Система кристаллографическая гексагональная

В монокристаллах с гранецентрированной кубической решеткой, в силу наличия большого числа однотипных потенциальных систем плоскостей и направлений скольжения, добиться такой пластической деформации, в которой скольжение происходит лишь в одной системе кристаллографических плоскостей, затруднительно. Гораздо легче этого добиться в монокристаллах с гексагональной решеткой. [c.239]

Рис, 4.29. Гексагональная плотноупакованная решетка ионов кислорода в оливине. Кристаллографические направления указаны индексами Миллера (орторомбическая система) и индексами Миллера — Браве (четырехзначные индексы) для г. п. у. системы. Показаны четыре тетраэдра 04 элементарной ячейки [286]. [c.157]

В таком виде тензор Спт характеризует упругость среды, не нме- ющей элементов симметрии. Наличие таковых уменьшает общее ко- личество отличных от нуля модулей упругости и количество независимых модулей. В табл. 1 приведены матрицы модулей упругости для различных кристаллографических систем. Как видно из этой таблицы, упругие свойства кристаллов, например гексагональной системы, характеризуются уже только пятью независимыми мод -.-лями упругости, для кристаллов же кубической симметрии число независимых модулей уменьшается до трех. При этом следует иметь (В виду, что приведенные таблицы констант упругости относятся вполне определенному положению осей координат относительно кристаллографических осей. В изотропном теле модули упругости, естественно, не могут зависеть от направления координатных осей,. что приводит к условиям [81 [c.21]

И форму объема V таким образом, чтобы они в совокупности образовывали соответствующую кристаллографическую элементарную ячейку бесконечной регулярной гексагональной решетки, которая, по-видимому, определяет свойства системы при высоких плотностях. (Для единства обозначений мы и в двумерном случае будем говорить об объеме и обозначать его через V, хотя имеем дело с площадью.) [c.324]

Рис. 4.3.1, Таблица матриц из коэффициентов упругости, пьезоэлектрических и диэлектрических коэффициентов в системе с кристаллографическими осями (случай гексагональной симметрии 6тт) ненулевая постоянная нулевая постоянная — равные постоянные X постоянная (сц — С12)/2.

См. также р — п-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты П 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы 1300—304 Тригональная кристаллическая система 1126, 135 связь с гексагональной системой 1133 (с) [c.446]

Гексагональная система, класс 6m2 в плоскости (100) и эквивалентных кристаллографических плоскостях вид сечений описывается формулой (5.12) с е = е,1 = 6ib = 0. Для сечения плос- [c.40]

Существует 14 типов решеток Бравэ. Они распределяются по семи кристаллографическим системам. Пусть а , — длины ребер элементарной ячейки, а qjf, фз, фз — углы между ребрами (рис. 6.2). Перечислим системы в порядке возрастания степени симметрии триклинная (а фа фйз, моноклинная фаз, фз= ф1=ф2=л/2) ромбическая а фа фаз, ф1=ф2=фз=я/2) тригональная а =а =аз, ф1=ф2=фз=5 л/2) гексагональная (ai= = а. фаз ф1=ф2=я/2 фз=2я/3) тетрагональная (а, = а. .Фаз ф = =Ф2=Фз = я/2) кубическая (а1=а2=аз ф1=ф2=фз=я/2). Тригональ-ные, гексагональные и тетрагональные кристаллы называют в оптике одноосными. Они обладают осью симметрии относительно высокого порядка (ось имеет порядок п, если объект совмещается сам [c.130]

II задача сводится к определению От. Таким путем в [36] было получено решение уравнений (3,53) для среды гексагональной кристаллографической системы (см. таклсо [37]) и приближенное решение для кубической системы в случае слабой анизотропии. [c.48]

