Кристаллографические направления

Определить закон дисперсии упругих волн в кубическом кристалле, распространяющихся а) в кристаллографической плоскости (001) (плоскость грани куба) б) в кристаллографическом направлении [111] (направление диагонали куба). [c.133]

Исследование спектров молекулярного рассеяния представляет собой мощный и довольно универсальный инструмент изучения различных характеристик и свойств веществ в различных агрегатных состояниях при различных внешних условиях. Измерение положения дискретных компонент Мандельштама — Бриллюэна дает возможность составить себе ясную картину поведения упругих постоянных для различных кристаллографических направлений в твердом теле, в том числе в области фазового перехода, что представляет особенно большой интерес. [c.597]

Физическую природу магнитной анизотропии впервые установил Н. С. Акулов. В ферромагнитном кристалле имеются взаимодействия, которые ориентируют намагниченности вдоль определенных кристаллографических направлений (осей легкого намагничения). К этому приводит перекрытие электронных орбит спиновые моменты взаимодействуют с орбитальными из-за наличия спин-орбитальной связи, а орбитальные моменты, в свою очередь, взаимодействуют с кристаллической решеткой за счет существующих в ней электростатических полей и перекрытия волновых функций соседних атомов. [c.347]

Индексы Миллера и кристаллографические направления. Положение и ориентация плоскости кристалла определяются заданием координат трех атомов, лежащих в этой плоскости. Если каждый из трех атомов находится на одной из трех кристаллографических координатных осей, то положение данной плоскости может быть задано соответствующими координатами атомов по осям в единицах постоянной решетки. Так, если атомы, определяющие плоскость, имеют координаты (4, О, 0), (0, 1, 0), (0, о, 2) в какой-то системе кристаллографических координатных осей, то указанная плоскость может быть охарактеризована тремя числами 4, 1 и 2. [c.54]

Соответствующую кристаллографическому направлению плоскость обозначают теми же индексами, но в круглых скобках (Л k I). В табл. 2.6 приведена установка кристаллографических осей для различных сингоний. [c.40]

Кристалл р. 10 кг/м 100 001 произв 001 001 100 Другие кристаллографические направления Литература [c.151]

Помимо пьезомодуля, значение которого зависит от кристаллографического направления, для оценки пьезоэлементов применяют коэффициент электромеханической связи К, характеризующий эффективность преобразования механической энергии в электрическую и наоборот (при прямом и обратном пьезоэффекте), а также механическую добротность Qm, определяемую потерями на внутреннее трение в. материале, от значения которой существенно зависит увеличение амплитуды колебаний элемента при резонансной частоте. Работоспособность пьезоматериалов определяется также значениями г,, tg б и точкой Кюри Тс. [c.558]

Рие. 27.3. Кривые намагничивания для основных кристаллографических направлений монокристалла Fe при Г = 20 С [67] [c.616]

Рис. 27.4. Кривые намагничивания для основных кристаллографических направлений монокристалла Со при Г = 20 С [74]

Рис. 27.5. Кривые намагничивания для основных кристаллографических направлений монокристалла Ni при Г=20°С [73]

Кристаллографическое направление — это направление прямой, проходящей, как минимум, через два узла. Если один из узлов прямой принять за начало координат, то положение ближайшего к нему узла прямой, выраженное через числа т, п, р, приведенные к целым числам, полностью характеризует положение прямой в кристалле. Координаты этого узла, заключенные в простые квадратные скобки [тпр], — символ направления (ряда) в решетке. Индексы т, п, р называют индексами Миллера для ряда. Нередко эти индексы обозначают [иуш]. [c.10]

Определение модуля векторов Бюргерса i, Ь2,...,Ье (см. рис. 17) и записи их кристаллографических направлений [c.34]

Как уже отмечалось в гл. П, пластическая деформация кристаллических тел может осуществляться не только скольжением, но и двойникованием. Двойникование для кристаллов с о. ц. к., г. ц. к. и г. п. у. решетками можно наблюдать при особых условиях деформирования. При этом металлографическими способами выявляются области, иначе травящиеся, чем окружающий матричный кристалл. Отличительными признаками этих областей являются прямолинейность и строгая кристаллографическая направленность двух параллельных границ. Дифракционными (рентгеновскими и др.) методами установлено, что эти области закономерно отличаются своей ориентировкой и расположением атомов относительно матрицы. Расположение атомов внутри этой области представляет собой зеркальное отражение расположения атомов в матричном кристалле (см. рис. 77,а). Плоскости зеркального отражения, пересечение которых с плоскостью шлифа имеют вид прямолинейных границ, являются плоскостями двойникования. Так, на рис. 77,а п б плоскостью двойникования является плоскость (112). Переориентированные области называют двойниками, а процесс их образования двойникованием. Двойники в кристаллах делятся на двойники роста (рост кристалла из расплава, в процессе рекристаллизации и отжига) и деформационные двойники. Двойникование при деформации — один из механизмов сдвиговой деформации. Для деформационного двойникования характерны высокие скорости и выделение энергии в форме звука с характерным потрескиванием в процессе деформации кристалла. Двойникование сопровождается скачкообразным изменением деформирующего усилия, [c.131]

