Решетка кристаллическая плоскости кристаллографические

Пространственное положение кристаллографических плоскостей (плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кристаллической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами. [c.20]

Тела кристаллического строения обладают способностью пластически деформироваться, т. е. изменять свою форму под воздействием внешних сил, не разрушаясь. При деформировании происходит смещение частиц по определенным кристаллографическим плоскостям решетки, называемым плоскостями скольжения. У тел аморфных пластической деформации не наблюдается. [c.15]

В тесной связи с кристаллизующим действием поверхности находится явление определенной ориентации возникающих зародышей кристаллов. При образовании пленок на поверхности химическое превращение развивается таким образом, чтобы конфигурация атомов исходной твердой базы сохранялась (или почти сохранялась) и в новой твердой фазе. Кристаллическая решетка новой фазы сопрягается с кристаллической решеткой исходной фазы теми кристаллическими плоскостями, параметры которых минимально отличаются друг от друга. При этом- пленки приобретают защитную способность в том случае, когда между металлом и пленкой существует структурное соответствие [24, 25]. Однако при химических реакциях возможны случаи образования промежуточных фаз, вызванные трудностью соблюдения принципа ориентационного и размерного соответствия при непосредственной перестройке решетки исходной фазы сразу в окончательную форму [26]. Между индексами кристаллографических направлений и плоскостей в регулярно соприкасающихся решетках установлена количественная связь, что позволяет производить расчеты кристаллических решеток при образовании защитных пленок и различных фазовых превращениях в металлах и сплавах [27]. Принцип структурного соответствия, т. е. направленная кристаллизация или так называемая эпитаксия [28, 29], при которой структура основного металла воспроизводится в образующейся на нем пленке в результате ориентированного роста кристаллов в системе металл — покрытие, особенно хорошо проявляется для большинства металлов и их окислов, гидроокисей, нитридов, карбидов, оксалатов и других продуктов реакционноспособных систем. В последние годы закономерности эпитаксии были также установлены и для различных фосфатных пленок на черных и цветных металлах (гл. П). [c.12]

Для металлов характерным свойством является анизотропия, т. е. неодинаковость свойства кристалла в разных кристаллографических направлениях. Объясняется это тем, что кристаллические плоскости а и б, например, в кубической объемноцентрированной решетке заполнены атомами с различной плотностью (рис. 5). [c.7]

По В. П. Батракову (1962 г.), интенсивной линейной локализованной коррозии вследствие приложенных извне или внутренних напряжений подвержены границы зерен или блочных структур, своеобразные группировки атомов по кристаллографическим плоскостям, дислокации и другие искажения кристаллической решетки, находящиеся в активном состоянии. [c.335]

Конечно, такой способ расчета не может претендовать на высокую точность многое зависит от ориентации кристалла, его строения, а также от типа связей между атомами в кристаллической решетке. Но любопытно, что множество достаточно точных расчетов по оценке так называемой идеальной (расчетной) прочности дают для всех материалов практически тот же результат. Напряжения необратимого скольжения, а также и отрыва по основным кристаллографическим плоскостям лежат для всех материалов в пределах 5... 16 % от f . Прямая связь между идеальной прочностью и модулем упругости очевидна. Они имеют общее происхождение и определяются характером межатомного сцепления. И, наконец, есть еще нечто общее, что сохраняется для всех материалов. Результаты теоретических расчетов по идеальной прочности находятся в резком противоречии с тем, что мы получаем при испытании образцов на растяжение. И возникновение общей текучести, и последующий разрыв образца происходят при напряжениях, в лучшем случае, в десятки, а то и в сотни раз меньших, чем те, которые прогнозируются расчетом. [c.76]

