Кристаллы поверхность

Пусть теперь энергия электрона соответствует одной из запрещенных зон неограниченного кристалла, т. е. k E) является комплексной величиной. Условие конечности волновой функции (7.115) в этом случае будет выполнено, если один нз коэффициентов А или Лг (в зависимости от знака мнимой части k) положить равным нулю. Тогда (7.117) и (7.118) превращаются в два линейных однородных уравнения с двумя неизвестными. Они имеют решение только при таком значении энергии, при котором определитель системы равен нулю. Все остальные значения Е запрещены. Таким образом, ограничение кристалла поверхностью приводит к тому, что в области энергии, соответствующей запрещенной зоне неограниченного кристалла, появляются разрешенные энергетические уровни. Эти состояния, локализованные вблизи поверхности, и получили название поверхностных уровней (состояний). Волновые функции, соответствующие поверхностным состояниям, экспоненциально затухают по мере удаления от поверхности. В области вакуума -ф-функция затухает монотонно, а в об-1G-221 24 f [c.241]

Выше было показано, что ограничение кристалла поверхностью приводит к появлению в запрещенной зоне локализованных состоя-Еий. Эти поверхностные уровни, так же как уровни примесей и дефектов, могут оказывать существенное влияние на физические свойства твердых тел. Это влияние может оказываться в следующих явлениях. [c.261]

Состав воды в результате магнитной обработки не меняется. Изменяется структура воды, ее свойства (вязкость, поверхностное натяжение, магнитная восприимчивость, диэлектрическая проницаемость, растворимость в воде углекислого газа, кислорода, теплоты растворения веществ и др.), возникают многочисленные зародыши кристаллов, поверхность которых намного превышает площадь поверхностей нагрева. Эти зародыши кристаллов затем при нагреве, в связи с понижением растворимости накипеобразователей, служат центрами кристаллизации и предопределяют выделение накипеобразователей в виде шлама. [c.410]

Накопление дефектов на поверхности роста кристаллов и огрубление ее создают условия для преимущественного роста тех кристаллов, поверхности которых расположены перпендикулярно направлению подачи материала. Кроме того, такой преимущественный рост сопровождается и преимущественным накоплением дефектов в таким образом расположенных кристаллах, что повышает коэффициент аккомодации частиц материала покрытия. Увеличение коэффициента аккомодации создает дополнительные преимущества в скорости роста кристаллов. В результате скорость роста покрытия зависит от времени, причем так, что она увеличивается с увеличением времени осаждения при постоянной скорости подачи материала покрытия. Особенно заметно этот эффект проявляется при высоких температурах, когДа слоевой рост на начальных стадиях роста играет существенную роль. [c.39]

При механической обработке величина поверхности становится больше, чем это соответствует геометрическим формам изделия. Одновременно нарущается — вплоть до разрушения — структура кристаллов (поверхность кристаллитов раздробляется), и образуются активные зоны, оказывающие малое сопротивление дей--ствию коррозионной среды (табл. 12.6) [16]. [c.595]

Реакции кристаллических поверхностей с газообразными компонентами могут быть весьма разнообразными в соответствии с особенностями конкретной системы. Из всего многообразия возможных реакций возьмем несколько примеров, которые позволяют рассмотреть связи между скоростью реакции и реальной структурой. При реакции поверхности кристалла с газообразным компонентом, как и при растворении кристалла, поверхность подвергается воздействию неравномерно. Реакция начинается преимущественно на местах поверхности с более высоким уровнем энергии. [c.409]

Предположим, что в процессе диспергирования кристаллов отколовшиеся частицы имеют форму куба с ребром а. Тогда вновь образуемая нри шлифовании кристаллов поверхность частиц а М, где N — число частиц. Если поверхностная энергия шлифуемого материала будет равна поверхностная энергия всех его частиц [c.69]

