Дислокации время роста

В данном разделе нас будут интересовать главным образом отклонения решетки от физической однородности, и, следовательно, мы будем иметь дело в основном с образованием физических дефектов в кристалле во время роста. Будут рассмотрены следующие четыре типа дефектов 1) неоднородности по химическому составу 2) дислокации 3) пустоты 4) случайные кристаллы. [c.194]

В настоящем разделе мы рассмотрим следующие вопросы 1) образование дислокаций во время роста кристалла 2) изменение их числа под действием некоторых механизмов размножения и аннигиляции 3) их взаимодействие, приводящее к образованию в кристалле дислокационных границ и дислокационных сеток. [c.195]

Образование дислокаций под действием термических напряжений происходит также и после окончания роста в процессе охлаждения кристалла, и механизм охлаждения играет при этом немаловажную роль. Так, если кристалл охлаждается слишком быстро, то число дислокаций, образующихся под действием напряжений, возникающих при охлаждении, будет даже больше числа дислокаций, вводимых термическими напряжениями, существующими в кристалле во время роста. [c.197]

Фиг. 31. Предполагаемая картина распределения в кристалле дислокаций, образующихся вследствие сегрегации примеси при ячеистой структуре поверхности раздела кристалл — расплав во время роста [21].

Субструктура не является просто результатом увеличения плотности дислокаций и образования неоднородной среды во время пластической деформации металла при высокой температуре. Основные очертания субструктуры образуются уже во время роста кристалла. [c.141]

Относительно большая плотность распределения карбидов в основном веществе этих сталей не может быть объяснена выделением только на дислокациях, существующих после растворяющего отжига и быстрого охлаждения. Кристаллографическая ориентация карбидов, идентифицированная электронной дифракцией в аустените перед сенсибилизацией, как [110], не соответствует наличию дислокаций вдоль направления [110]. Значит, дислокации образуются во время роста частиц карбидов, а на вновь образовавшихся дислокациях выделяются следующие карбиды. Этим механизмом можно объяснить значительные выделения карбидов в основном твердом растворе при относительно высокой плотности их распределения, если содержание углерода в стали достаточно велико. [c.63]

В работах [232, 234, 356] показано, что для некоторых материалов характеристики вязкости разрушения при циклическом нагружении могут существенно отличаться от характеристик статической трещиностойкости. Циклическое деформирование металла у вершины трещины приводит к нестабильному (скачкообразному) ее развитию при КИН, меньших статической вязкости разрушения Ки. В настоящее время феноменология такого явления достаточно хорошо разработана и описана в работах [29, 197, 232, 234, 267, 356]. Тем не менее физическая природа скачков усталостной трещины изучена недостаточно. Попытаемся дать физическую интерпретацию этого явления. Выше (см. подраздел 2.3.2) была представлена модель, описывающая зарождение усталостного разрушения в масштабе зерна. Разрушение представлялось как многостадийный процесс, включающий зарождение микротрещин по границам и в теле фрагментированной субструктуры, возникающей при циклическом деформировании, стабильный рост микротрещин за счет стока дислокаций в их вершины, образование разрушения в пределах зерна при нестабильном росте микротрещин. Ограничение мае-штаба разрушения при нестабильном росте микротрещин размером зерна возникает в случае их торможения границами зерен или стенками фрагментированной структуры, т. е. при = Oi < 5с(ху), где X/ — накопленная деформация к моменту страгивания микротрещин. Если сгтах 5с(ху), то разрушение может распространяться в масштабе, большем чем размер зерна. [c.222]

Кристалл, не содержащий дислокаций, растет путем присоединения зародыша к ступеньке, так как чем больше соседних атомов, тем лучше зародыш присоединяется к кристаллу. Наконец, слой полностью достраивается. Для образования на гладкой поверхности кристалла нового атомного слоя требуется возникновение двумерного зародыша, что является самым узким звеном роста совершенного кристалла и требует больших пересыщений (переохлаждений). Это звено отсутствует, если растет кристалл, содержащий винтовую дислокацию. Присоединение атомов к ступеньке на его поверхности приводит к вращению ступеньки. Поскольку атомы откладываются на винтовую поверхность, то ступенька все время продолжает существовать, облегчая тем самым присоединение атомов к кристаллу, т. е. облегчая рост кристалла. [c.103]