Как уже отмечалось в гл. П, пластическая деформация кристаллических тел может осуществляться не только скольжением, но и двойникованием. Двойникование для кристаллов с о. ц. к., г. ц. к. и г. п. у. решетками можно наблюдать при особых условиях деформирования. При этом металлографическими способами выявляются области, иначе травящиеся, чем окружающий матричный кристалл. Отличительными признаками этих областей являются прямолинейность и строгая кристаллографическая направленность двух параллельных границ. Дифракционными (рентгеновскими и др.) методами установлено, что эти области закономерно отличаются своей ориентировкой и расположением атомов относительно матрицы. Расположение атомов внутри этой области представляет собой зеркальное отражение расположения атомов в матричном кристалле (см. рис. 77,а). Плоскости зеркального отражения, пересечение которых с плоскостью шлифа имеют вид прямолинейных границ, являются плоскостями двойникования. Так, на рис. 77,а п б плоскостью двойникования является плоскость (112). Переориентированные области называют двойниками, а процесс их образования двойникованием. Двойники в кристаллах делятся на двойники роста (рост кристалла из расплава, в процессе рекристаллизации и отжига) и деформационные двойники. Двойникование при деформации — один из механизмов сдвиговой деформации. Для деформационного двойникования характерны высокие скорости и выделение энергии в форме звука с характерным потрескиванием в процессе деформации кристалла. Двойникование сопровождается скачкообразным изменением деформирующего усилия, [c.131]

При деформации поликристаллов отдельные кристаллиты подвергаются такому же формоизменению, как и весь образец в целом. Кристаллическое строение деформированного вещества проявляется в том, что наряду с обоснованным изменением его внешней формы закономерно изменяется ориентировка кристаллической решетки. Это изменение связано с симметрией напряженно-деформированного состояния и, в конечном итоге, приводит к тому, что параллельно направлению внешних деформирующих сил устанавливается определенная кристаллографическая плоскость и (или) кристаллографическое направление, [c.277]

Индексы кристаллической решетки. При изучении свойств металлов, обусловленных действием на металл деформации, магнитного поля и т. д., необходимо с помощью отсекаемых отрезков или индексов Миллера обозначать кристаллографические плоскости (чтобы определять их положение), кристаллографические направления внутри данного кристалла, ориентировку отдельных кристаллов относительно друг друга. Индексы — это числовые обозначения кристаллографических плоскостей и направлений внутри кристалла. Отсекаемые отрезки, характеризующие положение плоскости в кристалле, являются расстояниями от начала координатной системы до точек пересечения этой плоскости с каждой из осей координатной системы. Положение плоскостей устанавливается с помощью закона рациональных индексов отношения отсекаемых отрезков для любой плоскости, проходящей в кристалле, всегда могут быть выражены рациональными числами эти числа могут быть равны 2, [c.22]

У такого хрупкого материала, как чугун, сопротивление отрыву частиц меньше, чем сопротивление сдвигу. Поэтому нарушение сцепления между отдельными его частицами происходит до появления заметных остаточных деформаций, и разрушение происходит вследствие отрыва. У пластичного материала, как, например, у мягкой стали, сопротивление сдвигу вначале меньше сопротивления отрыву. Поэтому в таком материале происходит сдвиг элементов кристаллической решетки по кристаллографическим плоскостям, вследствие чего в нем появляются остаточные деформации. С появлением первых остаточных деформаций сопротивление сдвигу начинает расти. Окончательное разрушение материала сопровождается значительными пластическими деформациями. [c.97]

К дефектам кристаллического твердого тела относятся любые нарушения периодичности электростатического поля кристаллической решетки (рис. В-6) нарушение стехиометрического состава, наличие посторонних примесей, механически напряженные участки структуры, дополнительные кристаллографические плоскости (дислокации, трещины, поры) и т. д. [c.12]

Известно [112, 120], что использование картин Муара позволяет наиболее отчетливо выявлять небольшие искажения кристаллической решетки. Данный принцип основан на том факте, что небольшие изменения в трансляционной симметрии приводят к заметным изменениям в картинах Муара. Картины Муара часто наблюдаются в тех случаях, когда изображения кристаллических решеток двух соседних зерен накладываются друг на друга. Характерными чертами картин Муара при электронно-микроскопических исследованиях искажений кристаллической решетки являются искривления получаемых изображений кристаллографических плоскостей и часто изменение расстояния между ними. С другой стороны, наблюдаемые явления могут быть вызваны дифракционными эффектами. [c.66]