Кристаллографическая прямая обозначается тремя индексами, заключенными в квадратные скобки. Индексами являются наименьшие числа, пропорциональные координатам в системе хуг любой точки прямой. Весь класс качественно подобных направлений, имеющих, с точностью до знаков, соответственно одинаковые индексы, обозначается абсолютными значениями индексов, заключенных в угловые скобки ). Заметим, что в гранецентрирован-ной кубической решетке в плоскости (111), а в гексагональной плотноупакованной — в плоскости базиса имеет место плотная упаковка атомов (см. рис. 4.1). [c.233]

Символ плоскости (кЫ) включает три взаимно простых целых числа, обратных отрезкам, отсекаемым на координатных осях плоскостью, ближайщей к началу координат, и измеренным в долях осевых единиц (или обратно пропорциональных отрезкам, отсекаемым любой плоскостью данного семейства) (рис. 5.5, а). В гексагональной сингони для обозначения узловых плоскостей часто пользуются координатной системой из четырех осей (рис. 5.5, б), при этом кристаллографически идентичные [c.102]

Гексагональная и тригональная системы. Для кристаллов гексагональной и тригональной симметрии обычно выбираются четыре кристаллографические оси ось с Z, совмещаемая с осью наибольшей симметрии С , С или С ", и осп o (а , и йз) в трех симметричных направлениях, лежащих в плоскости, перпендикулярной главной оси (рис. 70, б). Этиьн направлениями могут быть либо осп второго порядка, либо нормали к трем плоскостям симметрии, либо прямые, параллельные возможным ребрам кристалла. Ось X прямоугольной системы координат совмещается с осью ui, а ось У выбирается таким образом, чтобы она была перпендикулярна X и Z и образовывала правостороннюю систему. [c.252]

Пластичность кристаллов и сопротивление деформации зависят от кристаллографического направления. Ранее были приведены модели прочности и остаточного удлинения кристаллов меди (см. рис. 30) и алюминия (см. рис. 3(1). На рис. 86 приведены диаграммы растяжения (MOHO- и поликристаллов цинка, магния и алюминия, из которых видно, что в кристаллах с гексагональной решеткой, имеющей небольшое количество возможных систем скольжения, пластичность в значительной степени зависит от направления испытания и достигает очень больших значений при благоприятной ориентировке системы скольжения. В кристаллах с гранецентрированной решеткой, имеющих большое число систем скольжения, анизотропия пластичности невелика. [c.105]

Метод линий скольжения известен и используется достаточно давно. С его полмощью было установлено, что скольжение и сдвиги в кристаллах при низкотемпературной деформации идут вдоль определенных для каждого типа решетки кристаллографических плоскостей и направлений. Направление скольжения всегда лежит в своей плоскости скольжения. Их совокупность есть система скольжения. В металлах может действовать одна или одновременно несколько систем скольжения, однако все эти системы относятся обычно к одной — двум кристаллографическим ориентациям, характерным для каждого металла и определяемым типом его решетки. В табл. 3 приведены плоскости и направления преимущественного скольжения в металлах с наиболее распространенными кристаллическими решетками гранецентриро-ванной кубической (г.ц.к.), гексагональной компактной (f.K.) и объемноцентрированной кубической (о.ц.к.). [c.47]

При электролизе растворов, содержащих ионы металла, на катоде выделяется новая твердая металлическая фаза. Твердые металлы представляют собой кристаллические тела, построенные из одинаковых элементарных ячеек, в узлах которых находятся частично ионизированные атомы. Такие атомы, располагаясь в определенном порядке, образуют пространственную решетку соответствующей кристаллографической системы. На рис. 34 показаны основные типы кристаллических решеток металлов. Как видно из рисунка, в простой кубической решетке атомы находятся в вершинах куба, в объемноцентрнрованной — в вершинах и в центре куба, в гранецентрированной атомы занимают места в вершинах и в центрах граней. В гексагональной решетке атомы расположены в углах шестигранной призмы. [c.140]