Коническая текстура — характерна тем, что кристаллографическое направление - располагается под углом ф к оси образца, образуя коническую поверхность. Если угол ф 0, коническая текстура обращается в аксиальную. [c.261]

Как показал еще П, Кюри, симметрия электрического поля описывается группой оо-т (геометрический аналог — покоящийся конус), а магнитного поля оо т (вращающийся цилиндр). Поля механических напряжений, создаваемых при наиболее распространенных видах обработки давлением (прокатка, прессование, волочение, штамповка), описываются в общем случае симметричным тензором 2-го ранга. По своей симметрии они могут быть отнесены к одной из трех следующих групп оо/оо-т т-оо т и т-2 т. Поля напряжений, возникающие в случае одноосной деформации (прессованием, волочением и т.п.), принадлежат к симметрии т-оо т, при этом одно или несколько кристаллографических направлений ориентируются вдоль осей сжатия или растя- [c.275]

При деформации поликристаллов отдельные кристаллиты подвергаются такому же формоизменению, как и весь образец в целом. Кристаллическое строение деформированного вещества проявляется в том, что наряду с обоснованным изменением его внешней формы закономерно изменяется ориентировка кристаллической решетки. Это изменение связано с симметрией напряженно-деформированного состояния и, в конечном итоге, приводит к тому, что параллельно направлению внешних деформирующих сил устанавливается определенная кристаллографическая плоскость и (или) кристаллографическое направление, [c.277]

В гл. II отмечалось, что кристаллографическое направление сдвига при растяжении монокристаллов поворачивается по мере увеличения степени деформации в направлении к оси растяжения до совпадения с ней (при больших степенях деформации), а при сжатии — до совпадения с плоскостью, нормальной к направлению сжатия. Существенно, что после того, как определяется конечная устойчивая ориентация, она не изменяется под влиянием дальнейшей деформации. [c.277]

Рис. 168. Изменение кристаллографического направления, располагающегося вдоль оси растяжения в ходе деформации г. ц. к. металлов (схема)

Рис. 168. Изменение <a href="/info/16496">кристаллографического направления</a>, располагающегося вдоль оси растяжения в ходе деформации г. ц. к. металлов (схема)

Эта закономерность хорошо объясняется кристаллографически. Направление <112> близко к направлению <111>, вдоль которого Е максимально. Направление <100>, вдоль которого Е минимально в текстурах г. ц. к. металлов (А1, Си), располагается под углом, близким к 45° к < 111 > и <112>. [c.294]

Диамагнитными и парамагнитными свойствами обладают вещества любых состояний (газ, жидкость, твердые тела). Только кристаллические вещества имеют магнитоупорядоченные структуры. В магнитном отношении кристаллы анизотропны, т. е. их свойства неодинаковы в различных кристаллографических направлениях, что определяет наличие осей легкого и трудного намагничивания. Степень анизотропии магнитных свойств зависит от совершенства кристаллической решетки. Кристаллы совершенной структуры (монокристаллы) отличаются большой анизотропией, а поликристал-лические материалы являются изотропными, т. е. их магнитные свойства одинаковы во всех направлениях. [c.24]

Индексы кристаллической решетки. При изучении свойств металлов, обусловленных действием на металл деформации, магнитного поля и т. д., необходимо с помощью отсекаемых отрезков или индексов Миллера обозначать кристаллографические плоскости (чтобы определять их положение), кристаллографические направления внутри данного кристалла, ориентировку отдельных кристаллов относительно друг друга. Индексы — это числовые обозначения кристаллографических плоскостей и направлений внутри кристалла. Отсекаемые отрезки, характеризующие положение плоскости в кристалле, являются расстояниями от начала координатной системы до точек пересечения этой плоскости с каждой из осей координатной системы. Положение плоскостей устанавливается с помощью закона рациональных индексов отношения отсекаемых отрезков для любой плоскости, проходящей в кристалле, всегда могут быть выражены рациональными числами эти числа могут быть равны 2, [c.22]

Любое кристаллографическое направление, описываемое в пространственной решетке с помощью вектора, также оценивается с помощью индексов Миллера. [c.25]

Анизотропия свойств металлов. В отличие от аморфных, жидких и газообразных тел, которые являются телами изотропными, так как их свойства одинаковы на каждой плоскости и в любом кристаллографическом направлении, В кристаллическом теле расположение атомов и расстояния между ними изменяются в зависимости от плоскости и кристаллографического направления (рис. 13). В системе плоскостей с наибольшей плотностью атомов имеются наибольшие расстояния между соседними пло- [c.26]

Границы между зернами называют большеугловьши, так как кристаллографические направления в соседних зернах образуют углы, достигающие нескольких десятков градусов. [c.49]

Дендриты образуются только при росте к-ристаллов. Причиной их образования является очень быстрый рост в условиях переохлаждения, то есть отрицательный температурный градиент перед фронтом кристаллизации. Одной из особенностей дендритного роста является то, что ось дендрита и его ветви растут вдоль конкретаого кристаллографического направления, характерного для данного материала [21]. Каждый дендрит растет от одного центра кристал-Рис. 33. Схема строения дендрита 1, 2, 3 - оси лизации, что подтверждается первого, второго и третьего порядка соответст- кристаллографической ориенти-венно [c.50]