Для однозначной трактовки результатов получаемые изображения должны анализироваться в сопоставлении с дифракционными картинами от отдельных зерен, что однако трудно сделать в случае наноструктур. В связи с этим в работе [121] для исследования малых искажений кристаллической решетки применялась методика, предложенная в работе [120], где картины Муара формировали искусственно. При этом использовали специальную сетку из строго параллельных линий, расстояние между которыми было близко к расстоянию между изображениями кристаллографических плоскостей исследуемого наноструктурного материала. Данная специальная сетка была напечатана на прозрачной пленке с использованием компьютера и лазерного принтера и для получения картин Муара накладывалась на электронно-микроскопические фотографии атомных плоскостей нанокристаллов. [c.66]

Если сдвиг элементарных составляющих при пластической деформации проходит по телу зерен металла, напоминая сдвиг карт в колоде, атомная связь, плотная упаков ка атомов в кристаллической решетке оказывают растягивающим усилиям намного большее сопротивление, чем срезывающим. Перемещение слоев в каждом кристалле проходит по вполне определенным атомным плоскостям — по кристаллографическим направлениям, лежащим в этих плоскостях. При этом зерна приспосабливают свою форму к форме соседних зерен. Вся масса кристаллических зерен меняет свою форму без разрушения. [c.30]

Обычно считают, что явление радиационного роста (см. табл. 2) возникает, когда в силу анизотропии кристаллической структуры материала выбитым из своих узлов атомам и образовавшимся при этом вакансиям энергетически выгодно конденсироваться на различных кристаллографических плоскостях, что и приводит к непрерывному росту под облучением количества одних плоскостей и к соответствующему сокращению других. В результате этого происходит непрерывный процесс удлинения кристалла в одном кристаллографическом направлении и сокращения в другом. Указанное явление было чрезвычайно серьезным для всей атомной проблемы в целом в связи с недостаточной стойкостью урана. В настоящее время для уранового топлива данная проблема в основном решена [31. Однако, поскольку в элементах действующих и проектируемых реакторов широко используются другие материалы с анизотропной решеткой, такие, как цирконий, графит и т. д., на которых явление радиационного роста также наблюдалось, это явление заслуживает самого серьезного изучения. [c.14]

По многочисленным экспериментальным данным, моно-кристаллический молибден обладает существенной анизотропией работы выхода электронов для разных кристаллографических плоскостей (см. табл. 4.1), что связано с различной плотностью упаковки атомов в кристаллической решетке на разных плоскостях— гранях кристалла [124, 125, 154, 155]. Подробная подборка экспериментальных данных по термоэмиссионным свойствам молибдена дана в справочнике [155]. [c.78]

Как известно, кристаллы металла анизотропны, т. е. многие их свойства зависят от направления по отношению к кристаллической решетке. Это следствие различной плотности упаковки атомов в различных кристаллографических плоскостях. [c.22]

Дальнейшего улучшения свойств можно достичь путем управления кристаллографической текстурой направленно закристаллизованных материалов. Данные рис. 9.12 свидетельствуют, что длительная прочность очень чувствительна к кристаллографической ориентировке [29]. Однако оптимальная ориентировка не всегда продиктована прежде всего соображениями длительной прочности. У некоторых материалов направленной кристаллизации плоскости кристаллической решетки <100> ориентировали параллельно оси нагружения, чтобы свести к минимуму напряжения, возникающие из-за термоциклирования (вызывающего термическую усталость) в условиях эксплуатации. [c.333]

Кристаллографические атомные) плоскости — плоскости, проходящие через три узла кристаллической решетки. [c.46]

Кристаллическая решетка — пространственное периодическое расположение атомов (ионов, молекул) в кристаллическом веществе. Точки кристаллической решетки, в которых расположены атомы или ионы, называются узлами кристаллической решетки. Направления, проходящие через два узла кристаллической решетки, называются кристаллографическими направлениями, а плоскости, проходящие через три узла, — кристаллографическими атомными плоскостями). [c.30]