Карбонадо представляют собой тонкозернистые агрегаты алмаза овальной формы,. плотные или пористые массы, состоящие из множества микроскопических кристаллов. Поверхность у карбонадо блестящая, со смолистым оттенком, цвет почти черный, серый и зеленоватый. Кристаллы карбонадо менее хрупки, чем алмазы борт. [c.24]

Докажите, что для одноосного кристалла поверхность волновых векторов состоит из сферы (обыкновенный луч) и эллипсоида (необыкновенный луч). Прил > сфера лежит внутри эллипсоида и кристалл называется положительным одноосным. Если/2 > пто кристалл называют отрицательным одноосным. [c.58]

К. М. Горбунова [11] считает, что реальная поверхность никогда не бывает однородной на поверхности катода мы должны предполагать активные места, где преимущественно происходит разряд ионов. Даже в идеальном кристалле поверхность содержит ряд неоднородностей, определяемых геометрическими особенностями. Тем [c.63]

Известны, однако, примеры, когда сверхпроводимость обнаруживалась и в случае отсутствия щели в спектре элементарных возбуждений [155—157]. Однако такие случаи обычно связаны с неоднородностью кристалла поверхность, магнитные примеси и др. [158]. Простейшим примером может слул ить [c.280]

Так, в результате специфического роста кристаллов поверхность порошкообразного железного катода увеличивается настолько, что перенапряжение водорода резко уменьшается. [c.159]

Увеличение размера зарождающегося кристалла вначале приводит к росту свободной энергии (так как объем V мал, а поверхность S относительно велика) (рис. 30). Но при некотором критическом значении увеличение ваз-мера зародыша приведет к уменьшению Дф. [c.49]

Если на боковой поверхности растущего кристалла возникает бугорок, то кристалл приобретает способность расти и в боковом иаправлении. В результате образуется древовидный кри- [c.50]

Следовательно, однородная жидкость является однофазной системой, а механическая смесь двух видов кристаллов — двухфазной, так как каждый кристалл отличается от другого по составу или по строению и они отделены один от другого поверхностью раздела. [c.110]

Методы обработки основаны на использовании пластических свойств металлов, т. е. способности металлических заготовок принимать остаточные деформации без нарушения целостности металла. Отделочная обработка методами пластического деформирования сопровождается упрочнением поверхностного слоя, что очень важно для повышения надежности работы деталей. Детали станонится менее чувствительными к усталостному разрушению, новьипаются их коррозионная стойкость и износостойкость сопряжений, удаляются риски и микротрещины, оставшиеся от предшествующей обработки, В ходе обработки шаровидная форма кристаллов поверхности металла может измениться, кристаллы сплющиваются в направлении деформации, образуется упорядоченная структура волокнистого характера. Поверхность заготовки принимает требуемые форму и размеры в результате перераспределения элементарных объемов под воздействием инструмента. Исходный объем заготовки остается постоянным. [c.385]

В принципе можно получить все изохроматы, строя вокруг некоторой точки на поверхности кристалла поверхности постоянной разности фаз Аср = f d, i) = onst и находя их пересечения с плоскостями d = onst. [c.245]

В заключение обратим внимание на один существенный факт. Дело в том, что не в каждом двулучепреломляющем кристалле существует направление синхронизма. Хотя наличие двулучепреломления является необходимым условием для существования направления синхронизма, но оно не является достаточным. Достаточным условием является наличие такого сильного двулучепреломления, при котором из-за достаточной вытя-нутости эллипсоида происходит ее пересечение со сферой. Так, например, хотя кварц является одноосным двулучепреломля-ющим кристаллом поверхности показателей преломления ni и nf, [c.406]

Для сушествования К. в. необходимо, чтобы полная диссипация энергии, сопровождающая кристаллизацию и плавление, была достаточно мала. В обычных классич. кристаллах это условие не выполняется, и процесс ус-тановлепия равновесной формы носит апериодич. характер. В случае границы сверхтекучая квантовая жидкость — квантовый кристалл (поверхность кристалла Не) возникновение К. в. оказывается возможным, если темп-ра Т достаточно низка (гораздо ниже л-точки) и если поверхность кристалла находится в особом квантове пгероховатом состоянии, являющемся квантовым аналогом классич. атомно-шероховатого состояния (см. Кристаллизация), [c.496]