Таким образом, результаты исследований температурной эволюции структуры и свойств наноструктурного Ni, полученного ИПД, показывают, что при нагреве этого материала происходят сложные структурные изменения, связанные с развитием процессов возврата, рекристаллизации и роста зерен. Очевидно, природа возврата обусловлена прежде всего перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен, приводящих к уменьшению внутренних напряжений (см. рис. 3.25). В то же время точечные дефекты здесь не играют существенной роли, поскольку электросопротивление, наиболее чувствительное к присутствию избыточных вакансий и межузельных атомов, остается постоянным вплоть до начала роста зерен (см. рис. 3.2а). [c.127]

Хотя во время деформации и происходил некоторый рост зерен, он оставался менее 100 нм (рис. 5.14а). Зерна не были удлинены и не удалось обнаружить какого-либо свидетельства дислокационной активности внутри зерен, хотя тщательные исследования были проведены с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии границ двойников отжига (рис. 5.146), которые образовались в некоторых зернах ИПД сплава при его нагреве перед деформацией. Подобные двойниковые границы известны своей способностью легко захватывать и сохранять решеточные дислокации [c.207]

Упрочнение, отдых, рекристаллизация. Критическое скалывающее напряжение сильно зависит от степени предварительной деформации кристалла, увеличиваясь с ростом последней. Так, предварительная деформация монокристаллов магния на 350% приводит к увеличению т примерно в 25 раз. Еще более сильное упрочнение испытывают кристаллы кубической системы — алюминий, медь и др. Это явление получило название упрочнения или наклепа. Оно свидетельствует о том, что скольжение вдоль данной плоскости создает в ней необратимые искажения (несовершенства), которые затрудняют дальнейшее протекание процесса скольжения. В настоящее время считается, что такими несовершенствами являются дислокации, которые будут подробно рассмотрены в 1.11. [c.39]

Сдвигообразование в кристалле под действием внешней силь представляет собой движение дислокаций по плоскостям скольже-ния и выход их на поверхность кристалла. Если бы сдвигообразование происходило только за счет выхода дислокаций, уже имевшихся в кристалле, то процесс пластического деформирования приводил бы к истощению дислокаций и переводу кристалла в более совершенное состояние. Это противоречит эксперименту, который показывает, что с ростом степени деформации искажения решетки не уменьшаются, а, наоборот, растут, следовательно, растет и плотность дислокаций. Поэтому в настоящее время принято считать, что дислокации, обусловливающие пластическую деформацию, генерируются в процессе самого сдвигообразования под действием внешних сил, приложенных к кристаллу. [c.51]

IV. Рост зародышей новых зерен во время полигонизации или рекристаллизации. На рис. 3 9 представлена микрофотография растущего зародыша нового зерна в деформированном рении. Видно, что в зародыше дислокации практически отсутствуют, а вокруг него металл насыщен дефектами кристаллического строения. [c.130]

Огромная скорость роста мартенситных кристаллов, превышающая 1000 м/с, способствует образованию наклепа в аустените, возникающие при этом дислокации переходят в образующийся затем мартенсит, что повышает его твердость, снижая пластичность до нуля. Плотность дислокаций возрастает до 10 см . За время превращения кристаллы мартенсита многократно возникают и проскакивают под углами 60° и 120° друг к дугу. При наблюдении в микроскоп их следы имеют игольчатую форму (см. рис. 5.2, г), поэтому мартенсит считается игольчатой структурой. [c.109]

Во время нагрева и выдержки в холоднодеформированном металле происходят рекристаллизационные процессы, суть которых сводится к таким следующим друг за другом по мере нагрева и выдержки явлениям, как аннигиляция (самоликвидация) противоположных по знаку дислокаций, выстраивание дислокационных стенок (из леса дислокаций) и, наконец, зарождение и рост новых равновесных зерен. Причем если первые два явления происходят при Т < Гр, то зарождение новых зерен происходит только при Г > Гр. [c.112]

В работе [327] отмечало сь, что рост нитевидных кристаллов из газовой фазы подчиняется тем же закономерностям, что и рост монокристаллов из пересыщенного пара. Для описания роста усов существует модель Сирса, в которой рассматривается процесс соударения атомов из пересыщенной газовой фазы с боковой поверхностью кристалла, физическая адсорбция, поверхностная диффузия этих атомов к вершине нитевидного кристалла и десорбция тех атомов, которые за время жизни т в адсорбированном состоянии не достигли вершины кристалла [348], Атомы, достигающие вершины, встраиваются в решетку, например, на ступеньке аксиальной винтовой дислокации. [c.353]