Изменение плотности атомов в различных плоскостях и направлениях кристаллической решетки определяет неодинаковость свойств монокристалла в зависимости от кристаллографических направлений (анизотропию). [c.30]

Упорядоченность расположения атомов в кристаллической решетке позволяет четко выделить отдельные кристаллографические направления и плоскости. [c.8]

Кристаллическая решетка реального металла не является геометрически идеальной. В ее узлах нередко отсутствуют атомы, а в зернах очень часто между полными кристаллографическими плоскостями, идущими от границы до границы зерна, находятся так называемые экстраплоскости, протяженность которых ограничивается только частью размера зерна. Существуют и другие дефекты, как правило, снижающие прочность металла. [c.12]

Наиболее распространенными и очень важными с точки зрения формирования прочностных свойств металлов являются дефекты, имеющие протяженность только в одном направлении, или линейные дефекты. Их принято называть дислокациями. Образуются дислокации в результате локальных или местных смещений кристаллографических плоскостей, происходящих в кристаллической решетке зерен на различных технологических этапах их (зерен) формирования. Наиболее распространенной и характерной разновидностью дислокации является краевая дислокация (рис. 1.5). Сформировавшейся в результате предшествующих локальных сдвиговых процессов краевой дислокацией является нижняя граница (край) изображенной на рис. 1.5 как бы лишней, не имеющей продолжения полуплоскости АВ, именуемой экстраплоскостью. Линию атомов нижней границы экстраплоскости принято называть дислокацией. [c.13]

О названии дислокации. Вокруг текущих положений (рис. 1.8, линия АВ) кристаллографические атомные плоскости-поверхности оказываются изогнутыми. Если проследить ход этих плоскостей от левой части кристалла к правой вокруг ЛВ сверху вниз, то окажется, что все они, т. е. атомные слои-плоскости, как бы представляют одну винтовую поверхность, закрученную вокруг АВ по часовой стрелке в данном случае. Сама линия АВ, вокруг которой формируются геометрические и энергетические искажения в кристаллической решетке, и является винтовой дислокацией. [c.15]

На прочностные свойства металлов оказывают влияние и так называемые поверхностные дефекты кристаллической решетки. Ими являются криволинейные поверхности, ограничивающие зерна металла, а также плоские поверхности, разделяющие блоки (субзерна), из которых состоят зерна металла (рис. 1.9). Ориентация кристаллографических плоскостей в соседних зернах иная, при этом угол разориентировки может составлять десятки градусов. Угол разориентировки в соседних субзернах очень мал и, как правило, не превышает нескольких градусов (рис. 1.9, угол а). [c.15]

В заключение отметим существенную специфику другого вида пластической деформации — двойникования. В отличие от сдвиговой пластической деформации, основу протекания которой составляет работа дислокационного механизма, при двойниковании происходит образование так называемых двойников, т. е. таких незначительных прослоек в кристаллической решетке зерна, в которых кристаллографические направления и плоскости переориентированы в зеркально-симметричное положение относительно некоторой плоскости, называемой плоскостью двойникования (рис. 1.18, плоскость 1—I). Деформация двойникования происходит в тех случаях, когда она менее энергоемка, чем деформация скольжения. Двойники наблюдаются, например, в зернах отожженной меди. [c.23]

Анизотропия кристаллов. А-н изотропией называется различие свойств кристаллов в направлениях различных кристаллографических плоскостей. Вследствие правильного расположения атомов в кристаллической решетке атомная плотность или коли- [c.18]

Наблюдение дислокаций в атомно-кристаллических решетках под электронным микроскопом стало возможно благодаря усовершенствованию их конструкции, позволяющей различать кристаллографические плоскости решетки с расстоянием друг от друга в 6,9 А. Это позволило исследовать решетку кристалла фталоцианина платины, у которого расстояние между плоскостями (201) около 12 А. [c.31]

