Направления кристаллографически

Энергия налетающих протонов 3 МэВ. Треугольники — направление протонного пучка отличается от направления кристаллографических осей кружочки — направление протонного пучка совпадает с осью [ПО]. [c.459]

Монокристалл можно рассматривать как систему цепочек атомов или ионов, выстроенных вдоль направления кристаллографической оси. Отмеченные выше особенности прохождения частиц через монокристаллы обусловлены тем, что частицы, движущиеся [c.459]

Для повышения объема информации при определении физико-механических свойств измеряют скорости ультразвуковых волн различных типов. Это достигается применением ЭМА-метода, обеспечивающего одновременно повышение точности измерения за счет устранения слоев контактной жидкости. Используя ЭМА-преобразователи, можно добиться излучения и приема одновременно трех волн — продольной и двух поперечных. Изменяя скорость и коэффициент затухания каждой волны, определяют анизотропию, упругие постоянные, главные направления кристаллографических осей. Измерив таким образом акустическую анизотропию, можно оценить некоторые технологические параметры металлических листов, например их штампуемость. [c.286]

Интерпретация этих результатов осложняется тем фактом, что на поверхности раздела алюминия 6061 и бора существовала металлургическая связь (рис. 1, б), а между покрытием карбида кремния и матрицей алюминия 6061 (стрелка на рис. 1, в) — механическая связь. Эти композиты были получены методом диффузионной сварки в течение 1 ч приблизительно при 475 и 554 С соответственно. Полагают, что низкая малоцикловая усталостная прочность у композитов, волокна которых имеют покрытия, связана с поведением покрытия Si [23]. Это покрытие обладает предпочтительным направлением кристаллографического роста (111) и вытянутой кристаллической структурой, оба они ориентированы перпендикулярно оси волокна (рис. 1, в). Таким образом, ось волокна, возможно, является направлением относительно низкой прочности покрытия и последнее может служить причиной плохого усталостного поведения в малоцикловой области. [c.401]

Рис. 2. Нейтронный интерферометр из монокристаллу. 41, стрелка указывает направление кристаллографической оси [220],

Кристаллографические плоскости. Направления кристаллографических плоскостей рт.носительно выбранных осей координат определяются особыми индексами. В кристаллографии эти индексы, , [c.17]

Таким образом, направления кристаллографических плоскостей кубической системы обозначаются следующими индексами [c.17]

Упругие свойства отдельного кристалла зависят от направления кристаллографических плоскостей. Однако, поскольку подавляющее большинство конструкционных материалов являются поли-кристаллическими, состоящими из хаотически расположенных кристаллов, их упругие свойства принято считать изотропными. [c.68]

Теперь обсудим существование значительной поляризации при температуре много выше Т .. Как следует из выражения (8.60), изменение показателя преломления определяется квадратом проекции поляризации на направление кристаллографической оси с. (Отсюда следует, что показатели преломления должны быть чувствитель ны, например, к локальной поляризации, которая может возникнуть вследствие нарушения зарядовой электронейтральности в объеме кристалла. Ясно, что область кристалла, имеющая избыток или недостаток заряда, может обладать необратимой спонтанной поляризацией. Вследствие этого поляризация, рассчитанная из зависимости п Т), будет больше, чем обратимая спонтанная поляризация Ps, так как в кристалле всегда имеются области с необратимой поляризацией. Локальные поля в этих объемах вызывают локальные разупорядочения атомов и определяют величину и направление поляризации. Эта поляризация является необратимой, так как никакая обратимая поляризация не может наблюдаться выше Т . [c.362]

Пьезоэлементом называют пластинку или брусок, вырезанные из кристалла определенным образом относительно кристаллографических осей. В общем случае ребра такого бруска или пластинки могут и не совпадать с направлением кристаллографических осей [c.93]

В табл. 4 после символов групп стоят в скобках цифры, указывающие число направлений, кристаллографически равных тому направлению, по которому происходит ориентированная спонтанная поляризация. Легко видеть, что совокупность всех доменов, ориентированных равномерно по всем кристаллографически равным направлениям, приводит к тому, что макроскопически, в целом, кристалл сегнетоэлектрика, разбитый на домены, имеет ту же группу симметрии, которую он имел до перехода [c.52]