Различие в поглощении лучей разной поляризации влечет за собой различие. в поглощении естественного света в зависимости от направления его распространения, ибо от этого последнего зависит ориентация электрического вектора волны относительно кристаллографических направлений. Такое различие в поглощении, зависящее, кроме того, от длины волны, приводит к тому, что кристалл по разным направлениям оказывается различно окрашенным. Это явление носит название дихроизма (или, лучше, плеохроизма — многоцветности) и в большей или меньшей степени характеризует, по-видимому, все двоякопреломляющие кристаллы. Оно было открыто Кордье (1809 г.) на минерале, названном кордие-ритом. Дихроизм турмалина был обнаружен Био и Зеебеком (1816 г.). [c.387]

Пусть кристалл Na l, который состоит из ионов Na+ и С1 , помещен в электрическое поле напряженности , при этом направление поля совпадает с кристаллографическим направлением [100] кубической элементарной ячейки. Под действием поля анионы С1 и катионы Na+ будут смещаться в противоположных направлениях, что приведет к возникновению среднего дипольио-го электрического момента P=N Q x=— /(4я), отсюда [c.158]

Формула (10.30), как и (10.29), также относится к объемному пьезоэффекту, хотя обычно пьезоэлектрические явления наблюдаются в кристаллах в определенных кристаллографических направлениях . Пластинка, вырезанргая из пьезоэлектрического кристалла и снабженная двумя электродами, под действием внешнего электрического ноля испытывает деформацию, что вызывает в ней упругие колебания. И наоборот, механически возбужденная деформация вызывает на электродах пластинки электрические заряды. [c.194]

Упругих констант много [см. (20)], поэтому упругие свойства кристалла нельзя полностью представить одной поверхностью. Если из кристалла вырезан стержень, паоаллельный произвольной оси oj j, и к нему приложена нагрузка, то в этом направлении можно измерить модуль Е. Из (21) имеем Е =l/sjj s связана с через направляющие косинусы h, k, /3 между осями образца и кристаллографическими направлениями. В частности, для кубических кристаллов [c.24]

Если совместить решетки двух идентичных кристаллов и затем вращать одну относительно другой вокруг определенных кристаллографических направлений, то при некоторых значениях угла поворота часть атомов в обеих решетках будет занимать общие позиции, называемые узлами совпадения (местами совпадения). Эти общие позиции образуют трехмерную сверхрешетку . В частности, сверхрешетка получается вращением одной г. ц. к. решетки относительно другой вокруг общего направления d 11 > на угол 38,2°. В этом случае положение каждого седьмого атома в новой ориентировке совпадает с положением до поворота (рис. 95,а). [c.163]

КЛАССИФИКАЦИЯ ТЕКСТУР. Классификация текстур базируется на том, что к одному классу относят текстуры со сходцой закономерностью в пространственном расположении определенных кристаллографических направлений и (или) плоскостей, или элементов симметрии. Текстуры, в которых предпочтительно ориентированными в пространстве являются какие-то кристаллографические направления, называются осевыми, кристаллографические плоскости — плоскими, плоскости и лежащие в них направления — полными. [c.260]

Аксиальная текстура — характерна тем, что все зерна (или группа зерен) данного поликристалла ориентированы параллельно друг другу и некоторому направлению в изделии определенным кристаллографическим направлением . Это направление называют [c.260]

В случае совпадения индексы центрального пятна данной стандартной проекции и являются индексами атомной плоскости, параллельной плоскости прокатки, а индексы нормалей на стандартной проекции, совпадающие с выходами направлений вдоль НП) и поперек ПП) прокатки на полюсной фигуре, являются индексами кристаллографических направлений в решетке, совпадающих соответственно с направлениями НП и ПП. В случае многокомпонентной текстуры параллельно плоскости прокатки устанавливаются в одних кристаллитах плоскости с одними индексами, а в других — с другими. Тогда не все максимумы полюсной фигуры будут совпадать с полюсами плоскостей hikik) одной стандартной проекции. В таком случае следует найти другую стандартную сетку, в которой полюсы тех же плоскостей hikiU) совпали бы с оставшимися нерасшифрованными максимумами полюсной фигуры. Эта стандартная сетка даст новые значения индексов плоскостей и направлений, параллельных плоскости прокатки и направления НП и ПП. [c.270]

Как показали многочисленные исследования, для заметной переориентировки решетки должно действовать несколько систем скольжения. На рис. 168, взятом из работы Боаса и Шмида, показано изменение кристаллографического направления, располагающегося вдоль оси [c.279]

Вследствие этого при осадке г. ц. к. металлов параллельно направлению сжатия преимущественно устанавливается кристаллографическое направление dlO>. Однако текстура не имеет столь отчетливого характера, как при волочении. Наряду с ориентировкой <110> в значительных количествах присутствуют и другие ориентировки. В случае алюминия это ориентировки, лежащие на стереографическом треугольнике между верщи-ной -<110> и стороной <100> — <111>. [c.285]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...