Аналогичная последовательность изменения РТ с температурой обнаружена при ударных испытаниях с записью динамических нагрузок [16]. При испытании низкоуглеродистой стали основное влияние высоких скоростей деформации заключается в увеличении предела текучести независимо от температуры испытания, так как уменьшается время, необходимое для термически активируемых процессов, понижающих напряжение скольжения дислокаций в матрице (температурно зависимую компоненту а- в напряжении трения а,). При дальнейшем росте скорости деформации достигается предел, за которым теряется чувствительность напряжения течения к скорости деформации [17] и который уменьшается с повышением температуры. Этот предел может быть связан с наступлением двойникования как механизма общей пластической деформации, но подробных исследований проведено не было. В высокопрочных сталях как температурная зависимость, так и скоростная чувствительность предела текучести уменьшаются пропорционально, поскольку основная доля напряжения трения приходится на температурно-независимую компоненту a l (дально-действующие поля напряжений). К сожалению, информация о механизмах микроскопической деформации таких сталей при высоких скоростях явно недостаточна. [c.203]

А) быстро протекающем одновременном смещении большой группы атомов, так что связь между атомами двух фаз сохраняется тесной, когерентной, отдельные атомы и в новой решетке остаются соседями. Скорость переупорядочения атомов очень высока ( 1000 м/с), инкубационное время отсутствует. Когерентная связь из-за> больших напряжений решетки не всегда сохраняется в процессе мартенситного превращения наблюдаются смещения, возникают дислокации, т. е. происходит вызванное фазовым превращением упрочнение, которое дополнительно повышает твердость. При когерентной связи превращение в изотермических условиях не завершается не образуется дополнительного количества зародышей кристаллитов. Когерентный рост прекращается также и в том случае, если в процессе роста кристаллит новой фазы натолкнется на границу зерен. Мартенсит характеризуется высокой плотностью дислокаций (10 —lOi M ) твердость же зависит от того, в какой мере [c.102]

Э. М. Надгорный [97, с. 151—175] рассмотрел скорость движения изолированных дислокаций в ионных, ковалентных и металлических кристаллах. Скорость перемещения дислокаций меняется в зависимости от способа и длительности нагружения образца. На движение дислокаций оказывает влияние природа их возникновения. Дислокации, возникшие во время роста и охлаждения кристалла, закреплены точечными дефектами, тормозящими их передвижение. Такие дислокации состарены и не принимают участия в скольжении. Дислокации, образовавшиеся под воздействием нагрузок, подвижны. [c.109]

На фиг, 32 приводятся графики зависимости lATITjn от rib для нескольких значений параметра а = Gb /6 (1 — v) t//, полученные при условии, что 1) д = 1 2) собственная энтропия вакансий не учитывается 3) внутри дислокационной петли не происходит образования дефекта упаковки. Типичное значение а для металлов равно 0,6, так что дислокационные кольца с радиусом г = 15 Ь растут только при температурах ниже 0,85 ктIT- —0,15). Если в кристалле существуют другие стоки вакансий, например дислокации, образовавшиеся во время роста кристалла, то ЛГ/Г , необходимое для роста такой петли с радиусом г = 156, должно увеличиваться и может при некоторых условиях роста достигать 0,5. В случае германия и кремния lATITm также боль- [c.200]

Дислокации могут возникать не только при деформации сдвига, но и, например, вследствие образования различных дефектов во время роста кристалла. Сгибая кристалл, в него за счет деформации сдвига можно ввести известное число краевых дислокаций. Используя известные значения постоянных решетки и радиуса кривизны сгиба, с помощью простых геометрических соотношений можно определить число таких дислокаций. Плотность краевых дислокаций обычно измеряется числом дислокационных линий, проходящих через единицу повеохности в кристалле в обычных кристаллах содержится 0 см (и больше) дислокаций. Другой способ выра- [c.63]

При этом принятые допущения имеют разумное физическое объяснение. Известно, что в поверхностных слоях металла зарождение скользяЩ Их дислокаций значительно облегчено по сравнению с глубинными слоями. Феноменологически это явление связано со снижением напряжения микротекучести материала в поверхностных слоях образца [1, 190]. В результате при весьма низких нагрузках может зародиться микротрещина, размер которой соответствует размеру поверхностного слоя [191]. В то же время при образовании трещины длиной 1° сопротивление пластическому деформированию в окрестности ее вершины увеличивается (деформирование происходит не у свободной поверхности) и дальнейший рост трещины возможен только при нагрузках, приводящих к обратимой пластической деформации материала (строго говоря, к процессам микротекучести) в объеме, большем чем размер зерна, т. е. при А/С > > AKth. [c.220]

