Двойниковая граница

Для пластической деформации скольжением и двойникованием общим являются их дислокационный механизм и однородность деформации. Геометрия и дислокационная модель скольжения объясняют поворот осей кристалла в процессе деформации. Теория пересечения двойника скользящей дислокацией — перегибы на двойниковой границе и ее искажение, при этом общим здесь является однородность деформации по всему кристаллу во время скольжения или в двойниковой прослойке при двойниковании. Однако в деформированных кристаллах распределение дислокаций неравномерное, а возникающие дислокационные сетки и субграницы при избытке дислокаций одного знака приводят к микроскопической неоднородности, создавая локальную разориентировку, достигающую нескольких градусов. При простейших видах деформации (растяжение, сжатие) возникают значительные разориентировки. Для неоднородных и неравномерных полей напряжений и деформаций в макромасштабе (прокатка, кручение, изгиб, прессование и т. п.) появление существенной разориентировки неизбежно. [c.148]

Хотя во время деформации и происходил некоторый рост зерен, он оставался менее 100 нм (рис. 5.14а). Зерна не были удлинены и не удалось обнаружить какого-либо свидетельства дислокационной активности внутри зерен, хотя тщательные исследования были проведены с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии границ двойников отжига (рис. 5.146), которые образовались в некоторых зернах ИПД сплава при его нагреве перед деформацией. Подобные двойниковые границы известны своей способностью легко захватывать и сохранять решеточные дислокации [c.207]

Одинаковые Разная ориентировка, удовлетворяющая особому условию симметричности Двойниковая граница [c.18]

Рис. 1.8. Строение межзеренной границы а — двойниковая граница б — переходная структура в —аморфный слой

Двойниковые границы. Существуют особые виды границ между кристаллами, когда атомы на поверхности раздела образуют узлы решеток обоих кристаллов. Два таких кристалла на границе сопрягаются своими плоскостями и, как говорят, когерентны друг с другом. Распространенным проявлением общей когерентной границы двух кристаллов является двойниковая или зеркальная сопряженность. [c.20]

Эффективное использование резервов заложенных в материалах свойств приобретает актуальнейшее значение на современном этапе. О величине таких резервов достаточно красноречиво свидетельствует, например, теоретическая оценка прочности твердых тел, в частности металлов. Так, прочность металлов на разрыв (при всестороннем растяжении) может достигать нескольких сотен и тысяч килограмм-сил на 1 мм [1]. Прочность же промышленных металлов и сплавов обычно составляет 10—100 кгс/мм2. "Такая большая разница между значениями теоретической и технической прочности обусловлена наличием в реальном материале различных дефектов микроскопических — точечных (вакансии, межузельные атомы, примесные атомы в твердых растворах), линейных (дислокации), двухмерных (поверхностные и двойниковые границы, дефекты упаковки, межзеренные границы в поликристалле) и макроскопических (включения других фаз, поры, трещины и пр.). [c.6]

Поверхностные дефекты, или несовершенства, размер которых мал только в одном направлении. К поверхностным дефектам относятся границы между блоками (см. стр. 68) и между зернами или двойниковые границы (см. стр. 54), поверхности раздела между твердыми фазами, дефекты упаковки и свободные поверхности. В этих случаях несовершенная область является поверхностью, простирающейся внутрь кристалла. [c.22]

Высокая дефектность образовавшейся после закалки и отпуска структуры 7т—мартенсита, наличие подвижных двухмерных дефектов типа границ двойников, высокие внутренние напряжения обусловливают высокий уровень демпфирования сплавов системы Мп—Си при малых и значительных амплитудах. За уровень демпфирования при малых амплитудах колебаний ответственно общее искажение атомной структуры, характерное для мартенсита, а при значительных амплитудах — обратимое перемещение подвижных дефектов,— двойниковых границ в возникших мартенситных кристаллах и между этим мартенситом и исходной матричной фазой. [c.304]

