fe—В можно описать микрокристаллами, размер которых изменяется от 0,7 до 1,1 нм по мере снижения содержания бора от 50 до 15% (ат,). [c.165]

Кристаллографическая разориентация соседних участков по разные стороны границ фрагментов сильнодеформированных металлов весьма значительна. Уже простые наблюдения за положением пятен Лауэ на электронограммах коллимированных пучков и характер изменения темнопольного контраста при наклоне фольги позволяют заключить, что и азимутальные и горизонтальные составляющие углов разориептации обычно большие. Результаты расшифровки электронно-микроскопических изображений кристалла на начальных стадиях разворотов кристаллической решетки приведены на рис. 9. В работах [38,37,28] выполнен подобный анализ разориентировок фрагментов в полностью сформировавшихся структурах. [c.48]

Совпадение кристаллографического поворота с материальным возмоншо, когда кристалл как целое (без пластических сдвигов) занимает новую ориентацию (рис. 17, г). Дифракционный контраст в этом случав дает полную информацию о фактическом повороте кристалла. На рис. 17, д показан двойник, образовавшийся в условиях полной пластической аккомодации сдвигового типа, например, путем изменения ориентации кристаллографических осей неинва-риантными сдвигами 1/6 <112> в плоскостях, [111] ГЦК-решет-ки, аккомодированным дислокационным скольжением (т. е. сдвигами 1/2 <11( ). При соответствующем подборе инвариантных и неинва- [c.58]

Шероховатость поверхности. Для серийно выпускаемых кристаллов кремния КЭФ-4.5 с ориентацией поверхности /100/ проведено изучение контраста интерференции в зависимости от диаметра пучка. Одна из поверхностей каждого кристалла отполирована, высота микрорельефа Кг 0,05 мкм. По свойствам тыльной поверхности образцы делятся на два типа I) тыльная поверхность отполирована более грубо, чем лицевая, и характеризуется высотой микрорельефа 0,1 мкм 11) тыльная поверхность шероховатая, средняя высота рельефа составляет 14-2 мкм, шероховатость упорядочена по форме и размеру микрограней, по их ориентации относительно кристаллографических направлений и наклону микрограней к базовой плоскости [6.29]. Для получения статистики контраста на каждом образце зондировали ряд точек, расположенных вдоль произвольно выбранной линии на расстоянии 0,5 мм (для ) = 0,1 и 0,3 мм), 1 мм (для О = мм) и 2 мм (для [c.149]

Контрастность электронного изображения в стандартных условиях определяется различным рассеянием и поглощением электронов, проходящих через участки объекта, имеющие разную эффективную толщину (рис. 2), или плотность, или кристаллографическую ориентировку (последняя играет решающую роль в возникновении контрастов на темнопольном изображении). Чем мельче детали рельефа объекта или области измененной плотности, тем, очевидно, тоньше должен быть препарат, чтобы обеспечить достаточную контрастность изображения этих деталей (областей). С другой стороны, каждой данной средней толщине объекта соответствует определенная оптимальная (с точки зрения контрастности изображения) скорость электронов. Возможность подбора такой скорости обеспечивается во всех приборах наличием трехчетырех ступеней высокого напряжения. [c.166]

При взаимодействии с поверхностью пучка первичных быстрых электронов (с энергией в сотни кэВ в случае ПЭМ и десятки кэБ для РЭМ) возникает несколько видов ихтучения вторичные электроны, рентгеновское (тормозное и характеристическое) и оптическое излучения. Анализ пучка вторичных электронов позволяет не только повысить разрешающую способность РЭМ, но и получить ценные сведения о локальных электрических и магнитных полях на поверхности. Детектирование электромагнитного излучения дает возможность одновременно с получением изображения участка поверхности судить о кристаллографической структуре (микродифракция), дефектах (катодолюминесценция) и его составе (оже-спектры). В современных РЭМ эта информация может быть получена с площадок в несколько квадратных нанометров. Если поверхность полностью разупорядочена, дополнительную информацию дает анализ фазового контраста изображения, т.е. сдвига фаз электронных пучков при их взаимодействии с поверхностью. Использование импульсной техники позволяет получать не только статическую картину участков поверхности, но и изучать динамические процессы на ней — диффузию тяжелых атомов, их сефе-гацию, фазовые переходы и др. Временное разрешение может быть доведено до нескольких пикосекунд. [c.123]

Контраст изображения острия отражает различие эмиссионной способности различных кристаллографических плоскостей. В частности, можно определить тип и ориентацию кристаллической решетки металла, из которого изготовлено острие. По изображению можно установить главные оси кристалла яркость каждой его точки зависит от плотности эммитирующей кристаллографической плоскости — чем более плотно упакована плоскость, тем выше работа выхода и ниже эмиссия. [c.21]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...