В общем случав на тип М. д. с. существенное влияние оказывают особенности магн. анизотропии (число осей лёгкого намагничивания) ориентация ограничивающих кристалл поверхностей относительно кристаллографич. осей форма и размеры образца, а также всевозможные дефекты — магн. и немагн. включения, дефекты упаковки, границы двойников (см. Двойникование), дислокации и др. [c.653]

На светопропускание керамики влияет У исталло-графическая форма основной фазы. В керамических материалах кубической сингонии показатель преломления одинаков во всех направлениях, и светопропускание через них в видимой части света достигает 80%. В керамике, содержащей соединения с более сложной структурой, вследствие анизотропии оптических свойств светопропускание снижается. Значение пористости керамики уже освещено ранее. Прозрачна только практически бес-пористая керамика. Установлено, что светопропускание керамики, особенно содержащей анизотропные кристаллы, связано с размером кристаллов. С увеличением размера кристаллов поверхность межзеренных границ, рассеивающих свет, уменьшается и светопропускание возрастает. [c.83]

Если процесс кристаллизации протекает в условиях ускоренного охлаждения, что обычно имеет место при получении литых деталей и слитков, то диффузионное выравнивание состава у кристаллов, выпавших при температурах выше Ц, не успевает происходить, в результате чего получается неодинаковый состав не только у отдельных кристаллов, а в каждом из них. Внутренние участки кристалла будут более богату тугоплавким компонентом В, наружные — компонентом А. Это явление неоднородности химического состава носит название микроликвации. Первые кристаллы поверхности слитка будут обогащены компонентом В, а последние, образовавшиеся в середине слитка, — компонентом А. В результате этого возникает макроликвация в слитке. [c.91]

Ось конической поверхности, определяющей направления синхронизма первого типа, совпадает с оптической осью кристалла. Поверхность пересекает плоскость xz, так как и вьшолнится для всех [c.154]

Использование. Имеется достаточное количество примеров применения фазового контраста в металлографии [26, 61, 62]. Метод дает особые преимущества в том случае, когда иоверхность имеет различие в уровнях, а контраст цвета или отражающей способности отсутствует. Так, этим методом можно легко исследовать структуру мартенсита, особенности роста кристаллов, поверхности скола и т. п. (фиг. 8). Очевидно, теоретически чувствительность к неровностям поверхности неограниченна Форти [39], считая чувствительность в 50 А вполне заурядной, приводит фотографии выходов на поверхность металлов винтовых дислокаций, причем высота ступеней, несомненно, не превышает 20 А с помощью подходящей техники декорирования становятся видимыми ступеньки высотой 5 А. Существует, однако, верхний предел, за которым фазовый контраст перестает увеличивать яркость поверхности с увеличением высоты неровностей поверхности иногда описываемый эффект делает невозможным определение того, является данный элемент поверхности выступом или, наоборот, впадиной. Еще одно из преимуществ метода фазового контраста заключается в том, что слабо и сильно травящиеся элементы поверхности при наблюдении не слишком резко различаются по контрасту. [c.365]

Такамура и Миура [20] наблюдали полосы скольжения в закаленном алюминии с помощью электронного микроскопа (методика реплик) и нашли, что в каждой грубой полосе наблюдаются скопления очень тонких следов скольжения (но не таких, как в а-лату-ни). Они предположили, что структура полос скольжения в закаленном алюминии подобна структуре, найденной в алюминиевых кристаллах, поверхность которых предварительно подвергалась механической обработке. Обычное поперечное скольжение не наблюдалось, но и развитие деформационных полос было подавлена. Чтобы объяснить этот результат, Такамура и Миура предложили несколько механизмов, учитывающих поверхностные повреждения за счет закалочных напряжений. [c.225]

