Система кристаллографическая тетрагональная

Мы предположили, что в системе координат, связанной с кристаллографическими осями, отличен от нуля только пьезомодуль 14 = 25= 36= 2- Наш выбор коэффициентов еш соответствует. классам 23, 43т, 42т кубической и тетрагональной систем. Результаты будут справедливы также для класса 4, если считать, Ч ю угол 0 отсчитывается от направления, в котором коэффициенты 6i5 = —бп обращаются в нуль, т. е. заменять в окончательных формулах 0 0 Ч- а, где tg 2а = eiU n-Снова ищем решение в виде [c.98]

Исследуемую среду можно считать бесконечно протяженной, если ее размеры очень велики по сравнению с длинами распространяющихся в ней упругих волн ). Скорости распространения разных типов волн, могущих распространяться в твердом теле, различны и зависят от упругих постоянных среды. В наиболее простом случае изотропной среды ее упругие свойства характеризуются двумя постоянными в анизотропных телах—кристаллах—число постоянных определяется кристаллографической системой. Упругие свойства правильного кристалла определяются тремя постоянными, кристалла тригональной или тетрагональной системы— шестью, кристалла моноклинной системы—тринадцатью и кристалла триклинной системы— двадцатью одной постоянной ). [c.343]

Существует 14 типов решеток Бравэ. Они распределяются по семи кристаллографическим системам. Пусть а , — длины ребер элементарной ячейки, а qjf, фз, фз — углы между ребрами (рис. 6.2). Перечислим системы в порядке возрастания степени симметрии триклинная (а фа фйз, моноклинная фаз, фз= ф1=ф2=л/2) ромбическая а фа фаз, ф1=ф2=фз=я/2) тригональная а =а =аз, ф1=ф2=фз=5 л/2) гексагональная (ai= = а. фаз ф1=ф2=я/2 фз=2я/3) тетрагональная (а, = а. .Фаз ф = =Ф2=Фз = я/2) кубическая (а1=а2=аз ф1=ф2=фз=я/2). Тригональ-ные, гексагональные и тетрагональные кристаллы называют в оптике одноосными. Они обладают осью симметрии относительно высокого порядка (ось имеет порядок п, если объект совмещается сам [c.130]

Гексагональные металлические кристаллы обладают одной преимущественной системой плоскостей скольжения — плоскостью базиса, которая почти полностью нсчорпывает собою весь процесс скольжения. В монокристаллах свинца или алю- миния, обладающих кубической решеткой, а также олова, обладающего тетрагональной решеткой, существуют несколько возможных систем нлоскостей скольжения. На рис. 5 представлена микрофотография с растянутого на 200—250% монокристалла олова. Следы плоскостей скольжения отчетливо вырисовываются на поверхности деформированного монокристалла, ограничивая пачки скольжения эллиптической формы. То обстоятельство, что вершины этих эллипсов лежат не на середине образца, ясно показывает, что процесс соскальзывания по данной кристаллографической плоскости всегда сопровождается поворотом пачек скольжения вокруг одной из кристаллографических осей. В процессе растяжения цилиндрическая проволока превращается в ленту с эллипти-чсс1гим сечением, причем ориентация решетки непрерывно меняется относительно оси образца. Действующие плоскости скольжения по мере удлинения наклоняются к оси, образуя с ней все уменьшающийся з гол. [c.20]

Обсудим теперь обобщенные рэлеевские поверхностные волны в той Hie геометрии (см. рис. III.1). Согласно результатам 3 гл. I, волны, поляризованные в плоскости ху, не связаны с пьезоэффектом. Пусть вектор смещения u = w (a , у, t), Uyix, у, i), 0 . Отличны от нуля компоненты тензора деформации Uxx, Uyy, Uxy и тензора напряжений с х, Оуу, Ощ. Будем считать, что соответствующая часть упругой энергии содержит (в системе координат, связанной с кристаллографическими осями) три упругих модуля Сц=Саа, и Результаты будут справедливы для перечисленных классов, а также для всех классов кубической и тетрагональной систем, не обладающих пьезоэффектом. Обобщение на случай кристаллов ромбической симметрии, где Не представляет особой сложности. Стандартный метод решения задачи о распространении обобщенных поверхностных волн, который мы использовали для исследования сдвиговых ОПВ, приводит к довольно громоздким вычислениям. Поэтому применим несколько иной способ [1201. Будем использовать в качестве независимых переменных компоненты тензора напряжений а, и выразим через них компоненты тензора деформаций Uik. В системе координат х, у, связанной с кристаллографическими осями, имеем, как обычно, [c.105]

Рис. 10.3. Связь кристаллографических осей а, Ь, с с прямоугольной системой координат X, V, 2 для снигоний а) триклинной, б) моноклинной, в) ромбической, г) гексагональной и тригональной, д) тетрагональной, е) кубической.

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...