В предшествующем пункте мы видели, что для частиц, вылетающих из узлов решетки, направления вдоль кристаллографических осей и плос костей являются закрытыми. Поэтому если узлы монокристалла в резуль тате ядерных процессов (а-распад упругое и неупругое рассеяние про тонов) станут излучателями частиц то в направлениях осей и плоскостей должны наблюдаться своеобразные тени. Это явление было предсказано и обнаружено А. Ф. Тулиновым (1965) и названо им эффектом теней . На рис. 8.16 приведена система теней, которая создана на фотопластинке протонами, упруго рассеянными в монокристалле вольфрама. Фотографическая пластинка располагалась перпендикулярно оси [ПО]. Пятно в центре представляет собой тень от цепочек, выстроенных вдоль этой оси. Остальные точечные тени образованы цепочками других направлений. Наконец, темные линии представляют собой тени от кристаллических плоскостей. [c.462]

ЭФФЕКТ [переключения — скачкообразный обратимый переход полупроводника из состояния с высоким сопротивлением в состояние с низким сопротивлением под действием электрического поля, напряженность которого превышает некоторое пороговое значение пьезоэлектрический < — возникновение электрических зарядов разного знака при деформации некоторых кристаллов обратный заключается в изменении линейных размеров некоторых кристаллов под действием электрического поля) радиометрический состоит в обнаружении и измерении давления электромагнитных волн на твердые тела и газы Рамана см. РАССЕЯНИЕ света комбинационное стереоскопический — психофизиологическое явление слитного восприятия изображений, видимых правым и левым глазом стробоскопический — основанная на инерции зрения зрительная иллюзия непрерывного движения, возникающая при наблюдении движущегося предмета в течение коротких быстро следующих друг за другом промежутков времени теней — появление интенсивности в распределении частиц, вылетающих из узлов кристаллической решетки в направлениях кристаллографических осей и плоскостей тензорезистивиый — изменение электрического сопротивления твердого проводника при его деформации тепловой реакции — теплота, выделенная или поглощенная термодинамической системой при протекании в ней химической реакции при условии, что система не совершает никакой работы, кроме работы расширения, а температура продуктов реакции равна [c.301]

Подобное специфическое действие различных граней монокристалла по отношению к кристаллическим реакциям было найдено на других кристаллах. Так, каталитическая активность разных граней монокристалла и по отношению к гидрированию этилена (С2Н4 + Н2- >-С2Нд) весьма различна (Беек). Самой эффективной является грань (ПО), каталитическая активность которой в пять раз больше, чем у поликристаллического материала. Сравнение периодов решетки в различных кристаллографических плоскостях позволяет предположить, что каталитическое действие связано с наличи- [c.376]

На рис. 75 видно, что решетка зародышей, отделенных от исходной фазы когерентной или полукогерентной границей, всегда кристаллографически ориентирована определенным образом по отношению к решетке исходной фазы. Отсюда не следует делать обратного вывода, что две фазы с закономерной взаимной ориентацией их решеток обязательно когерентны. Во-первых, решетка некогерентной фазы может обладать закономерной ориентировкой по отношению к решетке исходной фазы, так как вначале зародыш новой фазы имел полукогерентную границу, затем при росте кристалла межфазная граница стала некогерентной, а ориентировка его сохранилась прежней. Во-вторых, если зародыш с самого начала имеет некогерентную границу, то также возможна закономерная ориентировка его решетки по отношению к решетке исходной фазы. Ориентированное превращение подчиняется общей закономерности, сущность которой была наиболее развернуто сформулирована П. Д. Данковым как принцип ориентационного и размерного соответствия Химическое иревращенне на поверхности твердого тела развивается таким образом, чтобы конфигурация атомов исходной твердой фазы сохранялась (или почти сохранялась) и в новой твердой фазе. Возникающая при указанном процессе кристаллическая решетка новой фазы сопрягается с кристаллической решеткой исходной фазы подобными кристаллическими плоскостями, параметры которых отличаются друг от друга минимально . Причина закономерной ориентации [c.133]