Теплопроводность кристаллических агрегатов меньше теплопроводности монокристаллов вследствие сопротивлений тепловому потоку, оказываемых поверхностями контактов кристаллов, поверхностями контаетов кристаллов и пор и самими порами. [c.366]

Л метод Берга—Баррета для возня внутреннего сечения кристалла, поверхности, и изучения топографии пространственного расположения и распределения дислокаций. На рис. 76 показаны дислокации в пластически деформированном кристалле кремния, сфотографированные по методу проекционной рентгеновской топографии . [c.84]

Наличие многих очагов кристаллизации приводит к тому, что при кристаллизации зарождается и растет много дендритов или равновесных кристаллов. Поверхности растущих кристаллов сталкиваются и мешают взаимному развитию, поэтому их форма становится неправильной, а благодаря различной ориентировке конгломерат (поликристаллический металл) теряет анизотропность отдельных осей и становится изотропным. Разориентиро-ванные дендриты и кристаллы неправильной формы называют кристаллитами. [c.33]

В настоящее время метод клина обобщен на высокие частоты. Так, в работе [104] описывается возбуждение ультразвуковых поверхностных волн в кристалле ниобата лития клиновидным преобразователем, изготовленным из кристалла сульфида кадмия. Использование вместо пластмассы кристалла, поверхности которого обработаны с высокой точностью, а затухание звука в котором мало, позволило возбуждать волны в интервале 10—60 МГц. Вместо пьезопластинки на наклонной грани клина был создан путем диффузии серебра в тонкий поверхностный слой этой [c.99]

Домены со своей сверхструктурой, макроскопические дефекты, нарушения стехиометрии в сложных полупроводниках вносят в поверхность элементы неупорядоченности, причем эта неупорядоченность носит скорее не 2D, а 3D-характер. Согласно пока немногочисленным экспериментальным данным, в ряде случаев доменные области достигают нанометрических размеров. Для них могут проявляться как классические, так и квантовые размерные эффекты. В результате поверхностные (5) и объемные (V) свойства оказываются взаимосвязанными. Такая ситуация пока не обсуждалась в теоретических работах. Не исключено, что для атомарно-чистых поверхностей оптимальной может оказаться полидоменная структура с кластерами нанометрических размеров. Из-за тесной взаимосвязи 5 и К свойств кластеров, а также "подстройки" их структуры к строению всего кристалла, поверхность некоторых относительно больших участков может оказаться достаточно однородной. К таким поверхностям, с учетом размерных эффектов, может быть применена представленная в гл. 1—3 электронная теория поверхности. [c.153]

Рассмотрим теперь подробнее свойства рэлеевских и сдвиговых волн в простейшем варианте. Согласно формулам (1.5.4) и (1.5.5) при распространении в плоскости, перпендикулярной оси симметрии четного порядка, акустоэлектрические волны распадаются на два класса — квазипродольные и квазипоперечные волны, не измененные пьезоэффектом, и пьезоактивную сдвиговую волну. В ограниченном кристалле, поверхность которого содержит ось симметрии, волны первого типа, распространяющиеся перпендикулярно оси, дают рэлеевские волны волны второго типа, поляризованные вдоль оси, приводят к сдвиговым поверхностным волнам. [c.91]

Любое фазовое превращение включает в себя не только образование зародышей новой фазы, но и их рост. С точки зрения термодинамики рост образовавшихся флуктуационным путем кристаллических зародышей должен происходить при сколь угодно малых пересыщениях в исходной фазе (случай полного смачивания). Однако многочисленные экспериментальные исследования показывают, что при заданном пересыщении скорость роста грани кристалла зависит от ряда других, кроме пересыщения, факторов, и прежде всего, от морфологии поверхности растущей грани кристалла. Поверхности граней идеальных кристаллов по своему атомному строению принято подразделять на три типа сингулярные, ви-цинальные и несингулярные. [c.183]