Дислокации могут возникать во время кристаллизации из-за ра.эных случайностей роста кристаллов. Эти случайности приводят к образованию мозаичной структуры — кристалл состоит из взаимно разориентированных субзерен (блоков). Одна из возможных причин образования субзерен — изгиб очень нежных ветвей денд-ритов из-за конвекционных токов, градиента температур и действия других факторов. Когда слегка разориентированные ветви дендри-тов срастаются, на границе между ними возникают дислокации. Поверхность срастания представляет собой стенку из краевых дислокаций. [c.104]

Макквин [275] предполагает, что показатель степени в модифицированном уравнении Холла — Петча (3.46) должен отличаться для субструктур, полученных при разных степенях деформации и разных режимах отжига [308]. Так, для сплавов на основе железа и алюминия в холоднодеформированном состоянии упрочнение изменялось пропорционально (см. уравнение (3.43)). В то же время для субструктур, формирующихся в указанных сплавах при отжигах с различными выдержками при одной и той же температуре, будет характерна и разная зависимость между плотностью дислокаций и диаметром ячейки, так как известно [275], что избыточные дислокации в стенках аннигилируют раньше, чем начинается рост ячеек. Следовательно, показатель степени, равный может наблюдаться для наклепанного материала, в котором прошел возврат [275, 308], что уже отмечалось выше. В этом плане, возможно, представляет интерес сравнить весь комплекс механических свойств субструктур в данном материале, имеющих один и тот же размер и полученных при различных режимах термомеханической обработки. Однако такие сведения в литературе отсутствуют. [c.132]

Наиболее полно дислокационную модель зарождения и роста пор, обусловленных частицами, разработал Броек [392]. Согласно этой модели поры образуются на границе раздела частица — матрица вследствие создания у частиц дислокационных скоплений (рис. 5.4). Вокруг частиц образуются дислокационные петли (рис. 5.4, а). Под действием сил изображения эти петли отталкиваются от частиц (рис. 5.4, б). В то же время лидирующая петля выталкивается к частице следующими за ней дислокациями и действующим сдвиговым напряжением (рис. 5.4, в). Когда одна или более петель будут вытолкнуты на границу раздела, частица вдоль линии АВ отделится от матрицы и произойдет рождение поры. Существенным следствием этого будет значительное снижение отталкивающих сил изображения, действующих на следующие петли, в результате чего большая часть дислокаций скопления выйдет на вновь образованную поверхность поры, тем самым увеличивая ее (рис. 5.4, г). Дислокационные источники, испускавшие петли и ставшие неактивными вследствие образования дислокационного скопления, возобновят свое действие, что приведет к спонтанному росту пор и последующему их слиянию. [c.194]

Механизм зарождения и роста газовых пузырьков в металлах раскрыт не полностью, хотя для его объяснения было предложено много теорий. Наиболее часто распухание объясняют зарождением на дислокациях пузырьков и их дальнейшим ростом посредством диффузионного механизма. Отражатели нейтронов, изготовленные из бериллия и используемые в некоторых ядерных реакторах, согласно Клайборну [19], нуждаются в замене каждые шесть месяцев. Возможно, что распухание может ограничить использование бериллия в качестве замедлителя или в качестве материала оболочки тепловыделяющих элементов. Эллз и Эванс [28] вводили небольшое количество гелия в бериллий бомбардировкой а-части-цами и облучали эти образцы при температуре до 740° С. Небольшое распухание было отмечено для образцов, облученных при 605° С сильное — во время облучения при 740° С. Однако распухания не происходило во время облучения при температуре 600° С и ниже. [c.267]

В то время как одни двойники увеличивались в размерах, другие, достигнув предельной длины, исчезали вследствие механохимического растворения (сглаживания) деформационного микрорельефа с течением времени исчезали все линии двойников, а также и след накола. Одновременно с ростом наиболее активных линий и исчезновением менее активных вблизи накола возникали выстроенные группы движущихся петель полных дислокаций, а также ямки травления вдоль исчезнувших при растворении двойниковых линий число дислокационных петель увеличивалось одновременно с увеличением их размеров и протяженности групп в длину и ширину. [c.129]