Существует ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. Взаимное расположение атомов в одной из плоскостей показано на схеме разме-ш,ения атомов (рис. 3). Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, образуют решетку, в узлах которой располагаются атомы (положительно заряженные ионы) это так называемая кристаллографическая плоскость. Многократное повторение кристаллографических плоскостей, расиолол енных параллельно, воспроизводит пространственную кристаллическую решетку, узлы которой являются местом расположения атомов (ионов). Расстояния между центрами соседних атомов измеря- [c.22]

Примеси, удовлетворяющие этим требованиям, обладают естественной активностью. Естественная активность дисперсных частиц, взвешенных в жидкости, связана с закономерностями зарождения центров кристаллизации на твердых поверхностях, которые rj общем виде были сформулированы П. Д. Данковым и С. Т. Конобеевским. Превращение на поверхности твердого тела развивается таким образом, чтобы конфигурация атомов твердой фазы сохранилась (или почти сохранилась) и в новой твердой фазе. Возникающая при указанном процессе кристаллическая решетка новой фазы сопрягается с кристаллической решеткой старой фазы подобными кристаллографическими плоскостями, параметры кото[)ых 01личаются друг от друга минимально. Причина закономерной ориентации двух фаз с термодп-ппмическои точки зрении состоит в том, что минимум поверхностной энергии обеспечивается при максимальном сходстве в расположении атомов на соприкасающихся гранях старой и новой фаз. [c.36]

При пластической деформации путем скольжения (рис. 4.13) одна часть кристалла перемеи ается в определенном направлении называемом направлением скольжения) относительно другой вдоль определенной кристаллографической плоскости плоскости скольжения). Параплоскость и направление скольжения образуют систему скольжения. Для каждой кристаллической решетки может быть несколько систем скольжения. Скольжение одной атомной плоскости по отношению к другой происходит таким образом, что атомные слои не отделяются друг от друга (в противном случае кристалл просто бы разрушился), т. е. атомы в плоскости скольжения перемещаются на целое число трансляций, и в результате сохраняется непрерывность кристаллической решетки, т. е. сохраняется атомная структура. [c.129]

Усгювно и очень удобно изображать расположение атомов в кристаллическом твердом теле в виде кристаллографической плоскости, в узлах которой расположены атомы, а каждое кристаллическое тело состоит из множеств многократно повторяющихся кристаллографических плоскостей, расположенных параллельно, образующих пространственную кристаллическую решетку. [c.16]

Пространственная решетка металла является абстрактным геометрическим построением. Кубическая простран-ствер1ная решетка идеального металла (рис. 9, а) состоит из точек — мест расположения атомов, для удобства рассмотрения соединенных линиями. Каждый атом (ион) окружен равным числом ближайших соседних атомов. Отдельные плоскости пространственной решетки образуют кристаллографические плоскости. Наименьший комплекс атомов, образуюш,их при многократном повторении (трансляции) пространственную решетку, называется элементарной кристаллической ячейкой (рис. 9, б). Изображения [c.19]

Титан относится к парамагнитным металлам, магнитная восприимчивость его, по данным различных авторов, составляет при 20°С 3,2 1(7 см /г. Она повышается с возрастанием температуры от —200 до +800°С по линейному закону. Температурный коэффициент в этом интервале составляет 0,0012-10 см /(г-°С). В области а->- 3-превращения наблюдается резкое возрастание восприимчивости. Так же, как и другие физические характеристики, магнитная восприимчивость титана зависит от кристаллографической направленности. Максимум удельной магнитной восприимчивости наблюдается вдоль плоскости призмы параллельно оси с кристаллической решетки, минимум —параллельно плоскости базиса. Легирование а-фазы приводит, как правило, к снижению удельной магнитной восприимчивости. Однако температурная зависимость магнитной восприимчивости в этом случае может отклоняться от линейной. По величине этого отклонения и температурному интервалу, в котором оно происходит, можно судить об образовании интерметаллических соединений или их предвыделений. [c.6]

