Кристаллографический фактор

Рассматриваемое относительное смещение двух частей решетки осуществляется под действием составляющих напряжений сдвига. Из предыдущего анализа следует, однако, что направление смещения не совпадает с направлением максимального напряжения сдвига, а определяется кристаллографическими факторами, как направление, где имеет место наиболее плотное расположение атомов. В г. ц. к. решетках это — направление < И0>-, а в о. ц. к. решетках — направление < П1 >. Так как относительное смещение или скольжение в кристаллической решетке происходит под действием касательного напряжения т, то для удобства определения последнего в общем случае ориентировки кристаллографической плоскости и рассматриваемого направления на рис. 36 приведены соответствующие соотношения для образца, нагруженного одноосным напряжением растяжения а. Наклон плоскости к направлению действующего напряжения определяется углом ф наклон направления скольжения к направлению напряжения — углом а. При этом получается следующая зависимость [c.44]

РОЛЬ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ В КОРРОЗИИ [c.335]

Если угловая разница между атомными слоями в двух соседних зернах известна, то можно вычислить теоретическое расстояние между дислокациями. Фогель нашел, что на германии, протравленном в смеси азотной, фтористоводородной и уксусной кислот с небольшим количеством брома, расстояние между ямками травления хорошо согласуется с вычисленным расстоянием между дислокациями. Эта работа, оставляющая глубокое впечатление, несомненно говорит о том, что ямки травления в этом случае образуются в местах дислокаций, хотя остается неопределенным, является ли ответственной за коррозионные язвы дислокация сама по себе или же наличие посторонних атомов (может быть железа), ассоциированных с дислокацией. Каким бы оно ни было, явление достойно изучения как способ доказательства влияния кристаллографических факторов на коррозию [38]. [c.351]

РОЛЬ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ в КОРРОЗИИ [c.356]

Для полного понимания кристаллографических факторов коррозии требуется изучение роста кристаллов и структурных дефектов. Следует сослаться на дискуссию по росту кристаллов, проведенную в Бристоле в 1949 г. [66], на симпозиум, прошедший в 1950 г. в Пенсильвании, нз доклад Дефекты в почти совершенных кристаллах [67 ] и на дискуссию по дефектам кристаллов в фарадеевском обществе [68]. Смотри также Син-нот Твердое тело [69]. [c.360]

Г лава X. Роль кристаллографических факторов в коррозии................335 [c.856]

На структурном факторе (амплитуде) чрезвычайно сильно сказываются кристаллографические особенности кристаллической структуры ее элементы симметрии, тип решетки, пространственная группа симметрии. Рассмотрим примеры. Если решетка объемно-центрированная, то каждому атому в точке с координатами Xj, У], Zj соответствует атом с координатами V2, У3+Ч2, 2j+V2- В выражении для структурной амплитуды ( После преобразования (1.31) по формуле Эйлера) возникнут две пары членов [c.45]

Количество факторов, определяющих тип текстуры, формирующейся в данном теле при наложении на него внешнего силового поля, будет различным в зависимости от того, как ведет себя это тело по отношению к силовому полю — как сплошная изотропная среда (континуум) или как среда, в которой возможны только определенные дискретные перемещения (дисконтинуум). Примером последнего является текстурирование кристаллических тел при пластической деформации, которая реализуется движением дислокации по определенным кристаллографическим плоскостям и направлениям. [c.274]

Магнитная анизотропия. Способность материала намагничиваться зависит от ряда факторов. Магнитные свойства неодинаковы в различных кристаллографических направлениях. Так, если поле направлено вдоль ребра кристалла железа, то магнитная индукция при той же напряженности поля Н выше, чем в случае направления поля вдоль диагонали основания или вдоль главной диагонали направлениями наиболее легкой намагниченности в кристаллах железа являются направления, параллельные ребрам кристалла. Аналогичные направления облегченного намагничивания, существуют и в других ферромагнитных кристаллах. Различие в магнитных свойствах вдоль разных кристаллографических наиравлений представляет собой магнитную анизотропию. Количественной мерой магнитной анизотропии служит константа магнитной анизотропии K,v Она оценивается разностью энергии намагничивания (до насыщения) единицы объема материала по направлениям наиболее легкого и наиболее трудного намагничивания. Такими направлениями, как сказано. [c.231]