Существуют несколько способов исследования переориентации кристаллической решетки в ходе пластической деформации. Во-первых, оптический метод. При его реализации обычно используется поляризованный свет, что позволяет выявлять направление кристаллографических осей в соседних частях образца. Для непрозрачных кристаллов этот метод позволяет получить информацию о состоянии поверхности материала. До начала 60-х годов основные результаты о развитии структуры в ходе деформации были получены именно с помощью данного метода [18]. Кроме простого наблюдения за поверхностью, возможны модификации метода нанесение рисок и сеток [10, 19], применение жидких кристаллов при наблюдении тепловыделения в местах локализации деформации [20], излучение на протравленных шлифах зеренной структуры и, конечно, анализ дислокационных конфигураций с помощью ямок травления [21]. [c.106]

Так как в монокристаллах, обладающих анизотропией, пьезомодуль по разным направлениям различен, то поэтому величину с1 обозначают с индексами, указывающими направление кристаллографических осей. [c.221]

Для удобства обозначают направление кристаллографических плоскостей не отрезками, которые они отсекают на тех или иных осях, а индексами, которые являются величинами, им обратными, и пишутся без разделения запятыми и в скобках. Так как индексы выражают только отношения дают лишь направление серии парал- [c.24]

Рис. ПО. Форма кристаллов ADP и KDP и направления кристаллографических осей.

В последнее время стало технически возможным проводить исследования отдельных кристаллов на растяжение или сжатие. При это.м обнаружено, что механические свойства их изменяются в зависимости от направления кристаллографических осей. [c.33]

Как видно из рис. 53, группировка дислокаций в ряды, делающая возможным изменение направления кристаллографических плоскостей во время пластической деформации в сторону приближения к направлению одноосного напряжения от внешней нагрузки, может играть важную роль, например в последней фазе испытания монокристаллов на растяжение. Причиной этого является возникновение изгибающих моментов на обоих закрепленных концах образца в результате скольжений в его средней части. [c.113]

В силу того, что процесс кристаллизации при затвердевании жидкого (расплавленного) металла идет одновременно в очень большом количестве центров кристаллизации, технический металл представляет собой не единый кристалл, а конгломерат зерен (к р и с т а л л и т о в), форма, размеры и направление кристаллографических осей которых зависят от условий кристал-14 [c.14]

Одновременно с изменением формы зерен в процессе деформации происходит поворот кристаллографических осей отдельных зерен в пространстве. По мере протекания пластической деформации разница в направлениях кристаллографических осей отдельных зерен уменьшается, а плоскости скольжения стремятся совместиться с направлением наиболее интенсивного течения металла. Это приводит к тому, что при значительной деформации возникает преимущественная ориентировка кристаллографических осей зерен поликристалла, называемая текстурой деформации. Возникновение текстуры приводит к анизотропии свойств поликристалла. [c.34]

Наклонная граница II 255 Намагниченность (плотность магнитного момента) II 259-260 Намагниченность насыщения II 318 в парамагнетике II 271 в ферромагнетике II 318 Направления кристаллографические, правила их обозначения I 102, 103 Напряжение Холла I 27 Невырожденные полупроводники II 195. См. [c.402]

Рис. 27.62. Кривые намагничивания монокристалла Sm2 oi7 в направлении кристаллографической оси [100] при различных температурах [24]

ЭФФЕКТ [переключения — скачкообразный обратимый переход полупроводника из состояния с высоким сопротивлением в состояние с низким сопротивлением под действием электрического поля, напряженность которого превышает некоторое пороговое значение пьезоэлектрический < — возникновение электрических зарядов разного знака при деформации некоторых кристаллов обратный заключается в изменении линейных размеров некоторых кристаллов под действием электрического поля) радиометрический состоит в обнаружении и измерении давления электромагнитных волн на твердые тела и газы Рамана см. РАССЕЯНИЕ света комбинационное стереоскопический — психофизиологическое явление слитного восприятия изображений, видимых правым и левым глазом стробоскопический — основанная на инерции зрения зрительная иллюзия непрерывного движения, возникающая при наблюдении движущегося предмета в течение коротких быстро следующих друг за другом промежутков времени теней — появление интенсивности в распределении частиц, вылетающих из узлов кристаллической решетки в направлениях кристаллографических осей и плоскостей тензорезистивиый — изменение электрического сопротивления твердого проводника при его деформации тепловой реакции — теплота, выделенная или поглощенная термодинамической системой при протекании в ней химической реакции при условии, что система не совершает никакой работы, кроме работы расширения, а температура продуктов реакции равна [c.301]