Наибольшая ясность имеется в отношении истинного сопротивления отрыву или хрупкой прочности монокристалла, под которой понимается наименьшее нормальное напряжение, вызывающее отрыв в упругом состоянии по определенным для каждого металла плоскостям атомно-кристаллической решетки. Для одних металлов, например для цинка, кристаллизующегося в гексагональной системе, хрупкий отрыв происходит по тем же кристаллографическим плоскостям, что и сдвиг, для других металлов, например железа а, кристаллизующегося в системе обт.емноцентрированного куба,— по разным плоскостям (сдвиг — по плоскости ромбического додекаэдра, отрыв — по плоскости куба). [c.99]

Гексагональные металлические кристаллы обладают одной преимущественной системой плоскостей скольжения — плоскостью базиса, которая почти полностью нсчорпывает собою весь процесс скольжения. В монокристаллах свинца или алю- миния, обладающих кубической решеткой, а также олова, обладающего тетрагональной решеткой, существуют несколько возможных систем нлоскостей скольжения. На рис. 5 представлена микрофотография с растянутого на 200—250% монокристалла олова. Следы плоскостей скольжения отчетливо вырисовываются на поверхности деформированного монокристалла, ограничивая пачки скольжения эллиптической формы. То обстоятельство, что вершины этих эллипсов лежат не на середине образца, ясно показывает, что процесс соскальзывания по данной кристаллографической плоскости всегда сопровождается поворотом пачек скольжения вокруг одной из кристаллографических осей. В процессе растяжения цилиндрическая проволока превращается в ленту с эллипти-чсс1гим сечением, причем ориентация решетки непрерывно меняется относительно оси образца. Действующие плоскости скольжения по мере удлинения наклоняются к оси, образуя с ней все уменьшающийся з гол. [c.20]

Исландский шпат СаО СО g (водянопрозрачная разновидность углекислого кальция, или кальцит) — одноосный отрицательный кристалл гексагональной кристаллографической системы. В природе встречается в кусках длиной до нескольких сантиметров. При раскалывании разделяется по плоскостям спайности на кристаллы правильной, ограненной формы, достаточно прочен, гигроскопичность незначительна. Широко используется в поляризационных приборах. [c.184]

Кристаллический кварц SiOo — одноосный положительный кристалл (природный и синтетический) гексагональной кристаллографической системы. В поляризационных приборах применяют его водянопрозрачную, бесцветную разновидность. [c.184]

При скольжении наблюдается взаимный сдвиг частей кристалла по определенным кристаллографическим плоскостям плоскостям скольжения) и направлениям направлениям скольжения), образующим системы скольжения Ллоскост и направления скольжения отличаются повышенной плотностыо упаковки атомов. На предложенных рисунках показаны плоскости и направления скольжения в кристаллах с решетками ГЦК (рис. 2.6), ОЦК (рис. 2.7) и ГПУ (рис. 2.8). Видно, что в металлах с ГЦК- и ОЦК-решетками значительно больше систем скольжения, чем в металлах с решеткой ГПУ. Поэтому металлы с гексагональной решеткой обладают пониженной пластичностью и труднее, чем металлы с кубической структурой, поддаются прокатке, штамповке и другим видам деформации. [c.145]

Мы будем употреблять обозиачения, в которых кристаллографическое направление характеризуется совокупностью целых чисел (миллеровские индексы), пропорциолальных направляющим косинусам. В кубических кристаллах в качестве координатных осей обычно берётся система прямоугольных координат в гексагональных кристаллах (как, например, кобальт) одна координатная ось берётся в направлении гексагональной оси кристалла, а три другие, под углами в 120 , располагаются в плоскости, перпендикулярной к этой оси. В последнем случае кристаллографическое направление характеризуется четырьмя целыми числами, причём последнее из иих пропорционально косинусу между данным направлением и гексагональной осью. Аналогичным образом плоскость будет задаваться целыми числами, пропорциональным н направляющим косинусам нормали к ней. [c.34]

Рис. 10.3. Связь кристаллографических осей а, Ь, с с прямоугольной системой координат X, V, 2 для снигоний а) триклинной, б) моноклинной, в) ромбической, г) гексагональной и тригональной, д) тетрагональной, е) кубической.

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...