Более того, поверхности раздела в эвтектике, обладающие особым кристаллографическим соответствием, оказались чрезвычайно стабильными. В различных моделях предполагается, что сопротивление процессам сфероидизации и укрупнения определяется рядом факторов низкоэнергетическим состоянием поверхности раздела фаз, повышенным совершенством структуры (т. е. уменьшением площади дефектных областей) и увеличенным исходным размером составляющих микроструктуры. [c.370]

На рис. 68 приведена схема, иллюстрирующая рассмотренное положение. В зерне А произошли сдвиги в ограниченной системе плоскостей скольжения, что привело к значительному уменьшению стандартного электродного потенциала в области выхода на поверхность группы линий скольжения. В зерне В сдвиги произошли в наиболее слабых местах, и локальный потенциал их также изменился в сторону отрицательных значений. Зерно Б неблагоприятно ориентировано относительно оси образца (и направления с), поэтому фактор ориентации os 0 os ф слишком мал и в зерне сдвигов не было совсем. Скачки потенциала при переходе от зерна к зерну обусловлены различной кристаллографической ориентацией поверхностей этих зерен. Таким образом, вследствие неравенства [c.175]

Данная глава посвящена двум формам разрушения материалов, связанным с воздействием среды, а именно — коррозионному растрескиванию под напряжением (KP) и водородному охрупчиванию. Будет рассмотрена связь этих видов коррозии с различными металлургическими факторами. В число последних входят химический состав компоненты микроструктуры (такие как тип и структура выделений, размеры и форма зерен) кристаллографическая текстура термообработка и ее влияние на уже перечисленные факторы и, наконец, некоторые технологические процессы, в частности термомеханическая обработка (ТМО), которая привлекает возрастающее внимание как метод оптимизации свойств материалов. Все названные переменные, несомненно, очень важны с точки зрения разработки новых материалов, отвечающих постоянно усложняющимся условиям эксплуатации. [c.47]

Рис, 4.12. Зависимость от флюенса нейтронов относнтельного изменения длины Д / образцов пиролитического графита с различной степенью анизотропии, охарактеризованной фактором анизотропии Бэкона [161]. Ориентировка образцов параллельно (Ц) кристаллографической оси с (перпендикулярно к плоскости осаждения) и перпендикулярно (J ) к ней. (Облу-чение при температуре 840—980° С). [c.181]

Мы рассмотрим основные причины хрупкости бериллия, которые позволили вскрыть критерии разрушения (2.44), (2.48), покажем возможные пути повышения пластичности и технологические приемы, позволяющие получить качественный металлургический продукт - вакуумноплотную бериллиевую фольгу. Основное внимание при определении условий неразрушающей прокатки уделим влиянию скорости изменения напряжений в очаге деформации. Подробно рассмотрим причины возникновения слабого звена в материале, менее подробно - влияние кристаллографической текстуры и некоторых других структурных факторов. [c.267]

В заключение отметим, что другие факторы, такие как кристаллографическая текстура, не имеют, на наш взгляд определяющего значения. Исследования, выполненные в [92], показывают, что текстура бериллиевых фольг в отожженном и деформированном со-278 [c.278]

С повышением температуры 80 эффект титановых сплавов, как и других металлов, снижается. Природа 80 эффекта различна у разных металлов. Для титановых сплавов приобретает большое значение кристаллографический фактор, а именно более легкое двойникование при растяжении, чем при сжатии. При ориентации направления нагружения параллельно оси с кристаллической решетки при растяжении образуются двойники -[1012 , а при сжатии — 1122 . Образование последних двойников требует более высоких напряжений, чем двойников 10Т2 . В связи с этим величина 80 эффекта в титановых сплавах зависит от степени текстурированности полуфабриката и ориентации нагрузки по отношению к текстуре. Таким образом, у текстурованных высокопрочных а- и (а + /3) -титановых сплавов сопротивление деформированию при сжатии и модуль нормальн)рй упругости могут быть заметно выше, чем при растяжении. [c.95]