В методе Сенармона между моделью и анализатором располагается пластинка в четверть волны, направления кристаллографических осей которой совпадают с взаимно перпендикулярными направлениями плоскостей пропускания анализатора и поляризатора, и составляют угол в 45° с главными направлениями в исследуемой точке модели. Разность хода определяется в монохроматическом свете в зависимости от угла поворота анализатора для получения погасания в рассматриваемой точке. Подробно метод Сенармона рассмотрен в работе [12]. [c.39]

В кристаллографически анизотропных а-, Р-. у- и б -фазах плутония проявляется также анизотропное тепловое расширение. В у- и й -фазах наиравления главных коэффициентов теплового расширения совпадают с направлениями кристаллографических осей, так что в табл. 6 эти коэффициенты обозначены соответственно а , а,, и а . Однако в моноклинных а- и Р фазах только направление главного коэффициента aj совпадает с направлением кристаллографической оси Ь, так что (i - а . В эллипсоидах тензора теплового расширения для двух моноклинных структур направления главных коэффициентов а, и Оз, конечно, перпендикулярны друг другу и направлению aj, поэтому они лежат в плоскости кристаллографических осей а и с. Основное направленне в а-плутонии, находящееся внутри тупого угла (р = 101,74°) между осями а и с и образующее угол 10 с осью а, обозначается а,. Аналогично в Р фазр направление а, находится в тупом углу (р — 92,13") между осями а и с, образуя с осью а угол 37. [c.531]

Вторая схема использования полупродукта быстрозакаленного материала. Полученный аморфный полупродукт подвергают горячей пластической деформации, в результате которой происходит не только кристаллизация мелких частиц, но и возникает кристаллическая текстура в заготовке. Направление кристаллографических осей текстуры напрямую связано с видом пластической деформации. Например, при горячей прокатке по такой технологии получены магниты с ВН) = 400 кДж/м , В = 1,36 Тл, 1000 кА/м. Эта технология позволяет, используя экст-рудирование через кольцевую щель, получать магниты с радиальной текстурой и высокими свойствами вдоль радиуса кольцевого магнита ( Л)тах = 29,8 МГс Э при 5 = 11,2 Тл и = 10,5 кЭ. Получение кристаллической текстуры в радиальном направлении — трудно управляемый процесс, и фактически предложенное решение является единственным для получения таких магнитов. На рис. 8.6 представлена схема горячей экструзии, позволяющая получить магниты с острой радиальной текстурой, обеспечивающей высокие магнитные характеристики. [c.529]

Сущность эффекта теней состоит в том, что заряженные частицы, падающие на монокрис-таллическую мишень, испытывают взаимодействие с ядрами атомов, расположенных в узлах решетки кристалла. Упруго рассеянные частицы разлетаются в разные стороны, в том числе и в направлениях, близких к направлениям кристаллографических [c.43]

Пучок частиц Ei падает под углом в, на монокристалл и рассеивается под углом в 2 в направлении детектора. При произвольной ориентации мишени к детектору энергетическое распределение рассеянных частиц имеет форму кривой 1, характерную для псевдоаморфной мишени. Если направление детектора совпадает с направлением кристаллографической оси, то интенсивность рассеянных частиц резко падает и энергетический спектр претерпевает изменение (рис. 26, кривая 2). Наличие структурных нарушений в монокристаллической мишени приводит к yвeJщчeнию интенсивности частиц, рассеянных в поврежденном слое. На кривой 3 рис. 26 подъем в правой части обусловлен наличием нарушенного слоя, а ширина подъема прямо связана с глубиной этого слоя Хо. [c.47]

Выращивание кристалла осуществляется в инертной среде (в атмосфере аргона или азота) при нормальном атмосферном дав лении с малой (1—2% по объему) добавкой кислорода. Оптимальная скорость роста с точки зрения совершенства оптических свойств кристалла составляет 0,5 мм/ч, что также является недо статком технологии, так как для выращивания кристалла средних размеров (длиной около 15 см) требуется 300 ч (12,5 сут) непрерывной работы, ростовой установки. Метод Чохральского позволяет выращивать достаточно крупные кристаллы длиной до 20 см и ди- аметром до 4 см. Форма кристаллов показана на рис. 1.1. В процессе роста в центральной части кристаллов возникают механи ческие напряжения, приводящие к оптическим искажениям. Поэтому активные элементы вырезают из периферийных областей кри- сталла. Как правило, активные элементы вырезаются в форме тон-ких длинных цилиндров самых различных размеров (рис. 1.2). Ось активных элементов направлена вдоль оси кристалла-заготовки,, т. е. фактически вдоль оси выращивания кристалла. В свою очередь ось выращивания кристалла, как отмечалось выше, задается ориентацией затравки. Следовательно, меняя ориентацию затрав--ки, можно по желанию менять направление кристаллографических осей в активном элементе. [c.10]