Накопление случайного необратимого скольжения с различными знаками [11 должно привести к смещениям обоих знаков. Таким образом можно объяснить рельеф свободной поверхности УПС (рис. 4, б), но в то же время нельзя объяснить одинаковое направление смещений во всех УПС. Двия ение винтовой дислокации путем двойного поперечного скольжения в одном цикле дает смещение (Ь) (Ь — вектор Бгоргерса) в описанном объеме. Избыток винтовых дислокаций одинакового знака в одной УПС привел бы к микроскопическому смещению УПС с экструзией иа одной поверхности образца и с интрузией на другой стороне (рис. 4, в). До сих пор такие корреляции между экструзиями и интрузиями на противоположных свободных поверхностях УПС не исследованы. Однако известно, что существует хорошее согласие между шириной УПС внутри объема и шириной экструзий на поверхности [11]. Но такая модель также не может объяснить одинакового направления смещения во всех УПС (см. рис. 2). Имеются данные о высокой плотности избыточных вакансий в. металлах при усталости, особенно в УПС с высокой местной пластической ялшлитудой [9]. Такая избыточная концентрация вакансий связана с расширением объема. В эксперименте с постоянной амплитудой деформации рост объема УПС привел бы к экструзиям на поверхности образца ( swelling ) [10] и смещениям внутри его от центра к [c.161]

Фаза S имеет форму пластинки и зарождается предпочтительно на дислокациях, как и фаза в в сплаве системы А1—Си. Она по крайней мере частично не когерентна с матрицей и имеет приблизительный состав Ab uMg. Вызывает удивление, что до сих пор нет подходящей количественной оценки процессов, имеющих место во время стандартной термомеханической обработки такого широко применяемого сплава 2024. Упрощенное качественное описание термомеханической обработки этого сплава можно представить следующим образом. При температуре нагрева перед закалкой большинство легирующих элементов переходит в твердый раствор. Однако марганцовистые соединения и другие интерметаллические частицы не растворяются. Эти частицы препятствуют движению границ зерен, способствуя образованию структуры с удлиненным зерном во время изготовления полуфабриката. Быстрое охлаждение с температуры под закалку приводит к пересыщению твердого раствора с почти равномерным распределением меди и магния в матрице. В этих условиях даже границы свободны от выделений, как показано на рис. 86. Если скорость охлаждения во время закалки меньше, чем 550 °С/с, то зарождение и рост фазы, обогащенной медью, может происходить по границам зерен с образованием при этом зон, обедненных медью, непосредственно прилегающих к границам зерен. [c.237]

В теории дислокации рассматривается несколько механизмов образования и роста трещин путем торможения и скопления дислокаций на препятствиях (например, у границ зерен), объединения вакансий, образованных ступеньками на движущихся дислокациях, и др. По данным С. Н. Жуковского и Э. Е. Тома-шевского, время до разрушения, долговечность под нагрузкой, определяется скоростью роста трещин на ускоренной стадии Хе - [c.32]

При циклическом нагружении сплавов потенциал после первоначального всплеска с ростом числа циклов несколько облагораживается, плавно уменьшаясь по абсолютной величине (участок II), принимая спустя некоторое время установившееся значение и стабилизируясь в более отрицательной области III по сравнению с потенциалом ненагружениого образца. Очевидно, наряду с термодинамической активацией образца в данном случае немаловажную роль играет повышение электрохимической гетерогенности металла в ходе усталостного нагружения вследствие интенсивного накопления в его объеме повреждений, скопления вакансий и дислокаций, выхода их на поверхность, формирования грубых полос скольжения и зарождения усталостных трещин. Указанные процессы сопровождаются образованием новых поверхностей, несколько нарушающих сплошность пленок, разблагораживанием потенциала, возникновением менее совершенных защитных пленок на деформированной поверхности, в результате чего электродный потенциал удерживается в более отрицательной области. [c.74]

Автор совместно с М.О.Левицким изучал влияние содержания углерода и термической обработки углеродистых сталей на время до зарождения и скорость роста усталостных трещин в различных средах. Показано (рис. 41), что максимальная долговечность до зарождения трещины в воздухе, 3 %-ном растворе Na I и 20 %-ном растворе H2SO4 наблюдается у стали 45 при HR 38, а у стали У8 при HR 45, что соответствует тро-оститной структуре. Мартенситная структура обладает наиболее низким сопротивлением развитию усталостных трещин вследствие затруднения пластической деформации и значительных напряжений И рода. Сорбитная и трооститная структуры благодаря высокой дисперсности карбидной фазы затрудняют движение дислокаций и обладают наибольшей выносливостью. [c.87]