Проявление разнообразных случаев етруктурной коррозии сплавов связано g различными скоробтами раетворения отдельных структурных составляющих, имеющих разный химический состав, а также физически неоднородных участков металла (зерна, границе зерен, блочные структуры, границы блочных структур, кристаллографические плоскости и плоскости скольжения с различными атомными группировками, дислокации к другие дефекты кристаллической решетки). [c.32]

Отметим, что близкие результаты, указывающие на значительные упругие деформации в приграничных областях, были получены недавно в работе [119], где наблюдали и измеряли методом просвечивающей электронной микроскопии кривизну кристаллической решетки вблизи границ зерен, а также переменную разори-ентацию вдоль индивидуальных границ в Ni, подвергнутом ИПД. В этой работе, используя изгибные контуры экстинкции, исследовали структурную кривизну решетки, которая является кривизной кристаллографических плоскостей, параллельных волновому вектору, в отличие от обычной изгибной кривизны, относящейся к плоскостям, перпендикулярным волновому вектору. Вследствие этого структурная кривизна отражает реальную структуру объемных образцов, поскольку плоскости, параллельные волновому вектору, практически не меняют свою кривизну при возможном изгибе фольги при ее приготовлении. [c.65]

Таким образом, внутрикристаллический скол (отрыв) по определенной кристаллографической плоскости является характерным для практически полностью хрупкого разрушения. Несколько менее хрупкое разрушение происходит с формированием фасеток квазиотрыва. Однако с практической точки зрения к хрупким следует отнести изломы, имеющие сотовое строение и образованные по механизму ямочного разрыва, но также с малым участием пластической деформации. Ряд конструкционных сплавов, в частности сплавы на алюминиевой основе, другие сплавы с некубическим типом кристаллической решетки [c.45]

Поскольку до сих пор отсутствует единая методика определения тонкой кристаллической структуры закаленной и отпущенной стали II1X-15 в чистом виде, для получения достаточно надежных данных о напряжениях II рода и размерах блоков когерентного рассеяния были применены различные методики, в том числе метод моментов второго порядка [7] и метод аппроксимации формы интерференционных линий от кристаллографических плоскостей (011) (101) — (НО) — (121) (211) — (112) мартенсита с учетом поправки ширины инструментальной ширины интерференционной линии на тетра-гональность решетки мартенсита, немонохроматичность рентгеновского излучения и геометрические условия рентгенографирования [6]. [c.177]

Наиболее удобный способ единообразного описания пространственного расположения кристаллографических плоскостей и направлений заключается в приписывании им определенных индексов индицирова-нии). Кристаллографическое направление характеризуется индексами вектора, выходящего из начала принятой в кристаллической решетке системы координат, т.е. тремя целыми, взаимно простыми числами и, v и W, пропорциональными координатам любого узла кристаллической решетки, лежащего на этом направлении. Индексы направления записывают в одинарных квадратных скобках [uvw] и называют символом направления. [c.30]

Принцип структурного соответствия (Конобеевский, Баррет, Данков) заключается в том, что превращение в анизотропной среде развивается так, чтобы конфигурация атомов исходной твердой фазы близко сохранялась и в новой фазе. При этом кристаллическая решетка последней сопрягается с кристаллической решеткой исходной фазы подобными кристаллографическими плоскостями с малым различием в параметрах. Возможность ориентированного роста определяется соотношением между величиной энергии деформации /S.Fe, необходимой для приведения новой фазы к размерному соответствию, и выигрышем в поверхностной энергии AFg. Если работа образования трехмерного зародыша независимо ориентированной структуры будет больше, чем энергия деформации, то будет иметь место сопряжение решеток. При этом новая или исходная структура будет деформирована. В противном случае, т. е. когда энергия деформации кристаллических решеток слишком велика, энергетически выгодней образование независимо ориентированного зародыша. [c.178]

Как уже указывалось, металлы, находяш,иеся в твердом состоянии, имеют правильное расположение атомов, образующих так называемую кристаллическую или пространственную решетку. Решетка состоит из ряда параллельных кристаллографических плоскостей, отстояш,их друг от друга на определенных расстояниях. [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...