Неравномерность распределения деформационного микрорельефа и соответственно запасенной энтальпии деформации в разных точках вызывает значительную деформационную микро-электрохимическую гетерогенность в масштабах как одного зерна так и всей поверхности вследствие действия кристаллографического фактора. На электрохимическую неоднородность, обусловленную различиями в кристаллографической ориентации зерен, вышедших на поверхность металла, накладывается деформационная микроэлектрохимическая неоднородность, вызванная неравномерным распределением деформации внутри зерен и между различными зернами, имеющими различную ориентацию относительно направления приложенного напряжения. [c.173]

Исключительный интерес представляет глава X, посвященная влиянию кристаллографических факторов на коррозию. В ней сделана попытка рассмотреть вопросы структурной коррозии с точки зрения современных представлений о металлическом состоянии поведение отдельных граней кри- J сталлов, накопление примесей у границ, роль напряжений и пленок, электрохимические свойства структурных составляющих, применение теории дисло- каций к явлениям коррозии. [c.6]

Вероятность воздействия на границы зерен, особенно в растворах кислот, зависит как от кристаллографических факторов, так и от чистоты металла. Лакомб и Яннаки показали, что в результате действия 10%-ной соляной кислоты на очень чистый алюминий коррозии подвергаются те границы соседних зерен, между направлениями которых имеется большая разница. Вопрос сложный, и будет ли разъедаться отдельная граница или нет — зависит от угла наклона плоскости границы по отношению к рядам плотно упакованных атомов, а также от относительной ориентировки этих рядов в двух кристаллах таким образом, иногда одна часть границы пострадает, в то время как другая часть той же границы останется незатронутой на одном образце прямая часть границы, разделяющая два двойниковых кристалла, оставалась неизмененной, а искривленная часть разъедалась так как атомные ряды в двойниковых находятся в положениях зеркального отражения, то разрыв структуры, благоприятный для разъедания при прямой границе, будет отсутствовать [34]. [c.349]

Так как алюминий, использованный в работе Лакомба, был исключительно чистым, то его опыты одновременно подтверждали, что воздействие определялось только кристаллографическими факторами, а не примесями. [c.349]

Работа Гуотми по растворению медных шаров является противоположной опыту Наккена. Медный монокристалл был выточен в форме шара и подвергнут анодному травлению в фосфорной кислоте, катодом служила сфера большего размера, помещенная концентрически вокруг него. Ясно, что если бы скорость коррозии управлялась не кристаллографическим фактором, а каким-то другим, то анод оставался бы сферой, становясь постепенно меньше. В действительности же контроль оказался кристаллографическим и появились кристаллические грани. [c.353]

Скорость деформации и температура аналогичным образом влияют на параметры процесса разрушения через изменение жесткости напряженного состояния, не меняя самого процесса в определенном диапазоне изменения указанных факторов. Сочетание низкой скорости деформации и высокой степени стеснения пластической деформации может изменить механизм вязкого разрушения, например от преимущественного формирования ямочного рельефа в условиях отрыва до вязкого внутризеренного, путем сдвига при нарушении сплошности по одной из кристаллографических плоскостей. Указанный переход в развитии процесса разрушения был выявлен при испытании круглых образцов диаметром 5 мм с надрезом из жаропрочного сплава ЭИ437БУВД при температуре 650 °С. Медленный рост трещины характеризовался следующими элементами рельефа гладкие фасетки со следами внутризеренного множественного скольжения по взаимно пересекающимся кристаллографическим плоскостям, вышедшим в плоскость разрушения, и волнистый рельеф в виде пересекающихся ступенек, которые также отражают процесс кристаллографического скольжения (рис. 2.6а). Аналогичный характер формирования поверхности разрушения был выявлен в изломе на участке ускоренного роста трещины при эксплуатационном разрушении диска турбины двигателя (рис. 2.66). Диск был изготовлен из того же жаропрочного сплава ЭИ437БУВД. Разрушение диска было усталостным. Сопоставление описываемых. элементов рельефа в ситуации монотонного растяжения с низкой скоростью деформации и повторное циклическое нагружение дисрса в эксплуатации привели к идентичному процессу разрушения. В отличие от разрушения образца в диске развитие трещины происходило при медленном возрастании нагрузки в момент за- [c.91]