Отличительной особенностью ручьистого узора в металле с ГЦК решеткой является изменение направлений ступенек скола не только на границе зерен, но и во внутренних объемах зерен. На поверхности фасеток возникают зигзаги - уступы ручьистого узора. Это изменение направления ручьистого узора обусловлено пересечением плоскости разрушения малоугловых и двойниковых границ. [c.340]

Как показало цветное избирательное окисление, хорошо выявляющее двойники отжига в зернах аустенита [5, И], некоторые иглы видманштеттового феррита возникали вдоль когерентных границ двойников. Причем формирование иглы в этом случае происходило по обе стороны границы, т. е. в зерне и двойнике, а двойниковая граница была осевой линией иглы. Такие иглы [c.71]

Многочисленные места зарождения аустенита с низкой энергией активации процесса зарождения могут быть созданы в мартенсите или при пластической деформации, или в результате старения, например при выделении карбидов на двойниковых границах. Это обеспечивает увеличение числа мест зарождения, и, кроме того, закрепленные карбидами границы двойников ограничивают разрастание областей аустенита. [c.239]

Можно, наоборот, в результате диффузии междоузельных атомов ввести лишний слой в промежуток между соседними слоями. Тогда при введении, например, слоя В сформируется упаковка. .. АВСВАВС. . . Этот дефект называют дефектом упаковки внедрения. Его можно рассматривать как две смежные двойниковые границы ВСВ и ВАВ. [c.113]

Рис. 83. Схема реакции двойниковой границы, составленной из краевых дислокаций (а), с образованием некогерентной двойниковой границы без дальиодействующего поля напряжения (б)

Реакция (84) энергетически не выгодна и возможна только при концентрации напряжений на двойниковом некогерентном фронте, что и имеет место в действительности. Реакция (84) дает набор испущенных дислокаций из некогерентных границ двойника с нулевым даль-нодействующим полем напряжений. Происходит увеличение длины двойниковой прослойки за счет эмиссии дислокаций из некогерентной границы. Деформация сдвига, произведенная испущенными дислокациями, эквивалентна деформации от исходной двойниковой границы, из которой они испущены. Существование эмиссионных дислокаций для о. ц. к. и г. п. у. кристаллов подтверждено экспериментами просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаемым пробегом субграниц впереди двойника. [c.145]

Нами разработана методика исследований скоростных микро-структурных изменений в стали при высоких температурах и пластической деформации [275]. При рассмотрении недеформированного аустенита этот метод имеет существенное преимущество перед вакуумным травлением, так как он фиксирует структуру аустенита практически мгновенно, что важно для динамических процессов резко выделяет слаботравящиеся двойниковые границы созданием цветового контраста пограничных объемов надежно исключает из рассмотрения в качестве границ следы движения границ аустенитных зерен отличается большой наглядностью. [c.181]

Рис. 5.14. Фотографии наноструктурного №зА1 а — светлопольное электронно-микроскопическое изображение б — высокоразрешающая фотография двойниковых границ

Таким образом, хемомехани-ческий эффект в данном случае проявляется в два этапа химическое растворение поверхности вызывает поток двойникующих дислокаций и рост двойников, а следующее затем механохими-ческое растворение двойников вызывает, поток полных дислокаций, ранее заторможенных нэ двойниковых границах. [c.128]