Первая группа методов основана на использовании химических транспортных реакций и характеризуется тем, что кристаллизация осаждаемого металла в этом случае осуществляется из паров его галоидных соединений (иодидов или хлоридов). Для получения монокристаллов молибдена используются преимущественно, хлориды (см. главу V). В общем дислокационный механизм роста кристаллов из газовой фазы сводится к спиральному присоединению атомов на ступеньке, образованной винтовой дислокацией [21, 77, 125], и в зависимости от режима осаждения позволяет получить поли- и монокристалли-ческие осадки. Скорости химических процессов осаждения металлов в молекулярном, кинетическом или диффузионном режимах очень велики и не зависят от механизма массообмена. Характер кристаллизации и скорость роста кристаллов осаждаемого металла в основном определяется относительным пере-насыш,ением газовой фазы. Осадки в виде высокочистых монокристаллов растут при малых степенях пересыщения газовой фазы, в то время как средние степени пересыщения обеспечивают рост массивных поликристаллов. При высоких степенях пересыщения образуются порошки посредством гомогенного зарождения в газовой фазе. [c.81]

При отжиге монокристаллов молибдена ориентации 110 <001>, прокатанных с обжатием до 50%, рекристаллизацию не наблюдали до-1100° С [135, 209]. После отжига при 1100° С плотность дислокаций в образцах была довольно высокой, а отжиг при 1500° С и выше приводит к образованию субграниц. С увеличением степени деформации характер образующейся при отжиге структуры усложняется. В некоторых участках образца (деформация 50%) происходит слияние полигональных стенок в субграницы, мигрирующие в сторону областей с повышенной плотностью дислокаций. Отжиг при более высоких температурах вызывает рост возникших субзерен. При отжиге до 2500°С увеличения предельной суммарной разориентации в процессе роста субзерен не происходит. Кристаллы ориентации 110 <001 >, прокатанные на 50%, разупрочняются после отжига при 1500°С без признаков рекристаллизации. Монокри-сталльная структура сохраняется. Однако кристаллы ориентации 110 <001 > после прокатки с деформацией 70% и отжига при 1600° С и выше уже состояли из крупных рекри-сталлизованных зерен, ориентация которых находилась в пределах рассеяния текстуры 110 <001 >. В то же время после отжига при 1500° С деформированные на 70% кристаллы [c.98]

В последнее время стало возможным получать чистейшие идеальные металлические кристаллы в виде нитей или усов . Это открыло новые возможности для выяснения истинной прочности металлов, не имеющих дефектов в кристаллических рещетках. Чистые нитевидные кристаллы можно получать различными способами [3, 12, 14]. Предполагается, что нитевидные кристаллы образуются в результате выхода на поверхность роста винтовой дислокации по Франку. [c.34]

Время т затрачивается на ожидание териофлуктуац. зарождения микротрещин и ва их рост до критич. размера Ге. Когда к образцу прикладывают напряжение а, он деформируется сначала упруго, затем пластически, причём около структурных неоднородностей, имевшихся в исходном состоянии или возникших при пластич. деформации, образуются большие локальные напряжения (напр., в кристаллах — в результате скопления дислокаций). В этих местах зарождаются микро-трещины. Их концентрация может быть очень большой (вапр., в нек-рых ориентиров, полимерах до 10 трещин в 1 см ). Однако их размеры, определяемые масштабом структурных неоднородностей, значительно меньше Г . Под пост, напряжением размеры и концентрация трещин растут медленно н тело не разрушается, пока случайно (напр., в результате посщедоват. слияния близко расположенных соседних трещин) одна на них не дорастёт до критич. разшра. Поэтому при создании прочных материалов следует заботиться не столько о том, чтобы трещины не зарождались, сколько о том, чтобы они не росли. [c.170]