Движущей силой этого типа нестабильности является межфаз-ная поверхностная энергия, которая снижается по мере уменьшения величины межфаз ной поверхности. Сфероидизация в сталях перлитного класса — один из наиболее известных примеров такой нестабильности. Грэхем -и Крафт [12] рассмотрели факторы, влияющие на высокотемпературную стабильность эвтектических композитных материалов. Они указали на существование особого кристаллографического соответствия между фазами, которое не меняется при огрублении эвтектической структуры. Они установили также, что, хотя механизм роста фаз состоит в растворении одной из них и в повторном осаждении ее на имеющихся зернах, процесс лимитируется скоростью диффузии, а не скоростью растворения. Для анализа иопользовались уравнения Томсона — Фрейндлиха, определяющие концентрацию элемента у поверхности волокна известного радиуса кривизны. [c.90]

Размерный эффект должен зависеть от природы межфазной поверхности. Следует ожидать, что некогерентные границы окажутся более эффективными барьерами для перемещения дислокаций, чем полукогерентные, обладающие кристаллографическим соответствием. Кляйн и Ли [10] подтвердили это предположение, показав, что имеется более сильная зависимость напряжения течения от размерного фактора в равноосной ввтекти,к е Ag—>Си [c.371]

С целью определения чувствительности к излучению исследовали 154 образца кристаллов при этом фирменные и частотные категории не учитывали. Из 154 облученных в реакторе образцов 54% признаны разрушенными, однако под действием у-излучения разрушился только один из 41 образцов. При попытке связать иэменепия и случаи разрушения с различиями в материалах и заводской технологии оказалось, что определенные типы срезов кристаллов более чувствительны к излучению, чем другие. Например кварцевые пластинки АТ-среза более чувствительны к радиационным нарушениям, чем любые другие изученные срезы. Предполагалось, что это может быть следствием различной ориентации и размеров пластинок по отношению к кристаллографическим плоскостям. Таким образом, ясно, что влияние излучения на сборку с кристаллами представляет большой интерес, и создатели электронных схем, содержащих пьезоэлектрические кристаллы, должны учесть много факторов при выборе кристаллов для работы в условиях облучения. [c.410]

В первом методе величину параметра Дебая-Уоллера В (Т) получают из наклона прямой, аппроксимирующей экспериментальные данные зависимости ln(i/)j./mf ) от квадрата вектора рассеяния при некоторой температуре Т. Здесь фр. — скорректированная интегральная интенсивность к-то максимума, обладающего фактором повторяемости т . Величина измеряемая в этом методе [88] для пиков с разными (hkl), будет меняться в зависимости от степени текстурованности материала. В связи с этим первый метод можно применять для исследования образцов, не обладающих кристаллографической текстурой. [c.75]

Влияние ряда структурных факторов и параметров разрушения (скорости, степени локальной пластичности, направления развития треш,ины) на макрошероховатость освещено в работе 110]. Образование неровностей на поверхностях разрушения является, как правило, следствием образования излома путем слияния многих трещин в единую и распространения трещины по определенным образом меняющейся траектории, определяемой направлением действующих напряжений, кристаллографической ориентировкой элементов структуры, текстурой материала и т. д. [c.16]

При заданной величине а вероятность развития скольжения выше для тех преимущественных систем скольжения где фактор ориентации os 0 os ф имеет наибольшее значение. Следовательно, величина растягивающего напряжения, необходимого для обеспечения скольжения в различно ориентированных зернах поликристалла, различна в зависимости от кристаллографической ориентации зерна относительно оси образца, и поэтому при о = onst в разных зернах скольжение будет развиваться по различным системам кристаллографических плоскостей (преимущественно вдоль базисных плотноупакованных), а в отдельных неблагоприятно ориентированных зернах может вообще не развиваться. С этим связана неравномерность распределения деформационного микрорельефа на поверхности поликристаллического материала, особенно при относительно небольших степенях деформации, когда скольжение развивается в ограниченной системе плоскостей, расположенных под различными углами к поверхности зерен. Увеличение степени деформации способствует более равномерному распределению микрорельефа между различными зернами как вследствие вовлечения новых систем скольжения, ранее не действовавших из-за неблагоприятной ориентировки и недостаточности стартового напряжения, так и вследствие фраг-172 [c.172]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...