ДЕФЕКТЫ кристаллической решётки (от лат. (1е ес1из — недостаток, изъян), любое отклонение от её идеального периодич. ат. строения. Д. могут быть либо атомарного масштаба, либо макроскопич. размеров. Образуются в процессе кристаллизации, под влиянием тепловых, механич. и электрич. воздействий, а также при облучении нейтронами, эл-нами, рентг. лучами, УФ излучением (см. Радиационные дефекты), при введении примесей и т. п. Различают точечные Д., линейные Д., Д.,образующие в кристалле поверхности, и объёмные Д. Простейшим точечным Д. явл. вакансия — узел крист, решётки, в к-ром отсутствует атом. В кристаллах могут присутствовать чужеродные атомы или ионы, замещая осн. ч-цы, образующие кристалл (примесные), или внедряясь между ними (междоузлия). Точечными Д. явл. также собств. атомы или ионы, сместившиеся из норм, положений (междоузельные атомы), а также центры окраски — комбинации вакансий с электронами проводимости или с дырками и др. В ионных кристаллах точечные Д. возникают парами. Две вакансии противоположного знака образуют т. н. дефект Шотки. Пара, состоящая из междоузельного иона и оставленной им вакансии, наз. дефектом Френкеля. [c.152]

Снижение осадкообразования в присутствии добавок ортофос-форной кислоты происходит л0-В1ЩИМ0МУ, в результате адсорбции фосфатов на поверхности зародышей кристаллов, что препятствует их дальнейшему росту. [c.58]

Учитывая изложенное, можно отметить, что переход из одного состояния в другое, например из жидкого в твердое, возможен тогда, когда твердое состояние более устойчиво, имеет более низкое значение свободной энергии. Но сам переход из одного состояни в другое требует затраты энергии на образование поверхности раздела жидкость—кристалл. [c.49]

Вторая зона слитка — зона столбчатых кристаллов 2. После образования самой 1к0рки условия теплоотвода меняются (из-за теплового сопротивления, из-за повышения температуры стенки изложницы и других причин), градиент температур в прилегающем слое жидкого металла резко уменьшается и, следо1ватель-но, уменьшается степень переохлаждения стали. В результате из небольшого числа центров кристаллизации начинают расти нормально ориентированные iK поверхности корки (т. е. в направлении отвода тепла) столбчатые кристаллы. [c.52]

Дислокация (обозначаемая значком J ) под действием силы Р перемещается направо только вследствие того, что изменяется соседство атомо В по обе стороны от плоскости АА. В конце концов дислокация выйдет иа поверхность кристалла (границу зер- [c.67]

Следовательно, поверхность E1AE3E (рис. 121) является поверхностью ликвидус первичной кристаллизации кристаллов А. Поверхность ВЕ1ЕЕ2 является поверхностью ликвидус первичной кристаллизации В, поверхность С г ЕЕз — первичной кристаллизации С. [c.151]

Примеси, растворенные в жидком металле, могут также измельчать зерно и изменять его форму. Примеси при затвердевании в виде тонкого слоя осаждаются на поверхности растущего кристалла и ограничивают его рост. Чем больню скорости охлаждения и заро-, ждения центров кристаллизации,тем больше скорость кристаллизации и тем мелкозерпистее структ ра сплава. При мелкозернистой структуре механические свойства сплава повышаются. [c.8]

Горячие трещины в отливках возникают в процессе кристаллизации и усадки металла при переходе из жидкого состояния в тве при температуре близкой к температуре солидуса. Горячие трещ..иы проходят по границам кристаллов и имеют окисленную поверхность. Склонность сплавов к образованию горячих трещин увеличивается при наличии неметаллических включений, газов (водорода, кислорода), серы и других примесей. Кроме того, образование горячих трещин вызывают резкие переходы от тонкой части отливки к толстой, острые углы, выступающие части и т. д. Высокая температура заливки способствует увеличению зерна металлической структуры и увеличению перепада температур в отдельных частях отливки, что повышает вероятность образования трещин. [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...