В твёрдых диэлектриках при отклонении системы фононов от равновесия время релаксации связано с i временем жизни фононов т, = Зх/Сс, где х — коэф. теплопроводности, С — теплоёмкость решётки, с — ср. значение скорости звука, т, — i/T при темп-ре Т порядка и выше дебаевской. При распространении звука в пьезополупроводниках частота релаксации Юр растёт с ростом проводимости кристалла И уменьшается с ростом темп-ры и подвижности носителей тока, а величина дисперсии скорости звука определяется коэф, электромеханич. связи. Дислокац. поглощение звука в Монокристаллах также имеет релаксац. характер, причём время релаксация зависит от длины колеблющегося отрезка дислокации, вектора Бюргерса и постоянных решётки.. Релаксац. процессы имеют место также в полимерах, резинах и разл. вязкоупругих средах, в этих веществах наблюдается значит, дисперсия скорости звука, связанная с релаксацией механизма высокой эластичности. [c.330]

Ряс. 9. Топограммы одиого и того же кристалла 81, снятые по методу Ланга в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Отражение (220), налучение Си время экспозиции каждой топограммы 5 ч а — отражающая поверхность с индексами Миллера (110), тонкие вертикальные чёрные. линии— дислокации, горизонтальные полосы — слои с неоднородно распределённой примесью, возникшие вследствие колебаний концентрации примеси в расплаве за фронтом кристаллизации при выращивании кристалла (полосы роста) о — отражающая поверхность с индексами Миллера (001), изоОражевия тех же дислокаций, что и на рис. а, но ориентированных вдоль распространения пучка. [c.355]

Условия возникновения зародышей новых зерен и их роста сформулированы во многих работах, например в [4, 47], исходя из понятий о напряжениях, создаваемых в материале дислокациями, генерированными во время пластической деформации. Для образования зародыша нового зерна размером do требуется плотность дислокаций ро = y//doWj, где - энергия дислокации единичной длины у/-удельная поверхностная энергия межзеренной границы. [c.123]

Данные о влиянии различных факторов на выделение графита в порах были использованы [16] для определения величины контактного давления, создающегося на межфаз-ной поверхности графита и матрицы во время субкрити-ческого отжига. Согласно расчету, релаксация напряжений при росте графита реализуется механизмом дислокационного крипа, контролируемого переползанием дислокаций. [c.139]

Ход кривой температурной зависимости прочности нитевидных кристаллов сапфира можно, по-виднмому, объяснить следующим образом. В интервале 25—1000° С на ступеньках роста, которые являются сильными концентраторами напряжений, вначале зарождаются дислокации. Однако вследствие больших сил Пайерлса они неподвижны и не понижают прочности усов сапфира. При дальнейшем увеличении напряжения в месте концентрации возникает хрупкая микротрещина, которая и приводит к разрушению образца. Выше 1400° С дислокации имеют достаточно большую подвижность и за время испытания успевают пройти расстояние, превосходящее диаметр нитевид- [c.360]

Важное значение в эффекте памяти формы отводится структурно-наследственным явлениям, которые при мартенситных превращениях не тривиальны. Установлено, что в новой фазе в границах раздела фаз в силу геометрического фактора возникают дислокации с несвойственными для данной структуры векторами Бюргерса. Если дислокация в мартенситной фазе имела вектор Бюргерса 6о> то в продукте реакции он равен Ь = Ьо(1 + D), т.е. приобретает добавку АЬ = ОЬ , где D — величина дис-торсин. Их появление энергетически невыгодно, что затрудняет прямое мартенситное превращение. Обратное мартенситное превращение, осуществляющееся по принципу "прямо назад" по отношению к прямому, восстанавливает и исходную структуру, и плотность энергии. Если реакция идет по новому ориентационному пути, то полный цикл превращения исходная решетка — продукт реакции — исходная решетка должен сопровождаться ростом упругой энергии, что крайне не выгодно. Кроме того, мартенсит, как правило, содержит аккомодационные двойники, в то время как в аустените они отсутствуют. Если обратная реакция идет по схеме "точно назад", она требует такой же аккомодации, что и прямая реакция, хотя и с обратным знаком. Поэтому продукт превращения не наследует аккомодационных двойников мартенсита. [c.251]

Тенденция развития методов МСС решения задач и физичеосих методов исследования свойств металлов не случайна. Она предопределяется постоянньш совершенствованием техники с соответствующим ростом требований, предъявляемых к качеству металлов и изделий из них, к уровню и стабильности их свойств. В настоящее время методы МСС начинают использовать для формализации результатов исследований строения металлов, образования и движения дислокаций, а результаты металлофизических исследований все шире привлекаются к математическому описанию поведения деформируемых металлов. [c.117]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...