Типичным примером, характеризующим деформационное поведение монокристаллов, являются результаты исследования сплава Си — А1 — N1. На рис. 2.50 показаны [44] кривые напряжение — деформация, полученные при растяжении монокристаллических образцов сплава [% (по массе)] Си — 14,5 А1 - 4,4 N1 в широком интервале температур, включающем Г превращения. При Т < перед деформацией существует термически равновесная мартенситная 7-фаза. Миграция поверхности раздела мартенситной и исходной фаз или двойниковой границы внутри мартенситных кристаллов обусловливает механизм деформации при низких напряжениях. Позтому на кривых не наблюдается области упругой деформации и легко происходит пластическая деформация. В интервале наблюдается область упругой деформации исходной фазы до того, как под действием напряжений образуется мартенситная 71 -фаза. В тот момент, когда напряжения вызывают образование мартенсита, происходит значительное падение пряжений. Это явление связано с механизмом образования мартенситной у -фазы. Она образуется мгновенно в большом объеме, при зтом высвобождается большая знергия деформации и происходит значительная релаксация напряжений. При Т <. при снятии нагрузки деформация сохраняется частично или полностью, однако затем при нагреве происходит полный возврат деформации. В связи с зтим восстанавливается форма, то есть сплавы проявляют аффект памяти формы. При Т> А мартенситная 0 1-фаза образуется под действием напряжений, поэтому при зтих температурах (рис. 2.50) большого падения напряжений не происходит, однако вблизи точки [c.107]

На рис. 2.51 показаны кривые напряжение — деформация, иллюстрирующие деформационное поведение поликристаллических образцов сплава Си — А1 — N1 [45]. Хотя в температурной области ниже точки поликристаллических образцов и наблюдается упругая деформация в мартенситном состоянии (см. рис. 2.51, а), но миграция поверхностей раздела между мартенситными фазами или двойниковых границ внутри кристаллов мартенсита происходит с большим трудом, чем в монокрис-таллических образцах. Можно считать, что причиной этого является [39, 40] взаимное стеснение кристаллических зерен. В температурной области выше точки напряжение образования мартенсита, как и в [c.108]

Мартенситное превращение сопровождается изменением формы превращенной области, что проявляется в образовании рельефа на плоской поверхности образца. Движение межфазной поверхности при мартенситном превращении по своему характеру близко к распространению двойниковых границ. В обоих случаях перестройка решетки осуществляется перемещением частичных дислокаций (трансформационных или двойникующих) вдоль межфазной поверхности. Вследствие этого скорость роста мартенситных кристаллов велика и мало чувствительна к изменению температуры. Со сдвиговым характером перестройки решетки связано и образование многочисленных дефектов кристаллической решетки Б мартенситной и исходной фазах. Дефекты являются следствием пластической релаксации упругих напряжений, возникающих в связи с изменением формы превращающейся области. Мартенситные превращения называют также превращениями с изменением формы [1191. [c.31]

Двойниковая граница может быть построена при малом числе дислокаций (когорентная граница). Для -случая меди (г. ц. к.) энергия когерентной двойниковой границы, параллельной (111), составляет лишь 7зо энергии среднеугловой границы зерна, расположенной в плоскости (III). Энергия некогерентной двойниковой границы значительно больше, но все же не достигает величины энергии среднеугловых границ зерен. [c.80]

Однако имеется принципиальное различие между упругим двойнико-ванием и сверхупругостью (резиноподобное поведение материала). Это различие связано с тем, что если при упругом двойниковании движущей силой процесса является поверхностное натяжение двойниковой границы, то в случае резиноподобного поведения движущая сила процесса — различие свободных энергий двойника и материнского кристалла. [c.252]

Наряду с работами, в которых фиксировали дислокации, образующиеся в процессе СП течения, следует отметить исследования [123], где использовали мелкозернистые сплавы, содержащие внутри зерен двойники. Как известно [124], в границах двойников поглощение решеточных дислокаций не происходит почти до предпла-вильных температур, поэтому двойники могут служить ловущка-ми для дислокаций. В работе [123] при исследовании тонких фолы из образцов, деформированных в СП состоянии, не было обнаружено дислокаций в двойниковых границах после деформации в области I, но они наблюдались после деформации с оптимальными Скоростями и особенно много их было при высоких 8 (в области П1). Аналогичные исследования были проведены недавно на аустенит-ной стали с размером зерен около 2 мкм. Установлено, что в двойниковых границах решеточные дислокации диссоциируют на зернограничные, которые перемещаются по границам двойников и стекают в границы зерен. На рис. 18 показаны решеточные дислокации в границе двойника, диссоциирующие на две зернограничные. Видны характерные изгибы и извилистость линий дислокаций, свидетельствующие об их подвижности в двойниковых границах. [c.51]