Также в матричной форме представили свои результаты Кохендор-фер и Отто [71] определившие ориентационную связь при мартен-сйтном превращении в сплаве Ре- 30% N1 по рентгенограммам вра-шения образца, вырезанного в направлении кристаллографической оси [001] аустенита [72] В этой работе регистрировали рефлексы от групп мартенситных кристаллов различных ориентировок, тогда как в работах [69, 70] получали рентгенограммы от индивидуальных кристаллов а-фазы. [c.34]

Изонормальные направления —, — кристаллографические 247 —, — особенные 242 —, — поперечно-изотропные 249 —, оси акустические 242, 249 —, — кристаллографические гл . Оси кристаллографические [c.276]

В анизотропных кристаллах ньезомодуль по разным направлениям неодинаков и обозначается соответствующим индексом, например 3.1, указывающим направление кристаллографических осей. [c.300]

Столбчатые структуры. При электролитическом осаждении металлов из расплавленных солей возникают характерные столбчатые структуры, ориентированные вертикально к поверхности основы [282]. В таких покрытиях явно выражена текстура, ось которой совпадает с одним из наиболее плотно-упакованных направлений кристаллографической решетки субстрата. Подобную структуру имеет, например, хромовое покрытие на никеле, полученное из хлоридофторидногорасплава при 800 °С и катодной плотности тока 0,05 А/см (рис. 58). [c.176]

Направление кристаллографических плоскостей кубической системы можно определить относительно осей координат ОХ, 0V и 0Z с помощью отрезков на осях координат, отсекаемых данной плоскостью. Например, отрезки, отсекаемые плоскостью AGE, будут 0G, ОЕ, ОА, которые у кубической системы равны между собой и условно принимаются равными единице, т. е. 1, 1 и 1. Плоскость SG/ отсекает отрезки, равные 1, со и оо. [c.24]

При исследовании указанным методом чистых кристаллов германия [41, 43] было установлено, что дислокации образуют совершен1ю определенную границу, на линии которой направление кристаллографических плоскостей металла изменяется на определенный малый угол, величина которого зависит от плотности дислокаций. Данные измерений подтвердили теоретическое выражение для величины этого угла. Далее была найдена основная причина возникновения дислокаций в твердом кристалле, в котором при охлаждении в процессе изготовления возникали значительные температурные градиенты. [c.78]

Исследование такой структуры сталей Н30Ф2 и 40Н27 после НТ.МО и ВТМО [14, 85, 88, 87] показало, что высокотемпературная деформация при степенях обжатия 25% и выше приводит к образованию в стали ячеистой дислокационной структуры, границы ячеек приобретают четкую кристаллографическую направленность. Кристаллографическая направленность границ ячеек соответствует тем же плоскостям решетки аустенита 110 , 111 , ПО , по которым образуются дислокационные субзеренные границы прн полигонизации. При увеличении выдержки до охлаждения после высокотемпературной деформаци в структуре развиваются процессы полпгопизаипп и рекристаллизации. Участки с полигонизованной структурой наблюдаются и после деформации с немедленной закалкой. [c.44]

Результаты исследования представлены на рис. 1. Верхняя кривая получена для образца, у которого геометрическая ось совпадает с направлением кристаллографической оси С, нижняя — для образца с геометрической осью, перпендикулярной нанравлешпо С. Черными кружочками обозначены результаты, полученные при измерении температуры образца термопарой, а пезачерненными — пирометром. В области температур 900—1200° С температура в опытах измерялась как термопарой, так и пирометром, при этом результаты хорошо совпадали. По полученным [c.13]

В результате рекристаллизационпого отжига металла, имеющего текстуру деформации, может получиться так называемая текстура рекристаллизации, характеризующаяся тем, что кристаллографические оси рекристаллизованных равноосных зерен имеют преимущественную ориентировку в пространстве (большинство зерен имеет одинаковое направление кристаллографических осей в пространстве). Текстура рекристаллизации может быть идентична исходной текстуре деформации, но может и отличаться от нее, т. е. направления преимущественной ориентировки кристаллографических осей в теле после рекристаллизации изменяются. [c.54]

Намагниченность (плотность магнитного момента) II259—260 Намагниченность насыш ения П 318 в парамагнетике П 271 в ферромагнетике II318 Направления кристаллографические, правила их обозначения 1102, 103 Напряжение Холла 127 [c.422]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...