В книге помещены переводы статей, опубликованных в зарубежной периодической печати в последние годы. В I части книги рассматривается атомная структура различных дефектов в кристаллах полупроводников с решеткой алмаза и цинковой обманки (сфалерита) полные и частичные дислокации, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, а также наклонные границы, в том числе двойниковые границы высокого порядка. Во II чаети описаны структура и происхождение некоторых типов дефектов, встречающихся главным образом в эпитаксиальных пленках дефекты упаковки, микродвойниковые ламели и более сложные дефекты типа трипирамид , воэникновение которых обусловливается многократным двойникованием. [c.335]

Границы, образующиеся в твердом теле, можно разделить на три основных класса когерентные, полукогерентные и некогерентные. Считается, что два кристалла полностью когерентны, если они соприкасаются по плоской поверхности раздела (не обязательно рациональной), которая является общей для решеток обоих кристаллов. Ряды и плоскости обеих решеток не прерываются на поверхности раздела, а лишь изменяют направление при переходе от одного кристалла к другому. Примером границ этого типа являются когерентные двойниковые границы. Однако в общем случае, когда имеются две различные фазы с произвольными параметрами решеток (зависящими от характера межатомных взаимодействий), плоскости, по которым могло бы происходить точное сопряжение обеих решеток, обычно отсутствуют, так что полностью когерентные межфазные границы между кристаллами значительных размеров явление редкое. Но если площадь поверхности раздела достаточно мала и если неточность сопряжения решеток соприкасающихся кристаллов невелика, когерент- [c.232]

Особый случай большеугловой границы представляет собой двойниковая граница. Атомы, расположенные в плоскости двойниковой границы, когерентны с каждым из прилегающих зерен (фиг. 3, а), причем расстояния от этих атомов до первых бли- [c.404]

Между разными фазами могут возникнуть когерентные границы, изображенные на фиг. 3, б. Так же как и в двойниковых границах, когерентности между фазами благоприятствуют определенные кристаллографические ориентировки, при которых атомы, расположенные вдоль границ, принадлежат в равной мере обеим соседним фазам. Это подтверждено экспериментально определением атомной структуры соприкасающихся кристаллрграфи-ческих плоскостей. Наличие этих границ ведет к образованию структур типа видманштеттовой и играет также важную роль в механизмах дисперсионного твердения (гл. V). [c.405]

Таким образом, предложенная модель зарождения ) -фазы ва двойниковых границах при ускоренном нагреве может объяснить экспериментальный факт существования после Ш1кла у- а- у превращения восстановленной, двойниковой и других ограниченных ориентировок у-фазы в сплавах с частично двойникованным мартенситом. [c.74]

Кристаллографический анализ ориентировок новых зерен на всех стадиях рекристаллизации показывает, что при скоростях нагрева 150 град/мия и 2000 град/с исходная текстура у- а- у превращений (см. рис. 3.6) заменяется беспорядочно ориентированными кристаллами у-фазы, полюсы которых полностью заполняют стереографический треугольник исходного аустенита (рис. 4.3). Развитие рекристаллизации путем миграции существующих границ невосстановленных у-кристалпов, приводящей к сохранению текстуры фазового превращения, не наблюдается. Отсутствие миграции этих границ при рекристаллизации можно объяснить 1215] малой подвижностью двойниковых границ, которые в основном образуются между невосстановленными пластинами и исходным аустенитом. [c.149]

Смотреть страницы где упоминается термин Двойниковая граница : [c.39] [c.145] [c.147] [c.159] [c.162] [c.164] [c.11] [c.128] [c.129] [c.17] [c.85] [c.72] [c.117] [c.252] [c.24] [c.355] [c.404] [c.405] [c.405] [c.408] [c.218] [c.218]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...